PI宣布推出900V氮化鎵(GaN)器件，為InnoSwitch3系列反激式開關(guān)IC再添新品。新IC采用了PI特有的PowiGaN技術(shù)，可提供高達(dá)100W的功率，效率超過93%，因而無需散熱片，并可簡(jiǎn)化空間受限型應(yīng)用的電源設(shè)計(jì)。
2023-03-31 02:10:00
4871 
芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，帶來前所未有的高集成度和性能表現(xiàn)。 氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級(jí)的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，同時(shí)還減少了提供相同
2023-03-28 13:54:321257 
?-2系列單級(jí)、獨(dú)立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN?技術(shù)制造而成，是業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC。1700V額定耐壓進(jìn)一步提升了氮化鎵功率器件的先進(jìn)水平
2024-11-05 10:56:55863 
鎵開關(guān)IC，這是業(yè)內(nèi)首款高達(dá)1700V的氮化鎵開關(guān)IC。新品一出，PI再次成為在氮化鎵領(lǐng)域首家突破額定耐壓水平的電源管理芯片企業(yè)。 PI的功率變換開關(guān)持續(xù)迭代 早在2022年，PI就推出了1700V 碳化硅初級(jí)開關(guān)的汽車級(jí)高壓開關(guān)電源IC，彼時(shí)，該產(chǎn)品以高輸入電壓，高輸出
2024-11-18 08:57:006135 
量身定制的參考設(shè)計(jì)套件。與此同時(shí)，37支學(xué)生隊(duì)伍已整裝待發(fā)，將參加于8月24日開始的普利司通世界太陽能挑戰(zhàn)賽，穿越澳洲內(nèi)陸地區(qū)。 該套件型號(hào)為RDK-85SLR，采用了PI?公司一款集成PowiGaN
2025-08-28 10:36:591451 65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
(86) ，因此在正常體溫下，它會(huì)在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點(diǎn)超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
數(shù)據(jù)中心），或任何可以處理高達(dá)數(shù)百伏高電壓的設(shè)備，均可受益于氮化鎵等技術(shù)，從而提高電源管理系統(tǒng)的效率和規(guī)模。（白皮書下載：GaN將能效提高到一個(gè)新的水平。）
?
尋找理想開關(guān)
任何電源管理系統(tǒng)的核心
2019-03-14 06:45:11
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工廠開發(fā)的特點(diǎn)；納微半導(dǎo)體的GaNFast方案則可以通過高頻實(shí)現(xiàn)充電器的小型化和高效率（小米65W也是采用此方案）。對(duì)于氮化鎵快充普及浪潮的來臨，各大主流電商及電源廠
2020-03-18 22:34:23
的節(jié)能。這些電力足以為30多萬個(gè)家庭提供一年的電量。 任何可以直接從電網(wǎng)獲得電力的設(shè)備（從智能手機(jī)充電器到數(shù)據(jù)中心），或任何可以處理高達(dá)數(shù)百伏高電壓的設(shè)備，均可受益于氮化鎵等技術(shù)，從而提高電源管理系統(tǒng)的效率和規(guī)模。（白皮書下載：GaN將能效提高到一個(gè)新的水平。）
2020-11-03 08:59:19
的選擇?！ ∩罡h(huán)?！ 榱舜蚱瞥杀竞痛笠?guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會(huì)，使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術(shù)、供應(yīng)鏈優(yōu)化、器件封裝技術(shù)以及制造效率方面的突出進(jìn)步成功脫穎而出，成為大多數(shù)射頻應(yīng)用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
靈活應(yīng)對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景。2. 應(yīng)用領(lǐng)域? 適配器? 充電器? AC-DC 開關(guān)電源. 特性? 集成氮化鎵直接驅(qū)動(dòng)（6V DRV）? 集成高壓?jiǎn)?dòng)（700V）? 集成高壓 BROWN-IN &
2023-03-28 10:24:46
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù)，瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢(shì)，采用硅來做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）。這兩種突破性技術(shù)都在電動(dòng)汽車市場(chǎng)中占有一席之地。與Si IGBT相比，SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度（SiC-on-SiC）和更高的開關(guān)
2018-07-19 16:30:38
極限。而上限更高的氮化鎵，可以將充電效率、開關(guān)速度、產(chǎn)品尺寸和耐熱性的優(yōu)勢(shì)有機(jī)統(tǒng)一，自然更受青睞。
隨著全球能量需求的不斷增加，采用氮化鎵技術(shù)除了能滿足能量需求，還可以有效降低碳排放。事實(shí)上，氮化鎵
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場(chǎng)強(qiáng)度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡(jiǎn)稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體，其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場(chǎng)。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細(xì)窄的耗盡區(qū)，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
流，但隨著5G的到來，砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成為下一個(gè)熱點(diǎn)。氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
受到市場(chǎng)相當(dāng)不錯(cuò)的回響，應(yīng)用需求也越來越多。近年來在消費(fèi)性電源領(lǐng)域引發(fā)話題的手機(jī)快速充電、USB-PD等技術(shù)，就是氮化鎵組件可以大展身手的舞臺(tái)。和電動(dòng)車的情況類似，快速充電也是智能型手機(jī)或便攜設(shè)備
2021-09-23 15:02:11
（NTC-OTP）等。
應(yīng)用領(lǐng)域
?適配器
?充電器
? AC-DC 開關(guān)電源
特性
? 8V～90V 超寬范圍 VDD 供電
?集成氮化鎵直接驅(qū)動(dòng)（6V DRV）
?超低待機(jī)功耗
?支持 QR/DCM
2024-11-04 08:58:33
概述
SW1108P 是一款針對(duì)離線式反激變換器的高性能高集成度準(zhǔn)諧振電流模式 PWM 控制器。
SW1108P 內(nèi)置 6V 的驅(qū)動(dòng)電壓，可直接用于驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能
的谷底
2024-11-04 09:00:29
客戶測(cè)試后再進(jìn)行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方，麥科信工程師對(duì)測(cè)試過程提供了技術(shù)支持。測(cè)試背景：3C消費(fèi)類產(chǎn)品，其電源采用氮化鎵（GaN）半橋方案。測(cè)試目的：氮化鎵半橋上下管的Vgs及Vds，分析
2023-02-01 14:52:03
LTspice?作為合適的工具鏈來使用，以便成功部署GaN開關(guān)。
引言
氮化鎵(GaN)是一種III-V族半導(dǎo)體，為開關(guān)電模式電源(SMPS)提供了出眾的性能。GaN技術(shù)具有高介電強(qiáng)度、低開關(guān)損耗、高
2025-06-11 10:07:24
如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。
2021-06-17 06:06:23
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
氮化鎵開關(guān)管來取代，一顆頂四顆，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。通過使用氮化鎵開關(guān)管來減少硅MOS管的數(shù)量，還可以減小保護(hù)板的面積，使保護(hù)板可以集成到主板上，節(jié)省一塊PCB，降低整體成本。儲(chǔ)能電源儲(chǔ)能電源通常
2023-02-21 16:13:41
功率，降額使用。
PI官方的資料顯示，INN3378C屬于InnoSwitch3-Pro家族，它采用了PI獨(dú)家的PowiGaN技術(shù)，也就是內(nèi)置了GaN氮化鎵功率器件，相比傳統(tǒng)MOSFET可以輸出更大
2023-06-16 14:05:50
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2022-11-10 06:36:09
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛？
2025-11-14 07:25:48
、設(shè)計(jì)和評(píng)估高性能氮化鎵功率芯片方面，起到了極大的貢獻(xiàn)。
應(yīng)用與技術(shù)營銷副總裁張炬（Jason Zhang）在氮化鎵領(lǐng)域工作了 20 多年，專門從事高頻、高密度的電源設(shè)計(jì)。他創(chuàng)造了世界上最小的參考設(shè)計(jì)，被多家頭部廠商采用并投入批量生產(chǎn)。
2023-06-15 15:28:08
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
首批商用氮化鎵集成功率級(jí)器件
國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出行業(yè)首個(gè)商用集成功率級(jí)產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率
2010-03-06 09:44:011092 
氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(二)TI用氮化鎵器件實(shí)現(xiàn)的DCDC設(shè)計(jì)方案
2019-04-03 06:13:006339 
這款產(chǎn)品的發(fā)布日期專門選在了PI二季度財(cái)報(bào)當(dāng)天，足見該技術(shù)對(duì)PI未來的重要性。PI總裁兼首席執(zhí)行官Balu Balakrishnan表示：“在實(shí)現(xiàn)高效率和小尺寸方面，氮化鎵是一項(xiàng)明顯優(yōu)于硅技術(shù)
2019-09-14 10:26:004097 
Power Integrations（PI）于2019年7月27日發(fā)布了結(jié)合PowiGaN技術(shù)的全新InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)電源IC，利用GaN（氮化鎵）技術(shù)，讓
2020-01-02 15:34:204679 貝爾金近日發(fā)布了全新的USB-C氮化鎵電源適配器以及無線充電器。貝爾金全新USB-C電源適配器有30W、60W和68W三種選擇，全部采用氮化鎵技術(shù)，尺寸更小。
2020-01-13 14:06:191586 氮化鎵器件的應(yīng)用與集成化綜述
2021-07-22 09:52:38
0 采用 PowiGaN 技術(shù)的 InnoSwitch3 無散熱片反激式開關(guān) IC，功率可達(dá) 100 W，效率可達(dá) 95%。 PowiGaN 是 Power Integrations 自行研發(fā)的氮化鎵
2021-09-07 11:21:322513 2021年9月23日，由充電頭網(wǎng)主辦的“助力快充，選擇合適的氮化鎵功率器件”（線上直播）順利舉辦。在本次線上直播中，充電頭網(wǎng)邀請(qǐng)了國際知名電源芯片公司PI的資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan為大家
2021-10-09 11:35:002591 USB PD快充是目前主流的快充協(xié)議，而USB Type-C接口也在手機(jī)和筆記本上廣泛應(yīng)用，USB Type-C接口內(nèi)置USB PD快充協(xié)議的通信線，并且支持USB PD標(biāo)準(zhǔn)的電壓與電流，USB Type-C接口是USB PD快充協(xié)議的主流載體，所以說USB PD和USB Type-C是一套相輔相成的關(guān)系。
2021-12-27 15:19:551806 近年來，氮化鎵開關(guān)非?；鸨?，PI的InnoSwitch3內(nèi)部就集成了氮化鎵開關(guān)，在本次發(fā)布的新品中也使用了氮化鎵開關(guān)。閻金光說，氮化鎵開關(guān)導(dǎo)通電阻低，比硅器件效率更高，尤其是在低壓輸入、高電流時(shí)。
2022-03-29 09:38:452642 的65W 2C1A USB PD適配器采用了該公司的氮化鎵技術(shù)。這款適配器采用Transphorm的SuperGaN?第四代技術(shù)，這是一種氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(FET)平臺(tái)，具有以下優(yōu)點(diǎn)：系統(tǒng)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，元件
2022-07-29 09:14:471102 集成氮化鎵改變了傳統(tǒng)的智慧嗎？
2022-11-02 08:16:130 PI公司的HiperPFS-5功率因數(shù)校正IC內(nèi)部集成750V PowiGaN氮化鎵開關(guān)，在無需散熱片的情況下可提供高達(dá)240W的輸出功率，并可實(shí)現(xiàn)優(yōu)于0.98的功率因數(shù)。
2022-11-11 11:03:171097 的有效保護(hù)，完美展現(xiàn)了氮化鎵在先進(jìn)應(yīng)用中高效率低損耗的核心價(jià)值，讓工程師放心無憂采用氮化鎵。 ? 普通消費(fèi)者了解并接受氮化鎵，是從2018年氮化鎵PD快充開始的。憑借氮化鎵卓越的開關(guān)特性，可以高頻工作，實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率，氮
2022-11-30 14:52:251382 
氮化鎵不僅受到近距離無線充電的歡迎，比如高合汽車采用GaN無線充電，而且遠(yuǎn)距離無線輸電也在采用氮化鎵技術(shù)。
2022-12-08 11:50:013286 隨著氮化鎵技術(shù)的不斷發(fā)展，氮化鎵也應(yīng)用在了很多新興領(lǐng)域，充電頭網(wǎng)此次選取了手機(jī)、車充、PC電源、服務(wù)器電源、筆記本適配器、戶外電源等新場(chǎng)景，幫助大家掌握氮化鎵應(yīng)用的最新動(dòng)態(tài)。
2023-02-02 17:52:312468 什么是氮化鎵技術(shù) 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子
2023-02-03 14:14:454116 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。
2023-02-06 09:46:093641 
硅基氮化鎵是一個(gè)正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:264967 
氮化鎵（GaN）技術(shù)如今在電力電子行業(yè)風(fēng)靡一時(shí)，這種寬禁帶半導(dǎo)體能夠?qū)崿F(xiàn)非常高的效率和功率密度，因此能夠減小電源的體積，并且降低其工作溫度，該性能優(yōu)勢(shì)正迅速成為電源制造商保持競(jìng)爭(zhēng)力和符合日益嚴(yán)格的能
2023-02-10 15:10:571612 氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件，氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心，新能源汽車等領(lǐng)域都有運(yùn)用。那么這么牛的氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù)？ 氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù)
2023-02-16 17:48:445865 合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù)，將多個(gè)半導(dǎo)體器件集成在一個(gè)芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:232504 Power Integrations（下面簡(jiǎn)稱PI）資深FAE胡兵方先生現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行《氮化鎵技術(shù)助力設(shè)計(jì)高功率因數(shù)的高效緊湊型電動(dòng)工具充電器》專題演講，向來賓介紹 PowiGaN 氮化鎵技術(shù)的高效率、高功率因數(shù)電源轉(zhuǎn)換解決方案，尤其是100W以上的電動(dòng)工具充電器的解決方案。
2023-07-11 11:48:011374 
相對(duì)于傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時(shí)產(chǎn)生的熱量較少，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對(duì)于傳統(tǒng)的硅電源會(huì)產(chǎn)生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:2310672 論文研究氮化鎵GaN功率集成技術(shù)
2023-01-13 09:07:473 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011007 的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下，產(chǎn)生紫光(405nm)激光。 GaN是極穩(wěn)定的化合物，又是堅(jiān)硬的高熔點(diǎn)材料，熔點(diǎn)約為17
2023-11-24 11:05:117180 使用的材料。 氮化鎵的提取過程： 氮化鎵的提取過程主要包括兩個(gè)步驟：金屬鎵的提取和氮化反應(yīng)。 金屬鎵的提取 金屬鎵是氮化鎵的基本組成元素之一。為了提取金屬鎵，我們通常采用化學(xué)反應(yīng)的方法。常用的方法是將氮化鎵芯片在高
2023-11-24 11:15:206428 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場(chǎng)和移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器和氮化鎵開關(guān)管整合到一個(gè)...
2023-11-24 16:49:221796 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416131 氮化鎵技術(shù)（GaN技術(shù)）是一種基于氮化鎵材料的半導(dǎo)體技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、光電子器件、能源、通信和國防等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵技術(shù)的用途和應(yīng)用，并從不同領(lǐng)域深入探討其重要性和優(yōu)勢(shì)。 一
2024-01-09 18:06:363957 應(yīng)用領(lǐng)域具有很大的潛力。 以下是一些常見的氮化鎵MOS管型號(hào)： EPC2001：EPC2001是一種高性能非晶硅氮化鎵MOS管，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)秀的熱特性。它適用于電源轉(zhuǎn)換器、鋰電池充電器和無線充電應(yīng)用等領(lǐng)域。 EPC601：EPC601是一種低電阻非晶硅氮化鎵
2024-01-10 09:32:154274 、應(yīng)用領(lǐng)域等方面。 背景介紹: 硅基氮化鎵集成電路芯片是在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的一項(xiàng)重要研究課題。隨著智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能等技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)高性能、高頻率、高可靠性集成電路芯片的需求日益增長(zhǎng)。然而，傳統(tǒng)的硅基材料在高
2024-01-10 10:14:582335 PI方面強(qiáng)調(diào)，此舉將提升公司獨(dú)特的PowiGaN技術(shù)的研發(fā)實(shí)力，這是其廣泛用于InnoSwitch IC、HiperPFS-5功率因數(shù)校正IC等一系列產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)。
2024-05-08 16:58:391107 本文要點(diǎn)氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。氮化鎵技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
2024-07-06 08:13:181988 
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日推出InnoMux-2系列單級(jí)、獨(dú)立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN技術(shù)制造而成，是業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC。
2024-11-05 13:40:571066 的PowiGaN技術(shù)，可顯著提升氮化鎵功率器件在高壓電源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用性能。1700V InnoMux-2 IC支持更高母線電壓的應(yīng)用，填補(bǔ)了市場(chǎng)中高壓電源的空白，特別適用于工業(yè)和汽車等高壓領(lǐng)域，能夠有效替代傳統(tǒng)碳化硅器件，提供更具成本效益的解決方案。
2024-11-26 11:35:061179 PI公司誠邀您報(bào)名參加電子研習(xí)社主辦的線上直播。我們的技術(shù)專家將為您帶來專題演講，介紹新的氮化鎵耐壓基準(zhǔn)。
2025-01-15 15:41:09899 氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢(shì)，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02943
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