三菱電機(jī)集團(tuán)于今日(2026年1月14日)宣布,將于1月21日開始提供4款全新溝槽型1 SiC-MOSFET裸芯片(未封裝在封裝材料中的芯片),該芯片專為電動汽車(EV)主驅(qū)逆變器2,車載充電器3以及太陽能發(fā)電系統(tǒng)等可再生能源的功率系統(tǒng)等
發(fā)表于 01-16 10:38
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JCK6024S12隔離型通孔式DC-DC轉(zhuǎn)換器JCK6024S12是XP Power推出的一款60W隔離型通孔式DC-DC
發(fā)表于 12-16 09:17
為應(yīng)對 Si、SiC 和GaN 等不斷發(fā)展的技術(shù),優(yōu)化功率驅(qū)動設(shè)計需要適應(yīng)性強(qiáng)的柵極驅(qū)動解決方案。本文重點(diǎn)介紹了可編程輸出的隔離型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢,展現(xiàn)柵極驅(qū)動電源在高效工作
發(fā)表于 11-18 13:54
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STMicroelectronics VIPERGAN50高壓轉(zhuǎn)換器是一款先進(jìn)的準(zhǔn)諧振離線高壓轉(zhuǎn)換器,設(shè)有E-mode GaN HEMT。VIPERGAN50設(shè)計用于中等功率
發(fā)表于 10-31 11:07
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STMicroelectronics VIPERGAN65高壓轉(zhuǎn)換器是一款先進(jìn)的準(zhǔn)諧振離線高壓轉(zhuǎn)換器,設(shè)有E-mode GaN HEMT。VIPERGAN65設(shè)計用于中等功率
發(fā)表于 10-28 15:59
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電感器-電感器-電容器 (LLC)諧振轉(zhuǎn)換器具有幾個極具吸引力的特性,適用于需要隔離式直流/直流轉(zhuǎn)換器
發(fā)表于 09-03 11:49
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傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅
發(fā)表于 05-10 13:38
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尖峰電壓和系統(tǒng) EMC 的抑制為目標(biāo)。實(shí)際應(yīng)用中,選擇緩沖吸收電路參數(shù)時,為防止 SiC-MOSFET開關(guān)在開通瞬間由于吸收電容器上能量過多、需通過自身放電進(jìn)而影響模塊使用壽命,需要對 RC 緩沖吸收
發(fā)表于 04-23 11:25
。
圖中的波形從上往下依次為柵極電壓Vgs、漏源電壓Vds和漏源電流Ids。在測試過程中,SiC MOSFET 具有極快的開關(guān)速度,可在十幾納秒內(nèi)完成開關(guān)轉(zhuǎn)換。然而,由于高速開關(guān)過程中
發(fā)表于 04-08 16:00
的電阻值達(dá)到極值(最大或者最?。?。諧振分為 串聯(lián)諧振和并聯(lián)諧振。3)當(dāng)工作在 discontinuous conduction mode 時,轉(zhuǎn)換器會偵測到drain (漏極)電壓波谷
發(fā)表于 03-07 15:25
本文介紹反激式轉(zhuǎn)換器 RCD 緩沖電路的設(shè)計指南。當(dāng) MOSFET 關(guān)斷時,由于主變壓器的漏電感 (Llk) 與 MOSFET 的輸出電容
發(fā)表于 03-04 09:57
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conduction mode 時,轉(zhuǎn)換器會偵測到drain (漏極)電壓波谷并在drain電壓最小時開啟MOSFET.當(dāng)工作在 continuousconductionmode 時,轉(zhuǎn)換器會工作在固定工作頻率。工作
發(fā)表于 02-26 16:40
MOSFET(U-MOSFET)作為新一代功率器件,近年來備受關(guān)注。本文將詳細(xì)解析溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)、特性、制造工藝、應(yīng)用及
發(fā)表于 02-02 13:49
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30kW SiC隔離型直流-直流轉(zhuǎn)換器評估板.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 01-22 16:10
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隔離型 (ΔΣ)1 位數(shù)字調(diào)制轉(zhuǎn)換器件
AMC1204 和 AMC1204B, 這是一款適用于追求零缺陷的高可靠性汽車電子應(yīng)用的隔離模擬信號采集器件
特點(diǎn)是: 這是
發(fā)表于 01-21 09:18
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