摘要

研究了在半導(dǎo)體制造過(guò)程中使用的酸和堿溶液從硅片表面去除粒子。結(jié)果表明，堿性溶液的顆粒去除效率優(yōu)于酸性溶液。在堿性溶液中，顆粒去除的機(jī)理已被證實(shí)如下:溶液腐蝕晶圓表面以剝離顆粒，然后顆粒被電排斥到晶圓表面。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，需要0.25 nm /min以上的刻蝕速率才能使吸附在晶圓表面的顆粒脫落。

介紹

由于半導(dǎo)體器件正在追求更高水平的-集成度和更高分辨率的模式，ET清潔技術(shù)對(duì)于重新-移動(dòng)硅片表面的污染物仍然至關(guān)重要。在1970年提出的RCA清洗工藝作為一種濕式清洗技術(shù)在世界各地仍在使用，以去除晶圓表面的污染物。雖然RCA凈化-過(guò)程中，NH4OH-H2O2-H2O溶液對(duì)-顆粒的去除效果非常好，但其顆粒去除機(jī)理尚不完全清楚。

實(shí)驗(yàn)

采用五英寸CZ(1,0,0)晶片進(jìn)行粒子吸附實(shí)驗(yàn)。天然氧化物首先在0.5%的HF溶液中從晶圓表面去除。然后將晶片浸泡在含有顆粒的各種溶液中10分鐘，然后沖洗和干燥。天然氧化物在晶圓表面形成后，再在0.5%的HF溶液中移動(dòng)，然后清洗和干燥。

審核編輯：湯梓紅