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FLASH存儲(chǔ)器測試程序原理和幾種通用的測試方法

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flash存儲(chǔ)器的讀寫原理及次數(shù)

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2017-10-30 08:54:3434724

基于C#的OPT存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的讀寫測試軟件

實(shí)現(xiàn)在PC上進(jìn)行OPT存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的讀寫的測試軟件。由于必需對OTP存儲(chǔ)器的功能進(jìn)行測試才能得到OPT存儲(chǔ)器中被燒錄的正確數(shù)據(jù),因此怎樣使用上位機(jī)軟件讀取到通過串口與PC相連的高性能的OTP存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)成為一個(gè)我們非常關(guān)心的課題。C#語法簡
2017-11-11 15:02:5819

幾種常用的單片機(jī)系統(tǒng)RAM測試方法研究

在各種單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中,存儲(chǔ)器的正常與否直接關(guān)系到該系統(tǒng)的正常工作。為了提高系統(tǒng)的可靠性,對系統(tǒng)的可靠性進(jìn)行測試是十分必要的。通過測試可以有效地發(fā)現(xiàn)并解決因存儲(chǔ)器發(fā)生故障對系統(tǒng)帶來的破壞問題。本文
2017-12-02 09:07:57992

dsp與外擴(kuò)展存儲(chǔ)器的連接方法

幾種DSP與外接存儲(chǔ)器的連接方法俞斌賈雅瓊引言 存儲(chǔ)器接口分為ROM接口和RAM接口兩種。ROM包括EPROM和FLASH,而RAM主要是指SRAM。TMS320C5409具有32K字的片內(nèi)RAM
2017-12-04 17:09:205

新型的嵌入式存儲(chǔ)器測試算法[圖]

摘要: 針對目前嵌入式存儲(chǔ)器測試算法的測試效率與故障覆蓋率難以兼得的現(xiàn)狀,提出了兼顧二者的測試算法。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該算法最適合對存儲(chǔ)器進(jìn)行大批量的測試。在測試效率上的優(yōu)勢很明顯,故障覆蓋率也能達(dá)到
2018-01-19 03:47:023060

一種多功能存儲(chǔ)器芯片的測試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)詳解

本文提出了一種多功能存儲(chǔ)器芯片的測試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),對各種數(shù)據(jù)位寬的多種存儲(chǔ)器芯片(SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等)進(jìn)行了詳細(xì)的結(jié)口電路設(shè)計(jì)
2018-06-19 14:08:002570

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲(chǔ)器分析

,存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在,主要是閃存(Nand FLASH 和 NOR FLASH),NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中,而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33113863

MSP430系列Flash存儲(chǔ)器C語言環(huán)境下的參數(shù)保存和擦寫技巧

MSP430系列芯片中只集成了一個(gè)Flash模塊用作程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2018-04-28 17:12:0111

閃存存儲(chǔ)器的功能概述和程序中文資料概述

在Stellaris系列不同型號(hào)里帶有8~256KB的Flash存儲(chǔ)器(后續(xù)型號(hào)容量可能更大)。Flash用于存儲(chǔ)代碼和固定數(shù)表,正常情況下只能用于執(zhí)行程序,而不能直接修改存儲(chǔ)的內(nèi)容。但是,片內(nèi)集成
2018-05-09 10:28:167

如何對嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)行測試和可測性設(shè)計(jì)?

測試,可以提供全故障診斷和進(jìn)行全速測試。但是這種測試方法也有一定的缺點(diǎn),首先芯片中的嵌入式存儲(chǔ)器部分或者全部與微處理不相連,需要有專用的接口電路對測試算法的二進(jìn)制代碼進(jìn)行處理,其次不同測試算法的編程和程序修改需要大量的時(shí)間和人力,還有這種測試方法不能測試存儲(chǔ)測試程序存儲(chǔ)器
2018-08-26 09:04:072468

SPI存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及在自動(dòng)測試儀上實(shí)現(xiàn)測試方法研究

本文分析了SPI 存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和測試難點(diǎn),提出了一種基于并行轉(zhuǎn)串行邏輯的SPI 存儲(chǔ)器算法圖形自動(dòng)產(chǎn)生的方法,并以SPI EEPROM 芯片AT25HP512 為例,實(shí)現(xiàn)了測試程序開發(fā)。實(shí)驗(yàn)證實(shí),該方法可以克服SPI 存儲(chǔ)器地址算法自動(dòng)產(chǎn)生的困難,對該類芯片測試具有通用性。
2018-11-29 09:08:004753

使用CPLD產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)大容量FLASH存儲(chǔ)器的接口設(shè)計(jì)

FLASH存儲(chǔ)器FLASH Memory)是非易失存儲(chǔ)器,即使在供電電源關(guān)閉后仍然能保留信 息, 可以對存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦除和再編程,并且不需要額外的編程電壓。FLASH存儲(chǔ)器具有工 作電壓低、擦寫速度快、功耗低、壽命長、價(jià)格低廉、控制方法靈活、體積小等優(yōu)點(diǎn)。
2019-08-09 08:00:003972

只讀存儲(chǔ)器幾種

本視頻主要詳細(xì)介紹了只讀存儲(chǔ)器幾種,ROM、可編程只讀存儲(chǔ)器、可編程可擦除只讀存儲(chǔ)器、一次編程只讀內(nèi)存、電子可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器以及閃速存儲(chǔ)器。
2018-11-27 17:29:0715072

東芝存儲(chǔ)器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

據(jù)外媒報(bào)道,東芝存儲(chǔ)器美國子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321643

EEPROM和FLASH存儲(chǔ)器測試方法詳細(xì)說明

非易失存儲(chǔ)器(Non-Volatile Memory)在系統(tǒng)關(guān)閉或無電源供應(yīng)時(shí)仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)信息。一個(gè)非易失存儲(chǔ)器(NVM)器件通常也是一個(gè) MOS 管,擁有一個(gè)源極,一個(gè)漏極,一個(gè)門極另外還有一個(gè)浮
2019-11-21 08:00:0033

PLC常用的幾種物理存儲(chǔ)器

PLC的存儲(chǔ)器分為系統(tǒng)程序存儲(chǔ)器和用戶程序存儲(chǔ)器。系統(tǒng)程序相當(dāng)于個(gè)人計(jì)算機(jī)的操作系統(tǒng),它使PLC具有基本的智能,能夠完成PLC設(shè)計(jì)者規(guī)定的各種工作。系統(tǒng)程序由PLC生產(chǎn)廠家設(shè)計(jì)并固化在ROM(只讀存儲(chǔ)器)中,用戶不能讀取。用戶程序由用戶設(shè)計(jì),它使PLC能完成用戶要求的特定功能。
2020-03-15 16:04:0017776

存儲(chǔ)器和新興非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的特點(diǎn)

良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵,包括測試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級別進(jìn)行質(zhì)量控制測試。新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的制造和測試,這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng),人工智能以及先進(jìn)
2020-06-09 13:46:161487

如何區(qū)分各種存儲(chǔ)器(ROM、RAM、FLASH

相信有很多人都對計(jì)算機(jī)里的各種存儲(chǔ)器(ROM、RAM、FLASH 等等)傻傻分不清,就會(huì)存在,內(nèi)存條是 dram 還是 nand?nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么?程序
2020-12-17 14:56:3812674

基于LPC3000系列芯片的TK-Scope仿真/燒錄存儲(chǔ)器的啟動(dòng)方法分析

存儲(chǔ)器。其中,NAND Flash、SPI存儲(chǔ)器啟動(dòng)方法比較常用。本文以LPC3000系列芯片為例,詳細(xì)講解TK-Scope仿真/燒錄NAND Flash、SPI存儲(chǔ)器的啟動(dòng)方法。LPC3000系列芯片
2020-10-04 15:02:003352

FPGA開發(fā)板中幾種不同的存儲(chǔ)器

在FPGA開發(fā)板上都有幾種不同的存儲(chǔ)器,比如SDRAM,FLASH,EPCS,還有內(nèi)部
2020-10-09 11:41:413824

Flash存儲(chǔ)器在MCS-51系統(tǒng)中的應(yīng)用

介紹了 Flash 存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用場合 ,在16 位地址總線中擴(kuò)展大容量存儲(chǔ)的一般方法。討論了 MCS-51 系列單片機(jī)與 Flash 存儲(chǔ)器的硬件接口方式和軟件編程過程 ,以及在應(yīng)用中應(yīng)該注意的問題 ,并以 W29C040為例 ,給出了實(shí)際原理圖和有關(guān)實(shí)現(xiàn)。
2021-03-18 09:50:047

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其測試

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其測試說明。
2021-03-19 16:11:4835

存儲(chǔ)器以及DDR5技術(shù)及完整的測試方案

及完整的測試方案。 存儲(chǔ)器簡史 存儲(chǔ)芯片是數(shù)字芯片的重要組成部分,能夠存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù),并能在計(jì)算機(jī)運(yùn)行過程中高速、自動(dòng)地完成程序或數(shù)據(jù)的存取,如下是存儲(chǔ)芯片的基本分類: 圖:存儲(chǔ)器基本分類 存儲(chǔ)器主要分為ROM和RAM兩大類,簡介如下:
2021-05-17 09:31:087051

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其測試.pdf

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其測試.pdf(匯編語言嵌入式開發(fā))-半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其測試.pdf半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其測試.pdf
2021-07-30 09:39:3073

GCCAVR(Atmel Studio)在程序存儲(chǔ)器(flash)空間存放常量或者常量數(shù)組

GCCAVR(Atmel Studio)在程序存儲(chǔ)器(flash)空間存放常量或者常量數(shù)組GCC中把超出內(nèi)存的數(shù)據(jù)存入flash區(qū)的方法AVRGCC中將變量定義在flash空間的方法(大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
2021-11-15 16:51:061

【轉(zhuǎn)】PIC單片機(jī)的 程序存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,EEPROM區(qū)別

PIC的程序存儲(chǔ)器FLASH存儲(chǔ)器,主要存儲(chǔ)程序代碼,掉電不丟失。 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器是SRAM,主要存儲(chǔ)一些程序的變量,掉電丟失。 EEPROM一般存儲(chǔ)程序中的重要數(shù)據(jù),掉電也不丟失
2021-11-16 13:06:0113

AN4852_使用STM32微控制內(nèi)置的UART引導(dǎo)程序編程外部Flash存儲(chǔ)器

AN4852_使用STM32微控制內(nèi)置的UART引導(dǎo)程序編程外部Flash存儲(chǔ)器
2022-11-21 17:07:090

存儲(chǔ)器集成電路測試

存儲(chǔ)器是集成電路領(lǐng)域的通用器件,其市場用量巨大,從類型上分為 ROMEPROM、E2PROM、SRAM、DRAM、FLASH 等。
2023-05-30 09:56:44886

存儲(chǔ)器集成電路測試,記憶體積體電路測試,Memory IC Test

單獨(dú)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以利用存儲(chǔ)器專用測試設(shè)備進(jìn)行測試,該設(shè)備通常包含硬件算法圖形生成器 ( Algorithmnic Pattern Generator, APG),具有算術(shù)邏輯單元
2023-05-31 17:03:251782

Flash存儲(chǔ)器的工作原理和基本結(jié)構(gòu)

  Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器,即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:288170

NAND Flash和NOR Flash存儲(chǔ)器的區(qū)別

摘要:本文主要對兩種常見的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討,以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:062633

NAND Flash存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)知識(shí)

隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器,NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢,在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析,以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:175562

CW32L052 FLASH存儲(chǔ)器

CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用,可用來存儲(chǔ)應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。芯片支持對 FLASH 存儲(chǔ)器的讀、擦除和寫操作,支持擦寫保護(hù)和讀保護(hù)。芯片內(nèi)置 FLASH 編程所需的高壓 BOOST 電路,無須額外提供編程電壓。
2024-02-28 17:43:591427

EEPROM與Flash存儲(chǔ)器的區(qū)別

可編程只讀存儲(chǔ)器)和Flash存儲(chǔ)器是兩種常見的非易失性存儲(chǔ)器,它們具有各自的特點(diǎn)和應(yīng)用場景。本文將深入分析和比較EEPROM與Flash存儲(chǔ)器的原理、結(jié)構(gòu)、性能以及應(yīng)用,以期為讀者提供全面而深入的理解。
2024-05-23 16:35:3610920

NAND Flash與其他類型存儲(chǔ)器的區(qū)別

NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器,具有多個(gè)顯著優(yōu)點(diǎn),這些優(yōu)點(diǎn)使其在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對NAND Flash優(yōu)點(diǎn)的詳細(xì)闡述,并簡要探討與其他類型存儲(chǔ)器的區(qū)別。
2024-08-20 10:24:441951

環(huán)路測試方法有哪幾種

環(huán)路測試(Loop Testing)是一種軟件測試方法,它通過在軟件內(nèi)部創(chuàng)建循環(huán)來驗(yàn)證程序的循環(huán)結(jié)構(gòu)是否正確。這種方法特別適用于測試循環(huán)控制結(jié)構(gòu),如for循環(huán)、while循環(huán)、do-while循環(huán)等
2024-09-12 14:35:522431

鐵電存儲(chǔ)器Flash的區(qū)別

鐵電存儲(chǔ)器(Ferroelectric RAM, FRAM)與閃存(Flash)是兩種不同類型的非易失性存儲(chǔ)器,它們在工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場景等方面存在顯著的差異。
2024-09-29 15:25:324371

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測試圖形技術(shù)解析

在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測試中,測試圖形(Test Pattern)是檢測故障、驗(yàn)證可靠性的核心工具。根據(jù)測試序列長度與存儲(chǔ)單元數(shù)N的關(guān)系,測試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類。
2025-05-07 09:33:371227

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