本文將介紹一種門極驅(qū)動(dòng)器利用SiC-MOSFET的檢測(cè)端子為其提供全面保護(hù)的先進(jìn)方法。所提供的測(cè)試結(jié)果包括了可調(diào)整過(guò)流和短路檢測(cè)以及軟關(guān)斷和有源鉗位（可在關(guān)斷時(shí)主動(dòng)降低過(guò)壓尖峰）等功能。
2016-11-16 11:19:57
8316 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)前面已經(jīng)介紹過(guò)，如低損耗、高速開(kāi)關(guān)、高溫工作等，顯而易見(jiàn)這些優(yōu)勢(shì)是非常有用的。本章將通過(guò)其他功率晶體管的比較，進(jìn)一步加深對(duì)SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:522072 在高耐壓范圍中，SiC MOSFET與Si-MOSFET相比，具有“開(kāi)關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優(yōu)勢(shì)。基于這些優(yōu)勢(shì)，當(dāng)SiC-MOSFET用于AC/DC轉(zhuǎn)換器和DC
2019-04-24 12:46:442091 反激式轉(zhuǎn)換器必須隨著負(fù)載、電壓和溫度的變化提供卓越的穩(wěn)壓性能。LT8304-1 是一款隔離型、非光反激式轉(zhuǎn)換器，其專為高輸出電壓應(yīng)用而優(yōu)化，可提供高達(dá) 1000 V 的輸出。傳統(tǒng)上，穩(wěn)壓反饋環(huán)路需要一
2018-10-25 09:58:04
描述PMP10121 參考設(shè)計(jì)采用 UCC28600 準(zhǔn)諧振反激式控制器從交流輸入生成 22V @ 3.5A 輸出。此反激式轉(zhuǎn)換器并非隔離式，無(wú)需光耦合器即可進(jìn)行調(diào)節(jié)。主要特色 準(zhǔn)諧振反激式拓?fù)渌狞c(diǎn)
2018-11-14 11:19:08
不需要外部負(fù)載補(bǔ)償電阻器和電容器。因此，LT8315 解決方案的組件少，從而極大地簡(jiǎn)化了隔離型反激式轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。 圖 1 示出了一款具 20V 至 450V 寬輸入范圍之反激式轉(zhuǎn)換器的完整原理圖。該器件
2018-10-29 17:04:58
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進(jìn)行替換時(shí)，還需要探討柵極驅(qū)動(dòng)器電路。與Si-MOSFET的區(qū)別：內(nèi)部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的內(nèi)部柵極電阻Rg依賴于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
電流檢測(cè)電阻 R1輸出電容器 C5輸出整流二極管 D4 EMI對(duì)策 實(shí)裝PCB板布局與總結(jié)使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例 前言設(shè)計(jì)中使用的電源IC專為SiC-MOSFET優(yōu)化評(píng)価
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來(lái)越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過(guò)目前ROHM已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體二極管的恢復(fù)損耗非常小?！ ≈饕獞?yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中?！ ?. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻 SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
離子有時(shí)會(huì)引發(fā)半導(dǎo)體器件的單粒子效應(yīng)，這已成為需要解決的問(wèn)題。在對(duì)SiC-MOSFET（n=15）進(jìn)行的白色中子照射試驗(yàn)（能量：1～400MeV，由大阪大學(xué)核物理研究中心RCNP實(shí)施）中，在Vds
2018-11-30 11:30:41
的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例 前言設(shè)計(jì)中使用的電源IC專為SiC-MOSFET優(yōu)化評(píng)価編絕緣型反激式轉(zhuǎn)換器的性能評(píng)估和檢查要點(diǎn) 所謂隔離型反激式轉(zhuǎn)換器的性能評(píng)估和檢查要點(diǎn) 性能評(píng)估事例中所使用電源IC
2018-11-27 16:38:39
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
的不是全SiC功率模塊特有的評(píng)估事項(xiàng)，而是單個(gè)SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，該信息也非常有用?！皷艠O誤導(dǎo)通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
描述此 PMP5600 是一種準(zhǔn)諧振隔離型反激式，從高壓線路開(kāi)始，并提供 13.65V (1.5A)。轉(zhuǎn)換器通過(guò)電容器和小型 SOT-23 Mosfet 來(lái)“讀取”市電頻率。執(zhí)行電池測(cè)試功能時(shí)測(cè)試點(diǎn)的短路將輸出電壓降低至 8.34V
2018-07-13 07:10:40
隔離型反激式轉(zhuǎn)換器廣泛用于汽車、工業(yè)、醫(yī)療和電信領(lǐng)域，在此類應(yīng)用中電源必須具有可靠、易用、高電壓和隔離的特性，隔離型反激式轉(zhuǎn)換器必須隨著負(fù)載、電壓和溫度的變化提供卓越的穩(wěn)壓性能。LT8304-1 是一款隔離型、非光反激式轉(zhuǎn)換器，其專為高輸出電壓應(yīng)用而優(yōu)化，可提供高達(dá) 1000 V 的輸出。
2019-08-06 07:15:01
本文將開(kāi)始AC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)篇的新篇章：“使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例”。在本文中，繼此前提到的“反激式”和“正激式”之后，將介紹使用了“準(zhǔn)諧振方式”電源IC的隔離型AC
2018-11-27 17:03:34
連續(xù)模式和續(xù)模式電源IC的選擇和設(shè)計(jì)案例主要元器件的選型輸入電容器：輸入電容器C1與VCC用電容器C2電感L1電流檢測(cè)電阻R1輸出電容器C5輸出整流二極管D4EMI對(duì)策實(shí)裝PCB板布局與總結(jié)關(guān)鍵要點(diǎn):?非隔離型AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)解說(shuō)?被稱為二極管整流或非同步整流方式的降壓轉(zhuǎn)換器的電路示例
2018-11-27 17:04:42
描述 PMP9750 是一種 CLL 諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)，輸入電壓為 400VDC，輸出電壓為 28V/9A。與 LLC 系列諧振轉(zhuǎn)換器不同，PMP9750 中使用的 CLL 諧振轉(zhuǎn)換器利用其輸出
2022-09-22 08:32:08
DN05078 / D，設(shè)計(jì)說(shuō)明描述了NCP1361BABAY，15瓦，通用交流輸入，隔離準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器，適用于智能手機(jī)，平板電腦充電器和智能插座電源等。特色電源為初級(jí)側(cè)恒流和次級(jí)恒壓采用TSOP6封裝的新型NCP1361電流模式控制器進(jìn)行調(diào)節(jié)
2019-06-18 10:50:10
在隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN FET）具有低傳導(dǎo)損耗、低開(kāi)關(guān)損耗、低驅(qū)動(dòng)功率及低電感等優(yōu)點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)更高功率密度、在高頻時(shí)更大電流及高效以及在諧振設(shè)計(jì)的占空比更高，從而
2019-04-04 06:20:39
失效模式等。項(xiàng)目計(jì)劃①根據(jù)文檔，快速認(rèn)識(shí)評(píng)估板的電路結(jié)構(gòu)和功能；②準(zhǔn)備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項(xiàng)目開(kāi)展，按時(shí)間計(jì)劃實(shí)施，④項(xiàng)目調(diào)試，優(yōu)化，比較，分享。預(yù)計(jì)成果分享項(xiàng)目的開(kāi)展，實(shí)施，結(jié)果過(guò)程，展示項(xiàng)目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
項(xiàng)目名稱：基于
Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換
器試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在電力電子領(lǐng)域（數(shù)字電源）有五年多的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓?fù)?。?/div>
2020-04-24 18:08:05
項(xiàng)目名稱：應(yīng)用于電動(dòng)汽車的基于 SiC 器件雙向諧振型 DC/DC 變換器試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：本人一直從事電源領(lǐng)域的學(xué)習(xí)與研究，并在前一段時(shí)間對(duì)于寬禁帶SiC器件進(jìn)行了深入的調(diào)研，準(zhǔn)備開(kāi)展其在
2020-04-24 18:11:27
`收到了羅姆的sic-mosfet評(píng)估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開(kāi)箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準(zhǔn)備搭建一個(gè)DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
;Reliability (可靠性) " ，始終堅(jiān)持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個(gè)最重要的特性：第一個(gè)高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對(duì)應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
是ALTAIR05T-800，它是ALTAIR系列的第一個(gè)（全主傳感開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器）。該IC在同一封裝中集成了高性能，低電壓PWM控制器芯片和800V，雪崩耐用功率MOSFET。 PWM芯片是一種準(zhǔn)諧振（QR）電流模式控制器IC，專為QR ZVS（零電壓開(kāi)關(guān)）反激式轉(zhuǎn)換器而設(shè)計(jì)
2020-08-12 08:43:59
狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導(dǎo)通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側(cè)）與硅
2017-12-18 13:58:36
轉(zhuǎn)換器，采用二極管作為輸出整流器 高頻率 LLC DC/DC 轉(zhuǎn)換器的模擬 利用 LTspice 對(duì) SiC MOSFET 的性能以及影響轉(zhuǎn)換器效率的因素進(jìn)行模擬研究。圖 1 顯示的是一個(gè)全橋
2023-02-27 14:02:43
裝置機(jī)器人商用空調(diào)工業(yè)用照明（路燈等）內(nèi)置SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC產(chǎn)品陣容產(chǎn)品名稱封裝電源電壓范圍MOSFET工作頻率VCC OVP *^1^FB OLP *^2^工作溫度范圍
2022-07-27 11:00:52
從本文開(kāi)始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯(cuò)式硬開(kāi)關(guān)升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計(jì)和性能。 SiC功率半導(dǎo)體的超低開(kāi)關(guān)損耗使得開(kāi)關(guān)頻率在硅實(shí)現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
耐壓MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器IC。80V的耐壓是非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界頂級(jí)水平，在ROHM的目前產(chǎn)品陣容中，也是耐壓最高的DC/DC轉(zhuǎn)換器IC。ROHM在推出該
2019-04-08 08:48:17
評(píng)估板EVAL-PS-E1BF12-SIC用于評(píng)估FF11MR12W1M1_B11和FF23MR12W1M1_B11 CoolSiC MOSFET模塊。評(píng)估板允許執(zhí)行雙脈沖測(cè)量以及DC / DC轉(zhuǎn)換器的功能測(cè)試。因此，該板設(shè)計(jì)為雙向降壓 - 升壓轉(zhuǎn)換器。它適用于太陽(yáng)能，UPS，EV充電等應(yīng)用
2019-04-29 09:00:44
1700V高耐壓，還是充分發(fā)揮SiC的特性使導(dǎo)通電阻大幅降低的MOSFET。此外，與SiC-MOSFET用的反激式轉(zhuǎn)換器控制IC組合，還可大幅改善效率。ROHM不僅開(kāi)發(fā)最尖端的功率元器件，還促進(jìn)充分發(fā)揮
2018-12-04 10:11:25
CRD-60DD12N，60 kW交錯(cuò)式升壓轉(zhuǎn)換器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。該演示板由四個(gè)15 kW交錯(cuò)升壓級(jí)組成，每個(gè)級(jí)使用CGD15SG00D2隔離式柵極驅(qū)動(dòng)板
2019-04-29 09:18:26
，廣泛用于消費(fèi)產(chǎn)品的電源設(shè)計(jì)中。新型的綠色電源系列控制器實(shí)現(xiàn)低至150 mW 的典型超低待機(jī)功耗。本文將闡述準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器是如何提高電源效率以及如何用UCC28600設(shè)計(jì)準(zhǔn)諧振電源?！ ?b class="flag-6" style="color: red">1 常規(guī)
2018-09-29 16:38:13
導(dǎo)讀：新型的綠色電源系列控制器實(shí)現(xiàn)低至150 mW 的典型超低待機(jī)功耗。本文將闡述準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器是如何提高電源效率以及如何用UCC28600設(shè)計(jì)準(zhǔn)諧振電源?！ ?b class="flag-6" style="color: red">1 常規(guī)的硬開(kāi)關(guān)反激電路 圖1
2018-11-29 11:24:13
隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器歷來(lái)通過(guò)分立元件實(shí)施-分立驅(qū)動(dòng)IC和分立功率MOSFET。這些器件被用于各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。最主要的是“半橋”和“全橋”。許多云基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用采用半橋和全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如無(wú)線基站（遠(yuǎn)程
2018-10-24 08:59:37
設(shè)計(jì)方面，SiC功率模塊被認(rèn)為是關(guān)鍵使能技術(shù)?！ 榱颂岣吖β拭芏?，通常的做法是設(shè)計(jì)更高開(kāi)關(guān)頻率的功率轉(zhuǎn)換器?！ C/DC 轉(zhuǎn)換器和應(yīng)用簡(jiǎn)介 在許多應(yīng)用中，較高的開(kāi)關(guān)頻率會(huì)導(dǎo)致濾波器更小，電感和電容值
2023-02-20 15:32:06
。反向恢復(fù)電流非常高并且在啟動(dòng)期間足以造成直通問(wèn)題，如圖4所示圖4： 啟動(dòng)期間LLC 諧振轉(zhuǎn)換器中的波形。圖4： 啟動(dòng)期間LLC 諧振轉(zhuǎn)換器中的波形
2019-01-15 17:31:58
本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹了一種使用Sparkfun USB-to-UART通用板(BOB)搭建的低成本隔離型USB-to-UART轉(zhuǎn)換器。
2021-05-20 06:32:55
轉(zhuǎn)換器和一個(gè)隔離式雙向 DC-DC 轉(zhuǎn)換器組成。傳統(tǒng)的LLC諧振轉(zhuǎn)換器最初是作為提高DC-DC轉(zhuǎn)換器效率的解決方案而提出的［1］。然而，鑒于其單向設(shè)計(jì)，轉(zhuǎn)換器在反向工作模式下的電壓增益受到限制，因此
2023-02-27 09:44:36
這些準(zhǔn)諧振DC-DC轉(zhuǎn)換器一起使用，其預(yù)期工作頻率為100 kHz。他們參與其中的系統(tǒng)具有微計(jì)算機(jī)控制，其軟件以100 kHz頻率為基礎(chǔ)，我的任務(wù)是對(duì)轉(zhuǎn)換器的運(yùn)行情況進(jìn)行最壞情況分析。圖1這是準(zhǔn)諧振
2020-06-03 13:46:47
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。全SiC功率模塊的結(jié)構(gòu)現(xiàn)在正在量產(chǎn)的全SiC功率模塊有幾種類型，有可僅以1個(gè)模塊組成半橋電路的2in1型，也有可僅以1個(gè)模塊組成升壓電路的斬波型。有以
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開(kāi)發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
本設(shè)計(jì)事例使用稱為反激式的變壓器方式。在這里，將說(shuō)明反激方式的基本電路和特征。反激式轉(zhuǎn)換器除了一般的PWM控制外，還有自勵(lì)型的RCC（Ringing Choke ConVerter）、RCC利用
2018-11-27 17:01:04
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
本文將從設(shè)計(jì)角度首先對(duì)在設(shè)計(jì)中使用的電源IC進(jìn)行介紹。如“前言”中所述，本文中會(huì)涉及“準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器”的設(shè)計(jì)和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個(gè)新課題。因此，設(shè)計(jì)中所使用的電源IC，是可將
2018-11-27 16:54:24
均高于96.5％的原型，其中CCM圖騰柱PFC轉(zhuǎn)換器為67 kHz，CLLC諧振轉(zhuǎn)換器為150-300 kHz。通過(guò)將功率半導(dǎo)體和功率磁器件集成在同一工具散熱器上，由于650V SiC MOSFET的低功率損耗，因此在雙向高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用（例如EV的OBC）中可以實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率。
2019-10-25 10:02:58
等隔離輸出電壓為 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器電路供電或者為運(yùn)算放大器實(shí)現(xiàn)偏置。我們將在本文中探討如何使用 TPS50x01 配置降壓轉(zhuǎn)換器，提供負(fù)輸出電壓。此外，我們還將討論如何通過(guò)提供高于輸入壓的電壓
2018-09-20 15:07:57
描述PMP7167 是采用 UCC28610 的隔離型準(zhǔn)諧振反激式參考設(shè)計(jì)。低待機(jī)電流和快速啟動(dòng)是其共源共柵架構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)。PMP7167 基于 PMP5643 Rev_B PWB 而構(gòu)建。特性滿負(fù)載
2022-09-27 07:01:27
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
描述此 PMP4736 采用通用準(zhǔn)諧振隔離式反向，從通用線路開(kāi)始，提供 9.6V @ 1.3A 電流。轉(zhuǎn)換器得益于“級(jí)聯(lián)”拓?fù)洌蛇M(jìn)一步減少無(wú)負(fù)載損失（此處為 80mW @ 230Vac），實(shí)現(xiàn)超極啟動(dòng)時(shí)間。
2018-07-13 03:22:47
非隔離式的DC-DC轉(zhuǎn)換器都是基于降壓，升壓以及降壓-升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器而衍生出來(lái)的，下面就簡(jiǎn)單介紹一下這三種DC-DC轉(zhuǎn)換器。 1.降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器 圖1顯示的是降壓型DC-DC
2020-12-09 15:28:06
處理器（例如ADSP-CM419F）完成。最后，利用高能效隔離式∑-?型轉(zhuǎn)換器（例如AD7403）檢測(cè)電壓，從而實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的緊湊性。在Si IGBT到SiC MOSFET的過(guò)渡階段，必須考慮混合拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
2018-10-22 17:01:41
oss和Q rr也很重要。在如圖1所示的電感-電感-電容器-串聯(lián)諧振轉(zhuǎn)換器（LLC-SRC）之類的諧振轉(zhuǎn)換器中，諧振儲(chǔ)能電路中的電流對(duì)FET 的C oss進(jìn)行充電/放電（圖2中的狀態(tài)1），以便實(shí)現(xiàn)零電壓
2022-05-11 10:17:28
和MOSFET器件的同時(shí)，沒(méi)有出現(xiàn)基于SiC的類似器件。
SiC-MOSFET與IGBT有許多不同，但它們到底有什么區(qū)別呢？本文將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。
2017-12-21 09:07:0436485 
關(guān)于輸入，如設(shè)計(jì)案例電路中所述，將AC輸入電壓整流后會(huì)變?yōu)镈C電壓，因此將根據(jù)DC輸入電壓值來(lái)設(shè)置常數(shù)。
2019-04-24 13:01:41663 
由于浪涌電壓不僅受變壓器的漏電感影響，還受PCB板薄膜布線的寄生分量影響，因此需要在組裝于實(shí)際PCB板中的狀態(tài)下確認(rèn)Vds，并根據(jù)實(shí)際的電壓調(diào)整緩沖電路。
2019-08-22 09:13:292156 
當(dāng)輸入電壓上升時(shí)，如果過(guò)流限制是恒定的，則容許功率將直接增加。當(dāng)輸入電壓超過(guò)設(shè)置值時(shí)，這種校正功能可通過(guò)降低電流限制電平來(lái)降低損耗功率，從而使過(guò)負(fù)載時(shí)的保護(hù)更可靠。
2019-08-22 10:08:381684 
為了獲得所需的耐壓，我們采用了串聯(lián)連接電容的手法，但在這種情況下，需要保持施加到所有電容的電壓均衡，因而需要與各電容并聯(lián)連接平衡電阻。從電路圖中可以看出，平衡電阻是串聯(lián)在輸入端和GND之間，因此流經(jīng)平衡電阻的電流只是一種損耗，故建議選擇470kΩ以上的電阻值。
2019-08-22 10:30:251706 
，硅基 IGBT 廣泛用于大功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。表 1 提供了基于 Si 的模塊和基于 SiC-MOSFET 的模塊之間基于其開(kāi)關(guān)速度的比較。
2022-07-26 08:02:531061 
LLC 諧振轉(zhuǎn)換器可用于各種應(yīng)用，如消費(fèi)電子產(chǎn)品，以及可再生能源應(yīng)用，如光伏、風(fēng)能、水力和地?zé)岬?。本文提供了?3KW 中建模的 Si 和 SiC MOSFET 的詳細(xì)比較具有寬輸入電壓范圍的半橋 LLC 轉(zhuǎn)換器。
2022-07-29 09:44:201207 
功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體有如下優(yōu)勢(shì)，如低損耗、高速開(kāi)關(guān)、高溫工作等，顯而易見(jiàn)這些優(yōu)勢(shì)是非常有用的。本章將通過(guò)其他功率晶體管的比較，進(jìn)一步加深對(duì)SiC-MOSFET的理解。
2023-02-06 14:39:132874 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實(shí)例。
2023-02-06 14:39:51645 
繼前篇結(jié)束的SiC-SBD之后，本篇進(jìn)入SiC-MOSFET相關(guān)的內(nèi)容介紹。功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。
2023-02-08 13:43:19210 
近年來(lái)超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來(lái)越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
從本文開(kāi)始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644 
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對(duì)SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進(jìn)行說(shuō)明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:20790 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:211381 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。
2023-02-08 13:43:21366 
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說(shuō)明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開(kāi)發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望確認(rèn)現(xiàn)在的產(chǎn)品情況，請(qǐng)點(diǎn)擊這里聯(lián)系我們。
2023-02-08 13:43:21860 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331 
上一篇文章對(duì)設(shè)計(jì)中使用的電源IC進(jìn)行了介紹。本文將介紹設(shè)計(jì)案例的電路。準(zhǔn)諧振方式：上一篇文章提到，電源IC使用的是SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC“BD7682FJ-LB”。
2023-02-17 09:25:06380 
從本文開(kāi)始進(jìn)入具體的設(shè)計(jì)，比如計(jì)算相關(guān)電路常數(shù)等。首先是變壓器T1的設(shè)計(jì)。計(jì)算步驟如下。這與“隔離型反激式轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計(jì)：變壓器設(shè)計(jì)（數(shù)值計(jì)算）”中的思路基本相同，可以參考這篇文章中的內(nèi)容。
2023-02-17 09:25:06394 
在前面的“變壓器T1的設(shè)計(jì) 其1”中，對(duì)下述計(jì)算步驟①～③進(jìn)行了說(shuō)明。本文作為“其2”來(lái)計(jì)算剩下的④～⑥，并結(jié)束變壓器T1的設(shè)計(jì)篇。①反激式電壓VOR的設(shè)定②一次側(cè)繞組電感值Lp、一次側(cè)的最大電流Ippk的計(jì)算③變壓器尺寸的決定④一次側(cè)繞組匝數(shù)Np的計(jì)算⑤二次側(cè)繞組匝數(shù)Ns的計(jì)算⑥VCC繞組匝數(shù)Nd的計(jì)算
2023-02-17 09:25:06437 截至上一篇文章，結(jié)束了部件選型相關(guān)的內(nèi)容，本文將對(duì)此前介紹過(guò)的PCB電路板布局示例進(jìn)行總結(jié)。使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的PCB布局示例
2023-02-17 09:25:07397 
這之前介紹了示例電路的各部件選型要點(diǎn)、常數(shù)的計(jì)算、PCB板布局示例，最后將利用示例電路來(lái)確認(rèn)并評(píng)估一下效率和波形。本文將給出整個(gè)電路和所有部件清單。部件表中的部件是示例電路中使用的部件清單。
2023-02-17 09:25:07236 
此前共用19個(gè)篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例”，本文將作為該系列的最后一篇進(jìn)行匯總。該設(shè)計(jì)案例中有兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。一個(gè)是功率開(kāi)關(guān)中使用了SiC-MOSFET。
2023-02-17 09:25:08480 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)前面已經(jīng)介紹過(guò)，如低損耗、高速開(kāi)關(guān)、高溫工作等，顯而易見(jiàn)這些優(yōu)勢(shì)是非常有用的。本章將通過(guò)其他功率晶體管的比較，進(jìn)一步加深對(duì)SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47203 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。
2023-02-23 11:27:57736 
如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構(gòu)上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的，也被稱為“寄生二極管”或“內(nèi)部二極管”。對(duì)于MOSFET來(lái)說(shuō)，體二極管的性能是重要的參數(shù)之一，在應(yīng)用中使用時(shí)，其性能發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。
2023-02-24 11:47:402315 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。
2023-02-24 11:49:19481 
相對(duì)于IGBT，SiC-MOSFET降低了開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗，實(shí)現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對(duì)于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復(fù)損耗。
2023-09-11 10:12:33566 
如何避免LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的MOSFET出現(xiàn)故障？ 在LLC諧振轉(zhuǎn)換器中，MOSFET扮演著至關(guān)重要的角色。因?yàn)樗鼈冊(cè)?b class="flag-6" style="color: red">轉(zhuǎn)換器的關(guān)鍵電路中，控制著電流的流動(dòng)和開(kāi)關(guān)。但是，由于轉(zhuǎn)換器的工作環(huán)境可能很嚴(yán)
2023-10-22 12:52:19369 
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