摘要 本文主要研究了從接觸刻蝕、溝槽刻蝕到一體刻蝕的介質(zhì)刻蝕工藝中的刻蝕后處理。優(yōu)化正電子發(fā)射斷層掃描步驟，不僅可以有效地去除蝕刻過程中在接觸通孔的側(cè)壁底部形成的副產(chǎn)物，還可以消除包含特征的蝕刻金屬
2021-12-27 14:45:13
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引言 化學(xué)蝕刻是通過與強(qiáng)化學(xué)溶液接觸來控制工件材料的溶解。該過程可以應(yīng)用于任何材料。銅是利用化學(xué)腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結(jié)構(gòu)和精密零件中廣泛使用的工程材料之一。在這項(xiàng)研究中，銅在50℃用兩種
2021-12-29 13:21:463442 
劃分為與晶體表面的不同狀態(tài)和各種蝕刻機(jī)制相對(duì)應(yīng)的部分。蝕刻后的晶體表面的形狀與同一溶液中沿同一方向蝕刻的凹槽的輪廓密切相關(guān)。 介紹 本文研究（100）砷化鎵在硫酸、過氧化氫和水溶液中的化學(xué)蝕刻具有重要的技術(shù)和科學(xué)意義。該解決方案通常用于
2022-01-25 10:32:243235 
摘要 本文從晶體生長(zhǎng)科學(xué)的角度回顧了單晶的濕化學(xué)蝕刻。起點(diǎn)是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動(dòng)力學(xué)是由粗糙面上不存在的成核勢(shì)壘控制的。因此后者蝕刻速度更快數(shù)量級(jí)。對(duì)金剛石晶體結(jié)構(gòu)的分析表明，晶面是該
2022-01-25 13:51:112855 
在本研究中，我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻，并演示了優(yōu)化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設(shè)計(jì)，作為一種很有前途的工藝發(fā)展。
2022-03-28 11:01:493096 
基本化學(xué)成分以Cl2為基礎(chǔ)，外加用于側(cè)壁鈍化的N2。優(yōu)化的ICP蝕刻工藝能夠產(chǎn)生具有光滑側(cè)壁的高縱橫比結(jié)構(gòu)。使用670nm波長(zhǎng)的激光進(jìn)行原位反射監(jiān)測(cè)，以高精度在材料界面停止蝕刻。考慮到在基于GaSb
2022-05-11 14:00:421844 
引言 本研究針對(duì)12英寸晶圓廠近期技術(shù)開發(fā)過程中后端一體化(AIO)蝕刻工藝導(dǎo)致的圖案失效缺陷。AIO蝕刻直接限定了溝槽和通孔的形狀，然而，包括層間介電膜的沉積、金屬硬掩模和濕法清洗的那些先前的工藝
2022-06-01 15:55:469100 
初始屏蔽檢查 對(duì)蝕刻工藝的良好理解始于理解初始掩模輪廓，無論是光致抗蝕劑還是硬掩模。掩模的重要參數(shù)是厚度和側(cè)壁角度。如果可能，對(duì)橫截面進(jìn)行SEM檢查，以確定適用于您的蝕刻步驟的不同特征尺寸的側(cè)壁角度
2022-06-10 16:09:335982 
在半導(dǎo)體器件制造中，蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過這種去除在襯底上產(chǎn)生該材料的圖案的任何技術(shù)，該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定，其產(chǎn)生在光刻中有詳細(xì)描述，一旦掩模就位，可以通過濕法化學(xué)或“干法”物理方法對(duì)不受掩模保護(hù)的材料進(jìn)行蝕刻，圖1顯示了這一過程的示意圖。
2022-07-06 17:23:524745 
的影響和相互作用。確定的最顯著的粘附性改進(jìn)是在光致抗蝕劑涂覆之前立即結(jié)合了天然氧化物蝕刻。除了改善粘附性，這種預(yù)涂處理還改變了，使得與未經(jīng)表面處理的晶片相比，反應(yīng)限制蝕刻更加各向同性；輪廓中都具有正錐度
2022-07-12 14:01:132601 
基極接觸到發(fā)射極的距離可以遠(yuǎn)小于光刻所施加的限制。GaN的晶體學(xué)濕法化學(xué)蝕刻的最新證明已經(jīng)顯示出產(chǎn)生底切輪廓的能力。這種蝕刻的一個(gè)例子如圖8所示。
結(jié)論
我們?nèi)A林科納研究了GaN基
2022-07-12 17:04:381943 
他方向上的蝕刻速度快，而各向同性蝕刻(如HF)會(huì)向所有方向侵蝕。使用KOH工藝是因?yàn)槠湓谥圃熘械目芍貜?fù)性和均勻性，同時(shí)保持了較低的生產(chǎn)成本。異丙醇(IPA)經(jīng)常添加到溶液中，以改變從{110}壁到{100}壁的選擇性，并提高表面光滑度。 氧化物和氮化物
2022-07-14 16:06:065995 
濕法蝕刻工藝的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適用于每一部電影。對(duì)于大多數(shù)解決方案選擇性大于100:1。
2022-07-27 15:50:253962 
濕蝕刻是光刻之后的微細(xì)加工過程，該過程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ)；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
光澤浸漬處理 是一種對(duì)金屬表面輕微咬蝕，使呈現(xiàn)更平滑光亮者，其槽液濕式處理謂之。 7、Chemical Milling 化學(xué)研磨 是以化學(xué)濕式槽液方法，對(duì)金屬材料進(jìn)行各種程度的腐蝕加工，如表面粗化
2018-08-29 16:29:01
`請(qǐng)問PCB蝕刻工藝質(zhì)量要求有哪些？`
2020-03-03 15:31:05
就是在潔凈的裸銅表面上，以化學(xué)的方法長(zhǎng)出一層有機(jī)皮膜。這層膜具有防氧化，耐熱沖擊，耐濕性，用以保護(hù)銅表面于常態(tài)環(huán)境中不再繼續(xù)生銹 (氧化或硫化等);但在后續(xù)的焊接高溫中，此種保護(hù)膜又必須很容易被助焊劑所
2018-11-28 11:08:52
其他表面處理工藝的應(yīng)用較少，下面來看應(yīng)用相對(duì)較多的電鍍鎳金和化學(xué)鍍鈀工藝?！ ‰婂冩嚱鹗荘CB表面處理工藝的鼻祖，自從PCB出現(xiàn)它就出現(xiàn)，以后慢慢演化為其他方式。它是在PCB表面導(dǎo)體先鍍上一層鎳后再
2018-09-17 17:17:11
) OSP是印刷電路板(PCB)銅箔表面處理的符合RoHS指令要求的一種工藝。 OSP是Organic Solderability Preservatives的簡(jiǎn)稱， 中譯為有機(jī)保焊膜，又稱護(hù)銅劑，英文
2019-08-13 04:36:05
上，以化學(xué)的方法長(zhǎng)出一層有機(jī)皮膜。這層膜具有防氧化，耐熱沖擊，耐濕性，用以保護(hù)銅表面于常態(tài)環(huán)境中不再繼續(xù)生銹 （氧化或硫化等）；但在后續(xù)的焊接高溫中，此種保護(hù)膜又必須很容易被助焊劑所迅速清除，如此方可
2017-02-08 13:05:30
一、蝕刻液的選擇 蝕刻液的選擇是非常重要的，它所以重要是因?yàn)樗谟≈齐娐钒逯圃?b class="flag-6" style="color: red">工藝中直接影響高密度細(xì)導(dǎo)線圖像的精度和質(zhì)量。當(dāng)然蝕刻液的蝕刻特性要受到諸多因素的影響，有物理、化學(xué)及機(jī)械方面的?，F(xiàn)
2018-09-11 15:19:38
改善固體表面潤(rùn)濕程度。所以，要獲得最隹的蝕刻質(zhì)量，就必須加強(qiáng)對(duì)基板銅箔表面的清潔處理，改善表面性質(zhì)使與蝕刻液更好的處在潤(rùn)濕狀態(tài)。要改善液體的表面張力，還需提高作業(yè)溫度，溫度越高，液體的表面張力就越小，與固體
2013-10-31 10:52:34
，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前，錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝中.氨性蝕刻劑是普遍使用的化工藥液，與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外
2018-11-26 16:58:50
方面的變化并不是很大，好像還是比較遙遠(yuǎn)的事情，但是應(yīng)該注意到：長(zhǎng)期的緩慢變化將會(huì)導(dǎo)致巨大的變化。在環(huán)保呼聲愈來愈高的情況下，PCB的表面處理工藝未來肯定會(huì)發(fā)生巨變。 表面處理最基本的目的是保證良好的可焊
2018-07-14 14:53:48
目前，印刷電路板（pcb）加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”.即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉，稱為蝕刻。PCB蝕刻工藝
2018-09-13 15:46:18
使用化學(xué)溶液去除材料。在 CMOS 制造中，濕法工藝用于清潔晶片和去除薄膜。濕法清潔過程在整個(gè)工藝流程中重復(fù)多次。一些清潔過程旨在去除微粒，而另一些則是去除有機(jī)和/或無機(jī)表面污染物。濕蝕刻劑可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
、CMP、ICP 干蝕刻、亞表面損傷、等離子體誘導(dǎo)損傷 直接比較了 GaN 襯底的表面處理方法，即使用膠體二氧化硅漿料的化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP) 和使用 SiCl4 氣體的電感耦合等離子體 (ICP) 干
2021-07-07 10:26:01
的自頂向下 GaN 納米線制造工藝得到改進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)直徑低于 50nm 的特征。提出了 SPE 制造的初始工藝，并引入了電化學(xué)蝕刻設(shè)置以擴(kuò)大處理能力和應(yīng)用。這些新工藝的初步實(shí)驗(yàn)顯示出有希望的結(jié)果。如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系作者刪除`
2021-07-08 13:11:24
各向異性（晶體）化學(xué)蝕刻是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)工藝技術(shù)，其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是：（1）具有原子級(jí)光滑面的光學(xué)設(shè)備（波導(dǎo)、激光器）減少損失（2）MEMS，其中幾何形狀可以通過
2021-07-08 13:09:52
。這個(gè)蝕刻步驟可以產(chǎn)生光滑的晶體表面，并且可以通過改變第一步驟的方向、化學(xué)試劑和溫度來選擇特定的蝕刻平面。GaN晶體的濕化學(xué)蝕刻是一個(gè)非常重要的工藝。清洗效果的好壞極大地影響了芯片的特性。性能可靠、功能
2021-07-07 10:24:07
kJ/摩爾)。這是一個(gè)相對(duì)較高的值，這是蝕刻工藝的典型值，其速率受化學(xué)反應(yīng)本身的限制，而不是受反應(yīng)產(chǎn)物的溶解或反應(yīng)物質(zhì)向蝕刻表面擴(kuò)散的限制。類似地，使用光學(xué)顯微鏡觀察到的蝕刻表面的光滑度表明蝕刻
2021-07-09 10:23:37
陽極偏壓光照下，在氫氧化鉀、硫酸和鹽酸溶液中的腐蝕速率測(cè)量結(jié)果。這項(xiàng)研究的目的是了解在這些不同的環(huán)境下，氮化鎵蝕刻的動(dòng)力學(xué)和機(jī)制。蝕刻后半導(dǎo)體表面的表面分析提供了關(guān)于蝕刻過程的附加信息。 實(shí)驗(yàn) 蝕刻
2021-10-13 14:43:35
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：半導(dǎo)體行業(yè)的濕化學(xué)分析——總覽編號(hào)：JFSJ-21-075作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html對(duì)液體和溶液進(jìn)行
2021-07-09 11:30:18
，干法蝕刻制備的氮化鎵（GaN）側(cè)壁通常具有較大的粗糙度和蝕刻損傷，這會(huì)導(dǎo)致由于表面非輻射復(fù)合導(dǎo)致的光學(xué)散射和載流子注入損失引起的鏡面損失。詳細(xì)研究了干法蝕刻形成的GaN側(cè)壁面的濕化學(xué)拋光工藝，以去除蝕刻
2021-07-09 10:21:36
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較編號(hào)：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
中的蝕刻。目前，錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝中.氨性蝕刻劑是普遍使用的化工藥液，與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外，在市場(chǎng)上還可以買到氨水
2018-04-05 19:27:39
，光刻工藝，蝕刻工藝，離子注入工藝，化學(xué)機(jī)械拋光，清洗工藝，晶圓檢驗(yàn)工藝。
后道工序包括組裝工藝，檢驗(yàn)分揀工藝
書中的示意圖很形象
然后書中用大量示意圖介紹了基板工藝和布線工藝
2024-12-16 23:35:46
分的噴射力就會(huì)降低而不能有效地將蝕刻表面上的舊溶液沖掉使新溶液與其接觸。在噴淋面的邊緣處,這種情況尤為突出,其噴射力比垂直噴射要小得多。這項(xiàng)研究發(fā)現(xiàn)﹐最新的設(shè)計(jì)參數(shù)是65磅/平方英寸(即4+Bar
2017-06-23 16:01:38
的PCB，而且通過多次回流焊、清洗和存儲(chǔ)后表面層還可以焊接。對(duì)于ICT而言，HASL也提供了焊料自動(dòng)覆蓋測(cè)試焊盤和過孔的工藝。然而，與現(xiàn)有的替代方法相比，HASL表面的平整性或者同面性很差。現(xiàn)在出現(xiàn)了一些無
2008-06-18 10:01:53
現(xiàn)在有許多PCB表面處理工藝，常見的是熱風(fēng)整平、有機(jī)涂覆、化學(xué)鍍鎳/浸金、浸銀和浸錫這五種工藝，下面將逐一介紹。
2021-04-23 06:26:30
改善。是絕佳高CP值選擇的MOSFET正面金屬化工藝。接下來，將深入介紹化學(xué)鍍工藝如何進(jìn)行。 一、化學(xué)鍍工藝最重要的起始點(diǎn)-前處理(一)鋁墊的清洗和蝕刻 前處理主要是在進(jìn)行鋁墊的清洗和蝕刻，將鋁墊表面的
2021-06-26 13:45:06
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">化學(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
方面的變化并不是很大，好像還是比較遙遠(yuǎn)的事情，但是應(yīng)該注意到：長(zhǎng)期的緩慢變化將會(huì)導(dǎo)致巨大的變化。在環(huán)保呼聲愈來愈高的情況下，PCB的表面處理工藝未來肯定會(huì)發(fā)生巨變。 表面處理最基本的目的是保證良好的可焊
2018-08-18 21:48:12
：銅表面無氧化、銅表面被均勻粗化、銅表面具有嚴(yán)格的平整性，還要銅表面無水跡。這種效果增強(qiáng)了濕膜與銅箔表面的結(jié)合力，以滿足后續(xù)工序工藝的要求。刷板后的銅箔表面狀態(tài)直接影響PCB的成品率。 2．絲網(wǎng)印刷
2018-08-29 10:20:48
先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻?！ ∫?蝕刻的種類 要注意的是，蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有
2018-09-19 15:39:21
超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹
目前，集成度呈越來越高的趨勢(shì)，許多公司紛紛開始SOC技術(shù)，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問題，因
2010-03-30 16:43:082052 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程，本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。
2017-12-26 08:57:1630284 本文首先介紹了PCB蝕刻工藝原理和蝕刻工藝品質(zhì)要求及控制要點(diǎn)，其次介紹了PCB蝕刻工藝制程管控參數(shù)及蝕刻工藝品質(zhì)確認(rèn)，最后闡述了PCB蝕刻工藝流程詳解，具體的跟隨小編一起來了解一下吧。
2018-05-07 09:09:0948549 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程，本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前，印刷電路板（PCB）加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”。即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉，稱為蝕刻。
2019-08-16 11:31:006030 在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前，錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝
2019-07-10 15:11:353996 
PCB板蝕刻工藝用傳統(tǒng)的化學(xué)蝕刻過程腐蝕未被保護(hù)的區(qū)域。有點(diǎn)像是挖溝，是一種可行但低效的方法。在蝕刻過程中也分正片工藝和負(fù)片工藝之分，正片工藝使用固定的錫保護(hù)線路，負(fù)片工藝則是使用干膜或者濕膜來保護(hù)線路。用傳統(tǒng)的蝕刻方法到線或焊盤的邊緣是畸形的。
2020-07-12 10:26:565377 石英是振動(dòng)陀螺儀的理想材料。我們研究了熱處理和化學(xué)后處理對(duì)熔融石英表面質(zhì)量改善的影響。我們的研究包括高頻蝕刻、氫氧化鉀蝕刻、RCA-1表面處理的影響，這些在熔融石英玻璃陀螺儀的制造中很常見，以及熱
2021-12-16 17:41:142040 
)、(TMAH)、NaOH等，但KOH與TMAH相比，平整度更好，并且只對(duì)硅的 100 表面做出反應(yīng)，因此Fig。如1所示，具有54.74的各向異性蝕刻特性，毒性小。使用KOH的硅各向異性濕式蝕刻在壓力傳感器、加速度計(jì)、光學(xué)傳感器等整體MEMS裝置結(jié)構(gòu)形成等中使用。 實(shí)驗(yàn) KOH硅濕法蝕刻工藝 工藝
2021-12-23 09:55:351043 
引言 濕化學(xué)蝕刻是制造硅太陽能電池的關(guān)鍵工藝步驟。為了蝕刻單晶硅，氫氧化鉀溶液被廣泛使用，因?yàn)樗鼈兛梢孕纬删哂须S機(jī)金字塔的表面紋理，從而增強(qiáng)單晶硅晶片的光吸收。對(duì)于多晶硅晶片，表面紋理化通常通過在含
2022-01-13 14:47:191346 
光增強(qiáng)電化學(xué)（PEC）濕蝕刻也被證明用于氮化鎵。PEC蝕刻具有設(shè)備成本相對(duì)較低、表面損傷較低的優(yōu)點(diǎn)，但尚未找到一種生產(chǎn)光滑的垂直側(cè)壁的方法。氮化鎵的裂切面也有報(bào)道，在藍(lán)寶石基質(zhì)上生長(zhǎng)的氮化鎵的均方粒
2022-01-17 15:38:052087 
引言 我們?nèi)A林科納研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過在1100°C下快速熱退火，提高了反應(yīng)
2022-01-17 16:21:48755 
本研究透過數(shù)值解析，將實(shí)驗(yàn)上尋找硅晶片最佳流動(dòng)的方法，了解目前蝕刻階段流動(dòng)的形式，并尋求最佳晶片蝕刻條件,蝕刻工藝效率低利用氣泡提高濕法蝕刻工藝效果,用實(shí)驗(yàn)的方法尋找最佳流動(dòng)，通過數(shù)值分析模擬了利用
2022-01-19 17:11:32999 
薄膜硅太陽能電池中的光收集。AZO薄膜通過脈沖直流磁控濺射沉積在石灰玻璃片上。利用稀釋的鹽酸（鹽酸）和氫氟酸(HF)進(jìn)行兩步蝕刻工藝，研究了幾種AZO紋理化方法。所開發(fā)的紋理程序結(jié)合了鹽酸鹽誘導(dǎo)的坑的優(yōu)點(diǎn)和高頻蝕刻產(chǎn)生的更小、鋸齒狀但橫向更均
2022-01-20 13:54:59624 
濕法蝕刻工藝已經(jīng)廣泛用于生產(chǎn)各種應(yīng)用的微元件。這些過程簡(jiǎn)單易操作。選擇合適的化學(xué)溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度。銅及其合金是各種工業(yè)，特別是電子工業(yè)的重要
2022-01-20 16:02:243288 
，表面的Ga-As鍵斷裂，元素砷留在砷化鎵表面。此外，用鹽酸+2-丙醇溶液蝕刻時(shí)可以觀察到吸附的2-丙醇分子，但用氨水溶液蝕刻時(shí)沒有檢測(cè)到吸附的水分子。 介紹 濕式化學(xué)蝕刻工藝在器件制造中已被廣泛應(yīng)用。半導(dǎo)體/電解質(zhì)界面上發(fā)生的過程
2022-01-24 15:07:302419 
介紹 本文通過詳細(xì)的動(dòng)力學(xué)研究，闡明了在富含HF的高頻/HNO3混合物中對(duì)硅的濕式化學(xué)蝕刻的機(jī)理。蝕刻實(shí)驗(yàn)后，我們進(jìn)行進(jìn)行了化學(xué)分析并研究了蝕刻速率與溫度、蝕刻劑的硅含量利用率和攪拌速度的函數(shù)關(guān)系
2022-01-24 15:41:132458 
基于HC1的蝕刻劑被廣泛應(yīng)用于InP半導(dǎo)體器件，HC1溶液中其他酸的存在對(duì)蝕刻速率有顯著影響，然而，InP并不溶在涉及簡(jiǎn)單氧化劑的傳統(tǒng)蝕刻劑中，為了解決溶解機(jī)理的問題，我們江蘇華林科納研究了p-InP在不同HC1溶液中的刻蝕作用和電化學(xué)反應(yīng)。
2022-02-09 10:54:581600 
為了能夠使用基于 GaAs 的器件作為化學(xué)傳感器，它們的表面必須進(jìn)行化學(xué)改性。GaAs 表面上液相中分子的可重復(fù)吸附需要受控的蝕刻程序。應(yīng)用了幾種分析方法，包括衰減全反射和多重內(nèi)反射模式 (ATR
2022-02-17 16:41:522518 
的抗激光損傷能力。這種比較是在高損傷閾值拋光熔融石英光學(xué)器件上設(shè)計(jì)的劃痕上進(jìn)行的。我們證明氫氧化鉀和氫氟酸/硝酸溶液都能有效鈍化劃痕，從而提高其損傷閾值，達(dá)到拋光表面的水平。還研究了這些濕蝕刻對(duì)表面粗糙度和外觀的影響。我們表明，在
2022-02-24 16:26:034173 
的氧化鎳未完全去除造成的。這項(xiàng)研究對(duì)這些多余金屬缺陷的成分進(jìn)行了分類和確定，評(píng)估了推薦的去除氧化鎳的濕蝕刻方法，最后提出了一種濕蝕刻工藝，該工藝將快速去除缺陷，同時(shí)繼續(xù)保持所需的半各向異性蝕刻輪廓，這是大多數(shù)金屬
2022-02-28 14:59:352353 
、成本效益和多功能性，濕化學(xué)蝕刻方法在半導(dǎo)體器件技術(shù)中得到廣泛應(yīng)用。雖然一些半導(dǎo)體可以通過還原分解，但實(shí)際蝕刻通常涉及固體的氧化[1]. 價(jià)電子從與溶液中的蝕刻物質(zhì)（開路蝕刻）或通過外部電路（電化學(xué)蝕刻）對(duì)電極的表面鍵合中
2022-03-03 14:16:372047 
本文研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過在1100°C下快速熱退火，提高了反應(yīng)性濺射制備
2022-03-09 14:37:47815 
了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長(zhǎng)寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43852 
硅是微電子學(xué)和微細(xì)力學(xué)中最常用的襯底材料。它不僅可用作無源襯底，也可用作電子或機(jī)械元件的有源材料。如本章所述，所需的圖案也可以通過濕化學(xué)蝕刻方法來實(shí)現(xiàn)。
2022-03-23 14:17:163097 
本文章將對(duì)表面組織工藝優(yōu)化進(jìn)行研究，多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法，其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時(shí)間和成本上都比較優(yōu)秀，主要適用于太陽能電池量產(chǎn)工藝。本研究在多晶晶片表面組織化工藝
2022-03-25 16:33:491013 
為了能夠使用基于 GaAs 的器件作為化學(xué)傳感器，它們的表面必須進(jìn)行化學(xué)改性。GaAs 表面上液相中分子的可重復(fù)吸附需要受控的蝕刻程序。應(yīng)用了幾種分析方法，包括衰減全反射和多重內(nèi)反射模式 (ATR
2022-03-31 14:57:031412 
本文研究了通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非?？焖俚仨憫?yīng)選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護(hù)下面的膜不被降解。如今，大多數(shù)材料圖案化是用等離子蝕刻而不是濕法蝕刻來進(jìn)行的。事實(shí)上，與通常
2022-04-06 13:29:191222 
薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。 需要更薄的模具來適應(yīng)更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背面磨削相比，應(yīng)力更小。 硅的各向同性濕蝕刻通常是用硝酸和氫氟酸的混合物
2022-04-07 14:46:331278 
本文研究了通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非?？焖俚仨憫?yīng)選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護(hù)下面的膜不被降解。如今，大多數(shù)材料圖案化是用等離子蝕刻而不是濕法蝕刻來進(jìn)行的。事實(shí)上，與通常
2022-04-22 14:04:191138 
拋光的硅片是通過各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片)，然后進(jìn)行稱為研磨的平整過程，該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過程中引起的機(jī)械損傷通過蝕刻是本文的重點(diǎn)。在準(zhǔn)備用于器件制造之前，蝕刻之后是各種單元操作，例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:371285 
金屬涂層，如銅膜，可以很容易地沉積在半導(dǎo)體材料上，如硅晶片，而無需使無電鍍工藝進(jìn)行預(yù)先的表面預(yù)處理。然而，銅膜的粘附性可能非常弱，并且容易剝離。在本研究中，研究了在氫氟酸溶液中蝕刻作為硅晶片化學(xué)鍍前
2022-04-29 15:09:061103 
硅微腔。由超聲波蝕刻引起的質(zhì)量提高可歸因于氫氣泡和其它蝕刻化學(xué)物質(zhì)從多孔硅柱表面逃逸的速率增加。該效應(yīng)歸因于自由空穴載流子濃度的有效變化。超聲波已導(dǎo)致表明可能在鍵合結(jié)構(gòu)的變化，并增加氧化。此外，在超聲波處理和微觀結(jié)構(gòu)之間建
2022-05-10 15:43:251702 
引言 為了在半導(dǎo)體工藝中獲得均勻的電氣特性、高可靠性和高倍率，保持硅酮基板清潔度的技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件的高密度化，其重要性日益增加。一般來說，半導(dǎo)體工藝中三個(gè)定義的目的是從基板表面去除粒子、有機(jī)物
2022-06-21 15:40:553494 
通過使用多級(jí)等離子體蝕刻實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法，以及開發(fā)自動(dòng)蝕刻后遮蓋物去除順序；一種可再現(xiàn)的基板通孔處理方法被集成到大批量GaAs制造中。對(duì)于等離子體蝕刻部分，使用光學(xué)顯微鏡
2022-06-23 14:26:57985 
50納米，4，5，盡管最近有報(bào)道稱rms粗糙度低至4–6納米的表面。6光增強(qiáng)電化學(xué)(PEC)濕法蝕刻也已被證明適用于氮化鎵(GaN)的蝕刻。7–10 PEC蝕刻具有設(shè)備成本相對(duì)較低和表面損傷較低的優(yōu)勢(shì)
2022-07-12 17:19:244607 
蝕刻工藝 蝕刻過程分類
2022-08-08 16:35:341731 
薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。更薄的模具需要裝進(jìn)更薄的包裝中。與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背磨相比，在背面使用最終的濕法蝕刻工藝而變薄的晶片的應(yīng)力更小。
2022-08-26 09:21:363792 
本文綜述了工程師們使用的典型的濕化學(xué)配方。盡可能多的來源已經(jīng)被用來提供一個(gè)蝕刻劑和過程的簡(jiǎn)明清單
2023-03-17 16:46:233343 
金屬蝕刻是一種通過化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過程組成。不同的蝕刻劑對(duì)不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強(qiáng)度。
2023-03-20 12:23:438848 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程，本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:072109 半導(dǎo)體行業(yè)的許多工藝步驟都會(huì)排放有害廢氣。對(duì)于使用非?；顫姷臍怏w的化學(xué)氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點(diǎn)處理是常見的做法。相比之下，對(duì)于濕法化學(xué)工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認(rèn)
2023-04-06 09:26:481422 
蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢?huì)影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會(huì)變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動(dòng)化方法來維護(hù)蝕刻化學(xué)，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:311833 
微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨(dú)特的性質(zhì)，特別是，當(dāng)用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時(shí)，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的共振。然而，用于制造微孔的技術(shù)是耗時(shí)的，并且需要昂貴的設(shè)備和專業(yè)人員。因此，英思特開發(fā)了一種通過濕化學(xué)蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:512210 
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:112993 
關(guān)鍵詞：氫能源技術(shù)材料，耐高溫耐酸堿耐濕膠帶，高分子材料，高端膠粘劑引言：蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻
2023-03-16 10:30:169531 
PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致大尺寸PCB整個(gè)板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:434815 一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)。PCB打樣中，在銅箔部分預(yù)鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學(xué)方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:302024 共讀好書 高曉義 陳益鋼 （上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 上海飛凱材料科技股份有限公司） 摘要： 在先進(jìn)封裝的銅種子層濕法蝕刻工藝中，電鍍銅鍍層的蝕刻存在各向異性的現(xiàn)象。研究結(jié)果表明，在磷酸、雙氧水
2024-02-21 15:05:572256 
（什么是蝕刻？）蝕刻是一種利用化學(xué)強(qiáng)酸腐蝕、機(jī)械拋光或電化學(xué)電解對(duì)物體表面進(jìn)行處理的技術(shù)。從傳統(tǒng)的金屬加工到高科技半導(dǎo)體制造，都在蝕刻技術(shù)的應(yīng)用范圍之內(nèi)。在印刷電路板(PCB)打樣中，蝕刻工藝一旦
2024-05-29 14:39:43642 
玻璃表面蝕刻紋路由于5G時(shí)代玻璃手機(jī)后蓋流行成為趨勢(shì)，預(yù)測(cè)大部分中高端機(jī)型將采用玻璃作為手機(jī)的后蓋板。因此，基于玻璃材質(zhì)的微加工工藝也就成為CMF研究中不可回避的一個(gè)技術(shù)問題。而且，由玻璃材質(zhì)
2024-07-17 14:50:012128 
芯片濕法蝕刻工藝是一種在半導(dǎo)體制造中使用的關(guān)鍵技術(shù)，主要用于通過化學(xué)溶液去除硅片上不需要的材料。 基本概念 濕法蝕刻是一種將硅片浸入特定的化學(xué)溶液中以去除不需要材料的工藝，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件如芯片
2024-12-27 11:12:401538 晶圓高溫清洗蝕刻工藝是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)于確保芯片的性能和質(zhì)量至關(guān)重要。為此，在目前市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)情況下，我們來給大家介紹一下詳情。 一、工藝原理 清洗原理 高溫清洗利用物理和化學(xué)的作用
2025-04-15 10:01:331103 晶圓蝕刻與擴(kuò)散是半導(dǎo)體制造中兩個(gè)關(guān)鍵工藝步驟，分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點(diǎn)的詳細(xì)介紹：一、晶圓蝕刻工藝流程1.蝕刻的目的圖形化轉(zhuǎn)移：將光刻膠圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面
2025-07-15 15:00:221224 
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