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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>我國(guó)發(fā)展碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體材料的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

我國(guó)發(fā)展碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體材料的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

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半導(dǎo)體的介紹
2016-04-18 16:06:50

技術(shù)助力電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航

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帶方案的發(fā)展趨勢(shì)怎么樣?

市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì),有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商,除了提供適合全功率
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碳化硅二極管選型表

、GaP、InP等)之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。作為一種半導(dǎo)體材料碳化硅具有帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、熱導(dǎo)率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn),可以用來(lái)制造
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碳化硅功率器件可靠性之芯片研發(fā)及封裝篇

半導(dǎo)體內(nèi)部導(dǎo)致失效。同樣的晶片表面鈍化層損壞后,雜質(zhì)可能遷移到晶片內(nèi)部導(dǎo)致失效?! TRB試驗(yàn)可以使這些失效加速呈現(xiàn),排查出異常器件。基本半導(dǎo)體碳化硅二級(jí)管的HTRB實(shí)驗(yàn)溫度為175℃,高于一般
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今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
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2019-07-02 07:14:52

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碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
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已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó),半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重超過(guò)40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)
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【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究

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一文知道應(yīng)用趨勢(shì)

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吉時(shí)利源表在材料測(cè)試的應(yīng)用方案

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歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

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2023-02-22 16:06:08

報(bào)名 | 半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)

機(jī)遇挑戰(zhàn)等方面,為從事半導(dǎo)體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應(yīng)用的專業(yè)人士和研究生提供了難得的學(xué)習(xí)和交流機(jī)會(huì)。誠(chéng)摯歡迎大家的參與。1、活動(dòng)主題半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用2
2017-07-11 14:06:55

新型電子封裝熱管理材料碳化硅

新型材料碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題,如果你有類似的困惑,歡迎前來(lái)探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41

淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

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被稱為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅有著哪些特點(diǎn)

半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)二極管
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請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
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碳化硅半導(dǎo)體
微碧半導(dǎo)體VBsemi發(fā)布于 2024-01-17 17:55:33

碳化硅發(fā)展現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)值到2024年將達(dá)到19.3億美元
2019-08-15 18:14:0310258

華為布局碳化硅半導(dǎo)體以為5G鋪路

華為為5G鋪路,布局碳化硅半導(dǎo)體,打破國(guó)外第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)壟斷
2019-08-27 11:19:035028

碳基半導(dǎo)體碳化硅晶片有什么區(qū)別

我國(guó)近日在碳基半導(dǎo)體材料的研制方面有了非常重要突破,近日在碳化硅晶片量產(chǎn)方面也取得重大進(jìn)展,相同的“碳”字,不同的材料,一個(gè)是晶片,一個(gè)是芯片。
2020-06-13 10:33:2529309

碳化硅材料的特點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料
2020-10-02 18:20:0012341

碳化硅材料的特性和優(yōu)勢(shì)分析

碳化硅半導(dǎo)體 一、碳化硅材料的特性 SiC(碳化硅)是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體。與 Si 相比,SiC 具有十倍的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)、三倍的帶隙和三倍的熱導(dǎo)率。在半導(dǎo)體材料中形成器件結(jié)構(gòu)
2021-06-15 17:27:148433

碳化硅材料技術(shù)對(duì)器件可靠性有哪些影響

碳化硅器件總成本的50%,外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義,基本半導(dǎo)體從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因,與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405332

國(guó)內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體碳化硅新布局有哪些?

中,基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士發(fā)布了汽車級(jí)全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半導(dǎo)體產(chǎn)品布局進(jìn)一步完善,產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力再度提升,將助力國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展?;?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的碳化硅
2021-11-29 14:54:087923

國(guó)內(nèi)首條!基本半導(dǎo)體汽車級(jí)碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線正式通線

12月30日,基本半導(dǎo)體位于無(wú)錫市新吳區(qū)的汽車級(jí)碳化硅功率模塊制造基地正式通線運(yùn)行,首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國(guó)內(nèi)第一條汽車級(jí)碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線,采用先進(jìn)碳化硅專用封裝工藝技術(shù),打造
2021-12-31 10:55:432860

淺談碳化硅半導(dǎo)體的兩大優(yōu)勢(shì)

與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開(kāi)關(guān),從而提供了簡(jiǎn)化和可靠的系統(tǒng)布局。
2022-04-07 14:49:043269

寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛 碳化硅MOSFET未來(lái)可期

在高端應(yīng)用領(lǐng)域,碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛,被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161115

碳化硅在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用挑戰(zhàn)

碳化硅是一種非常高效的材料,具有高功率和高溫特性。 碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體是提高系統(tǒng)效率、支持更高工作溫度和降低電力電子設(shè)計(jì)成本的創(chuàng)新選擇。碳化硅是硅和碳的化合物,是一種具有同素異形變體的半導(dǎo)體
2022-08-08 08:09:591418

羅姆將量產(chǎn)下一代碳化硅功率半導(dǎo)體

? ? ? 日本媒體報(bào)道稱日本羅姆(ROHM)12月將開(kāi)始量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體。原材料碳化硅(SiC),羅姆花費(fèi)約20年推進(jìn)了研發(fā)。據(jù)稱,羅姆在福岡縣筑后市工廠的碳化硅功率半導(dǎo)體專用廠房實(shí)施量產(chǎn)
2022-11-28 16:51:24524

RS瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管在光伏逆變器的應(yīng)用

碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng),使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許
2022-12-30 13:57:49683

半導(dǎo)體屆“小紅人”——碳化硅肖特基,讓你的電源溫度低過(guò)冰墩墩

半導(dǎo)體屆“小紅人”——碳化硅肖特基,讓你的電源溫度低過(guò)冰墩墩
2022-12-30 17:05:47509

何謂碳化硅

碳化硅(SiC)是比較新的半導(dǎo)體材料。一開(kāi)始,了解一下它的物理特性和特征。
2023-01-09 09:03:392407

???b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)碳化硅外延片正式投產(chǎn)

希科半導(dǎo)體(蘇州)有限公司宣布碳化硅外延片投產(chǎn)。據(jù)悉,該產(chǎn)品通過(guò)了行業(yè)權(quán)威企業(yè)歐陸埃文思材料科技(上海)有限公司和寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的雙重檢測(cè),具備媲美國(guó)際大廠碳化硅外延片的品質(zhì),解決了國(guó)外產(chǎn)品的卡脖子問(wèn)題,為我國(guó)碳化硅行業(yè)創(chuàng)下了一個(gè)新紀(jì)錄。
2023-01-13 10:54:281058

什么是碳化硅(SiC)?

碳化硅(SiC)是第三代化合物半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體材料可用于制造芯片,這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過(guò)在電阻爐中高溫熔化石英砂,石油焦,鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4422666

特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣?特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎?

對(duì)新材料探索的腳步便從未停止。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,屬于第三代半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度高達(dá)3.0eV,相比第一代半導(dǎo)體材料硅,碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍;導(dǎo)熱率為硅的4-5倍;擊穿電壓為硅的8倍;電子飽和漂移速率為硅
2023-02-02 17:39:092677

簡(jiǎn)述碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)

碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍,熱導(dǎo)率是硅材料的3倍,電子飽和漂移速率是硅的2倍,臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)更是硅的10倍。
2023-02-03 14:40:412013

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:163752

淺談碳化硅的應(yīng)用

碳化硅是目前應(yīng)用最為廣泛的第三代半導(dǎo)體材料,由于第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會(huì)被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料,除了寬禁帶的特點(diǎn)外,碳化硅半導(dǎo)體材料還具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32976

碳化硅二極管的區(qū)別和應(yīng)用市場(chǎng)

碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件,它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。
2023-02-15 15:21:40684

激光在碳化硅半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用

本文介紹了激光在碳化硅(SiC)半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用,概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理,并重點(diǎn)對(duì)碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進(jìn)行了介紹。
2023-04-23 09:58:27892

意法半導(dǎo)體供應(yīng)超千萬(wàn)顆碳化硅器件

意法半導(dǎo)體(ST)宣布與采埃孚科技集團(tuán)公司(ZF)簽署碳化硅器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起,采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購(gòu)碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51995

國(guó)際著名半導(dǎo)體公司英飛凌簽約國(guó)產(chǎn)碳化硅材料供應(yīng)商

援引英飛凌科技股份公司2023年5月3日官網(wǎng)消息: 【英飛凌公司正推動(dòng)其碳化硅(SiC)供應(yīng)商體系多元化,并與中國(guó)碳化硅材料供應(yīng)商北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司簽訂了一份長(zhǎng)期供貨協(xié)議,以確保獲得更多
2023-05-04 14:21:06480

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151280

碳化硅肖特基二極管的原理及應(yīng)用

碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料半導(dǎo)體器件,具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng),即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個(gè)肖特基勢(shì)壘,使得半導(dǎo)體中的載流子向金屬一側(cè)偏移,形成整流效應(yīng)。
2023-06-07 17:10:34893

羅姆收購(gòu)Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億

羅姆收購(gòu)Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導(dǎo)體發(fā)展,一直在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)。羅姆計(jì)劃到2025年拿下碳化硅市場(chǎng)30
2023-07-19 19:37:01770

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅僅在過(guò)去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451424

碳化硅的性能和應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國(guó)防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221194

igbt和碳化硅區(qū)別是什么?

igbt和碳化硅區(qū)別是什么?? IGBT和碳化硅都是半導(dǎo)體器件,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣
2023-08-25 14:50:0411834

第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件的應(yīng)用

SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。 在眾多的半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29446

碳化硅MOS管與MOS管有何差異?碳化硅有什么優(yōu)勢(shì)?

碳化硅MOS管是以碳化硅半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,與傳統(tǒng)的硅MOS管有很大的不同。KeepTops來(lái)給大家詳細(xì)介紹碳化硅MOS管與普通MOS管在材料、特性、工作原理及應(yīng)用等方面的區(qū)別。
2023-09-27 14:49:051021

寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里?

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域,處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端,是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料
2023-10-09 16:38:06600

基本半導(dǎo)體:功率半導(dǎo)體碳化硅時(shí)代

目前,全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),未來(lái)幾年碳化硅市場(chǎng)將保持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。根據(jù)公開(kāi)信息統(tǒng)計(jì),2022年全球碳化硅市場(chǎng)份額約為18億美元,該數(shù)據(jù)包括多家上市公司,如意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37670

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅只是在過(guò)去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23721

氮化鎵半導(dǎo)體碳化硅半導(dǎo)體的區(qū)別

氮化鎵半導(dǎo)體碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性: 氮化
2023-12-27 14:54:18503

碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49866

碳化硅相對(duì)傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體有什么有缺點(diǎn)

碳化硅(SiC)和傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體(Si)是兩種常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料,它們?cè)陔娮悠骷圃熘芯哂袕V泛的應(yīng)用。然而,碳化硅相對(duì)于傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體具有一定的優(yōu)缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn): 更高的熱導(dǎo)率:碳化硅的熱導(dǎo)率是傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體
2024-01-10 14:26:52406

半導(dǎo)體碳化硅(SiC)行業(yè)研究

第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越,應(yīng)用場(chǎng)景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ),經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場(chǎng)景提出更高的要求,以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較
2024-01-16 10:48:49483

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