東芝存儲公司6日宣布推出一種新的存儲器（SCM）XL-FLASH，并開始提供樣品。該產(chǎn)品使用1位/單元SLC技術，使用96層堆疊工藝實現(xiàn)3D閃存BiCSFLASH的高速讀寫。128Gbit芯片的樣品
2019-08-07 18:11:29
4996 被東芝（Toshiba）視為營運重建支柱的半導體部門新整編方案內(nèi)容曝光，據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進行生產(chǎn)的“NAND型快閃存儲器（Flash Memory）”事業(yè)分拆出來。
2015-12-22 08:17:04669 全球第2大NAND型快閃存儲器（Flash Memory）廠商東芝（Toshiba）將在 2017 年度采用被稱為“納米壓?。∟ano-imprint Lithography，NIL）”的新技術
2016-06-04 09:39:01687 NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機存儲等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321684 
閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17917 
Flash SSD/DOM業(yè)者導入十倍于MLC耐用品質(zhì)等級的iSLC存儲器技術，加上導入種種維護、監(jiān)控SSD內(nèi)部Flash在擦寫均勻度（Wear Leveling）、品質(zhì)與穩(wěn)定性的關鍵技術，使得MLC可以導入輕量級工控應用，而iSLC存儲器將成為工控應用的新寵。
2013-03-05 10:50:331544 作為業(yè)界領先的固態(tài)存儲控制芯片及整體解決方案提供商，國科微受邀參會并展示了基于東芝XL-Flash閃存技術的超低延遲NVMe SSD原型機。
2019-09-04 09:47:052059 最新發(fā)布的存儲器價格報告指出，存儲器產(chǎn)業(yè)新年伊始就迎來供需結(jié)構反轉(zhuǎn)的消息。
2020-01-21 08:17:001427 概念理解：FLASH存儲器又成為閃存，它與EEPROM都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲器，但是FLASH得存儲容量都普遍的大于EEPROM，，在存儲控制上，最主要的區(qū)別是FLASH芯片只能一大片一大片
2022-03-02 07:20:19
存儲空間是如何進行配置的？存儲器的特點是什么？FLASH和OTP存儲器的功耗模式有哪幾種狀態(tài)？
2021-10-21 08:28:25
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲器多采用Flash存儲器實現(xiàn)擴展，由于Flash存儲器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設計出一個合理
2019-08-16 07:06:12
Flash存儲器是一種基于浮柵技術的非揮發(fā)性半導體存儲器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲器 ,Flash存儲器具有自己獨特的優(yōu)點:不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
最近工作上需要對英飛凌XC886這款單片機的Flash進行讀寫，以下為簡要的幾點總結(jié)：一、Flash存儲器結(jié)構：XC886共有32KFlash，地址映射如下圖所示：共三塊P-Flash用來存儲程序
2022-01-26 06:46:26
?！ ? 存儲器和儲存的要求不同，具體取決于其特性，包括現(xiàn)在已??經(jīng)過時的技術 (來源：Lauro Rizza) 為了實現(xiàn)隨時間進展的存儲器和儲存而開發(fā)的技術，可說是人類聰明才智的典范。發(fā)明這些技術的人們利用
2017-07-20 15:18:57
， 每塊區(qū)域的大小是 512MB（1）Block0 內(nèi)部區(qū)域功能劃分Block0 主要用于設計片內(nèi)的 FLASH，0x0000 0000-0x0007FFFF：取決于 BOOT 引腳，為 FLASH、系統(tǒng)存儲器、 SRAM 的別名。0x08000000-0x0807FFFF：片內(nèi) FLASH，我們編寫.
2022-01-20 08:21:34
技術的日趨成熟,存儲器價格會回穩(wěn).然而就DRAM市場來說,誰也不知道DRAM的供貨何時才會穩(wěn)定下來.再來看市場需求狀況,雖然有些存儲器市場分段的市場需求正在增長,但是這些分段的增長幅度并不高,可見主要的問題是來自于供給側(cè).
2019-07-16 08:50:19
的存儲器的位置。存儲器映射有兩種映射規(guī)則--大端映射和小端映射。存儲器映射是指把芯片中或芯片外的FLASH，RAM，外設，BOOTBLOCK等進行統(tǒng)一編址。即用地址來表示對象。這個地址絕大多數(shù)是由廠家
2014-03-24 11:57:18
EVERSPIN非易失性存儲器嵌入式技術
2020-12-21 07:04:49
512KB FLASH，64KB SRAM可是在看到手冊上的存儲器映像時，系統(tǒng)存儲器并沒有包括在512KB的FLASH中，那這BOOTLOADER存在哪了呢？沒有接觸過BOOTLOADER，十分不解，還請大家給解答。
2014-11-26 21:05:35
STM32F系列單片機內(nèi)部含有較大容量的FLASH存儲器
2021-08-05 07:43:37
。RM0008文檔中可以看出，STM32采用的是Cortex-M3內(nèi)核，因此，有必要了解Cortex-M3的存儲器結(jié)構。圖中還可以看出，Cortex-M3是通過各個總線和Flash、SROM相連接的。2
2018-08-14 09:22:26
?！ ?、硬盤存儲器 信息可以長期保存，可以讀寫，容量大，但是不方便攜帶?！ ?、移動存儲器 主要包括閃存盤（優(yōu)盤）、移動硬盤、固態(tài)硬盤（SSD）?！ ?、閃存盤（優(yōu)盤） 采用Flash存儲器（閃存
2019-06-05 23:54:02
flash中運行。嵌入式系統(tǒng)多用一個小容量的nor flash存儲引導代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
1. 嵌入式的外部存儲器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲器。存儲器的物理構成包含頁內(nèi)地址，頁（Page），塊（Block）?？梢缘贸?b class="flag-6" style="color: red">存儲器
2021-12-10 08:26:49
作者：王烈洋 黃小虎 占連樣 珠海歐比特控制工程股份有限公司隨著電子技術的飛速發(fā)展， 存儲器的種類日益繁多，每一種存儲器都有其獨有的操作時序，為了提高存儲器芯片的測試效率，一種多功能存儲器芯片
2019-07-26 06:53:39
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應該將其設置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
我正在學習如何在微控制器斷電后使用 STM32L431CC FLASH 存儲器存儲數(shù)據(jù)。通過Keil編譯，我得到：程序大?。篊ode=34316 RO-data=1228 RW-data=364
2023-01-12 07:47:33
Flash類型與技術特點有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動器？如何去設計Flash存儲器？
2021-04-27 06:20:01
FLASH芯片的結(jié)構與特點FLASH存儲器測試程序原理
2021-04-14 06:03:00
TPMS技術及輪胎定位原理是什么？如何解決TPMS輪胎換位和調(diào)換輪胎時的重新定位問題？怎么實現(xiàn)外置編碼存儲器輪胎定位技術？
2021-05-14 06:13:50
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂谩Ｕ堉笇覀儗崿F(xiàn)這一目標
2023-04-04 08:16:50
未來DDR4、NAND Flash存儲器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
目前高級應用要求新的存儲器技術能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導致的結(jié)果就是對存儲器的需求永不停歇。相變存儲器(PCM)以創(chuàng)新的關鍵技術特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對電子系統(tǒng)的重點
2018-05-17 09:45:35
深入分析STM32單片機的RAM和FLASH學習2019-9-272642閱讀97點贊8評論最近在一個問答社區(qū)回答了一個問題，關于單片機存儲器的，于是有了想專門寫一篇關于單片機存儲器的想法。作為
2022-01-26 08:09:05
有兩個問題請教板上各位大牛，謝謝了。
1、6657芯片中是不是沒有程序存儲器，是不是必須要外接flash才能存入程序？
2、如果使用外接的flash程序存儲器，如何從外部設備啟動呢？有沒有這樣的例程或者手冊可以供我參考？我想外接一個flash存儲器（通過SPI或者EMIF外接）作為程序存儲器，謝謝！
2018-06-21 18:24:08
怎樣去設計DSP自動引導裝載系統(tǒng)的硬件？對FLASH存儲器進行燒寫有哪些步驟？怎樣使用FLASH存儲器去設計引導裝載系統(tǒng)？
2021-04-27 07:13:39
網(wǎng)絡存儲器技術是如何產(chǎn)生的？怎樣去設計一種網(wǎng)絡存儲器？
2021-05-26 07:00:22
)、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座
2011-11-19 11:53:09
)、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座
2011-11-21 10:49:57
。與 NOR 閃速存儲器相比較，東芝公司開發(fā)的 NAND 閃速存儲器卻能夠進行高度集成，寫人方式也因采用了被稱為隧道的方式，即利用了氧化膜所引起的隧道效應現(xiàn)象，故與 NOR 閃速存儲器相比，具有
2018-04-09 09:29:07
存儲設備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
東芝彩電存儲器數(shù)據(jù):東芝25E3XC2 24C08 M37222M6-084SP.bin 東芝2550XHC 24C04 M37222M6-B83SP.bin 東芝2840XH 24C02 東芝
2008-03-23 10:11:15
48
MD25Q32CSIG FLASH芯片代燒錄 GD存儲器ICGD
品牌：GD兆易創(chuàng)新
類型:存儲器
存儲容量：32M
產(chǎn)品說明：用于閃存 可代燒錄
2021-12-06 10:45:05
從C8 0 5 1F0 2 x Fl a s h 存儲器的結(jié)構可以知道，C8051F02x 的Flash 存儲器中，不僅具有64KB 的Flash 存儲器（其地址為0x0000~0xFFFF，該存儲器可以用來存儲程序代碼和非易失性數(shù)據(jù)），還有一
2009-04-15 10:50:33124 以基于TMS320C32 DSP 開發(fā)的故障錄波裝置為模型，介紹AMD公司的Flash 存儲器Am29F040的原理和應用；利用它的操作過程實現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在Flash存儲器內(nèi)的特性， 結(jié)合TMS320C
2009-04-16 09:52:5111 以基于TMS320C32 DSP 開發(fā)的故障錄波裝置為模型，介紹AMD公司的Flash 存儲器Am29F040的原理和應用；利用它的操作過程實現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在Flash存儲器內(nèi)的特性， 結(jié)合TMS320C
2009-05-15 14:20:5321 較為詳細地介紹嵌入式操作系統(tǒng)uClinux 平臺下的Flash 存儲技術，并給出基于三星S3C4510 系統(tǒng)下Flash 存儲器的具體設計實例。
2009-05-15 15:47:2410 TCL 2501東芝機芯 (25英寸)存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-05 13:32:268 TCL AT29128東芝純存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:25:1923 NAND FLASH開始廣泛應用于星載存儲器,針對FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎,結(jié)合空間應用的數(shù)據(jù)存儲特點,引入文件系統(tǒng)的概
2010-02-24 14:41:2610 LM3S 系列微控制器Flash 存儲器應用
在眾多的單片機中都集成了 Flash 存儲器系統(tǒng)，該存儲器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)的存儲。它在整個存儲器中所處的位置在最起始
2010-03-27 15:29:5848 NAND FLASH開始廣泛應用于星載存儲器,針對FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎,結(jié)合空間應用的數(shù)據(jù)存儲特點,引入文件系統(tǒng)的概
2010-07-17 18:06:2914 內(nèi)建自測試是一種有效的測試存儲器的方法。分析了NOR型flash存儲器的故障模型和測試存儲器的測試算法，在此基礎上，設計了flash存儲器的內(nèi)建自測試控制器?？刂破鞑捎昧艘环N23
2010-07-31 17:08:5435 Flash 存儲器的簡介
在眾多的單片機中都集成了 Flash 存儲器系統(tǒng)，該存儲器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)
2010-11-11 18:25:094564 
ARM嵌入式應用程序架構設計實例精講--ARM基礎應用實驗05Flash存儲器
2016-07-08 11:08:190 電子專業(yè)單片機相關知識學習教材資料——ARM基礎應用實驗05Flash存儲器
2016-09-13 17:23:280 受到眾多買家競購東芝存儲器業(yè)務的影響，近段時間以來東芝公司的媒體曝光率極高。如果拋去對于東芝存儲器業(yè)務將花落誰家的紛擾猜測，將目光對準市場與產(chǎn)品技術，可以發(fā)現(xiàn)近年來東芝公司除去存儲器之外，仍有不少值得推介的新品。
2017-04-26 10:36:451345 近日消息，據(jù)日本共同社報道，東芝公司預計在本月27日將與優(yōu)先談判方美日韓聯(lián)合體正式簽約，出售旗下半導體子公司東芝存儲器。對于東芝存儲器，富士康曾給出了比美日韓的2萬億日元(約合179億美元)更高
2017-06-26 11:46:11243 FLASH存儲器又稱閃存 ，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存
2017-10-11 14:11:3722155 FLASH存儲器（也就是閃存）就 是非易失隨機訪問存儲器（NVRAM），特點是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:468295 FLASH存儲器又稱閃存，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子
2017-10-11 15:16:1715617 Flash存儲器技術趨于成熟，應用廣泛，它結(jié)合了OTP存儲器的成本優(yōu)勢和EEPROM的可再編程性能，是目前比較理想的存儲器。Flash存儲器具有電可擦除、無需后備電源來保護數(shù)據(jù)、可在線編程、存儲密度
2017-10-11 18:57:413776 
FLASH存儲器又稱閃存，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，FLASH存儲器通常被用來保存設置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出
2017-10-13 16:34:3020879 flash存儲器，及閃速存儲器，這一類型的存儲器具有速度快、方便等特點，是人們使用電腦辦公或者娛樂時必備的工具。
2017-10-30 08:54:3431401 在市場NAND Flash快閃存儲器供應仍有缺口，導致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn)，以補足市場供不應求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922 ，存儲器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應用于代碼存儲介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲。
2018-04-09 15:45:33109972 6月1日，東芝發(fā)布公告稱其已經(jīng)完成東芝存儲器株式會社股權轉(zhuǎn)讓相關事宜。自2017年東芝發(fā)布公示表明會將旗下合并報表子公司東芝存儲器株式會社的全部股權轉(zhuǎn)讓給以貝恩資本（Bain Capital
2018-06-02 11:30:007055 FLASH存儲器（FLASH Memory）是非易失存儲器，即使在供電電源關閉后仍然能保留信 息， 可以對存儲器單元塊進行擦除和再編程，并且不需要額外的編程電壓。FLASH存儲器具有工 作電壓低、擦寫速度快、功耗低、壽命長、價格低廉、控制方法靈活、體積小等優(yōu)點。
2019-08-09 08:00:002748 
據(jù)報導，多位關系人士透露，從東芝獨立出來的全球第二大NAND型快閃存儲器（Flash Memory）廠商東芝存儲器（TMC）已著手進行準備原定于今年9月的IPO，預估TMC上市后市值將超過2萬億日元。
2019-02-24 10:09:003006 NAND Flash受到東芝存儲器工廠停電事件，將帶動NAND Flash價格止跌走揚，威剛科技初估，NAND Flash價格將調(diào)漲10%至15%；另一存儲器模組廠十銓科技也認為不論DRAM或NAND Flash，下半年都將有很大的成長空間。
2019-07-09 16:02:202513 7月18日，日本東芝電子(中國)有限公司通過企業(yè)官方網(wǎng)站發(fā)布公告稱，東芝電子旗下子公司東芝存儲器株式會社將于2019年10月1日起正式更名為“Kioxia”，中文名為“鎧俠株式會社”。而東芝電子(中國)有限公司也將在2020年春天同步更名，新名稱定為“鎧俠電子(上海)有限公司”。
2019-07-24 09:41:1619857 XL-FLASH是基于該公司創(chuàng)新的BiCS FLASH 3D閃存技術，每單元1比特SLC，將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲帶來低延遲和高性能的解決方案。樣品將于9月開始出貨，預計將于2020年開始量產(chǎn)。
2019-08-06 15:21:363826 近日，據(jù)外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術和SLC
2019-08-07 10:56:32665 ，既能持久存儲數(shù)據(jù)，又具備極高的速度，因而也被成為Persistent Memory持久內(nèi)存，它是近年來半導體存儲的發(fā)展新方向。東芝宣布了XL-Flash，它就屬于持久內(nèi)存類型。 為了讓NAND閃存的速度能夠達到內(nèi)存級的水平，東芝在BiCS 3D閃存結(jié)構之上進
2020-09-16 14:37:473196 超低延時閃存是當前非常熱門的技術趨勢，東芝推出的XL-FLASH是超低延時存儲介質(zhì)的代表，讀延時可以達到普通3D TLC NAND的十分之一。Memblaze聯(lián)手東芝對XL-FLASH的低延時潛力
2019-08-18 09:03:00776 東芝存儲器宣布正式更名為Kioxia公司，代表著公司以“記憶”提升世界的使命。有消息稱光寶（Lite-On）要將旗下的存儲業(yè)務部門出售給東芝，而今落定東芝以1.65億美元的價格正式收購光寶固態(tài)硬盤SSD業(yè)務，交易預計于2020年上半年結(jié)束。
2019-09-01 09:58:201292 東芝存儲器控股公司已與光寶科技（LITE-ON Technology Corporation）簽訂收購后者固態(tài)硬盤（SSD）業(yè)務的最終協(xié)議。收購價格為1.65億美元。
2019-09-03 10:14:541471 至于原因，東芝認為3D XPoint成本太高，在容量/價格比上難以匹敵3D NAND 技術，現(xiàn)在市面上96層堆疊的閃存已經(jīng)大量涌現(xiàn)，可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。
2020-01-02 09:27:342655 隨著當前移動存儲技術的快速發(fā)展和移動存儲市場的高速擴大，FLASH型存儲器的用量迅速增長。FLASH芯片由于其便攜、可靠、成本低等優(yōu)點，在移動產(chǎn)品中非常適用。市場的需求催生了一大批FLASH芯片研發(fā)
2020-08-13 14:37:296064 
相信有很多人都對計算機里的各種存儲器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就會存在，內(nèi)存條是 dram 還是 nand？nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3810522 介紹了 Flash 存儲器的特性和應用場合 ，在16 位地址總線中擴展大容量存儲的一般方法。討論了 MCS-51 系列單片機與 Flash 存儲器的硬件接口方式和軟件編程過程 ，以及在應用中應該注意的問題 ，并以 W29C040為例 ，給出了實際原理圖和有關實現(xiàn)。
2021-03-18 09:50:047 存儲器解決方案的全球領導者鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)今天宣布推出第二代XL-FLASH?。這是一種基于其BiCS FLASH? 3D閃存技術的存儲級存儲器(SCM)解決方案
2022-08-03 09:11:51439 NAND Flash。2007年，東芝推出3D NAND，三星也在2012年發(fā)布其第一代3D NAND。NAND Flash 技術幾十年發(fā)展保留了相同的概念、堆疊（stack）和架構，存儲密度隨時間呈指數(shù)
2022-11-25 14:57:351637 Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:282620 摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應用。
2023-09-27 17:46:06490 隨著信息技術的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領域得到了廣泛應用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構特點、性能指標及應用領域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 Flash存儲器的寫操作具有特殊性，它只能將數(shù)據(jù)位從1寫成0，而不能從0寫成1。因此，在對存儲器進行寫入操作之前，必須先執(zhí)行擦除操作，將預寫入的數(shù)據(jù)位初始化為1。
2024-02-19 11:37:28541 
前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術,徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45160 
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