東芝存儲公司6日宣布推出一種新的存儲器（SCM）XL-FLASH，并開始提供樣品。該產(chǎn)品使用1位/單元SLC技術(shù)，使用96層堆疊工藝實現(xiàn)3D閃存BiCSFLASH的高速讀寫。128Gbit芯片的樣品
2019-08-07 18:11:29
5730 被東芝（Toshiba）視為營運重建支柱的半導(dǎo)體部門新整編方案內(nèi)容曝光，據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進行生產(chǎn)的“NAND型快閃存儲器（Flash Memory）”事業(yè)分拆出來。
2015-12-22 08:17:04885 NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機存儲等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:322839 
閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:173656 
Flash SSD/DOM業(yè)者導(dǎo)入十倍于MLC耐用品質(zhì)等級的iSLC存儲器技術(shù)，加上導(dǎo)入種種維護、監(jiān)控SSD內(nèi)部Flash在擦寫均勻度（Wear Leveling）、品質(zhì)與穩(wěn)定性的關(guān)鍵技術(shù)，使得MLC可以導(dǎo)入輕量級工控應(yīng)用，而iSLC存儲器將成為工控應(yīng)用的新寵。
2013-03-05 10:50:332978 作為業(yè)界領(lǐng)先的固態(tài)存儲控制芯片及整體解決方案提供商，國科微受邀參會并展示了基于東芝XL-Flash閃存技術(shù)的超低延遲NVMe SSD原型機。
2019-09-04 09:47:052570 最新發(fā)布的存儲器價格報告指出，存儲器產(chǎn)業(yè)新年伊始就迎來供需結(jié)構(gòu)反轉(zhuǎn)的消息。
2020-01-21 08:17:001822 概念理解：FLASH存儲器又成為閃存，它與EEPROM都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲器，但是FLASH得存儲容量都普遍的大于EEPROM，，在存儲控制上，最主要的區(qū)別是FLASH芯片只能一大片一大片
2022-03-02 07:20:19
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲器多采用Flash存儲器實現(xiàn)擴展，由于Flash存儲器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設(shè)計出一個合理
2019-08-16 07:06:12
Flash存儲器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲器 ,Flash存儲器具有自己獨特的優(yōu)點:不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
最近工作上需要對英飛凌XC886這款單片機的Flash進行讀寫，以下為簡要的幾點總結(jié)：一、Flash存儲器結(jié)構(gòu)：XC886共有32KFlash，地址映射如下圖所示：共三塊P-Flash用來存儲程序
2022-01-26 06:46:26
XL32F003是芯嶺技術(shù)推出的一顆高性能單片機，搭配32位ARM Cortex-M0+內(nèi)核，最高工作頻率48 MHz。 芯片嵌入高達64 Kbytes flash和8 Kbytes SRAM存儲器
2024-05-17 18:04:32
?！ ? 存儲器和儲存的要求不同，具體取決于其特性，包括現(xiàn)在已??經(jīng)過時的技術(shù) (來源：Lauro Rizza) 為了實現(xiàn)隨時間進展的存儲器和儲存而開發(fā)的技術(shù)，可說是人類聰明才智的典范。發(fā)明這些技術(shù)的人們利用
2017-07-20 15:18:57
， 每塊區(qū)域的大小是 512MB（1）Block0 內(nèi)部區(qū)域功能劃分Block0 主要用于設(shè)計片內(nèi)的 FLASH，0x0000 0000-0x0007FFFF：取決于 BOOT 引腳，為 FLASH、系統(tǒng)存儲器、 SRAM 的別名。0x08000000-0x0807FFFF：片內(nèi) FLASH，我們編寫.
2022-01-20 08:21:34
EVERSPIN非易失性存儲器嵌入式技術(shù)
2020-12-21 07:04:49
flash中運行。嵌入式系統(tǒng)多用一個小容量的nor flash存儲引導(dǎo)代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
我正在學(xué)習(xí)如何在微控制器斷電后使用 STM32L431CC FLASH 存儲器存儲數(shù)據(jù)。通過Keil編譯，我得到：程序大?。篊ode=34316 RO-data=1228 RW-data=364
2023-01-12 07:47:33
Flash類型與技術(shù)特點有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動器？如何去設(shè)計Flash存儲器？
2021-04-27 06:20:01
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。請指?dǎo)我們實現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
目前高級應(yīng)用要求新的存儲器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導(dǎo)致的結(jié)果就是對存儲器的需求永不停歇。相變存儲器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對電子系統(tǒng)的重點
2018-05-17 09:45:35
有兩個問題請教板上各位大牛，謝謝了。
1、6657芯片中是不是沒有程序存儲器，是不是必須要外接flash才能存入程序？
2、如果使用外接的flash程序存儲器，如何從外部設(shè)備啟動呢？有沒有這樣的例程或者手冊可以供我參考？我想外接一個flash存儲器（通過SPI或者EMIF外接）作為程序存儲器，謝謝！
2018-06-21 18:24:08
怎樣去設(shè)計DSP自動引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的硬件？對FLASH存儲器進行燒寫有哪些步驟？怎樣使用FLASH存儲器去設(shè)計引導(dǎo)裝載系統(tǒng)？
2021-04-27 07:13:39
)、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座
2011-11-19 11:53:09
)、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座
2011-11-21 10:49:57
MC68HC908GP32 MCU的Flash存儲器在線編程技術(shù).doc
2006-04-05 00:01:31
48 存儲器技術(shù).doc
計算機的主存儲器（Main Memory），又稱為內(nèi)部存儲器，簡稱為內(nèi)存。內(nèi)存實質(zhì)上是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸
2007-06-05 16:33:4840 東芝彩電存儲器數(shù)據(jù):東芝25E3XC2 24C08 M37222M6-084SP.bin 東芝2550XHC 24C04 M37222M6-B83SP.bin 東芝2840XH 24C02 東芝管
2008-03-23 10:11:1548
MD25Q32CSIG FLASH芯片代燒錄 GD存儲器ICGD
品牌：GD兆易創(chuàng)新
類型:存儲器
存儲容量：32M
產(chǎn)品說明：用于閃存 可代燒錄
2021-12-06 10:45:05
存儲器的分類及原理,動態(tài)隨機存儲器,靜態(tài)隨機存儲器,只讀存儲器,其他存儲器和技術(shù).
2008-08-17 22:29:4320 從C8 0 5 1F0 2 x Fl a s h 存儲器的結(jié)構(gòu)可以知道，C8051F02x 的Flash 存儲器中，不僅具有64KB 的Flash 存儲器（其地址為0x0000~0xFFFF，該存儲器可以用來存儲程序代碼和非易失性數(shù)據(jù)），還有一
2009-04-15 10:50:33124 較為詳細地介紹嵌入式操作系統(tǒng)uClinux 平臺下的Flash 存儲技術(shù)，并給出基于三星S3C4510 系統(tǒng)下Flash 存儲器的具體設(shè)計實例。
2009-05-15 15:47:2410 海爾RGBTV-21TA(東芝8803＋24c08）存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-03 13:49:4413 TCL 2501東芝機芯 (25英寸)存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-05 13:32:268 TCL 2501東芝機芯(24C04)(25英寸)存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-05 13:33:557 TCL AT29128東芝純存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:25:1923 論述了基于Freescale 32 位ColdFire 系列微處理器MCF5249 的Flash 存儲器擴展技術(shù)，以MCF5249對MX29LV160BT Flash 存儲器的擴展為例，介紹了擴展的原理，MCF5249 與MX29LV160BT 的硬件接口設(shè)計，Flash
2009-08-29 10:27:5835 NAND FLASH開始廣泛應(yīng)用于星載存儲器,針對FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲特點,引入文件系統(tǒng)的概
2010-02-24 14:41:2610 LM3S 系列微控制器Flash 存儲器應(yīng)用
在眾多的單片機中都集成了 Flash 存儲器系統(tǒng)，該存儲器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)的存儲。它在整個存儲器中所處的位置在最起始
2010-03-27 15:29:5848 NAND FLASH開始廣泛應(yīng)用于星載存儲器,針對FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲特點,引入文件系統(tǒng)的概
2010-07-17 18:06:2914 LM3S 系列微控制器Flash 存儲器應(yīng)用
2010-07-23 17:07:3543 內(nèi)建自測試是一種有效的測試存儲器的方法。分析了NOR型flash存儲器的故障模型和測試存儲器的測試算法，在此基礎(chǔ)上，設(shè)計了flash存儲器的內(nèi)建自測試控制器。控制器采用了一種23
2010-07-31 17:08:5435 存儲器的種類很多，按存儲類型來分，可分為FLASH存儲器、EPROM存儲器、EEPROM存儲器、SRAM存儲器等。FLASH的特點是必擦除以后才能編程；EEPROM寫入速度較慢，通常為ms（毫秒）級，不
2010-08-09 14:52:2059 相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和
2010-11-11 18:09:422586 Flash 存儲器的簡介
在眾多的單片機中都集成了 Flash 存儲器系統(tǒng)，該存儲器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)
2010-11-11 18:25:095395 
隨著數(shù)碼時代的來臨，除了PC外，越來越多的數(shù)碼信息產(chǎn)品正在或即將進入我們的家庭：移動電話、掌上電腦、數(shù)碼相機、GPS等等，這些產(chǎn)品越來越多的使用各種移動微存儲器。這些存儲器中很大部分是快閃存儲器(Flash Memory)。
2011-01-23 09:38:034838 
FLASH存儲器接口電路圖（Altera FPGA開發(fā)板）
2012-08-15 14:36:316908 
ARM嵌入式應(yīng)用程序架構(gòu)設(shè)計實例精講--ARM基礎(chǔ)應(yīng)用實驗05Flash存儲器
2016-07-08 11:08:190 電子專業(yè)單片機相關(guān)知識學(xué)習(xí)教材資料——ARM基礎(chǔ)應(yīng)用實驗05Flash存儲器
2016-09-13 17:23:280 受到眾多買家競購東芝存儲器業(yè)務(wù)的影響，近段時間以來東芝公司的媒體曝光率極高。如果拋去對于東芝存儲器業(yè)務(wù)將花落誰家的紛擾猜測，將目光對準(zhǔn)市場與產(chǎn)品技術(shù)，可以發(fā)現(xiàn)近年來東芝公司除去存儲器之外，仍有不少值得推介的新品。
2017-04-26 10:36:451668 近日消息，據(jù)日本共同社報道，東芝公司預(yù)計在本月27日將與優(yōu)先談判方美日韓聯(lián)合體正式簽約，出售旗下半導(dǎo)體子公司東芝存儲器。對于東芝存儲器，富士康曾給出了比美日韓的2萬億日元(約合179億美元)更高
2017-06-26 11:46:11436 FLASH存儲器又稱閃存 ，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存
2017-10-11 14:11:3723692 FLASH存儲器（也就是閃存）就 是非易失隨機訪問存儲器（NVRAM），特點是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:469157 FLASH存儲器又稱閃存，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子
2017-10-11 15:16:1716975 Flash存儲器技術(shù)趨于成熟，應(yīng)用廣泛，它結(jié)合了OTP存儲器的成本優(yōu)勢和EEPROM的可再編程性能，是目前比較理想的存儲器。Flash存儲器具有電可擦除、無需后備電源來保護數(shù)據(jù)、可在線編程、存儲密度
2017-10-11 18:57:415324 
FLASH存儲器又稱閃存，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，FLASH存儲器通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出
2017-10-13 16:34:3022518 flash存儲器，及閃速存儲器，這一類型的存儲器具有速度快、方便等特點，是人們使用電腦辦公或者娛樂時必備的工具。
2017-10-30 08:54:3434724 在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn)，以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:001319 ，存儲器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲。
2018-04-09 15:45:33113864 6月1日，東芝發(fā)布公告稱其已經(jīng)完成東芝存儲器株式會社股權(quán)轉(zhuǎn)讓相關(guān)事宜。自2017年東芝發(fā)布公示表明會將旗下合并報表子公司東芝存儲器株式會社的全部股權(quán)轉(zhuǎn)讓給以貝恩資本（Bain Capital
2018-06-02 11:30:007632 目前在技術(shù)上，聲音的存儲大都使用大容量的NAND Flash，但一般按照文件系統(tǒng)的方式存儲，這對學(xué)生有一定的難度。本聲音播放器的聲音文件采用非文件方式存儲在NAND Flash中，這樣在不需要太多
2018-12-31 11:29:004005 
FLASH存儲器（FLASH Memory）是非易失存儲器，即使在供電電源關(guān)閉后仍然能保留信 息， 可以對存儲器單元塊進行擦除和再編程，并且不需要額外的編程電壓。FLASH存儲器具有工 作電壓低、擦寫速度快、功耗低、壽命長、價格低廉、控制方法靈活、體積小等優(yōu)點。
2019-08-09 08:00:003972 
據(jù)日本共同社21日報道，日本半導(dǎo)體巨頭東芝存儲器最快將于今年9月在東京證券交易所首次公開募股(IPO)。另據(jù)路透社報道，東芝存儲器的上市或?qū)⒊蔀槿毡窘衲曜畲笠?guī)模IPO。
2019-02-22 14:38:435614 據(jù)報導(dǎo)，多位關(guān)系人士透露，從東芝獨立出來的全球第二大NAND型快閃存儲器（Flash Memory）廠商東芝存儲器（TMC）已著手進行準(zhǔn)備原定于今年9月的IPO，預(yù)估TMC上市后市值將超過2萬億日元。
2019-02-24 10:09:003369 7月18日，日本東芝電子(中國)有限公司通過企業(yè)官方網(wǎng)站發(fā)布公告稱，東芝電子旗下子公司東芝存儲器株式會社將于2019年10月1日起正式更名為“Kioxia”，中文名為“鎧俠株式會社”。而東芝電子(中國)有限公司也將在2020年春天同步更名，新名稱定為“鎧俠電子(上海)有限公司”。
2019-07-24 09:41:1620809 XL-FLASH是基于該公司創(chuàng)新的BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)，每單元1比特SLC，將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲帶來低延遲和高性能的解決方案。樣品將于9月開始出貨，預(yù)計將于2020年開始量產(chǎn)。
2019-08-06 15:21:364416 近日，據(jù)外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC
2019-08-07 10:56:321067 超低延時閃存是當(dāng)前非常熱門的技術(shù)趨勢，東芝推出的XL-FLASH是超低延時存儲介質(zhì)的代表，讀延時可以達到普通3D TLC NAND的十分之一。Memblaze聯(lián)手東芝對XL-FLASH的低延時潛力
2019-08-18 09:03:001084 東芝存儲器宣布正式更名為Kioxia公司，代表著公司以“記憶”提升世界的使命。有消息稱光寶（Lite-On）要將旗下的存儲業(yè)務(wù)部門出售給東芝，而今落定東芝以1.65億美元的價格正式收購光寶固態(tài)硬盤SSD業(yè)務(wù)，交易預(yù)計于2020年上半年結(jié)束。
2019-09-01 09:58:201647 東芝存儲器控股公司已與光寶科技（LITE-ON Technology Corporation）簽訂收購后者固態(tài)硬盤（SSD）業(yè)務(wù)的最終協(xié)議。收購價格為1.65億美元。
2019-09-03 10:14:541920 至于原因，東芝認(rèn)為3D XPoint成本太高，在容量/價格比上難以匹敵3D NAND 技術(shù)，現(xiàn)在市面上96層堆疊的閃存已經(jīng)大量涌現(xiàn)，可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。
2020-01-02 09:27:343123 新興的非易失性存儲器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機存取存儲器（FeRAM），磁性隨機存取存儲器（MRAM），相變存儲器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:312446 良好的設(shè)計是成功制造非易失性存儲器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵，包括測試和驗證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級別進行質(zhì)量控制測試。新興的非易失性存儲器技術(shù)的制造和測試，這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng)，人工智能以及先進
2020-06-09 13:46:161487 
隨著當(dāng)前移動存儲技術(shù)的快速發(fā)展和移動存儲市場的高速擴大，FLASH型存儲器的用量迅速增長。FLASH芯片由于其便攜、可靠、成本低等優(yōu)點，在移動產(chǎn)品中非常適用。市場的需求催生了一大批FLASH芯片研發(fā)
2020-08-13 14:37:298221 
在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn)，以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:011016 相信有很多人都對計算機里的各種存儲器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就會存在，內(nèi)存條是 dram 還是 nand？nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3812674 Flash（快閃或閃存）由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲器，其快速是相對于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:014410 介紹了 Flash 存儲器的特性和應(yīng)用場合 ，在16 位地址總線中擴展大容量存儲的一般方法。討論了 MCS-51 系列單片機與 Flash 存儲器的硬件接口方式和軟件編程過程 ，以及在應(yīng)用中應(yīng)該注意的問題 ，并以 W29C040為例 ，給出了實際原理圖和有關(guān)實現(xiàn)。
2021-03-18 09:50:047 PIC的程序存儲器是FLASH存儲器，主要存儲程序代碼，掉電不丟失。 數(shù)據(jù)存儲器是SRAM，主要存儲一些程序的變量，掉電丟失。 EEPROM一般存儲程序中的重要數(shù)據(jù)，掉電也不丟失
2021-11-16 13:06:0113 存儲器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)今天宣布推出第二代XL-FLASH?。這是一種基于其BiCS FLASH? 3D閃存技術(shù)的存儲級存儲器(SCM)解決方案
2022-08-03 09:11:51851 存儲器的歷史始于1984年，彼時 Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash（NAND 閃存）。1989年，東芝首款 NAND Flash 上市。2001年，許多Flash廠商推出MLC
2022-11-25 14:57:352730 Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:288172 摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:062633 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:175563 Flash存儲器的寫操作具有特殊性，它只能將數(shù)據(jù)位從1寫成0，而不能從0寫成1。因此，在對存儲器進行寫入操作之前，必須先執(zhí)行擦除操作，將預(yù)寫入的數(shù)據(jù)位初始化為1。
2024-02-19 11:37:286370 
CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用，可用來存儲應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。芯片支持對 FLASH 存儲器的讀、擦除和寫操作，支持擦寫保護和讀保護。芯片內(nèi)置 FLASH 編程所需的高壓 BOOST 電路，無須額外提供編程電壓。
2024-02-28 17:43:591427 
前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:451311 
在電子技術(shù)和計算機系統(tǒng)中，存儲器是不可或缺的組成部分，其類型和功能繁多。EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，電可擦除
2024-05-23 16:35:3610922 NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲器，具有多個顯著優(yōu)點，這些優(yōu)點使其在數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對NAND Flash優(yōu)點的詳細闡述，并簡要探討與其他類型存儲器的區(qū)別。
2024-08-20 10:24:441952 鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）與閃存（Flash）是兩種不同類型的非易失性存儲器，它們在工作原理、性能特點、應(yīng)用場景等方面存在顯著的差異。
2024-09-29 15:25:324375 在數(shù)字存儲技術(shù)的快速發(fā)展中，閃速存儲器（Flash Memory）以其獨特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了連接隨機存取存儲器（RAM）與只讀存儲器（ROM）之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:001683 產(chǎn)品價格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計劃后，全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉，SK海力士計劃將上半年NAND Flash存儲器的產(chǎn)量削減10%。這一決定無疑將對市場產(chǎn)生深遠影響。 根據(jù)機構(gòu)先前發(fā)布的報告，SK海力士在NAND Flash存儲器領(lǐng)
2025-01-20 14:43:551096
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