在全球電氣化和數(shù)字化浪潮不斷加速的今天，半導(dǎo)體技術(shù)作為其核心驅(qū)動(dòng)力，正迎來前所未有的發(fā)展機(jī)遇。近日，全球知名半導(dǎo)體制造商Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布，將斥資2億美元（約合1.84億歐元）用于下一代寬禁帶半導(dǎo)體（WBG）的研發(fā)和生產(chǎn)，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等高性能材料，進(jìn)一步鞏固其作為全球節(jié)能半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。

此項(xiàng)重大投資正值Nexperia位于德國漢堡的晶圓廠成立100周年之際，具有里程碑意義。該晶圓廠自1924年Valvo Radior?hrenfabrik創(chuàng)立以來，經(jīng)過不斷的技術(shù)革新和產(chǎn)業(yè)升級(jí)，如今已成為全球小信號(hào)二極管和晶體管的重要生產(chǎn)基地，為全球約四分之一的需求提供支持。

隨著能源效率日益成為全球關(guān)注的焦點(diǎn)，寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的應(yīng)用顯得尤為重要。SiC和GaN作為其中的佼佼者，以其優(yōu)異的性能在數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的潛力。Nexperia此次投資，正是為了抓住這一歷史機(jī)遇，通過研發(fā)和生產(chǎn)高性能的寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，為全球客戶提供更高效、更環(huán)保的解決方案。

Nexperia德國首席運(yùn)營官兼常務(wù)董事Achim Kempe表示：“這項(xiàng)投資不僅將鞏固我們?cè)诠?jié)能半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，還將使我們能夠更負(fù)責(zé)任地利用電能。未來，我們的漢堡晶圓廠將全面覆蓋寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品線，繼續(xù)為全球客戶提供高質(zhì)量、具有成本效益的半導(dǎo)體產(chǎn)品?！?/p>

為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，Nexperia計(jì)劃從2024年6月開始，在德國漢堡工廠正式開展SiC、GaN和Si三種技術(shù)的研發(fā)和生產(chǎn)工作。首條高壓D-Mode GaN晶體管和SiC二極管生產(chǎn)線已于今年6月投入使用，標(biāo)志著Nexperia在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。

除了生產(chǎn)線的建設(shè)外，Nexperia還將加大對(duì)漢堡工廠基礎(chǔ)設(shè)施的自動(dòng)化投入，并通過逐步轉(zhuǎn)向使用200毫米晶圓來擴(kuò)大硅的產(chǎn)能。同時(shí)，新的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室也在建設(shè)中，以確保從研究到生產(chǎn)的無縫過渡。

值得一提的是，Nexperia此次投資還將對(duì)當(dāng)?shù)亟?jīng)濟(jì)產(chǎn)生積極影響。通過保障和創(chuàng)造就業(yè)機(jī)會(huì)、增強(qiáng)歐盟半導(dǎo)體自給自足的能力等方式，為當(dāng)?shù)亟?jīng)濟(jì)發(fā)展注入新的活力。同時(shí)，Nexperia還與大學(xué)和研究機(jī)構(gòu)保持密切合作，共同推動(dòng)高素質(zhì)的員工培訓(xùn)和技術(shù)創(chuàng)新。

Nexperia德國首席財(cái)務(wù)官兼常務(wù)董事Stefan Tilger表示：“作為全球少數(shù)幾家能夠提供全線半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品系列的供應(yīng)商之一，Nexperia致力于為客戶提供一站式服務(wù)，滿足他們所有的半導(dǎo)體需求。此次投資將使我們能夠在漢堡開展寬禁帶芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工作，進(jìn)一步鞏固我們?cè)谌虬雽?dǎo)體市場的領(lǐng)先地位。”

展望未來，Nexperia將繼續(xù)秉承創(chuàng)新、高效、環(huán)保的理念，為全球客戶提供更優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體產(chǎn)品和服務(wù)，助力實(shí)現(xiàn)能源高效利用和減排目標(biāo)。