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電子發(fā)燒友網(wǎng)>嵌入式技術(shù)>意法半導體新ACEPACK功率模塊可自由地優(yōu)化散熱器尺寸和功率耗散

意法半導體新ACEPACK功率模塊可自由地優(yōu)化散熱器尺寸和功率耗散

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過程中不損壞器件?一、怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性1、彎腳功率電路為保證散熱效果往往安裝有較大的散熱器,而用戶所得到的穿孔封裝器件的引腳是直排的,這會影響散熱器的安裝,所以在實際應用中往往需要改變標準封裝
2008-08-12 08:46:34

半導體與遠創(chuàng)達簽署LDMOS技術(shù)許可合作協(xié)議

功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。半導體與遠創(chuàng)達的合作協(xié)議將擴大意半導體LDMOS產(chǎn)品的應用范圍。協(xié)議內(nèi)容保密,不對外披露。 相關(guān)新聞MACOM和半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場
2018-02-28 11:44:56

半導體發(fā)布新款STSPIN電機驅(qū)動,可簡化中低功率電機驅(qū)動設(shè)計,提高電機控制的靈活性

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微控制的關(guān)機模式功耗低至33nA,EEMBC ULPBench測試成績?nèi)〉?02 ULPMark-CP。新產(chǎn)品傳承半導體的低功耗技術(shù)專長,例如,自適應電壓調(diào)節(jié)、實時加速、功率門控和在以前的STM32L
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半導體推出《通過SensorTile了解嵌入式系統(tǒng)》物聯(lián)網(wǎng)課程

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2018-05-22 11:20:41

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半導體推出封裝小、性能強的低壓差穩(wěn)壓創(chuàng)新產(chǎn)品

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半導體推出支持汽車精確定位控制的新款高精度MEMS傳感

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半導體收購圖形用戶界面軟件專業(yè)開發(fā)公司Draupner Graphics

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半導體已將其 STM32Cube.AI 機器學習開發(fā)環(huán)境放入云中,并配有云訪問的半導體MCU板進行測試。這兩個版本都從TensorFlow,PyTorch或ONNX文件為STM32微控制
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26262 ASIL(汽車安全完整性等級)的認證。FDA903D還增加一項負載電流監(jiān)控功能,可以連續(xù)監(jiān)測揚聲電流,從而實現(xiàn)高級診斷功能,提升揚聲性能。新產(chǎn)品擴大了半導體的汽車級高可靠性全數(shù)
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半導體第 21 年發(fā)布可持續(xù)發(fā)展報告

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2018-05-29 10:32:58

半導體功率電子熔斷集成增值保護功能,提高安全性和可靠性

中國,2018年7月16日——半導體STEF01可編程電子熔斷集成低導通電阻RDS(ON) 的VIPower?MOSFET功率管,在8V到48V的寬輸入電壓范圍內(nèi),能夠維持高達4A的連續(xù)電流
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半導體高集成度四通道低邊開關(guān),為智能自動化帶來豐富的診斷功能

新聞創(chuàng)新的自適應脈寬調(diào)制為固定通/斷時間可控的穩(wěn)壓提供恒定開關(guān)頻率意半導體(ST)先進電機控制芯片讓自動化系統(tǒng)尺寸更小,運行更順暢、更安靜半導體高集成度數(shù)字電源控制簡化設(shè)計,助力應用達到最新能效安全標準`
2018-06-04 10:37:44

半導體(ST)簡化顯示模塊設(shè)計

的電路板空間。  STLED25繼承半導體先進的設(shè)計和制造能力,提供五個可直接連接LED上橋臂端的電流源,而下橋臂可直接連接地面,無需將每個LED通道回連至控制芯片,從而實現(xiàn)更緊湊、穩(wěn)健且可靠
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IGBT模塊散熱器介紹

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2012-06-19 13:52:17

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2012-12-12 21:01:48

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,大容量高壓IGBT模塊散熱器適合采用平板式封裝結(jié)構(gòu)?! ?第四代IGBT模塊散熱器的基本特點  3.1溝槽(Trench)結(jié)構(gòu)  同各種電力半導體一樣,IGBT向大功率化發(fā)展的內(nèi)部動力也是減小通態(tài)壓降
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2012-06-20 14:58:40

IGBT模塊散熱器選擇及使用原則

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MACOM和半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場和應用

到數(shù)十億美元。”相關(guān)新聞Argus網(wǎng)絡(luò)安全科技公司與半導體(ST)攜手合作,加強網(wǎng)聯(lián)汽車技術(shù)的數(shù)據(jù)安全和隱私保護半導體 sub-1GHz射頻收發(fā)單片巴倫 讓天線匹配/濾波電路近乎消失意半導體Bluetooth? Low Energy應用處理模塊通過標準組織認證,加快智能物聯(lián)網(wǎng)硬件上市
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2010-04-13 10:50:061112

散熱器選擇及散熱計算

  目前的電子產(chǎn)品主要采用貼片式封裝器件,但大功率器件及一些功率模塊仍然有不少用穿孔式封裝,這主要是方便地安裝在散熱器上,便于散熱。進行大功率器件及功率
2010-08-28 10:22:344451

半導體發(fā)布高效電路BC2及功率優(yōu)化器件

  全球領(lǐng)先的功率半導體供應商半導體(紐約證券交易所代碼:STM),發(fā)布一款獲得專利的高效電路BC2以及為該電路設(shè)計的
2010-11-08 08:44:581184

(ST)封裝技術(shù)縮減天線耦合尺寸

全球領(lǐng)先的半導體供應商半導體(ST)推出兩款全新天線功率控制芯片。以主流3G無線產(chǎn)品為目標應用,新產(chǎn)品的尺寸較比上一代產(chǎn)品縮減尺寸83%以上,改進的能效
2012-02-03 15:19:091416

功率電源模塊散熱設(shè)計與應用開發(fā)

本文針對電源設(shè)備中存在的大功率電源模塊的熱問題,進行了熱設(shè)計和優(yōu)化,主要對影響散熱性能的因素進行了分析,給出了散熱器的選擇和應用方法、風機的選擇方法,提出了一種利用散熱器優(yōu)化設(shè)計軟件QFIN對大功率
2017-08-30 17:16:559

長虹功率晶體管散熱器樣本與插片式散熱器相關(guān)技術(shù)詳解

本文介紹了長虹功率晶體管散熱器樣本與插片式散熱器,以及各系列散熱器的介紹。
2017-11-20 14:48:515

半導體展示其在功率GaN方面的研發(fā)進展

今年9月,半導體展示了其在功率GaN方面的研發(fā)進展,并宣布將建設(shè)一條完全合格的生產(chǎn)線,包括GaN-on-Si異質(zhì)外延。
2018-12-18 16:52:145865

探析半導體未來功率GaN路線圖

Yole電力電子技術(shù)與市場分析師Ana Villamor與半導體功率RF和GaN產(chǎn)品部經(jīng)理Filippo Di Giovanni會面,討論半導體與CEA-Leti在GaN研發(fā)方面的合作情況,以及未來幾年功率GaN路線圖。
2018-12-24 15:14:276507

半導體VIPer26K高壓功率轉(zhuǎn)換

半導體發(fā)布的VIPer26K高壓功率轉(zhuǎn)換集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET,使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設(shè)計簡單的優(yōu)點。
2019-08-03 10:00:405779

半導體推出靈活的數(shù)字功率因數(shù)控制器

STNRGPF12是半導體的雙通道交錯式升壓PFC控制,兼?zhèn)鋽?shù)字電源的設(shè)計靈活性和模擬算法的快速響應性,控制配置和優(yōu)化的過程非常簡單,使用意半導體的eDesignSuite軟件就可以輕松完成。
2019-08-07 17:05:014716

半導體和三墾聯(lián)合開發(fā)車規(guī)智能功率模塊

10月28日橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)與半導體、功率模塊和傳感技術(shù)創(chuàng)新的領(lǐng)導者三墾電氣有限公司(TSE:6707)攜手合作,發(fā)揮智能功率模塊(IPM)在高壓大功率設(shè)備設(shè)計中的性能和實用
2020-11-05 10:54:052416

半導體最新推出MasterGaN器件

半導體的MasterGaN4*功率封裝集成了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管,以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動和電路保護功能,可以簡化高達200W的高能效電源變換
2021-04-16 14:41:043668

功率半導體器件風冷散熱器熱阻計算

功率半導體器件風冷散熱器熱阻計算方法。
2021-04-28 14:35:2645

導熱硅脂在功率模塊散熱系統(tǒng)中的作用

功率半導體模塊散熱系統(tǒng)應用中,通常都會采用導熱硅脂將功率器件產(chǎn)生的熱量傳導到散熱器上,再通過風冷或水冷的方式將熱量散出。在實際應用中,很多熱設(shè)計工程師更多地關(guān)注散熱器優(yōu)化設(shè)計,而忽略了導熱硅脂
2021-07-05 14:49:352336

卡塔尼亞大學與半導體簽署功率電子培訓與研究合作協(xié)議

半導體宣布簽署一份功率電子教學研究活動框架協(xié)議,以促進學生的學術(shù)和職業(yè)培訓,鼓勵技術(shù)創(chuàng)新研究活動。
2021-11-16 10:45:52749

半導體氮化鎵功率半導體PowerGaN系列首發(fā),讓電源能效更高、體積更纖薄

半導體推出了一個新系列—— 氮化鎵(GaN) 功率半導體。該系列產(chǎn)品屬于半導體的STPOWER 產(chǎn)品組合,能夠顯著降低各種電子產(chǎn)品的能耗和尺寸。
2021-12-17 17:32:301432

半導體推出氮化鎵(GaN)功率半導體新系列

半導體(簡稱ST)推出了一個新系列——氮化鎵(GaN)功率半導體。該系列產(chǎn)品屬于半導體的STPOWER產(chǎn)品組合,能夠顯著降低各種電子產(chǎn)品的能耗和尺寸。該系列的目標應用包括消費類電子產(chǎn)品的內(nèi)置
2022-01-17 14:22:543358

半導體推出IPS1025HF快速啟動高邊功率開關(guān)

中國,2022年9月6日——半導體推出了IPS1025HF快速啟動高邊功率開關(guān),目標應用是要求上電延遲時間極短的安全系統(tǒng)。
2022-09-07 11:29:492015

半導體推出100W無線充電接收芯片,業(yè)內(nèi)額定功率最高

半導體(簡稱ST)推出了100W無線充電接收芯片,這是業(yè)內(nèi)額定功率最高的無線充電接收芯片,面向當前市場上最快的無線充電。使用意半導體的新芯片STWLC99,不到30分鐘即可將一部電池容量最大的高端智能手機充滿電。
2022-12-08 10:17:041588

半導體推出具超強散熱能力的車規(guī)級表貼功率器件封裝ACEPACK SMIT

半導體推出了各種常用橋式拓撲的ACEPACK SMIT封裝功率半導體器件。與傳統(tǒng) TO 型封裝相比,半導體先進的ACEPACK SMIT 封裝能夠簡化組裝工序,提高模塊功率密度。
2023-01-16 15:01:251612

ST推出具超強散熱能力的車規(guī)級表貼功率器件封裝

來源:半導體 2023 年 1 月 16日,中國——半導體推出了各種常用橋式拓撲的ACEPACK? SMIT 封裝功率半導體器件。與傳統(tǒng) TO 型封裝相比,半導體先進的ACEPACK
2023-01-18 15:40:291253

半導體怎么樣

半導體怎么樣 半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics
2023-02-08 14:24:113006

功率器件的散熱計算

功率器件及功率模塊散熱計算,其目的是在確定的散熱條件下選擇合適的散熱器,以保證器件或模塊安全、可靠地工作。目前的電子產(chǎn)品主要采用貼片式封裝器件,但大功率器件及一些功率模塊仍然有不少用穿孔式封裝,這主要是方便地安裝在散熱器上,便于散熱
2023-02-16 17:52:291869

功率模塊功率IC如何區(qū)分

功率模塊一般指的是將功率MOSFET、IGBT等功率半導體器件與其驅(qū)動電路、散熱器等部分集成在一起的電路模塊。這種模塊具有集成度高、可靠性好、穩(wěn)定性強等優(yōu)點,適用于功率范圍較大的場合,如工業(yè)自動化、電力電子等領(lǐng)域。
2023-02-26 17:38:102775

基于ST 半導體ST-ONE和MASTERGAN4的超高功率密度65W USB Type-C PD 3.1解決方案

ST-ONEMP與半導體的MasterGaN功率技術(shù)配套使用。 MasterGaN技術(shù)包含意半導體的集成柵極驅(qū)動的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。半導體GaN技術(shù)的開關(guān)頻率比傳統(tǒng)硅 MOSFET更高,使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設(shè)計規(guī)范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011

半導體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設(shè)計,為沃爾沃下一代電動汽車賦能

? 點擊上方? “?半導體中國” , 關(guān)注我們 ???????? ?? 半導體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅 ( SiC ) 功率MOSFET,支持沃爾沃汽車在2030年前全面實現(xiàn)
2023-09-07 08:10:011443

半導體推出雙列直插式封裝ACEPACK DMT-32系列碳化硅功率模塊

半導體推出面向汽車應用的32引腳、雙列直插、模制、通孔ACEPACK DMT-32系列碳化硅功率模塊。這些組件專為車載充電器 (OBC)、DC/DC 轉(zhuǎn)換、流體泵和空調(diào)等系統(tǒng)而設(shè)計,具有高
2023-10-26 17:31:321801

半導體發(fā)布ACEPACK DMT-32系列車規(guī)碳化硅(SiC)功率模塊

中國– 半導體發(fā)布了ACEPACK?DMT-32系列車規(guī)碳化硅(SiC)功率模塊,新系列產(chǎn)品采用便捷的 32 引腳雙列直插通孔塑料封裝,目標應用是車載充電機(OBC)、DC/DC直流變壓、油液
2023-10-30 16:03:101264

半導體發(fā)布ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模塊

半導體(STMicroelectronics)發(fā)布了ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模塊,采用方便的32引腳雙列直插式模制通孔封裝,適用于汽車應用。針對車載充電器 (OBC
2023-11-14 15:48:491785

半導體與致瞻科技就SiC達成合作!

今日(1月18日),半導體在官微宣布,公司與聚焦于碳化硅(SiC)半導體功率模塊和先進電力電子變換系統(tǒng)的中國高科技公司致瞻科技合作,為致瞻科技電動汽車車載空調(diào)中的壓縮機控制提供半導體第三代碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。
2024-01-19 09:48:161639

探討半導體散熱器的原理和工作機制

探討半導體散熱器的原理和工作機制 半導體散熱器是一種用于散熱的設(shè)備,主要用于散熱處理器、顯卡等電子設(shè)備中的發(fā)熱元件。在本文中,我們將詳細討論半導體散熱器的原理和工作機制。 半導體器件在工作
2024-02-02 17:06:067754

半導體推出功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動

半導體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:361813

半導體推出新型功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動

半導體(ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動,這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計上追求穩(wěn)健性和可靠性,還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性,以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:431511

比亞迪半導體功率半導體模塊與設(shè)備專利

此項新發(fā)明涉及一款功率半導體模塊及設(shè)備,該裝置由兩個散熱器—上散熱器和下散熱器組成,散熱器之間配有基板封裝組合件,以此來實現(xiàn)上下散熱器之間的平行結(jié)構(gòu)。
2024-03-29 09:38:52913

半導體在意大利建設(shè)SiC功率器件制造基地

半導體近日宣布,計劃在意大利卡塔尼亞投資建設(shè)一座綜合性大型制造基地,專注于8英寸碳化硅(SiC)功率器件和模塊的制造、封裝及測試。此項目預計于2026年投入運營,并計劃在2033年前實現(xiàn)全部產(chǎn)能。
2024-06-07 09:52:201275

半導體第四代碳化硅功率技術(shù)問世

半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時,半導體還針對
2024-10-12 11:30:592195

半導體與雷諾集團簽署碳化硅長期供貨協(xié)議

????????半導體與雷諾集團簽署長期供貨協(xié)議,保證安培碳化硅功率模塊的供應安全。
2024-12-05 10:41:211095

雷諾安培與半導體深化合作,簽署SiC功率模塊供貨協(xié)議

協(xié)議,從2026年起,半導體將為安培長期供應碳化硅(SiC)功率模塊。這一舉措是雷諾集團與半導體合作開發(fā)電源控制系統(tǒng)(powerbox)項目的重要一環(huán),旨在提升安培超高效電動汽車逆變器的性能。 功率模塊作為電源控制系統(tǒng)的核心組件,對于電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的性能和競爭力至
2024-12-11 11:03:32938

半導體發(fā)布250W MasterGaN參考設(shè)計

參考設(shè)計,旨在加速緊湊、高效工業(yè)電源的實現(xiàn)。 MasterGaN-SiP是半導體的創(chuàng)新之作,它將GaN功率晶體管與經(jīng)過優(yōu)化的柵極驅(qū)動完美整合于一個封裝內(nèi)。這一設(shè)計不僅顯著提升了電源的性能和可靠性,還通過高度集成的方式,極大地加快了設(shè)計速度,并有效節(jié)省了PCB電路板空間。 與傳統(tǒng)
2024-12-25 14:19:481143

半導體STGAP3S系列電隔離柵極驅(qū)動概述

半導體的STGAP3S系列碳化硅(SiC)和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動集成了半導體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。
2025-01-09 14:48:331279

半導體新能源功率器件解決方案

在《半導體新能源功率解決方案:從產(chǎn)品到應用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件,讓大家對其在相關(guān)領(lǐng)域的應用有了一定了解。接下來,本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501643

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