相比傳統(tǒng)的硅器件，氮化鎵器件的開(kāi)關(guān)速度要比硅快20倍，體積和重量更小，在一些系統(tǒng)里可以節(jié)能40%以上。同時(shí)相比于硅，氮化鎵功率器件的功率密度可以提升3倍，搭配快充方案，同體積下充電速度可以提升3倍
2021-11-26 09:42:13
6891 宜普宣佈推出一個(gè)高效無(wú)線電源展示系統(tǒng)，內(nèi)含具高頻開(kāi)關(guān)性能的氮化鎵電晶體。使用宜普的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)電晶體是這種系統(tǒng)的一個(gè)理想解決方案，因?yàn)樗邆涞男阅芸梢栽?b class="flag-6" style="color: red">高頻、高
2012-08-16 10:22:161405 眾所周知，氮化鎵功率器件為電力電子系統(tǒng)提高頻率運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率帶來(lái)可能。然而，在高頻下需要對(duì)EMI性能進(jìn)行評(píng)估以滿足EMC法規(guī)（例如EN55022 B類標(biāo)準(zhǔn)）要求。
2023-10-16 14:32:453760 
本推文簡(jiǎn)述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。
2023-11-27 17:12:015665 
220V轉(zhuǎn)5V小體積方案采用TT119非隔離電源芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)，些方案輸入端采用了DC全電壓模式，內(nèi)部峰值電壓可達(dá)DC500V，方案輸出默認(rèn)5V150mA和200mA。220V轉(zhuǎn)5V小體積方案外圍元件
2019-12-13 10:55:22
65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
高效能、高電壓的射頻基礎(chǔ)設(shè)施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)場(chǎng)效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復(fù)雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通，這個(gè)系列直播共分為八講，本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧，助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧（點(diǎn)擊下方內(nèi)容查看上期直播）：- 第一講：元器件選型
2021-12-29 06:31:58
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工廠開(kāi)發(fā)的特點(diǎn)；納微半導(dǎo)體的GaNFast方案則可以通過(guò)高頻實(shí)現(xiàn)充電器的小型化和高效率（小米65W也是采用此方案）。對(duì)于氮化鎵快充普及浪潮的來(lái)臨，各大主流電商及電源廠
2020-03-18 22:34:23
鎵等技術(shù)，從而提高電源管理系統(tǒng)的效率和規(guī)模。(白皮書(shū)下載：GaN將能效提高到一個(gè)新的水平。) 尋找理想開(kāi)關(guān) 任何電源管理系統(tǒng)的核心是開(kāi)關(guān)，可以打開(kāi)和關(guān)閉電源。它就像墻上的照明開(kāi)關(guān)一樣，但是速度會(huì)
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來(lái)提供方案。
2020-10-28 06:01:23
技術(shù)迭代。2018 年，氮化鎵技術(shù)走出實(shí)驗(yàn)室，正式運(yùn)用到充電器領(lǐng)域，讓大功率充電器迅速小型化，體積僅有傳統(tǒng)硅（Si）功率器件充電器一半大小，氮化鎵快充帶來(lái)了充電器行業(yè)變革。但作為新技術(shù)，當(dāng)時(shí)氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠(yuǎn)高于硅，有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積，同時(shí)優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
滿足軍方對(duì)小型高功率射頻器件的需求，WBST 計(jì)劃在一定程度上依托早期氮化鎵在藍(lán)光 LED 照明應(yīng)用中的成功經(jīng)驗(yàn)。為了快速跟蹤氮化鎵在軍事系統(tǒng)中的應(yīng)用，WBST 計(jì)劃特準(zhǔn)計(jì)劃參與方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
數(shù)據(jù)中心），或任何可以處理高達(dá)數(shù)百伏高電壓的設(shè)備，均可受益于氮化鎵等技術(shù)，從而提高電源管理系統(tǒng)的效率和規(guī)模。（白皮書(shū)下載：GaN將能效提高到一個(gè)新的水平。）
?
尋找理想開(kāi)關(guān)
任何電源管理系統(tǒng)的核心
2019-03-14 06:45:11
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
降低了產(chǎn)品成本。搭載GaN的充電器具有元件數(shù)量少、調(diào)試方便、高頻工作實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率等優(yōu)點(diǎn)，可以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，降低GaN快充的開(kāi)發(fā)難度，有助于實(shí)現(xiàn)小體積、高效氮化鎵快充設(shè)計(jì)。 Keep Tops氮化鎵內(nèi)置多種
2023-08-21 17:06:18
公司最近給我安排了一個(gè)新的項(xiàng)目，180W的高頻LLC+有源PFC拓?fù)涞?b class="flag-6" style="color: red">開(kāi)關(guān)電源，工作頻率達(dá)到了500k,要求工作的效率在93%以上（低壓），采用目前市面上較火的氮化鎵開(kāi)關(guān)管，菜鳥(niǎo)求助設(shè)計(jì)此款電源需要注意哪些方面，特別是磁性元器件方面的選取。
2018-01-10 20:34:36
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
MACOM科技解決方案控股有限公司(納斯達(dá)克證交所代碼: MTSI) (簡(jiǎn)稱“MACOM”)今天宣布一份硅上氮化鎵GaN 合作開(kāi)發(fā)協(xié)議。據(jù)此協(xié)議，意法半導(dǎo)體為MACOM制造硅上氮化鎵射頻晶片。除擴(kuò)大
2018-02-12 15:11:38
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢(shì)，采用硅來(lái)做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
的各個(gè)電端子之間的距離縮短十倍。這樣可以實(shí)現(xiàn)更低的電阻損耗，以及電子具備更短的轉(zhuǎn)換時(shí)間?？偟膩?lái)說(shuō)，氮化鎵器件具備更快速的開(kāi)關(guān)、更低的功率損耗及更低的成本優(yōu)勢(shì)。由于氮化鎵技術(shù)在低功耗、小尺寸等方面具有獨(dú)特
2017-07-18 16:38:20
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
，在半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢(shì)。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)到軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改變，初級(jí)FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現(xiàn)，將成為第二次電力電子學(xué)革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
和信號(hào)，一直是業(yè)界無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。因?yàn)楣?b class="flag-6" style="color: red">器件的開(kāi)關(guān)速度太慢，而且存在驅(qū)動(dòng)器和 FET 之間的寄生阻抗、高電容硅 FET 以及性能不佳的電頻轉(zhuǎn)換器/隔離器，導(dǎo)致了硅器件無(wú)法做到更高的頻率。氮化鎵半橋電源芯片
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場(chǎng)，同時(shí)提供更快的開(kāi)關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位。『三點(diǎn)半說(shuō)』經(jīng)多方專家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時(shí)
2019-07-08 04:20:32
組件連手改變電力電子產(chǎn)業(yè)原本由硅組件主導(dǎo)的格局。氮化鎵材料具有低Qg、Qoss與零Qrr的特性，能為高頻電源設(shè)計(jì)帶來(lái)效率提升、體積縮小與提升功率密度的優(yōu)勢(shì)，因此在服務(wù)器、通訊電源及便攜設(shè)備充電器等領(lǐng)域
2021-09-23 15:02:11
（GaN）原廠來(lái)說(shuō)尤為常見(jiàn)，其根本原因是氮化鎵芯片的優(yōu)異開(kāi)關(guān)性能所引起的測(cè)試難題，下游的氮化鎵應(yīng)用工程師往往束手無(wú)策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶，用氮化鎵半橋方案作為3C消費(fèi)類產(chǎn)品的電源，因電源穩(wěn)定性
2023-02-01 14:52:03
材料特性對(duì)比展開(kāi)，通過(guò)泰克儀器測(cè)試英飛凌GaN器件來(lái)進(jìn)行氮化鎵特性的測(cè)量與分析。方案配置：示波器MSO5+光隔離探頭TIVH08+電壓及電流探頭+電源和IGBT town 軟件第二步：電路設(shè)計(jì)和PCB
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。
2021-06-17 06:06:23
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開(kāi)關(guān)性能，有助消除死區(qū)時(shí)間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
氮化鎵開(kāi)關(guān)管來(lái)取代，一顆頂四顆，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。通過(guò)使用氮化鎵開(kāi)關(guān)管來(lái)減少硅MOS管的數(shù)量，還可以減小保護(hù)板的面積，使保護(hù)板可以集成到主板上，節(jié)省一塊PCB，降低整體成本。儲(chǔ)能電源儲(chǔ)能電源通常
2023-02-21 16:13:41
氮化鎵完整方案有深圳市展嶸電子有限公司提供，包括45W、69W單口、多口全協(xié)議輸出適配器，更有87W適配器+移動(dòng)電源超級(jí)快充二合一方案。總有一款適合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21
實(shí)質(zhì)上是一種開(kāi)關(guān)管，相比傳統(tǒng)硅MOS管具有更低的導(dǎo)通電阻，更小的輸入輸出電容，開(kāi)關(guān)速度非?？?，可以支持更高的開(kāi)關(guān)頻率。通過(guò)使用氮化鎵開(kāi)關(guān)管，可以突破傳統(tǒng)硅器件的性能限制，生產(chǎn)出更高效率和更小體積的電源
2021-11-02 09:03:39
，氮化鎵器件可以在同一襯底上集成多個(gè)器件，使得單片式電源系統(tǒng)可以更直接、更高效和更具成本效益地在單芯片上進(jìn)行設(shè)計(jì)。集成功率級(jí)諸如EPC23102為設(shè)計(jì)人員提供了一個(gè)比基于分立器件方案的體積小35
2023-06-25 14:17:47
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模，有可能實(shí)現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
、設(shè)計(jì)和評(píng)估高性能氮化鎵功率芯片方面，起到了極大的貢獻(xiàn)。
應(yīng)用與技術(shù)營(yíng)銷副總裁張炬（Jason Zhang）在氮化鎵領(lǐng)域工作了 20 多年，專門從事高頻、高密度的電源設(shè)計(jì)。他創(chuàng)造了世界上最小的參考設(shè)計(jì)，被多家頭部廠商采用并投入批量生產(chǎn)。
2023-06-15 15:28:08
結(jié)構(gòu)將擊穿電壓提高到了750伏。在這些器件中，氧化鎵實(shí)現(xiàn)高工作電壓相對(duì)容易，這一成績(jī)相當(dāng)顯著；僅僅幾年，這種材料的研究就取得了長(zhǎng)足進(jìn)步，而氮化鎵的研究則花了幾十年的時(shí)間?！ 〔贿^(guò)，在更快的開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中
2023-02-27 15:46:36
會(huì)產(chǎn)生熱量。這些發(fā)熱限制了系統(tǒng)的性能。比如說(shuō)，當(dāng)你筆記本電腦的電源變熱時(shí)，其原因在于流經(jīng)電路開(kāi)關(guān)內(nèi)的電子會(huì)產(chǎn)生熱量，并且降低了它的效率。由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導(dǎo)體材料，它的發(fā)熱量更低，所以
2018-08-30 15:05:50
氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(一)氮化鎵器件的介紹
2019-04-03 06:10:007864 
氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(二)TI用氮化鎵器件實(shí)現(xiàn)的DCDC設(shè)計(jì)方案
2019-04-03 06:13:006339 
最近風(fēng)靡的氮化鎵充電器，對(duì)我們消費(fèi)者最直觀的感覺(jué)就是小。當(dāng)然，在充電功率等同的情況下，體積越大的充電器，散熱必然就越好，如果一個(gè)充電器不做好電路可靠性就貿(mào)然縮小體積，就會(huì)有爆炸等隱患。氮化鎵充電器之所以能夠做的這么小，最主要的原因就是用了氮化鎵材質(zhì)的FET取代了傳統(tǒng)的硅材料。
2020-06-16 15:50:096092 氮化鎵器件的應(yīng)用與集成化綜述
2021-07-22 09:52:38
0 近年來(lái)，氮化鎵開(kāi)關(guān)非?；鸨琍I的InnoSwitch3內(nèi)部就集成了氮化鎵開(kāi)關(guān)，在本次發(fā)布的新品中也使用了氮化鎵開(kāi)關(guān)。閻金光說(shuō)，氮化鎵開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻低，比硅器件效率更高，尤其是在低壓輸入、高電流時(shí)。
2022-03-29 09:38:452642 的行業(yè)痛點(diǎn)問(wèn)題，安睿信科技現(xiàn)已推出基于國(guó)內(nèi)氮化鎵功率器件。 英諾賽科InnoGaN?的INN650設(shè)計(jì)出一系列大功率充電器方案，例如：下面介紹的這款已投放市場(chǎng)批量生產(chǎn)應(yīng)用的65w氮化鎵充電器方案。 GaN氮化鎵65W PD電源方案特點(diǎn)： （1）65W輸出
2022-06-02 15:32:523981 
隨著PD快充技術(shù)的普及以及氮化鎵快充市場(chǎng)的爆發(fā)，消費(fèi)類電源市場(chǎng)對(duì)高頻率、高效率、小體積的產(chǎn)品需求量日益提升。而在開(kāi)發(fā)高頻率快充電源時(shí)，除了利用氮化鎵器件的高頻特性縮小變壓器的體積之外，氮化鎵快充的高頻特性也會(huì)帶來(lái)EMI的問(wèn)題。
2022-07-19 09:07:075940 
未來(lái)已來(lái)，氮化鎵的社會(huì)經(jīng)濟(jì)價(jià)值加速到來(lái)。 ? 本文介紹了鎵未來(lái)和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。 鎵未來(lái)提供的緊湊級(jí)聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動(dòng)器配合，隔離驅(qū)動(dòng)器保證了異常工作情況下對(duì)氮化鎵器件
2022-11-30 14:52:251382 
方案介紹
輸入電源：220V
輸入頻率：50HZ或60HZ
輸出電壓：12V
輸出電流：1A
單層板，可以雙層板打樣。
可以用做電源適配器。也可以當(dāng)輔助電源使用。此電源可以改為小體積電源。元器件相對(duì)較少，成本也比較低。
2022-12-02 16:18:117 第三代半導(dǎo)體材料，有更高的禁帶寬度，是迄今理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系，下游應(yīng)用包括微波射頻器件(通信基站等)，電力電子器件(電源等)，光電器件(LED照明等)。不過(guò)，第三代半導(dǎo)體材料中，受技術(shù)與工藝水平限制，氮化鎵材料作為襯底實(shí)現(xiàn)
2023-02-03 14:38:463001 相對(duì)于硅材料，使用氮化鎵制造新一代的電力電子器件，可以變得更小、更快和更高效。這將減少電力電子元件的質(zhì)量、體積以及生命周期成本，允許設(shè)備在更高的溫度、電壓和頻率下工作，使得電子電子器件使用更少的能量
2023-02-05 14:30:084274 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵，該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:1810906 
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337265 
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于功率器件，憑借更小體積、更高效率對(duì)傳統(tǒng)硅材料進(jìn)行替代。預(yù)計(jì)中短期內(nèi)硅基氮 化鎵將在手機(jī)快充充電器市場(chǎng)快速滲透，長(zhǎng)期在基站、服務(wù)器、新能源汽車等諸多場(chǎng)景也將具有一定的增長(zhǎng)潛力。
2023-02-06 16:44:274965 在碳化硅(SiC)上開(kāi)發(fā)了更薄的III族氮化物結(jié)構(gòu)，以期實(shí)現(xiàn)高功率和高性能高頻薄高電子遷移率晶體管和其他器件。新結(jié)構(gòu)使用
高質(zhì)量的60納米無(wú)晶界氮化鋁成核層來(lái)避免大面積的擴(kuò)展缺陷，而不是1-2米厚的氮化鎵緩沖層(圖1)。成核層允許在0.2 m內(nèi)生
長(zhǎng)高質(zhì)量的氮化鎵。
2023-02-15 15:34:524 ?這兩款適配器，看似體積以及外形都差別不大，但是從原理出發(fā)確是天壤之別。今天，我們從原理出發(fā)剖析市面上氮化鎵的功能以及參數(shù)。 右側(cè)為氮化鎵脫掉外衣的樣子，那么！氮化鎵氮化鎵！到底是哪個(gè)電子元器件添加
2023-02-21 15:04:246 合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù)，將多個(gè)半導(dǎo)體器件集成在一個(gè)芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:232504 、筆記本電腦、路由器等數(shù)碼產(chǎn)品中?；?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵功率器件，研發(fā)出的快充電源方案，可以為手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等提供更高的充電功率，極大提升充電體驗(yàn)。本文介紹了一款65W氮化鎵（1A2C） PD快充電源方案，該方案采用功成半導(dǎo)體最新
2023-04-21 11:00:204182 
、磁性材料廠商如何應(yīng)對(duì)及未來(lái)第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展趨勢(shì)和難點(diǎn)。 編者按： 以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料可使得器件適用于高頻高溫的應(yīng)用場(chǎng)景。氮化鎵的特性成為超高頻器件的極佳選擇，主要應(yīng)用在服務(wù)器電源、數(shù)據(jù)中心、
2023-05-08 15:43:351473 
、顯示等領(lǐng)域。 2. 激光器：氮化鎵可制成激光器器件，用于通信、材料加工等領(lǐng)域。 3. 太陽(yáng)能電池：氮化鎵可用于制造高效率的太陽(yáng)能電池。 4. 無(wú)線通訊：氮化鎵的高頻特性使其成為高速無(wú)線通訊的理想材料。 5. 集成電路：氮化鎵可制成高性能的微波射頻
2023-06-02 15:34:4613931 ，安全可靠的各種元器件成為首選目標(biāo)。深圳銀聯(lián)寶科技12W開(kāi)關(guān)電源芯片U62153，六級(jí)能效認(rèn)證，小體積低功耗，有利優(yōu)化電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)！12W開(kāi)關(guān)電源芯片U62153為了
2022-11-21 09:21:012385 
相對(duì)于傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時(shí)產(chǎn)生的熱量較少，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對(duì)于傳統(tǒng)的硅電源會(huì)產(chǎn)生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:2310672 氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開(kāi)關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無(wú)線通信、雷達(dá)和太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:154483 氮化鎵 30W A+C過(guò)認(rèn)證方案：
可提供整套方案，價(jià)格有優(yōu)勢(shì)，小體積，高性能。
2022-04-11 11:34:551117 
65WPD快充方案不但可以支持手機(jī)的大功率快速充電還可以支持20V輸出，可以為電腦充電，具有通用性好的優(yōu)點(diǎn)，搭配氮化鎵，體積可以做到很小，驪微電子推出65w快充方案
2022-06-10 17:06:302843 
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)勢(shì)，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:561025 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過(guò)深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:3410639 
基于 NCL2801+NCP13992 的一整套你所需要的方案： 適配于氮化鎵 (GaN) 開(kāi)關(guān)器件，工作于高頻開(kāi)關(guān)頻率場(chǎng)合下的小體積PFC LLC方案 。 NC L2801是安森美開(kāi)關(guān)電源方案中PFC控制芯片家族的一員。內(nèi)置谷底計(jì)數(shù)頻率返走（VCFF）、谷底開(kāi)通等技術(shù)，提供優(yōu)秀的總諧波失
2023-09-19 19:10:011378 作為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點(diǎn)，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產(chǎn)品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率，減少熱量的產(chǎn)生，并且縮小了充電器的體積，使用戶在日常出行時(shí)更容易攜帶。
2023-10-07 15:32:331748 
在當(dāng)今的高科技社會(huì)中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢(shì)在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學(xué)、規(guī)范的測(cè)試方案至關(guān)重要。
2023-10-08 15:13:231900 
高集成30W氮化鎵合封芯片CX75GE030DI助力充電器輕松實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)，CX75GE030DI內(nèi)部集成了氮化鎵功率管控制和驅(qū)動(dòng)電路芯片，外圍精簡(jiǎn)，能有效優(yōu)化充電器體積。
2023-10-19 09:12:091673 氮化鎵是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有高電子遷移率、高耐壓、高頻率等特性。相比傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵材料的帶隙寬度更大，能夠承受更高的電壓和溫度，同時(shí)具有更高的電子遷移率和更快的開(kāi)關(guān)速度。這些特性使得氮化
2023-11-07 15:48:01941 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電源適配器對(duì)器件的小體積要求.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-15 11:48:171 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011007 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場(chǎng)和移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器和氮化鎵開(kāi)關(guān)管整合到一個(gè)...
2023-11-24 16:49:221796 氮化鎵開(kāi)關(guān)管是一種新型的半導(dǎo)體器件，適用于高頻高壓控制信號(hào)的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。它由四個(gè)電極組成，包括柵極（G，Gate）、源極（S，Source）、漏極（D，Drain）和襯底（B，Body）。 首先，我們
2023-12-27 14:39:182373 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416131 氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由氮化鎵制成。它具有許多優(yōu)越的特性，例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等，這使得它在許多領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用的潛力。以下是幾個(gè)氮化鎵芯片的應(yīng)用領(lǐng)域
2024-01-10 10:13:193277 前言傳統(tǒng)的氮化鎵快充方案包括控制器+驅(qū)動(dòng)器+GaN功率器件等，電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，成本較高。而若采用合封氮化鎵芯片，一顆芯片即可實(shí)現(xiàn)原有數(shù)顆芯片的功能，不僅使電源芯片外圍器件數(shù)量大幅降低，而且有效降低了快
2024-02-19 12:15:212576 
工程名稱：基于STM32的氮化鎵BUCK-BOOST開(kāi)關(guān)電源前言用STM32，做了一個(gè)氮化鎵BUCK-BOOST開(kāi)關(guān)電源。本文會(huì)嘗試講透該方案的設(shè)計(jì)原理（見(jiàn)第3章）。涉及知識(shí)點(diǎn)包括：同步整流、氮化鎵
2024-06-28 08:04:55339 
景和技術(shù)需求。 氮化鎵（GaN）的優(yōu)勢(shì) 高頻與高效率 ：氮化鎵具有高電子遷移率和低電阻率，使得它在高頻和高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。例如，在5G通信、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信等需要高頻工作的領(lǐng)域，氮化鎵器件能夠提供更高的工作頻率和更大的
2024-09-02 11:37:167231 氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統(tǒng)中猶如一對(duì)默契的搭檔，通過(guò)緊密配合，顯著提升電源效率。在開(kāi)關(guān)電源的工作過(guò)程中，氮化鎵電源芯片憑借其快速的開(kāi)關(guān)速度和高頻率的開(kāi)關(guān)能力，能夠迅速地切換電路狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)
2025-01-15 16:08:501733 器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實(shí)現(xiàn)突破，成為快充技術(shù)的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優(yōu)勢(shì)：1.體積更小，功率密度更高材料特性：GaN的電子遷移率比硅
2025-02-27 07:20:334534 
氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢(shì)，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02943 電源方案全電壓認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B方案來(lái)咯！主控氮化鎵電源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片
2025-05-22 15:41:26734 氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率，主要?dú)w功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。
2025-06-13 14:25:181363 
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