在全球電氣化和數(shù)字化浪潮不斷加速的今天，半導體技術作為其核心驅動力，正迎來前所未有的發(fā)展機遇。近日，全球知名半導體制造商Nexperia（安世半導體）宣布，將斥資2億美元（約合1.84億歐元）用于下一代寬禁帶半導體（WBG）的研發(fā)和生產(chǎn)，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等高性能材料，進一步鞏固其作為全球節(jié)能半導體領導者的地位。

此項重大投資正值Nexperia位于德國漢堡的晶圓廠成立100周年之際，具有里程碑意義。該晶圓廠自1924年Valvo Radior?hrenfabrik創(chuàng)立以來，經(jīng)過不斷的技術革新和產(chǎn)業(yè)升級，如今已成為全球小信號二極管和晶體管的重要生產(chǎn)基地，為全球約四分之一的需求提供支持。

隨著能源效率日益成為全球關注的焦點，寬禁帶半導體技術的應用顯得尤為重要。SiC和GaN作為其中的佼佼者，以其優(yōu)異的性能在數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電動汽車等領域展現(xiàn)出巨大的潛力。Nexperia此次投資，正是為了抓住這一歷史機遇，通過研發(fā)和生產(chǎn)高性能的寬禁帶半導體產(chǎn)品，為全球客戶提供更高效、更環(huán)保的解決方案。

Nexperia德國首席運營官兼常務董事Achim Kempe表示：“這項投資不僅將鞏固我們在節(jié)能半導體領域的領先地位，還將使我們能夠更負責任地利用電能。未來，我們的漢堡晶圓廠將全面覆蓋寬禁帶半導體產(chǎn)品線，繼續(xù)為全球客戶提供高質量、具有成本效益的半導體產(chǎn)品?！?/p>

為了實現(xiàn)這一目標，Nexperia計劃從2024年6月開始，在德國漢堡工廠正式開展SiC、GaN和Si三種技術的研發(fā)和生產(chǎn)工作。首條高壓D-Mode GaN晶體管和SiC二極管生產(chǎn)線已于今年6月投入使用，標志著Nexperia在寬禁帶半導體領域邁出了堅實的一步。

除了生產(chǎn)線的建設外，Nexperia還將加大對漢堡工廠基礎設施的自動化投入，并通過逐步轉向使用200毫米晶圓來擴大硅的產(chǎn)能。同時，新的研發(fā)實驗室也在建設中，以確保從研究到生產(chǎn)的無縫過渡。

值得一提的是，Nexperia此次投資還將對當?shù)亟?jīng)濟產(chǎn)生積極影響。通過保障和創(chuàng)造就業(yè)機會、增強歐盟半導體自給自足的能力等方式，為當?shù)亟?jīng)濟發(fā)展注入新的活力。同時，Nexperia還與大學和研究機構保持密切合作，共同推動高素質的員工培訓和技術創(chuàng)新。

Nexperia德國首席財務官兼常務董事Stefan Tilger表示：“作為全球少數(shù)幾家能夠提供全線半導體技術產(chǎn)品系列的供應商之一，Nexperia致力于為客戶提供一站式服務，滿足他們所有的半導體需求。此次投資將使我們能夠在漢堡開展寬禁帶芯片的設計和生產(chǎn)工作，進一步鞏固我們在全球半導體市場的領先地位?！?/p>

展望未來，Nexperia將繼續(xù)秉承創(chuàng)新、高效、環(huán)保的理念，為全球客戶提供更優(yōu)質的半導體產(chǎn)品和服務，助力實現(xiàn)能源高效利用和減排目標。