物膜覆蓋的金屬片，而陰極是浸泡在電解質(zhì)溶液中的導(dǎo)電材料。當(dāng)外加電壓施加在電解電容器的兩個電極上時，正極吸引陰極上的電子，而陰極吸引電解質(zhì)中的陽離子。這一過程導(dǎo)致電解質(zhì)在電容器中形成一層極薄的氧化物膜，這也是電解電容
2024-03-08 16:50:52
322 測量您的
HF GP垂直天線高度并算出空間需求?，F(xiàn)在，在制作桿子時，需要某種方式將泡沫保持在適當(dāng)?shù)奈恢谩?/div>
2024-03-08 15:09:0756 
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
Molex射頻識別 (RFID) 高頻 (HF) 解決方案為各種行業(yè)、應(yīng)用和環(huán)境提供多功能、穩(wěn)健、緊湊的資產(chǎn)跟蹤和識別功能。
2024-03-01 16:40:14191 想問下硅碳/石墨復(fù)配負(fù)極300cls滿充拆解中間黑色的區(qū)域是什么？是什么原因?qū)е缕?b class="flag-6" style="color: red">形成的
2024-02-29 13:48:15
**一、微弧氧化脈沖電源技術(shù)原理**微弧氧化脈沖電源技術(shù)是一種基于電化學(xué)原理的電源技術(shù)。其工作原理是利用脈沖電流在電解質(zhì)中產(chǎn)生的電化學(xué)反應(yīng)，使金屬表面形成一層致密的氧化膜，從而提高金屬表面的耐磨性
2024-02-25 17:57:30
，即使不加?xùn)旁措妷海矔?b class="flag-6" style="color: red">形成反型層和導(dǎo)電溝道，在此基礎(chǔ)上加負(fù)向電壓溝道電阻變小，加正向電壓導(dǎo)電溝道變小，而且正向電壓減小到一定程度反型層消失導(dǎo)電溝道消失。
場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管和金屬氧化物場效應(yīng)管
2024-01-30 11:38:27
二極管是一種常用的電子元件，它用于控制電流的流動方向。在二極管中，陰極和陽極是二個重要的極性，它們的區(qū)分對于二極管的正常工作至關(guān)重要。本文將詳細(xì)介紹二極管的陰極和陽極的區(qū)分方法，以及它們在電路
2024-01-16 09:32:171223 近期，來自西班牙加泰羅尼亞納米科學(xué)與納米技術(shù)研究所（ICN2）等機(jī)構(gòu)的研究人員介紹了一種基于納米多孔石墨烯的薄膜技術(shù)及其形成柔性神經(jīng)界面的工程策略。該研究所開發(fā)的技術(shù)可用于制造小型微電極（直徑 = 25?μm），同時實(shí)現(xiàn)低阻抗（～ 25?kΩ）和高電荷注入（3 ~ 5?mC/cm2）。
2024-01-15 15:55:48263 
IC引腳的氧化問題是電子元器件制造和維護(hù)過程中經(jīng)常遇到的一個挑戰(zhàn)。氧化引腳可能會導(dǎo)致連接不良、信號干擾以及設(shè)備故障。因此，對IC引腳是否氧化進(jìn)行準(zhǔn)確判定是非常重要的。
2024-01-12 09:20:41521 。在沉銀過程中，銀離子會得到電子并被還原，而銅失電子并被氧化，最后銀會在焊盤表面沉積形成鍍銀層。沉銀板在微電子和半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用廣泛。通常在沉銀板焊盤上印刷上錫膏或?qū)GA球倒裝在板上，沉銀板最后會被送去回流。錫膏或焊料球會固化形成焊點(diǎn)。
2024-01-03 09:01:33154 
AWMF-0221 24-30 GHz 雙極化四路 4x2 波束形成器 ICAWMF-0221 是一款高度集成的硅射頻波束形成 IC (BFIC)，基于 Anokiwave 成熟的四通
2024-01-02 15:40:24
AWMF-0162 26-30 GHz 單極化四路 4x1 波束形成器 IC AWMF-0162 是一款高度集成的硅四核 IC，適用于 5G 相控陣應(yīng)用。該器件支持四個 Tx
2024-01-02 14:25:02
A AWMF-0164 波束形成器 IC產(chǎn)品概述24-28 GHz 單極化四路 4x1 波束形成器 ICAWMF-0164 是一款高度集成的硅四核 IC，適用于 5G 相控陣應(yīng)用。該器件支持四個
2024-01-02 13:41:39
CIQTEK精選成果簡報Appl.Catal.B：多孔石墨化炭負(fù)載FeOCl作為雙功能吸附催化劑用于含氯揮發(fā)性有機(jī)化合物的濕式過氧化物氧化：介孔的影響和機(jī)理研
2023-12-28 08:24:58151 
。然而，如果選擇了不易防止氧化的材料，就容易導(dǎo)致引腳氧化，進(jìn)而影響晶振正常工作。 2. 工藝環(huán)境不當(dāng)：晶振引腳的工藝環(huán)境可能包含一些有害氣體或者化學(xué)物質(zhì)，如高溫、濕度環(huán)境、酸堿溶液等，這些環(huán)境下會加速引腳的氧化。特別
2023-12-18 14:36:50241 保護(hù)器件過電應(yīng)力失效機(jī)理和失效現(xiàn)象淺析
2023-12-14 17:06:45262 
多孔超級石墨烯在學(xué)術(shù)界通常被稱為多孔石墨烯（hG），它已經(jīng)過完善，可以滿足高科技領(lǐng)域的要求，有望加速進(jìn)步并推動進(jìn)步。
2023-12-12 13:59:58368 近日，中科院上海光機(jī)所高功率激光元件技術(shù)與工程部吳衛(wèi)平研究員團(tuán)隊(duì)采用飛秒激光結(jié)合模板法，構(gòu)筑了內(nèi)部孔隙精準(zhǔn)可控且獨(dú)立支撐的多孔石墨烯薄膜，在自支撐多孔碳薄膜表面構(gòu)筑三維陣列化石墨烯微結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了光譜
2023-12-12 11:32:39304 
，但換上原來的電機(jī)就幾乎沒有滯后。在側(cè)測量了旋變后發(fā)現(xiàn)客戶拿來的電機(jī)旋變sin和cos的電感量和內(nèi)阻比我們正常使用的小一倍。想探討下不同參數(shù)的旋變對信號滯后的機(jī)理是什么？
2023-12-12 06:38:58
電磁兼容簡明教程（3）電磁騷擾的耦合機(jī)理
2023-12-05 15:28:54256 
本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴(kuò)散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價帶無法有效進(jìn)行空穴傳導(dǎo)，因此難以制作P型半導(dǎo)體。學(xué)習(xí)氧化鎵仿真初期
2023-11-27 17:15:091025 
在高分子溶液的締合液液相分離過程中，均一的溶液體系會在熵或焓的驅(qū)動下經(jīng)相分離形成兩種液相
2023-11-25 10:17:02346 
半導(dǎo)體器件擊穿機(jī)理分析及設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
2023-11-23 17:38:36474 
ESD的保護(hù)機(jī)理和主要測試模式有哪些？ ESD（Electrostatic Discharge）是靜電放電的縮寫，指的是靜電在兩個物體之間突然放電的現(xiàn)象。ESD是電子設(shè)備和電子元件面臨的主要故障來源
2023-11-07 10:21:47384 ，中山大學(xué)王猛教授團(tuán)隊(duì)首次發(fā)現(xiàn)液氮溫區(qū)鎳氧化物超導(dǎo)體La?Ni?O?引發(fā)熱潮，現(xiàn)在中國鎳基超導(dǎo)體機(jī)理研究重大突破，我國中山大學(xué)物理學(xué)院姚道新教授團(tuán)隊(duì)成果刊登在物理學(xué)頂級期刊《物理評論快報》（Physical Review Letters）上，這是
2023-11-03 16:00:08526 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《我國光伏產(chǎn)業(yè)困境的形成：路徑、機(jī)理與政策反思.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-02 14:30:51
0 根據(jù)專利摘要，芯片及其芯片制造方法。芯片包括芯片本體（10）。芯片本體（10）包括：襯底（101）、器件層（102）和多孔硅結(jié)構(gòu)，器件層（102）位于襯底（101）；多孔硅結(jié)構(gòu)設(shè)置于襯底（101）上，多孔硅結(jié)構(gòu)用于與化學(xué)開蓋溶液反應(yīng)以破壞芯片本體（10）。
2023-10-20 10:19:31408 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《鋁及鋁合金陽極氧化膜及有機(jī)聚合物膜絕緣性的測定.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-20 08:31:286 亞甲藍(lán)溶液測試儀是一種用于檢測密封性的重要工具，通過負(fù)壓法來評估容器或管道的密封性能。該儀器利用真空泵將亞甲藍(lán)溶液抽入測試室，然后將測試室密封，觀察測試室內(nèi)的壓力變化情況來確定密封性能的好壞。本文將
2023-10-18 16:43:33
多孔性 氧化膜具有多孔的蜂窩狀結(jié)構(gòu)，膜層的空隙率決定于電解液的類型和氧化的工藝條件。氧化膜的多孔結(jié)構(gòu)，可使膜層對各種有機(jī)物、樹脂、地蠟、無機(jī)物、染料及油漆等表現(xiàn)出良好的吸附能力，可作為涂鍍層的底層，也可將氧化膜染成各種不同的顏色，提高金屬的裝飾效果。
2023-10-11 15:59:04897 
腐蝕pcb板的溶液按抗蝕層類型與生產(chǎn)條件而選擇：有酸性氯化銅、堿性氯化銅、三氯化鐵、硫酸與過氧化氫、過硫酸鹽等多種。下面捷多邦小編和大家介紹一下腐蝕pcb板的溶液的一些知識。 三氯化鐵的蝕刻液是銅箔
2023-10-08 09:50:22734 鋁坩堝作為熱分析儀中主要的配套工具，作為樣品的載體。鋁為銀白色金屬，由于表面形氧化層而保護(hù)其不與空氣和水起反應(yīng)，易溶于稀硫酸、硝酸、鹽酸、氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，難溶于水。相對密度2.70。熔點(diǎn)
2023-09-27 11:34:57
共陽極數(shù)碼管和共陰極數(shù)碼管的區(qū)別 數(shù)碼管是由許多發(fā)光二極管（LED）組成的，它們通常用于顯示數(shù)字或字母，廣泛應(yīng)用于計(jì)算器、表格、電子時鐘、測量儀器等領(lǐng)域。數(shù)碼管主要分為兩種類型：共陽極數(shù)碼管和共陰極
2023-09-26 16:38:127703 如何關(guān)斷晶閘管（單向晶閘管）的陽極電流？? 晶閘管是一種常見的半導(dǎo)體器件，由于其特殊的電氣特性，在各種電子設(shè)備和工業(yè)控制系統(tǒng)中廣泛使用。晶閘管作為一種單向?qū)щ娖骷?，其特性在開關(guān)狀態(tài)和導(dǎo)通狀態(tài)之間切換
2023-09-13 17:08:461145 晶閘管陽極與陰極之間加電壓控制極會有電流流過嗎？ 晶閘管是一種電子器件，它是一種能夠在高壓、高電流下進(jìn)行控制的開關(guān)，是現(xiàn)代電力控制領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備之一。晶閘管通過控制其陽極和陰極之間的電流來控制其開關(guān)
2023-09-13 16:39:58464 CR95HF 是一顆基于13.56MHz無線通信應(yīng)用的收發(fā)器? 集成13.56MHz RF通信模擬前端? 自動管理RF通信編/解碼? Reader系統(tǒng)需要外加主處理器(MCU 或Computer)? 提供中斷管理與主處理器的通信
2023-09-12 06:59:56
是由許多光敏像元組成的。每一個像元就是一個MOS（金屬一氧化物一半導(dǎo)體）電容器，如圖1所示。在P型硅襯底上通過氧化形成一層S102，再在SiO2表面蒸鍍一層金屬層（多晶硅）作為電極。P型硅中的多數(shù)載流子是帶正電荷的空穴，少數(shù)載流子是帶負(fù)電荷的電子。
2023-09-08 15:31:22177 
微弧氧化技術(shù)工藝流程
主要包含三部分：鋁基材料的前處理，微弧氧化，后處理三部分
其工藝流程如下：鋁基工件→化學(xué)除油→清洗→微弧氧化→清洗→后處理→成品檢驗(yàn)。
2023-09-01 10:50:341235 
肖特基二極管失效機(jī)理? 肖特基二極管（Schottky Barrier Diode, SBD）作為一種快速開關(guān)元件，在電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。但是，隨著SBD所承受的工作壓力和工作溫度不斷升高
2023-08-29 16:35:08971 多孔或?qū)訝铍姌O材料具有豐富的納米限域環(huán)境，表現(xiàn)出高效的電荷儲存行為，被廣泛應(yīng)用于電化學(xué)電容器。而這些限域環(huán)境中形成的雙電層（限域雙電層）結(jié)構(gòu)與建立在平面電極上的經(jīng)典雙電層之間存在差異，導(dǎo)致其儲能機(jī)理
2023-08-29 11:10:11399 
應(yīng)用程序: 本樣本代碼使用 M031BT 來做藍(lán)牙電牙刷溶液 。
BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.05.000
硬件: nuvoton 核_M031BT 藍(lán)牙
2023-08-29 07:40:54
半導(dǎo)體和導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理有何不同 半導(dǎo)體和導(dǎo)體是電子學(xué)中常見的兩種材料，它們在電子傳導(dǎo)方面有著不同的導(dǎo)電機(jī)理。在本文中，我們將詳細(xì)探討半導(dǎo)體和導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理，以及它們的區(qū)別。 導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理 導(dǎo)體
2023-08-27 16:00:251348 簡述半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理? 半導(dǎo)體是一種非金屬材料，具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間的電導(dǎo)率。在半導(dǎo)體中，是否能導(dǎo)電的關(guān)鍵是它的能帶結(jié)構(gòu)。由于原子的能級分布，半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理與金屬和絕緣體有很大的不同。 半導(dǎo)體
2023-08-27 15:49:023858 的硅 MOSFET，要么需要特殊的附加層，這使得它們難以縮小。 無法生產(chǎn)與當(dāng)前硅晶體管相同規(guī)模的 GaN 晶體管，也意味著它們不適用于 CPU 和其他微控制器。
GaN 晶體管的第二個問題是，制造
2023-08-21 17:06:18
ORP是氧化還原電位，全稱oxidation-reductionpotential，用來反映水溶液中所有物質(zhì)表現(xiàn)出來的宏觀氧化還原性。氧化還原電位越高，氧化性越強(qiáng)，氧化還原電位越低，還原性越強(qiáng)。電位
2023-08-17 09:33:423029 
氧化鋅避雷器是一種用于保護(hù)電氣設(shè)備免受電壓過載損害的裝置。其工作原理是基于氧化鋅的電阻特性，在高壓下阻值迅速增加，從而限制電流，使電氣設(shè)備免受過度電壓的損害。以下將詳細(xì)介紹氧化鋅避雷器的用途
2023-08-07 15:43:24723 PCB熔錫不良現(xiàn)象背后的失效機(jī)理
2023-08-04 09:50:01545 
氧化誘導(dǎo)時間測定儀是一種用于測量材料氧化誘導(dǎo)期時間的熱分析儀器，利用儀器對材料進(jìn)行升溫、讓其發(fā)生氧化反應(yīng)，從而測量出氧化誘導(dǎo)時間，分析材料的氧化穩(wěn)定性，使用壽命和耐久性，因此，氧化誘導(dǎo)時間測定儀
2023-08-01 10:30:12419 
固體鉭電容是將鉭粉壓制成型,在高溫爐中燒結(jié)成陽極體,其電介質(zhì)是將陽極體放入酸中賦能,形成多孔性非晶型Ta2O5介質(zhì)膜,其工作電解質(zhì)為硝酸錳溶液經(jīng)高溫分解形成MnO2,通過石墨層作為引出連接用。
2023-07-31 14:58:37574 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用Zetex遲滯轉(zhuǎn)換器的通用陽極拓?fù)?pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-26 14:19:530 陽極氧化的基礎(chǔ)上，利用弧光放電增強(qiáng)并激活在陽極上發(fā)生的反應(yīng)，從而在以鋁、鈦、鎂金屬及其合金為材料的工件表面形成優(yōu)質(zhì)的強(qiáng)化陶瓷膜的方法。
2023-07-21 16:01:32
陽極氧化的基礎(chǔ)上，利用弧光放電增強(qiáng)并激活在陽極上發(fā)生的反應(yīng)，從而在以鋁、鈦、鎂金屬及其合金為材料的工件表面形成優(yōu)質(zhì)的強(qiáng)化陶瓷膜的方法。
2023-07-21 13:09:52
陽極氧化的基礎(chǔ)上，利用弧光放電增強(qiáng)并激活在陽極上發(fā)生的反應(yīng)，從而在以鋁、鈦、鎂金屬及其合金為材料的工件表面形成優(yōu)質(zhì)的強(qiáng)化陶瓷膜的方法。
2023-07-19 17:09:05
一：產(chǎn)品簡介 污水電解脈沖電源利用電的解離作用，在化學(xué)凝聚劑的協(xié)助下，除去廢水中的污染物或把有毒物轉(zhuǎn)化為無毒物。 反應(yīng)原理是以鋁、鐵等金屬為陽極，在直流電的作用下，陽極被溶蝕
2023-07-19 17:07:17
MAO電參數(shù)主要包括電流密度（恒流模式）、氧化電壓（恒壓模式）、頻率（脈沖電源） 和占空比（脈沖電源） 等。不同電源類型或工作模式，各電參數(shù)對膜層厚度、表面結(jié)構(gòu)及性能的影響規(guī)律基本一致。但由于電解液
2023-07-19 16:45:41
鎂合金微弧氧化技術(shù)是一種綠色環(huán)保的新型表面處理技術(shù)。主要用于鋁、鎂、鈦等輕金屬及其合金的表面處理。它能有效地在基材表面生長一層均勻的陶瓷膜。由于其工藝特點(diǎn)明顯，表面處理具有突出的性能優(yōu)勢，自該技術(shù)
2023-07-17 11:46:45
陽極氧化的基礎(chǔ)上，利用弧光放電增強(qiáng)并激活在陽極上發(fā)生的反應(yīng)，從而在以鋁、鈦、鎂金屬及其合金為材料的工件表面形成優(yōu)質(zhì)的強(qiáng)化陶瓷膜的方法。
2023-07-11 14:30:20
陽極氧化的基礎(chǔ)上，利用弧光放電增強(qiáng)并激活在陽極上發(fā)生的反應(yīng)，從而在以鋁、鈦、鎂金屬及其合金為材料的工件表面形成優(yōu)質(zhì)的強(qiáng)化陶瓷膜的方法。
2023-07-11 14:28:29
陽極氧化的基礎(chǔ)上，利用弧光放電增強(qiáng)并激活在陽極上發(fā)生的反應(yīng)，從而在以鋁、鈦、鎂金屬及其合金為材料的工件表面形成優(yōu)質(zhì)的強(qiáng)化陶瓷膜的方法。
2023-07-11 14:27:42
陽極氧化的基礎(chǔ)上，利用弧光放電增強(qiáng)并激活在陽極上發(fā)生的反應(yīng)，從而在以鋁、鈦、鎂金屬及其合金為材料的工件表面形成優(yōu)質(zhì)的強(qiáng)化陶瓷膜的方法。
2023-07-11 12:18:07
陽極氧化的基礎(chǔ)上，利用弧光放電增強(qiáng)并激活在陽極上發(fā)生的反應(yīng)，從而在以鋁、鈦、鎂金屬及其合金為材料的工件表面形成優(yōu)質(zhì)的強(qiáng)化陶瓷膜的方法。
2023-07-11 12:17:17
陽極氧化的基礎(chǔ)上，利用弧光放電增強(qiáng)并激活在陽極上發(fā)生的反應(yīng)，從而在以鋁、鈦、鎂金屬及其合金為材料的工件表面形成優(yōu)質(zhì)的強(qiáng)化陶瓷膜的方法。
2023-07-11 12:15:57
氧化鋁本身具有較低的導(dǎo)電性能。純凈的氧化鋁是一種絕緣材料，不具備良好的電導(dǎo)性。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">氧化鋁在晶體結(jié)構(gòu)中具有高度的離子性，其結(jié)構(gòu)中的氧離子和鋁離子之間形成了穩(wěn)定的離子鍵，使得電子難以自由傳導(dǎo)。
2023-07-05 16:33:292025 (PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是：在普通陽極氧化的基礎(chǔ)上，利用弧光放電增強(qiáng)并激活在陽極上發(fā)生的反應(yīng)，從而在以鋁、鈦、鎂金屬及其合金為材料的工件表面形成優(yōu)質(zhì)的強(qiáng)化陶
2023-07-03 18:22:50
一、產(chǎn)品用途l 主要用于鋁、鈦、鎂及其合金材料表面進(jìn)行陶瓷化改性的微弧氧化處理。處理后使制品表面金屬離子與電價質(zhì)中的氧離子結(jié)合使制品表面生長出一層以微冶金方式結(jié)合
2023-07-03 18:21:37
手持激光清洗機(jī) 金屬除銹除漆除氧化層 工業(yè)級激光清洗機(jī)工作原理 所謂激光清洗是指利用高能激光束照射工件表面，使表面的污物、銹斑或涂層發(fā)生瞬間蒸發(fā)或剝離，高速有效地清除清潔對象
2023-07-03 10:58:40
有極性電容器是指電解電容器，是由陽極鋁箔和陰極的電解溶液分別形成兩個電極，在陽極鋁箔上生成一層氧化鋁膜作為電介質(zhì)的電容器，電解電容注意電路中的極性，普通電容是無極性的，也可以將兩個電解電容串聯(lián)起來組成無極性電解電容，那么有極性電容和無極性電容有什么區(qū)別呢？
2023-06-18 16:57:332280 預(yù)鋰化作為補(bǔ)償初始循環(huán)中鋰庫存損失的一種簡單有效的方法，在陽極和陰極方面都取得了很大的進(jìn)展。
2023-06-18 10:29:21847 
由于Fin溝道的夾斷作用，可以采用歐姆接觸陽極替代肖特基接觸，形成無結(jié)二極管。因此，在反向續(xù)流時，無結(jié)的FD實(shí)現(xiàn)極低的反向?qū)妷海╒on）。
2023-06-16 10:24:47122 
氧，在1065~1083℃范圍內(nèi)，銅與氧會形成Cu-O共晶液。該共晶液一方面與氧化鋁發(fā)生化學(xué)應(yīng)，生成中間相（CuAlO2或CuAl2O4），另一方面浸潤銅箔，實(shí)現(xiàn)陶瓷基板與銅箔的良好結(jié)合。
2023-06-14 16:18:31964 
，單組元的超高溫陶瓷硼化物在燒蝕的過程中會形成一層疏松多孔的氧化層，氧化層受到高溫高速氣流的沖刷以及在服役溫度頻繁交變的情況下會發(fā)生開裂，不利于涂層的長時穩(wěn)定服役。 如何改善氧化層的高溫穩(wěn)定性是提高抗燒蝕涂層性能、延長服役壽命的關(guān)鍵
2023-06-07 10:09:37297 
HF500-7是固定頻率、電流模式帶內(nèi)置斜率補(bǔ)償?shù)恼{(diào)節(jié)器。這個HF500-7將700V MOSFET和全功能控制器結(jié)合到一個芯片中，離線、反激式、開關(guān)模式電源。在中負(fù)荷和重負(fù)荷下，調(diào)節(jié)器工作在具有
2023-06-06 15:37:143 硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄，器件生產(chǎn)中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機(jī)理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597 過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
AMT-CL301型在線二氧化氯變送器是帶微處理器的水質(zhì)在線監(jiān)測控制儀。通過二氧化氯電極對水溶液中的二氧化氯值及溫度值進(jìn)行連續(xù)監(jiān)測和控制。 特征 點(diǎn)陣液晶屏顯示； 中/英文智能菜單操作； 多種信號
2023-05-23 14:07:04138 
V850ES/HF2 硬件 (U17719EJ2V0UD00)
2023-05-04 19:35:530 HF/UHF接口 TBEN-L5-4RFID-8DXP-CDS 現(xiàn)場總線I/O模塊 TBEN-L4-4RFID-8DXP-CDS 5 ? 5 ? 5 提供RFID模塊，可通過PROFINET
2023-04-27 13:23:44673 馬赫內(nèi)托特殊陽極 (Magneto Special Anodes) 創(chuàng)立于1957年，是鈦基不溶性陽極技術(shù)的發(fā)明者和最早的制造商?？偛课挥诤商m，并在中國設(shè)立區(qū)域運(yùn)營中心，業(yè)務(wù)布局遍布全球。馬赫內(nèi)托采用高質(zhì)量的工藝技術(shù)和質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，致力于向全球客戶提供快捷的交付和專業(yè)的技術(shù)支持。
2023-04-24 14:33:471331 
的低成本工藝，通過在導(dǎo)體表面形成鎳層再在鎳層上形成一層薄薄的可焊金，即使在密集封裝的電路上也可形成一個具有良好可焊性的平整表面。ENIG工藝雖然保證了電鍍通孔（PTH）的完整性，但是也增加了高頻下導(dǎo)體
2023-04-19 11:53:15
的粗糙度大大增加，這將導(dǎo)致質(zhì)量文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁差柵氧化層擊穿性能。?SC-1清洗后的硅片粗糙度降低，采用雙氧水溶液和氫氟酸溶液循環(huán)處理，而不是只用hf清洗。 介紹 ? 硅超大規(guī)模集成電路技術(shù)要求超凈硅表面具有特征，即無污染物、無氧化物、
2023-04-19 10:01:00129 
根據(jù) dasp.in 中的參數(shù)intrinsic = T，DEC模塊將產(chǎn)生HfO2的本征缺陷，即生成HfO2/dec/Intrinsic_Defect計(jì)算目錄，在其下面分別有空位缺陷V_Hf，V_O，反位缺陷Hf_O，O_Hf，間隙位缺陷Hf_i
2023-04-18 10:58:561787 近日，上海玻璃鋼研究院有限公司的高級工程師趙中堅(jiān)沿著該思路，以純纖維狀α-Si3N4粉為主要原料，通過添加一定比例氧化物燒結(jié)助劑，經(jīng)冷等靜壓成型和氣氛保護(hù)無壓燒結(jié)工藝燒結(jié)制備出了能充分滿足高性能導(dǎo)彈天線罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:461274 在電鍍過程中，陽極發(fā)生氧化反應(yīng)從氫氧根上獲得電子產(chǎn)生氧氣，沒有陽極泥，只放出氧氣能使電鍍液中的金屬離子濃度分布保持在一個穩(wěn)定水平；（在解決脈沖對陽極壽命影響后，對于脈沖生產(chǎn)線有很大的好處，可以顯著提高產(chǎn)品品質(zhì)，減少保養(yǎng)成本，提高產(chǎn)品稼動率）。
2023-04-04 10:43:571314 電化學(xué)傳感器原理，與單片機(jī)進(jìn)行結(jié)合以及通過網(wǎng)絡(luò)通訊對檢測環(huán)境中采集到的空氣樣品進(jìn)行分析，空氣環(huán)境中存在的甲醛被酚試劑溶液吸收后，反應(yīng)生成嗪，嗪在酸性溶液中被顯色劑鐵離子氧化形成藍(lán)綠色化合物。此時我們可以根據(jù)顏
2023-03-31 15:54:25558 產(chǎn)品介紹：多孔質(zhì)超高分子量聚乙烯薄膜是WERS微爾斯新材料事業(yè)部開發(fā)的特殊微孔薄膜產(chǎn)品。首先將超高分子量聚乙烯粉末制成多孔成形體、然后通過對成形體的切削制成UHMW-PE多孔質(zhì)薄膜。該產(chǎn)品不單保持
2023-03-30 13:51:48719 
高頻陶瓷溶液
2023-03-28 18:21:12
10F60HF-220HF2L
2023-03-28 18:07:13
鋁型材采集盒 5ZXJ 350 355;AL 陽極氧化
2023-03-28 16:12:08
溝道表面的氧化釔薄膜由電子束蒸發(fā)鍍膜儀所蒸鍍的金屬釔加熱氧化形成，隨后在溝道表面蒸鍍金納米薄膜，金納米薄膜會自團(tuán)聚形成金顆粒，自此完成浮柵型碳納米管場效應(yīng)晶體管（FG-CNT-FET）的制備以及表面的金納米顆粒修飾。
2023-03-23 11:04:101455 根據(jù)兩個正向電阻值判斷三極管的基極的機(jī)理是什么？
2023-03-23 09:46:00
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