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- 深度解析高阻器件低頻噪聲測(cè)試技術(shù)

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態(tài)是什么意思

本文詳細(xì)介紹態(tài)是什么意思。態(tài)這是一個(gè)數(shù)字電路里常見的術(shù)語,指的是電路的一種輸出狀態(tài),既不是高電平也不是低電平,如果態(tài)再輸入下一級(jí)電路的話,對(duì)下級(jí)電路無任何影響,和沒接一樣,如果用萬用表測(cè)的話有可能是高電平也有可能是低電平,隨它后
2011-02-11 12:30:2013411

詳解:附加相位噪聲測(cè)試技術(shù)測(cè)試過程注意事項(xiàng)

相位噪聲是頻率源和頻率控制器件的一個(gè)重要指標(biāo)。頻率源相位噪聲測(cè)試是時(shí)間頻率專業(yè)計(jì)量測(cè)試人員經(jīng)常進(jìn)行的工作,有大量文章介紹,但是頻率控制器件的相位噪聲即附加相位噪聲測(cè)試卻很少有文章提及。
2017-08-08 13:56:234343

基于計(jì)算機(jī)技術(shù)實(shí)現(xiàn)熱測(cè)試系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

參數(shù),具有測(cè)量效率、成本低、對(duì)器件無損傷等優(yōu)點(diǎn),但是晶體管熱特性具有復(fù)雜、敏感及不穩(wěn)定的特點(diǎn)。要達(dá)到實(shí)用需要的測(cè)量精度有較大的難度,目前,國外已研制出原理性的熱測(cè)試系統(tǒng)。國內(nèi)市場(chǎng)迫切需要性價(jià)比較高的晶體管測(cè)試篩選設(shè)備。
2020-12-08 10:40:433600

帶寬低噪聲放大器應(yīng)用電路的噪聲估算方法

目前大家設(shè)計(jì)得最多的莫過于高速數(shù)字芯片及相關(guān)電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用,對(duì)模擬的電路部分的設(shè)計(jì)涉及得很少。這里簡(jiǎn)單介紹一下帶寬低噪聲放大器(TIA)應(yīng)用電路的噪聲估算方法,主要涉及的參數(shù)有帶寬、增益及噪聲。
2023-07-27 09:29:313208

低頻噪聲和高頻噪聲分別選擇大電容還是小電容?

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2021-03-11 06:30:36

低頻噪聲的測(cè)量

測(cè)電路的低頻噪聲,用帶寬9KHz~1GHz的頻譜儀能實(shí)現(xiàn)么 ,頻譜儀的DANL是-161dBm
2015-08-15 09:42:18

低頻紋波、高頻紋波、環(huán)路紋波、共模噪聲、諧振噪聲

。該交流紋波經(jīng)DC/DC變換器衰減后,在開關(guān)電源輸出端表現(xiàn)為低頻噪聲,其大小由DC/DC變換器的變比和控制系統(tǒng)的增益決定?! ?b class="flag-6" style="color: red">低頻紋波  例如:對(duì)普通24V電源來說,電壓型控制DC/DC變換器的紋波抑制
2018-10-22 16:00:14

器件散熱設(shè)計(jì)之深度解析

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯 常問設(shè)計(jì)師“設(shè)計(jì)中涉及的板子做熱測(cè)試了沒有”,答曰“不用測(cè),我摸了一遍,這板子上沒有感覺燙的器件”。如此理解,大錯(cuò)矣。舉例說明
2012-02-12 12:14:27

器件電源解析

以上為高頻干擾,20MHz以下為低頻紋波)。在電源電路中,旁路和退耦都是為了減少電源噪聲。旁路主要是為了減少電源上的噪聲對(duì)器件本身的干擾(自我保護(hù));退耦是為了減少器件產(chǎn)生的噪聲對(duì)電源的干擾(家丑不外
2013-06-13 10:37:10

態(tài)與三態(tài)門的電路原理分析

沒有選通的話它就處于態(tài),相當(dāng)于沒有接在總線上,不影響其它器件的工作。 如果你的設(shè)備端口要掛在一個(gè)總線上,必須通過三態(tài)緩沖器。因?yàn)樵谝粋€(gè)總線上同時(shí)只能有一個(gè)端口作輸出,這時(shí)其他端口必須在態(tài),同時(shí)
2019-01-08 11:03:07

態(tài)常用的表示方法

數(shù)字電路常見術(shù)語:態(tài),三態(tài)門態(tài)常用的表示方法
2021-03-01 11:09:49

態(tài)是什么?GPIO管腳在態(tài)輸入模式下的等效結(jié)構(gòu)模式

態(tài)態(tài)是電路的一種輸出狀態(tài),既不是高電平也不是低電平,如果態(tài)再輸入下一級(jí)電路的話,和沒接一樣。電路分析時(shí)可以把態(tài)看成開路,即輸出(輸入)電阻非常大,極限可以認(rèn)為是懸空。但是理論上高態(tài)
2022-01-25 07:03:19

態(tài)的相關(guān)資料下載

懸空,顧名思義,就是不接任何器件態(tài):無上拉和無下拉,對(duì)外表現(xiàn)出電平不確定性不是所有的單片機(jī)都支持三態(tài)輸出。三態(tài)輸出一般由寄存器控制,需進(jìn)行配置。態(tài)既然無確定電平,怎么能做輸出呢?把一個(gè)端口
2021-11-24 08:19:25

無源探頭相關(guān)介紹

的探頭那樣需要示波器再放大顯示,所以示波器本身的噪聲沒有放大,測(cè)量的噪聲會(huì)小很多,在小信號(hào)和電源紋波的測(cè)量場(chǎng)合應(yīng)用很多。無源探頭的優(yōu)點(diǎn)是便宜,因?yàn)槌杀静桓?,同時(shí)輸入阻抗,測(cè)量范圍大,連接方便,所以
2018-04-02 09:17:49

硅材料

硅材料進(jìn)口半導(dǎo)體單晶硅、硅片,有n型、p型、本征硅片,晶向〈111〉、〈100〉、〈110〉,直徑1~8寸的單拋硅片、雙拋硅片、氧化硅片,超平硅片、超薄硅片、超厚硅片,異型硅片,電阻率30000Ω.Cm,詳細(xì)參數(shù)來電咨詢,也可根據(jù)用戶要求生產(chǎn)。歡迎垂詢,***.
2018-01-22 11:49:03

AUTOSAR架構(gòu)深度解析 精選資料分享

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2021-07-28 07:02:13

AUTOSAR架構(gòu)深度解析 精選資料推薦

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2021-07-28 07:40:15

C語言深度解析

C語言深度解析,本資料來源于網(wǎng)絡(luò),對(duì)C語言的學(xué)習(xí)有很大的幫助,有著較為深刻的解析,可能會(huì)對(duì)讀者有一定的幫助。
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IDDQ測(cè)試原理是什么?

隨著芯片特征尺寸的縮小和電路復(fù)雜程度的增加,有開路和有橋接缺陷的數(shù)目也在增加。同時(shí),隨著器件密度、復(fù)雜性和時(shí)鐘速度的增加,邏輯測(cè)試技術(shù)已不能提供足夠的故障覆蓋率。為了彌補(bǔ)傳統(tǒng)測(cè)試方法的不足
2019-09-18 07:31:31

LED封裝器件的熱測(cè)試及散熱能力評(píng)估

瓶頸。為了幫助客戶了解產(chǎn)品,克服行業(yè)瓶頸,評(píng)估LED封裝器件的散熱水平,金鑒檢測(cè)LED品質(zhì)實(shí)驗(yàn)室專門推出“LED封裝器件的熱測(cè)試及散熱能力評(píng)估”的業(yè)務(wù)。服務(wù)客戶:LED封裝廠、LED燈具廠、LED芯片廠、器件
2015-07-29 16:05:13

LOG114怎么測(cè)試整個(gè)輸入端的輸入噪聲電壓和噪聲電流?

比如log114、log112這種由三極管組成的跨放大器,技術(shù)手冊(cè)里只給了放大器的噪聲電壓和噪聲電流,三極管的相關(guān)參數(shù)沒有給,那么怎么分析芯片整個(gè)輸入端的輸入噪聲電壓。 2,如果要自己測(cè)量芯片的整個(gè)輸入端的輸入噪聲電壓和噪聲電流該怎么測(cè)試?
2024-07-30 08:12:55

PWM引腳如何設(shè)置

如題,例如用PWM1引腳輸出PWM波形,如何將這個(gè)引腳設(shè)置成!謝謝各位師傅們!
2013-05-20 11:48:38

Zstack中串口操作的深度解析(一)

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 編輯 Zstack中串口操作的深度解析(一)歡迎研究ZigBee的朋友和我交流。。。
2012-08-12 21:11:29

adau1452使用3-Way-Crossover Filter低頻噪聲變大怎么處理?

adau1452使用3-Way-Crossover Filter 低頻噪聲變大,不用這個(gè)模塊正常。附件有測(cè)試結(jié)果
2023-11-29 08:21:47

java經(jīng)典面試題深度解析

免費(fèi)視頻教程:java經(jīng)典面試題深度解析對(duì)于很多初學(xué)者來說,學(xué)好java在后期面試的階段都沒什么經(jīng)驗(yàn),為了讓大家更好的了解面試相關(guān)知識(shí),今天在這里給大家分享了一個(gè)java經(jīng)典面試題深度解析的免費(fèi)視頻
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不是說態(tài)電平不確定么,為什么態(tài)時(shí)兩個(gè)燈都滅,按理論來說態(tài)其中必有一個(gè)亮對(duì)么?

如圖所示:1.不是說態(tài)電平不確定么,為什么態(tài)時(shí)兩個(gè)燈都滅,按理論來說態(tài)其中必有一個(gè)亮對(duì)么?2.去掉IN4148行么?它在這里編演什么角色?
2020-07-19 08:06:45

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如何使用一個(gè)運(yùn)放檢測(cè)多數(shù)低頻放大電路的輸出失調(diào)電壓,以及30kHz內(nèi)輸出噪聲?如果只用一個(gè)低通濾波,那么輸出失調(diào)電壓和30kHz內(nèi)的噪聲會(huì)不會(huì)同時(shí)出現(xiàn)在波形中而無法分辨?另外,如果測(cè)試輸出噪聲,示波器是應(yīng)該顯示噪聲波形嗎??新手求助
2016-04-26 21:08:18

概倫電子9812DX低頻噪聲測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介

  作為業(yè)界“黃金標(biāo)準(zhǔn)”測(cè)試系統(tǒng)9812B和9812D的改進(jìn)版本,9812DX為先進(jìn)半導(dǎo)體工藝開發(fā)、器件建模和高端電路設(shè)計(jì)提供了最快速和最完整的低頻噪聲測(cè)試和分析解決方案,面對(duì)先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)下噪聲測(cè)試
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2012-05-07 10:46:58

淺談示波器的存儲(chǔ)深度

只有250K,那當(dāng)前的[hide]實(shí)際采樣率就只要2.0GS/s了!存儲(chǔ)深度決定了實(shí)際采樣率的大小一句話,存儲(chǔ)深度決定了DSO同時(shí)分析高頻和低頻現(xiàn)象的能力,包括低速信號(hào)的高頻噪聲和高速信號(hào)的低頻調(diào)制
2012-08-10 16:02:10

有源探頭測(cè)量信號(hào)

  某次實(shí)驗(yàn),用有源探頭測(cè)量信號(hào)時(shí),發(fā)現(xiàn)信號(hào)異常,不符合預(yù)期?! ∪缓蟀烟筋^接到OSC補(bǔ)償方波端,發(fā)現(xiàn)方波信號(hào)異常。探頭很貴應(yīng)該不會(huì)壞而且壞了好幾個(gè)?! ∵@個(gè)問題當(dāng)時(shí)沒有追,不是責(zé)任范圍之內(nèi)了
2023-03-24 15:01:50

直流充電測(cè)試負(fù)載關(guān)鍵技術(shù)解析

、數(shù)字孿生測(cè)試平臺(tái) 集成BMS通訊協(xié)議的數(shù)字化測(cè)試系統(tǒng),支持GB/T 27930等主流協(xié)議棧的深度解析。測(cè)試場(chǎng)景庫內(nèi)置2000+標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試用例,可模擬電池過充、電網(wǎng)波動(dòng)等異常工況。數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)具備
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新人在工作中經(jīng)常碰到三態(tài)門與態(tài);請(qǐng)教技術(shù)大佬,這兩個(gè)到底是什么東西 ?
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請(qǐng)問WM8978錄音低頻噪聲較大是因?yàn)橐r底接地不好嗎?

哪怕不接麥克風(fēng), 在錄音狀態(tài)下,低頻噪聲依舊。襯底是否良好接地,拿不準(zhǔn)。難道這是出低頻噪聲的原因嗎?
2019-03-01 05:47:28

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請(qǐng)問如何計(jì)算跨運(yùn)放應(yīng)用的噪聲大?。╒rms); 我猜想,噪聲大小與增益G和帶寬大小有關(guān)。謝謝!
2023-11-16 07:43:39

附加相位噪聲測(cè)試技術(shù)及注意事項(xiàng)的簡(jiǎn)單介紹

1、引言相位噪聲是頻率源和頻率控制器件的一個(gè)重要指標(biāo)。頻率源相位噪聲測(cè)試是時(shí)間頻率專業(yè)計(jì)量測(cè)試人員經(jīng)常進(jìn)行的工作,有大量文章介紹,但是頻率控制器件的相位噪聲即附加相位噪聲測(cè)試卻很少有文章提及
2019-07-18 06:03:33

高壓

請(qǐng)問下有沒有大神知道高壓箱的相關(guān)設(shè)計(jì)資料,以及國內(nèi)外現(xiàn)狀等相關(guān)資料的啊,能不能共享下呢?
2016-09-22 09:45:47

高頻器件測(cè)試技術(shù)

一、無線數(shù)字設(shè)備發(fā)射機(jī)特性測(cè)試技術(shù)  移動(dòng)終端和個(gè)人電腦的無線數(shù)據(jù)功能已發(fā)展為多頻帶、多系統(tǒng)結(jié)構(gòu),導(dǎo)致對(duì)前端器件需求的迅速增加。目前,簡(jiǎn)單易用、輕便及低成本終端已成為市場(chǎng)趨勢(shì),由此引起市場(chǎng)對(duì)小巧
2019-06-05 08:12:26

33 電容的通高頻低頻

器件電容低頻
車同軌,書同文,行同倫發(fā)布于 2022-08-09 01:57:18

什么是電阻器?

電阻器(high resistance resistor)     電阻器是阻值的碳合成膜
2006-06-08 17:41:122575

數(shù)字測(cè)量電路

數(shù)字測(cè)量電路
2009-03-01 19:50:26889

DC/DC輻照損傷與VDMOS器件噪聲相關(guān)性研究

  大量的研究表明,低頻噪聲除了與產(chǎn)品性能有關(guān)之外,還與產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性密切相關(guān)。國內(nèi)外出現(xiàn)了一系列使用低頻噪聲特別是1/f噪聲表征器件可靠性的方法,這些器件
2009-04-23 10:50:17779

信噪比與噪聲的詳細(xì)解析

信噪比與噪聲的詳細(xì)解析。
2016-05-17 11:09:4012

最領(lǐng)先的噪聲建模與噪聲測(cè)試技術(shù)

2018最領(lǐng)先的噪聲建模與噪聲測(cè)試技術(shù)研討會(huì)現(xiàn)代通訊系統(tǒng)中,接收機(jī)必須發(fā)現(xiàn)和接收非常弱的信號(hào)之同時(shí)不增加太多噪聲,否則信號(hào)中的有用信息將會(huì)被覆蓋而無法提取。?為了最大限度減少噪聲,低噪聲電路設(shè)計(jì)非常
2018-11-11 09:29:23543

測(cè)量的吞吐量實(shí)現(xiàn)方案

測(cè)量是電子測(cè)試測(cè)量領(lǐng)域一個(gè)重要內(nèi)容。在PCB領(lǐng)域,PCB多層板間的絕緣電阻性能是衡量其設(shè)計(jì)工藝的重要依據(jù)。由于絕緣電阻阻值范圍是106~1012Ω,普通的電阻計(jì)難以實(shí)現(xiàn),而多層板的層數(shù)和板數(shù)的增加又對(duì)多通道的數(shù)據(jù)采集提高了要求。
2019-01-01 14:52:001324

快速判斷故障的方法

相間及相間對(duì)地的絕緣電阻,確定是其中的某一相,然后用萬用表測(cè)量對(duì)地電阻值,這里一定是用萬用表測(cè)量,如果用兆歐表測(cè)量,結(jié)果必然是0,萬用表測(cè)得電阻值如果在200歐姆以上,我們就認(rèn)定為電纜的故障類型是故障,200歐姆以下,判定為接地故障,在實(shí)際的測(cè)試過程中,處理故障的準(zhǔn)確率可達(dá)96%以上。
2019-07-29 17:45:2312396

半導(dǎo)體器件中的噪聲及其低噪聲技術(shù)PDF電子書免費(fèi)下載

本書介紹了半導(dǎo)體、器件中各種噪聲現(xiàn)象的理論及其應(yīng)用技術(shù),包括:噪聲基礎(chǔ)、半導(dǎo)體器件的低噪聲技術(shù)等7章。
2019-09-18 08:00:00122

變電站低頻噪聲有哪些危害

低頻噪音和一般的噪聲都有一個(gè)共同的性質(zhì),都是一種振動(dòng)的波、是能量傳播的一種方式。那么,變電站低頻噪聲有哪些危害那?就讓佰佰安全網(wǎng)的小編和你一起去了解一下吧!
2020-05-20 11:33:465257

IGBT器件結(jié)殼熱測(cè)試

IGBT熱的研究對(duì)于延長(zhǎng)IGBT的使用壽命和提高其應(yīng)用可靠性具有重要的現(xiàn)實(shí)意義,目前獲取IGBT熱參數(shù)的試驗(yàn)方法多為熱敏參數(shù)法,該方法方便簡(jiǎn)潔、對(duì)硬件要求低,但是傳統(tǒng)的熱敏參數(shù)法需要測(cè)量器件的殼
2021-04-29 09:15:085700

基于曲面擬合的低頻非均勻性噪聲校正算法

紅外成像系統(tǒng)中,低頻非均勻性噪聲嚴(yán)重影響紅外系統(tǒng)的成像效果,傳統(tǒng)基于標(biāo)定的方法無法對(duì)其進(jìn)行有效的去除。為此,提出一種基于曲面擬合的低頻非均勻性噪聲校正算法,首先對(duì)含噪圖像進(jìn)行小波濾波,以抑制高頻
2021-04-27 15:14:1411

直流電源低頻紋波產(chǎn)生原因

直流電源低頻紋波主要表現(xiàn)在五個(gè)方面:輸入低頻紋波、高頻紋波、寄生參數(shù)引起的共模紋波噪聲、功率器件開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的超高頻諧振噪聲、閉環(huán)調(diào)節(jié)控制引起的紋波噪聲。
2021-05-06 17:18:243042

LED封裝器件測(cè)試

。通常,LED器件在應(yīng)用中,結(jié)構(gòu)熱分布為芯片襯底、襯底與LED支架的粘結(jié)層、LED支架、LED器件外掛散熱體及自由空間的熱,熱通道成串聯(lián)關(guān)系。
2021-05-26 15:45:154025

水性測(cè)試儀的產(chǎn)品特征及技術(shù)參數(shù)

適用于測(cè)試直接接觸創(chuàng)面的任何形狀、形態(tài)或規(guī)格的創(chuàng)可貼、繃帶、醫(yī)用膠帶等材料的水性能。是各質(zhì)檢機(jī)構(gòu)、研究機(jī)構(gòu)及各大企業(yè)首選專業(yè)水性能測(cè)試儀。水性測(cè)試儀適用于測(cè)試直接接觸創(chuàng)面的任何形狀、形態(tài)或規(guī)格的創(chuàng)可貼、繃帶、醫(yī)用膠帶等材料的水性能。是各質(zhì)檢機(jī)構(gòu)、研究機(jī)構(gòu)及各大企業(yè)首選專業(yè)水性能測(cè)試儀。
2021-05-26 11:29:23903

YY 0471.3水性測(cè)試儀的產(chǎn)品特征介紹

上海理濤水性測(cè)試儀-深度了解 適用于測(cè)試直接接觸創(chuàng)面的任何形狀、形態(tài)或規(guī)格的創(chuàng)可貼、繃帶、醫(yī)用膠帶等材料的水性能。是各質(zhì)檢機(jī)構(gòu)、研究機(jī)構(gòu)及各大企業(yè)首選專業(yè)水性能測(cè)試儀。水性測(cè)試儀適用于測(cè)試
2021-06-07 17:23:59820

舌簧喇叭是低喇叭還是喇叭?

和低是相對(duì)而言的。和幾Ω至幾十Ω的動(dòng)圈喇叭相比,舌簧喇叭幾百至幾千Ω的阻抗當(dāng)然屬于喇叭。
2021-06-15 15:49:1015365

香煙吸測(cè)試儀的原理及參數(shù)

香煙吸測(cè)試儀/煙支吸測(cè)試儀專門用于測(cè)試煙支(香煙、雪茄)的吸性能,適用煙草生產(chǎn)質(zhì)量控制、煙草檢驗(yàn)及煙草分析研究。
2021-07-03 11:05:205276

DL-T 979-2005 直流高壓箱檢定規(guī)程

DL-T 979-2005 直流高壓箱檢定規(guī)程(現(xiàn)代電源技術(shù)基礎(chǔ)電子版楊飛)-本規(guī)程規(guī)定了直流高壓箱(以下簡(jiǎn)稱箱)的計(jì)量件能要求、通用技術(shù)要求和計(jì)量器具控制。本規(guī)程適用于準(zhǔn)確度等級(jí)為0.1-10級(jí),測(cè)試電壓IOkV,總阻值106Ω的箱的首次檢定、后續(xù)檢定和使用中的檢驗(yàn)。
2021-09-18 12:22:5110

HarmonyOS測(cè)試技術(shù)與實(shí)戰(zhàn)-HarmonyOS圖形棧測(cè)試技術(shù)深度解析

HDC 2021華為開發(fā)者大會(huì)HarmonyOS測(cè)試技術(shù)與實(shí)戰(zhàn)-HarmonyOS圖形棧測(cè)試技術(shù)深度解析
2021-10-23 15:09:001988

LED封裝器件的熱測(cè)試及散熱能力測(cè)試

。通常,LED器件在應(yīng)用中,結(jié)構(gòu)熱分布為芯片襯底、襯底與LED支架的粘結(jié)層、LED支架、LED器件外掛散熱體及自由空間的熱,熱通道成串聯(lián)關(guān)系。 LED燈具作為新型節(jié)能燈具在照明過程中只是將30-40%的電能轉(zhuǎn)換成光,其余的全部變成了熱能,
2021-11-15 15:13:023224

車身低頻結(jié)構(gòu)噪聲的主動(dòng)振動(dòng)控制技術(shù)仿真解決方案

  針對(duì)車身結(jié)構(gòu)低頻噪聲的降噪需求,采用AVC技術(shù)實(shí)現(xiàn)了邊界面的振動(dòng)控制和優(yōu)化,從而有效降低車身低頻結(jié)構(gòu)噪聲,主要完成了車身振動(dòng)特性測(cè)試、適用于AVC系統(tǒng)的FxLMS算法研究及仿真模擬、硬件布置、信號(hào)測(cè)試收集及處理等研究工作。
2023-03-08 14:37:00586

型霍爾效應(yīng)測(cè)試儀JH60E的技術(shù)參數(shù)

型霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、高低溫杜瓦,控溫儀,系統(tǒng)軟件。
2023-06-07 13:30:031185

放大低頻噪聲項(xiàng)目

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《放大低頻噪聲項(xiàng)目.zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-08 10:06:300

測(cè)試儀的原理與工作方式

。本文將詳細(xì)介紹熱測(cè)試儀的原理、應(yīng)用領(lǐng)域、技術(shù)特點(diǎn)以及如何選擇適合您需求的測(cè)試儀器。 一、熱測(cè)試儀的原理與工作方式 熱測(cè)試儀基于傳導(dǎo)定律和傳熱原理,通過使用高精度溫度傳感器測(cè)量不同位置的溫度
2023-06-29 14:07:534528

測(cè)試儀的應(yīng)用領(lǐng)域

適用范圍:通過模擬人體皮膚產(chǎn)生的熱量和水蒸氣穿透織物的過程,在穩(wěn)定的溫濕度環(huán)境下,測(cè)試多種材料的熱及濕阻值??捎糜诳椢?、薄膜、涂層、泡沫、皮革及多層復(fù)合材料等的熱測(cè)試,如衣物,棉被,保暖服裝
2023-06-29 14:49:321087

干貨分享 | 1/f噪聲測(cè)試方案詳解(附直播回顧)

點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們! 電子器件會(huì)有不同類型的噪聲源,包括熱噪聲、白噪聲和1/f噪聲。1/f噪聲低頻電子噪聲,其電流(ISD)或功率(PSD)頻譜密度與頻率成反比,見下圖典型噪聲
2023-08-10 12:05:025994

9812DX低頻噪聲測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品介紹

9812DX作為單一完整的低頻噪聲測(cè)試系統(tǒng),支持多種半導(dǎo)體器件類型在各種工作條件下(如200V高壓、10pA極低電流等)的高精度噪聲測(cè)試。通過低頻噪聲測(cè)試,可以幫助芯片制造廠檢測(cè)和排除工藝制造缺陷
2023-08-23 16:22:531252

計(jì)測(cè)試儀使用方法

計(jì)測(cè)試儀使用方法? 計(jì)測(cè)試儀是專門用于測(cè)試低電阻值的電子儀器,又稱為微電阻表,在各種實(shí)驗(yàn)室、工廠和電子制造商中廣泛應(yīng)用。計(jì)測(cè)試儀采用數(shù)字化技術(shù)進(jìn)行測(cè)試,通過對(duì)電阻值的測(cè)量,來確定電路中
2023-08-24 14:48:293153

半導(dǎo)體熱測(cè)試原理和測(cè)試方法詳解

對(duì)于半導(dǎo)體器件而言熱是一個(gè)非常重要的參數(shù)和指標(biāo),是影響半導(dǎo)體性能和穩(wěn)定性的重要因素。如果熱過大,那么半導(dǎo)體器件的熱量就無法及時(shí)散出,導(dǎo)致半導(dǎo)體器件溫度過高,造成器件性能下降,甚至損壞器件。因此,半導(dǎo)體熱測(cè)試是必不可少的,納米軟件將帶你了解熱測(cè)試的方法。
2023-11-08 16:15:284667

輸入和低輸入的阻抗分別是多少

輸入和低輸入是指在電子電路中輸入端的兩種不同電阻特性。輸入指的是輸入端的電阻較大,而低輸入指的是輸入端的電阻較小。 在電路中,輸入端的電阻會(huì)影響信號(hào)的傳輸和處理。輸入通常用于對(duì)信號(hào)
2023-12-25 15:32:266385

如何區(qū)分元器件低頻和高頻

器件頻率是電子領(lǐng)域中一個(gè)至關(guān)重要的概念,它直接關(guān)系到電子設(shè)備的性能和功能。了解元器件頻率,以及如何區(qū)分低頻和高頻,對(duì)于電子工程師和愛好者來說,是掌握電子技術(shù)的關(guān)鍵一步。本文將從元器件頻率的定義出發(fā),深入探討低頻與高頻的區(qū)分標(biāo)準(zhǔn)、測(cè)量方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及它們對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響。
2024-10-14 18:18:465090

碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、耐壓、高頻率和結(jié)溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術(shù)至關(guān)重要。本文將詳細(xì)解析碳化硅功率器件的封裝技術(shù),從封裝材料選擇、焊接技術(shù)、熱管理技術(shù)、電氣連接技術(shù)和封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等多個(gè)方面展開探討。
2025-02-03 14:21:001292

吉時(shí)利數(shù)字源表2400在半導(dǎo)體器件測(cè)試中的深度應(yīng)用與關(guān)鍵技術(shù)解析

技術(shù)原理、核心功能、典型應(yīng)用場(chǎng)景、測(cè)試案例、自動(dòng)化集成及未來趨勢(shì)等方面,對(duì)吉時(shí)利2400在半導(dǎo)體測(cè)試中的深度應(yīng)用進(jìn)行詳細(xì)解析。 一、技術(shù)原理與核心功能 1. 高精度與寬動(dòng)態(tài)范圍 吉時(shí)利2400的電壓源量程為±200V,電流源量程為±1A,同時(shí)具備pA級(jí)電流測(cè)量能力
2025-03-18 11:36:15891

LED封裝器件測(cè)試與散熱能力評(píng)估

就相當(dāng)于電阻。在LED器件的實(shí)際應(yīng)用中,其結(jié)構(gòu)熱分布涵蓋了芯片襯底、襯底與LED支架的粘結(jié)層、LED支架、LED器件外掛散熱體以及自由空間的熱,這些熱通道呈串聯(lián)
2025-06-04 16:18:53684

如何避免體積表面電阻率測(cè)試儀中的“假”現(xiàn)象?

在材料電性能測(cè)試領(lǐng)域,體積表面電阻率是衡量絕緣材料、半導(dǎo)體材料等導(dǎo)電性的關(guān)鍵指標(biāo)。然而,在實(shí)際測(cè)試過程中,“假” 現(xiàn)象(即測(cè)試所得電阻值虛,與材料真實(shí)性能不符)頻發(fā),嚴(yán)重干擾測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性
2025-06-16 09:47:57569

泰克示波器TBS2202B噪聲水平測(cè)試

、優(yōu)化策略及典型應(yīng)用場(chǎng)景四方面,系統(tǒng)解析TBS2202B的噪聲測(cè)試技術(shù)。 ? 一、噪聲來源:從硬件到環(huán)境的系統(tǒng)性分析 1.?示波器本底噪聲 TBS2202B的垂直分辨率為8位,理論本底噪聲為256級(jí)離散電壓中的最小變化量。實(shí)際測(cè)試中,其本底噪聲水平受以下因素影響: 前端
2025-07-16 14:21:44632

深度解析LED燈具發(fā)展的巨大瓶頸——熱

,則熱相當(dāng)于電阻。通常,LED器件在應(yīng)用中,結(jié)構(gòu)熱分布為芯片襯底、襯底與LED支架的粘結(jié)層、LED支架、LED器件外掛散熱體及自由空間的熱,熱通道成串聯(lián)關(guān)系
2025-07-17 16:04:39479

液體高低頻介電常數(shù)測(cè)試儀的工作原理與信號(hào)解析

液體高低頻介電常數(shù)測(cè)試儀的核心功能,是通過精準(zhǔn)捕捉信號(hào)與樣品的相互作用,解讀液體的介電特性,其工作邏輯圍繞“信號(hào)發(fā)射 - 相互作用 - 信號(hào)解析” 的完整鏈條展開,無需復(fù)雜參數(shù)即可理解其核心運(yùn)作機(jī)制
2025-12-15 09:09:40321

ONET2804T:28 Gbps 4 通道限幅跨放大器的深度解析

ONET2804T:28 Gbps 4 通道限幅跨放大器的深度解析 在當(dāng)今高速發(fā)展的電子通信領(lǐng)域,高速、高效的信號(hào)處理芯片是推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步的關(guān)鍵力量。ONET2804T作為一款高性能的28 Gbps
2025-12-22 17:30:06340

TI 23 - mm 低頻玻璃封裝只讀應(yīng)答器:TRPGR30ATGA 深度解析

TI 23 - mm 低頻玻璃封裝只讀應(yīng)答器:TRPGR30ATGA 深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,低頻應(yīng)答器是車輛識(shí)別、資產(chǎn)追蹤等應(yīng)用的重要組件。今天,我們將深入剖析德州儀器(TI)的 23 - mm
2026-01-05 16:50:2534

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