引言 用多能氬離子輻照x射線切割鈮酸鋰單晶，產(chǎn)生厚度為400納米的均勻損傷表面層，研究其在HF水溶液中的腐蝕行為。使用不同的酸溫度和濃度，表明可以通過將溫度從24℃提高到55℃來提高蝕刻速率，同時
2021-12-23 16:36:59
1300 引言 本文將討論在不同的濕化學(xué)溶液中浸泡后對InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分，并將有助于理解不同的外原位濕化學(xué)處理的影響。這項工作的重點將是酸性和堿性溶液。許多報告表明
2022-01-12 16:27:331604 
硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應(yīng)行為因為硫酸加入而受到顯著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的最大蝕刻速率為4000–5000 NMS-1
2022-01-13 14:19:142328 
的測量區(qū)域發(fā)現(xiàn)了一條寬6um，深6nm的肉眼無法觀測到的劃痕，玻璃屏表面的粗糙度在1nm附近。玻璃表面臺階檢測: 下圖為透明玻璃表面鍍的一層金屬膜，需要測膜層的厚度，由于其非透明的特性，薄膜測厚儀
2018-03-15 16:45:52
軟件做出調(diào)整。 蝕刻率(etch rate)對ICT測試很重要，因為它決定銀表面處理會光亮還是灰暗。在銀沉積步驟中，銀沉積到銅表面的等高線上，因此如果表面的粗糙度增加，因而面積增加，表現(xiàn)為灰暗表面，而
2008-06-18 10:01:53
）水溶液中以較快的腐蝕速率被去除干凈。而多晶硅在HF水溶液中的腐蝕速度非常慢，在經(jīng)過長時間腐蝕PSG或PBSG后，多晶硅結(jié)構(gòu)層不會發(fā)生明顯腐蝕。表面硅MEMS加工技術(shù)常見的工藝流程首先在襯底上淀積犧牲層
2018-11-05 15:42:42
AD5933對溶液電導(dǎo)率的測量。AD5933通過片內(nèi)直接頻率信號發(fā)生器（DDS），產(chǎn)生信號來激勵外部復(fù)阻抗，外部阻抗響應(yīng)信號由片上ADC進行采樣，然后由片上DSP單元進行DFT處理。DFT算法在各掃描頻率
2018-11-15 09:57:43
我想問一下差分信號length tuning中，gap，amplitude increasegap increase如何設(shè)置，和差分線的width和gap是什么關(guān)系
2019-09-06 05:35:21
本文介紹了CR95HF主要特性，方框圖和MCU的典型應(yīng)用以及DEMO-CR95HF-A 演示板等效電路，天線電路框圖，和DEMO-CR95HF-A電路與所用材料。
2021-05-26 06:56:44
1．FPC電鍍 (1)FPC電鍍的前處理 柔性印制板FPC經(jīng)過涂覆蓋層工藝后露出的銅導(dǎo)體表面可能會有膠黏劑或油墨污染，也還會有因高溫工藝產(chǎn)生的氧化、變色，要想獲得附著力良好的緊密鍍層必須把導(dǎo)體表面的
2018-11-22 16:02:21
時會使覆蓋層剝離。在最終焊接時出現(xiàn)焊錫鉆人到覆蓋層下面的現(xiàn)象。可以說前處理清洗工藝將對柔性印制板F{C的基本特性產(chǎn)生重大影響，必須對處理條件給予充分重視。麥|斯|艾|姆|P|CB樣板貼片,麥1斯1艾1姆
2013-11-04 11:43:31
PCB表面處理最基本的目的是保證良好的可焊性或電性能。由于自然界的銅在空氣中傾向于以氧化物的形式存在，不大可能長期保持為原銅，因此需要對銅進行其他處理?！ ?、熱風(fēng)整平(噴錫) 熱風(fēng)整平又名
2018-11-28 11:08:52
來看，PCB的表面處理工藝方面的變化并不是很大，好像還是比較遙遠的事情，但是應(yīng)該注意到：長期的緩慢變化將會導(dǎo)致巨大的變化。在環(huán)保呼聲愈來愈高的情況下，PCB的表面處理工藝未來肯定會發(fā)生巨變?！ 《? 表面處理
2018-09-17 17:17:11
PCB表面OSP的處理方法PCB化學(xué)鎳金的基礎(chǔ)步驟
2021-04-21 06:12:39
零件表面缺陷對鍍層質(zhì)量影響會有： 1.零件在工序轉(zhuǎn)移或運輸過程中，有可能因沒有認真保護而受到機械損傷，使零件表面產(chǎn)生拉溝、劃傷、撞擊凹陷等缺陷。這些缺陷如果不消除，零件表面處理以后仍然會
2019-04-01 00:33:06
，采用的是我所工藝部研制生產(chǎn)的水平式等離子體處理機，如下圖2-4所示： 2 多層板層壓前的等離子體內(nèi)層介質(zhì)表面微蝕處理研究 眾所周知，在各類多層板的制造中，為了保證多層板的層間結(jié)合力，將會針對所待
2018-09-10 15:56:55
，做到嚴格的控制工藝條件，就能夠更好的改善溶液與基板銅表面的接觸狀態(tài)?！ ?）粘度：蝕刻過程中，隨著銅的不斷溶解，蝕刻液的粘度就會增加，使蝕刻液在基板銅箔表面上流動性就差，直接影響蝕刻效果。要達到理想的蝕刻液的最佳狀態(tài)就要充分利用蝕刻機的功能，確保溶液的流動性。
2018-09-11 15:19:38
溶液與基板銅表面的接觸狀態(tài)。麥|斯|艾|姆|P|CB樣板貼片,麥1斯1艾1姆1科1技全國1首家P|CB樣板打板 2）粘度：蝕刻過程中，隨著銅的不斷溶解，蝕刻液的粘度就會增加，使蝕刻液在基板銅箔表面
2013-10-31 10:52:34
包含多個步驟的過程在導(dǎo)體表面上形成一個薄錫鍍層，包括清理、微蝕刻、酸性溶液預(yù)浸、沉浸非電解浸錫溶液和最后清理等。化錫處理可以為銅和導(dǎo)體提供良好保護，有助于HSD電路的低損耗性能。遺憾的是，由于隨著
2023-04-19 11:53:15
PCB各種表面處理的優(yōu)劣噴錫 HASL是工業(yè)中用到的主要的有鉛表面處理工藝。工藝由將電路板沉浸到鉛錫合金中形成，過多的焊料被“風(fēng)刀”去除，所謂的風(fēng)刀就是在板子表面吹的熱風(fēng)。對于PCA工藝，HASL
2017-10-31 10:49:40
問題： 1、對于表面貼裝工藝，尤其對于0603及0402 超小型表貼，因為焊盤平整度直接關(guān)系到錫膏印制工序的質(zhì)量，對后面的再流焊接質(zhì)量起到?jīng)Q定性影響，所以，整板鍍金在高密度和超小型表貼工藝中時常見到?！ ?
2018-06-22 15:16:37
工藝方面的變化并不是很大，好像還是比較遙遠的事情，但是應(yīng)該注意到：長期的緩慢變化將會導(dǎo)致巨大的變化。在環(huán)保呼聲愈來愈高的情況下，PCB的表面處理工藝未來肯定會發(fā)生巨變。 表面處理最基本的目的是保證良好的可焊
2018-07-14 14:53:48
油、微蝕、活化、沉鎳、沉金等小步驟。其布局與噴錫車間類似，前后處理是水平線，沉鎳金是小型的龍門線。3.抗氧化膜（OSP）抗氧化膜是三種表面處理中成本最低的一種，通常是在分成小板之后通過水平線的方式進行
2023-03-24 16:58:06
：長度；D：深度；H：高度芯片通道幾何圖流動特性在平行流動區(qū)域不同的分散速率可進行精確控制，下面是在不同的流速時兩相（水與FITC）水溶液擴散流動的一些照片（注射泵推動）。另外，對于擴散混合情況，列舉
2018-07-09 10:00:31
雖然目前來看，PCB的表面處理工藝方面的變化并不是很大，好像還是比較遙遠的事情，但是應(yīng)該注意到：長期的緩慢變化將會導(dǎo)致巨大的變化。在環(huán)保呼聲愈來愈高的情況下，PCB的表面處理工藝未來肯定會
2018-12-10 11:30:13
PCB墊表面的銅在空氣中容易氧化污染，所以必須對PCB進行表面處理。那么pcb線路板表面常見的處理方法有哪幾種呢？
2023-04-14 14:34:15
各有優(yōu)缺點。但是，沒有關(guān)于它們的系統(tǒng)比較的報告。因此，在本文中，我們首次對 CMP 和 ICP 干蝕刻 GaN 襯底表面處理方法進行了直接比較。 2. 實驗程序 2.1 GaN 襯底的金剛石拋光作為最終
2021-07-07 10:26:01
關(guān)系 ，蝕刻表面保持光滑。相比之下，在 H2O2 含量較高的溶液中蝕刻會導(dǎo)致表面明顯粗糙。GaAs 的蝕刻速率與 InGaP 的蝕刻速率大致相同。因此，該溶液適用于非選擇性 MESA 蝕刻。這 HC1
2021-07-09 10:23:37
下的光電流與三等效反應(yīng)下的半導(dǎo)體氧化有關(guān)，導(dǎo)致表面的溶解和粗糙化。在1.2M的鹽酸溶液中，由于氯氣離子的競爭氧化，n-GaN被穩(wěn)定為陽極分解。在草酸和檸檬酸的存在下，觀察到陽極光電流的增殖。在黑暗
2021-10-13 14:43:35
空氣中很容易氧化，而且容易受到污染。這也是PCB必須要進行表面處理的原因。1、噴錫（HASL） 在穿孔器件占主導(dǎo)地位的場合，波峰焊是最好的焊接方法。采用熱風(fēng)整平（HASL， Hot-air
2017-09-04 11:30:02
。因此，在20世紀初Gouy與Chapman 提出擴散雙電層模型，在溶液中的反離子會因靜電作用吸附于帶電粒子表面，同時受熱運動影響而在粒子周圍擴散。因此，反離子在溶液中的分布濃度將隨粒子表面的距離增加
2018-12-13 13:38:20
什么是表面處理？表面處理常用的方式是什么？表面處理技術(shù)在消費電子產(chǎn)業(yè)中有哪些應(yīng)用？
2021-08-12 06:03:15
減輕鍍錫表面的錫須生長 使用純錫鉛表面處理時，可能會生長錫須，這是值得關(guān)注的問題之一。近年來，人們已經(jīng)做了大量的測試和分析工作，對于錫須在各種不同環(huán)境條件下的生長成因，有更多了解。本文將討論，在
2015-03-13 13:36:02
?！ ∠?b class="flag-6" style="color: red">面的段落將縱覽已經(jīng)對表面處理技術(shù)的變化產(chǎn)生影響的事件?！ ?、手機PWB表面處理的歷史演變： 3.1. HASL + 碳 在第一代產(chǎn)品中，從80年代后期起，PWB盤面的正常表面處理是熱風(fēng)整平
2009-04-07 17:16:22
我在使用Multi Role Demo里面的multi.c時需要用到GAP_RegisterForHCIMsgs(selfEntity); 但我在編譯時搜不到這個函數(shù)，我原本以為它會
2019-09-25 09:59:56
有任何事件在PSoC BLE設(shè)備上生成，如果我使用GAP的設(shè)備名稱特性將我的BLE設(shè)備名稱從我的Android側(cè)改變。
2019-10-16 07:40:42
市電經(jīng)變壓器B隔離降壓為10V，再經(jīng)C1、C2及Rl限流，二只6．8V穩(wěn)壓管刀雙向限幅(穩(wěn)定電壓)，以確保探針兩端檢測出的電壓值能客觀、準確地反映小溶液的濃度值。 當二根不銹鋼探針插入溶液中
2021-05-10 06:46:00
怎么用LABVIEW索引出對應(yīng)溫度（列）和體積濃度（行，百分比）下的乙二醇水溶液的密度（中間的數(shù)值）
2017-08-12 20:41:36
產(chǎn)生影響的事件?！ ?、手機PWB表面處理的歷史演變： 3.1. HASL + 碳 在第一代產(chǎn)品中，從80年代后期起，PWB盤面的正常表面處理是熱風(fēng)整平(HASL)。在很多場合，HASL與碳被組合
2018-08-31 14:13:20
換向器表面要求換向器表面加工特性換向器精車刀具選擇
2021-01-22 06:39:45
`汞和鋁銹原理：鋁是高度活潑的金屬，但是表面的氧化鋁層阻止了它和空氣中氧氣完全反應(yīng)。而汞會破壞這一保護層，使得鋁迅速“生銹”。這是一段延時攝影。該過程真實長度約半小時。如果畫面下移，你會看
2016-08-31 15:36:19
資料里面的AT指令都是ESP32工作在GATT模式下的指令，請幫忙提供ESP32在GAP模式下的AT指令，謝謝。
2023-03-08 08:56:43
導(dǎo)致粘接強度下降，雖然不會明顯可見，但在FPC電鍍工序，鍍液就有可能會從覆蓋層的邊緣滲入，嚴重時會使覆蓋層剝離。在最終焊接時出現(xiàn)焊錫鉆人到覆蓋層下面的現(xiàn)象?？梢哉f前處理清洗工藝將對柔性印制板的基本特性
2017-11-24 10:54:35
的混合液中，使強制生成一層薄氧化膜，用以進一步保護底材。另外也可在半導(dǎo)體表面生成一種絕緣層，而令晶體管表面在電性與化學(xué)性上得到絕緣，改善其性能。此種表面皮膜的生成，亦稱為鈍化處理。 23、Pattern
2018-08-29 16:29:01
: 2003更好的理解?！ ?、漏電起痕試驗中的定義 絕緣材料在戶外及嚴酷環(huán)境中往往受到鹽露、水分、灰塵等污穢物的污染，在表面形成電解質(zhì)，在電場作用下，材料表面出現(xiàn)一種特殊放電破壞現(xiàn)象。在材料表面導(dǎo)電通路
2017-11-03 17:09:16
工藝方面的變化并不是很大，好像還是比較遙遠的事情，但是應(yīng)該注意到：長期的緩慢變化將會導(dǎo)致巨大的變化。在環(huán)保呼聲愈來愈高的情況下，PCB的表面處理工藝未來肯定會發(fā)生巨變。 表面處理最基本的目的是保證良好的可焊
2018-08-18 21:48:12
。 長期以來，人們研究出了針對聚四氟乙烯的多種濕法表面處理方法，其中公認最有效的是鈉萘溶液處理法。在以往的生產(chǎn)中也多是采用自配鈉萘溶液處理的方法來進行聚四氟乙烯類零件的孔金屬化、粘接前表面活化處理。但鈉
2019-05-28 06:50:14
重理的百分比表示?！ ?2)舉例：試求3克碳酸鈉溶解在100克水中所得溶質(zhì)重量百分比濃度?4．克分子濃度計算 定義：一升中含1克分子溶質(zhì)的克分子數(shù)表示。符號：M、n表示溶質(zhì)的克分子數(shù)、V表示溶液
2018-08-29 10:20:51
油、微蝕、活化、沉鎳、沉金等小步驟。其布局與噴錫車間類似，前后處理是水平線，沉鎳金是小型的龍門線。3.抗氧化膜（OSP）抗氧化膜是三種表面處理中成本最低的一種，通常是在分成小板之后通過水平線的方式進行
2023-03-24 16:59:21
藍牙基礎(chǔ)按照下面的大綱安排發(fā)布：前面的內(nèi)容：第一講：藍牙樣例的解析第二講：藍牙協(xié)議棧初始化和調(diào)度機制 第三講：藍牙廣播初始化詳解這一講探討下藍牙4.0的GAP屬性，通用訪問配置文件(Generic
2020-07-08 09:25:41
如題，PCB表面處理聽說有有機涂覆（OSP），化學(xué)鍍鎳/浸金，浸銀，浸錫等 這些處理方式在PCB文件中有體現(xiàn)么？如 PCB那一層代表著表面處理方式呢？還是在制板時給廠家說明就好了呢？另外，一般PCB
2019-04-28 08:11:16
請問主機如何獲取廣播中 GAP_ADTYPE_MANUFACTURER_SPECIFIC后面的數(shù)據(jù)？
2022-08-10 06:06:38
生銹，是因為在空氣中鎳表面會形成NiO薄膜，可防止進一步氧化。此外鎳還能抵抗苛性堿的腐蝕，是一種很好的耐腐蝕材料。室溫下干燥氣體如CL2、NH3、SO2等不與鎳發(fā)生反應(yīng)。但是在潮濕條件下會加速鎳的腐蝕
2017-09-15 10:09:37
銅箔的表面如何處理?銅箔表面處理方法介紹_華強pcb 我們都知道，銅箔的表面處理一般情況下我們都分為以下兩種: 傳統(tǒng)處理法 ED銅箔從Drum撕下后，會繼續(xù)下面的處理步驟
2018-02-08 10:07:46
，去除表面的氧化鋁膜，時間10分鐘，后在焊接時取出用棉布擦拭干凈；2.把鑄件上的氣孔、夾渣等用磨頭打磨，形成敞開式的創(chuàng)口，清除干凈；3．調(diào)整氬氣的流量，控制在2個大氣壓，啟動開關(guān)；4．調(diào)整焊機的電流為160A；焊接與測試
2010-03-01 21:45:58
粘接強度下降，雖然不會明顯可見，但在FPC電鍍工序，鍍液就有可能會從覆蓋層的邊緣滲入，嚴重時會使覆蓋層剝離。在最終焊接時出現(xiàn)焊錫鉆人到覆蓋層下面的現(xiàn)象?？梢哉f前處理清洗工藝將對柔性印制板的基本特性產(chǎn)生
2017-11-24 10:38:25
1. 克升濃度計算：
定義：一升溶液里所含溶質(zhì)的克數(shù)。
舉例：100克硫酸銅溶于水溶液10升，問一升濃度是多少？
10
2010-10-26 17:33:241947 對于我們常用的不可充電的原電池，國際標準IEC 60086-5“原電池—-第5部分：水溶液電解質(zhì)電池的安全”中就對其安全使用提出了諸多建議。
2012-05-30 15:39:241373 本文主要介紹了配比鹽霧試驗所用鹽水溶液的三種方法。
2018-06-21 12:00:00
0 利用酸溶液去除鋼鐵表面上的氧化皮和銹蝕物的方法稱為酸洗。是將制件浸入硫酸等的水溶液，以除去金屬表面的氧化物等薄膜。是清潔金屬表面的一種方法。通常與預(yù)膜一起進行。
2019-06-25 15:31:3222321 簡化設(shè)計的同時，HF900在設(shè)計中，還充分考慮了芯片的熱特性。由于獨特的單片集成工藝和封裝結(jié)構(gòu)，芯片的溫升比一般的co-pack方案低許多（參見表一）。同樣重要的是，HF900能夠更準確地測量到同一個DIE上的FET的溫度。當FET溫度超過150°C時，芯片關(guān)閉FET，全面保證電源的可靠工作。
2019-10-12 14:05:011858 
據(jù)外媒報道，美國倫斯勒理工學(xué)院（Rensselaer Polytechnic Institute）的工程師，采用水溶液電解質(zhì)生產(chǎn)電池。比起傳統(tǒng)有機電解質(zhì)，新電池更安全、性價比更高、性能良好。 在電池
2020-10-29 22:27:00635 書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：HQ2和HF溶液循環(huán)處理 編號：JFKJ-21-213 作者：炬豐科技 摘要 采用原子顯微鏡研究了濕法化學(xué)處理過程中的表面形貌。在SC-1清洗過程中，硅表面的
2023-04-19 10:01:00129 
我們?nèi)A林科納研究了不同醇類添加劑對氫氧化鉀溶液的影響。據(jù)說醇導(dǎo)致硅蝕刻各向異性的改變。具有一個羥基的醇表現(xiàn)出與異丙醇相似的效果。它們導(dǎo)致(hh 1)型平面的蝕刻速率大大降低，通常在蝕刻凸形圖形的側(cè)壁處發(fā)展。這就是凸角根切減少的原因。具有一個以上羥基的醇不影響蝕刻各向異性，并導(dǎo)致表面光潔度變差。
2021-12-17 15:27:53641 力顯微鏡、常規(guī)的x光光發(fā)射光譜和掃描光發(fā)射光譜顯微鏡已經(jīng)被用于研究在有機層生長之前通常用于平滑/清潔/圖案化表面的幾種處理之后的商用薄氧化銦錫膜的形態(tài)和化學(xué)性質(zhì)。還沒有觀察到氫氧化鉀基溶液的明確平滑效果，而在應(yīng)
2021-12-24 11:46:38973 
引言 我們研究了四種硅在高頻水溶液中的陽極電流-電勢特性。根據(jù)不同電位陽極氧化的樣品的表面條件，電流-電位曲線上通常有三個區(qū)域：電流隨電位指數(shù)變化區(qū)域的多孔硅形成，恒流區(qū)域的硅的電泳拋光，以及
2021-12-28 16:40:16905 
引言 我們根據(jù)實驗，研究了多孔硅層(PSL)的形成機理。PSL是由只發(fā)生在孔隙底部的硅的局部溶解而形成的。在陽極化過程中，PSL孔隙中電解質(zhì)的HF濃度保持恒定，孔隙中的陽極反應(yīng)沿厚度方向均勻進行
2021-12-30 14:09:06589 
引言 我們根據(jù)實驗，研究了多孔硅層(PSL)的形成機理。PSL是由只發(fā)生在孔隙底部的硅的局部溶解而形成的。在陽極化過程中，PSL孔隙中電解質(zhì)的HF濃度保持恒定，孔隙中的陽極反應(yīng)沿厚度方向均勻進行
2021-12-30 14:20:27511 
引言 氫氧化鉀溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和減少三維硅結(jié)構(gòu)的凸角底切。異丙醇降低了氫氧化鉀溶液的表面張力，改變了硅的蝕刻各向異性，顯著降低了(110)和(hh1)面的蝕刻速率，并在較小程度
2022-01-13 13:47:261157 
在含HF/HNO 3的溶液中進行酸性蝕刻來實現(xiàn)。酸性溶液各向同性地蝕刻多晶硅晶片，即在所有晶體取向上產(chǎn)生圓形紋理。然而，酸性蝕刻工藝難以控制，并且化學(xué)廢物的處理昂貴。 為了克服這種對環(huán)境有害的酸性蝕刻工藝，同時保持mc-Si晶片
2022-01-13 14:47:19624 
法測定CIGSe的溶解動力學(xué)速率。x射線光電子能譜分析表明，處理表面酸性溴溶液的蝕刻過程提供了一個控制的化學(xué)變薄過程，這使得幾乎平坦的表面和非常低的表面Se0 成為可能。 實驗細節(jié) 刻蝕條件：本文的溶液氫溴酸：溴：水配方為0.25molL?1：0.02molL?1，超純?nèi)ルx子水。溶解過程在
2022-01-24 10:37:49286 
，表面的Ga-As鍵斷裂，元素砷留在砷化鎵表面。此外，用鹽酸+2-丙醇溶液蝕刻時可以觀察到吸附的2-丙醇分子，但用氨水溶液蝕刻時沒有檢測到吸附的水分子。 介紹 濕式化學(xué)蝕刻工藝在器件制造中已被廣泛應(yīng)用。半導(dǎo)體/電解質(zhì)界面上發(fā)生的過程
2022-01-24 15:07:301071 
研究了在半導(dǎo)體制造過程中使用的酸和堿溶液從硅片表面去除粒子。 結(jié)果表明，堿性溶液的顆粒去除效率優(yōu)于酸性溶液。 在堿性溶液中，顆粒去除的機理已被證實如下:溶液腐蝕晶圓表面以剝離顆粒，然后顆粒被電排斥到晶圓表面。 實驗結(jié)果表明，需要0.25 nm /min以上的刻蝕速率才能使吸附在晶圓表面的顆粒脫落。
2022-02-17 16:24:272167 
本文首次提出了由標準SC1/SC2腐蝕周期引起的Si (100)表面改性的證據(jù)。SC1/SC2蝕刻(也稱為RCA清洗)通過NH3:H2O2:H2O混合物使硅片氧化，在稀釋的HF中去除氧化物，通過
2022-02-23 14:15:227113 
引言 拋光液中的污染物和表面劃痕、挖掘和亞表面損傷(固態(tài)硬盤)等缺陷是激光損傷的主要前兆。我們提出了在拋光后使用HF/HNO3或KOH溶液進行深度濕法蝕刻，以提高熔融石英光學(xué)器件在351 nm波長
2022-02-24 16:26:032429 
在高頻水溶液中，SiO的蝕刻可以通過電場的應(yīng)用而被阻礙或停止。在CMOS制造中，非常低水平的光可以導(dǎo)致這種影響。對溶解過程提出了平行反應(yīng)路徑，并加上電場在中間步驟中停止或重定向反應(yīng)的能力。
2022-03-07 15:28:241519 
實驗研究了預(yù)清洗對KOH/IPA溶液中單晶硅表面紋理化的影響。如果沒有適當?shù)念A(yù)清洗，表面污染會形成比未污染區(qū)域尺寸小的金字塔，導(dǎo)致晶片表面紋理特征不均勻，晶片表面反射率不均勻。根據(jù)供應(yīng)商的不同，晶片的表面質(zhì)量和污染水平可能會有所不同，預(yù)清洗條件可能需要定制，以達到一致和期望的紋理化結(jié)果。
2022-03-17 15:23:08501 本文根據(jù)測量的OCP和平帶電壓，構(gòu)建了氫氧化鉀水溶液中n-St的定量能帶圖，建立了同一電解質(zhì)中p-St的能帶圖，進行了輸入電壓特性的測量來驗證這些能帶圖，硅在陽極偏置下的鈍化作用歸因于氧化物膜的形成
2022-03-17 17:00:081119 
使用酸性或氟化物溶液對硅表面進行濕蝕刻具有重大意義，這將用于生產(chǎn)微電子包裝所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了濕蝕刻對浸入48%高頻/水溶液中的硅片厚度耗散、減重、蝕刻速率、表面形貌和結(jié)晶性
2022-03-18 16:43:11530 
本文對晶片采用HF溶液洗凈的晶片氫氟酸處理后的護發(fā)素及干燥方法，使用異丙基去除上述晶片表面殘存的HF的步驟，關(guān)于晶片氫氟酸處理后的護發(fā)素和干燥方法，其特點是在對上述晶片施加82-84℃溫度的同時通過
2022-03-23 17:06:051599 
量，測量了漆器和表面形狀，并根據(jù)清潔情況測量了科隆表面特性。 本實驗使用半導(dǎo)體用高純度化學(xué)溶液和DI 晶片，電阻率為22~38 ohm~ cm，使用了具有正向的4 inches硅基底，除裸晶圓外，所有晶片均采用piranha+HF清洗進行前處理，清楚地知道紗線過程
2022-03-24 17:10:271760 
我們?nèi)A林科納研究探索了一種新的濕法腐蝕方法和減薄厚度在100 μm以下玻璃的解決方案，為了用低氫氟酸制備蝕刻溶液，使用NH4F或nh4hf 2作為主要成分并加入硫酸或硝酸是有效的，研究了混合酸溶液
2022-05-20 16:20:243162 ./oschina_soft/gap.zip
2022-06-16 14:27:231 用半導(dǎo)體制造中的清洗過程中使用的酸和堿溶液研究了硅片表面的顆粒去除。
2022-07-05 17:20:171683 
的蝕刻去除了金屬污染物。用氰化氫HCN水溶液清洗被金屬污染的碳化硅，然后進行RCA清洗，反之亦然，可以完全去除它們。結(jié)果表明，強吸附金屬和粗糙碳化硅表面底部區(qū)域的金屬不能分別用RCA法和HCN法去除。由于
2022-09-08 17:25:461453 
微弧氧化：在電解質(zhì)溶液中（一般是弱堿性溶液）施加高電壓生成陶瓷化表面膜層的過程，該過程是物理放電與電化學(xué)氧化協(xié)同作用的結(jié)果。
2023-02-20 11:18:311518 等離子體表面預(yù)處理改善油漆和清漆對表面的粘合，從而提高涂料和上漆的質(zhì)量。 許多成分由金屬、玻璃、陶瓷甚至木材和紡織品天然材料等制成，它們的表面很難上漆。
2022-09-05 14:43:23386 
通過金徠等離子體處理，可以提高金屬表面的活性，改善金屬表面的結(jié)合力、增強涂層附著力等性質(zhì)，使得金屬制品的質(zhì)量和性能得到明顯的改善和提升。此外，等離子體處理還可以改善金屬表面的光潔度，使得金屬表面更加平整光滑。
2023-05-05 10:51:23528 
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