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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導體設備行業(yè)跟蹤報告:ALD技術進行薄膜沉積工藝優(yōu)勢

半導體設備行業(yè)跟蹤報告:ALD技術進行薄膜沉積工藝優(yōu)勢

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原子層沉積(Atomic layer deposition,ALD)是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學氣相沉積技術。
2023-06-15 16:19:215604

韞茂科技獲數(shù)億元融資,加快薄膜沉積設備量產(chǎn)

韞茂科技成立于2018年,致力于成為平臺形態(tài)的納米級薄膜沉積設備制造企業(yè)。目前擁有ald原子層沉積系統(tǒng)、pvd物理氣體沉積系統(tǒng)、cvd化學氣體沉積系統(tǒng)、uhv超高真空涂層設備等12種產(chǎn)品。
2023-06-28 10:41:031598

半導體行業(yè)關鍵技術ALD:這家公司是龍頭!

半導體制造過程中,每個半導體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝,前道工藝是整個制造過程中最為重要的部分,它關系到半導體芯片的基本結構和特性的形成,涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟,技術難點多,操作復雜。
2023-06-28 16:54:063340

半導體前端工藝沉積——“更小、更多”,微細化的關鍵(上)

半導體制程中,移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種,引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如,光刻工藝中的光刻膠涂敷,其實也是在基底上形成各種薄膜;又如氧化工藝中晶圓(硅)氧化,也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調(diào)“沉積工藝呢?
2023-06-29 16:58:371956

半導體前端工藝沉積工藝

在前幾篇文章(點擊查看),我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導體制程 。在上一篇我們說到,為制作巧克力夾心,需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分,然后倒入巧克力糖漿,再蓋上一層餅干層。“倒入巧克力糖漿”和“蓋上餅干層”的過程在半導體制程中就相當于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:172560

詳解半導體前端工藝沉積工藝

和在刻蝕工藝中一樣,半導體制造商在沉積過程中也會通過控制溫度、壓力等不同條件來把控膜層沉積的質(zhì)量。例如,降低壓強,沉積速率就會放慢,但可以提高垂直方向的沉積質(zhì)量。因為,壓強低表明設備內(nèi)反應氣體粒子
2023-07-02 11:36:404230

ALD是什么?半導體制造的基本流程

半導體制造過程中,每個半導體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝,前道工藝是整個制造過程中最為重要的部分,它關系到半導體芯片的基本結構和特性的形成,涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟,技術難點多,操作復雜。
2023-07-11 11:25:556657

技術前沿:原子層沉積ALD介紹

薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜,使之具有光學、電學等方面的特殊性能。
2023-07-13 09:10:4817165

半導體前端工藝沉積——“更小、更多”,微細化的關鍵

半導體制程中,移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種,引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如,光刻工藝中的光刻膠涂敷,其實也是在基底上形成各種薄膜;又如氧化工藝中晶圓(硅)氧化,也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調(diào)“沉積工藝呢?
2023-08-17 15:33:272485

傳日本更可能實施對光刻/薄膜沉積設備的出口管制;商湯科技多部門啟動裁員 最高幅度達15%,賠償N+2

熱點新聞 1、傳日本更可能實施對光刻/薄膜沉積設備的出口管制 據(jù)報道,隨著日本對華半導體設備出口禁令于7月23日正式生效,業(yè)內(nèi)普遍想知道這將對中國半導體行業(yè)產(chǎn)生的影響。此次出口管制共計23品類半導體
2023-08-28 16:45:012562

ALD技術工藝原理、優(yōu)勢及應用

面對真空鍍膜多元的應用市場,鍍膜技術的發(fā)展也從傳統(tǒng)的蒸發(fā)、電子束熱蒸發(fā)技術,相繼發(fā)展出PECVD、ALD原子層沉積技術、磁控濺射技術等等,技術地位日益凸顯。本報告嘉賓來自國內(nèi)半導體設備龍頭企業(yè)無錫邑
2023-10-18 11:33:4410264

半導體檢測設備行業(yè)專題報告.zip

半導體檢測設備行業(yè)專題報告
2023-01-13 09:06:486

半導體硅片行業(yè)深度報告.zip

半導體硅片行業(yè)深度報告
2023-01-13 09:06:498

半導體行業(yè)深度報告.zip

半導體行業(yè)深度報告
2023-01-13 09:06:5119

半導體設備系列研究-薄膜沉積設備.zip

半導體設備系列研究-薄膜沉積設備
2023-01-13 09:06:5211

行業(yè)專題報告_半導體檢測設備行業(yè)專題報告.zip

行業(yè)專題報告_半導體檢測設備行業(yè)專題報告
2023-01-13 09:07:464

半導體前端工藝(第五篇):沉積——“更小、更多”,微細化的關鍵

半導體前端工藝(第五篇):沉積——“更小、更多”,微細化的關鍵
2023-11-27 16:48:421467

半導體制造之薄膜工藝講解

薄膜沉積技術主要分為CVD和PVD兩個方向。 PVD主要用來沉積金屬及金屬化合物薄膜,分為蒸鍍和濺射兩大類,目前的主流工藝為濺射。CVD主要用于介質(zhì)/半導體薄膜,廣泛用于層間介質(zhì)層、柵氧化層、鈍化層等工藝。
2023-12-05 10:25:187931

薄膜電容的工藝與結構介紹

薄膜電容是一種常見的電子元件,其具有體積小、重量輕、容量大、可靠性高等優(yōu)點,廣泛應用于各種電子設備中。薄膜電容的工藝與結構對其性能和可靠性有著重要的影響。本文將對薄膜電容的工藝與結構進行詳細的介紹
2024-01-10 15:41:546424

流量控制器在半導體加工工藝化學氣相沉積(CVD)的應用

薄膜沉積是在半導體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料,比如絕緣化合物二氧化硅,半導體多晶硅、金屬銅等。用來鍍膜的這個設備就叫薄膜沉積設備。薄膜制備工藝按照其成膜方法可分為兩大類
2024-03-28 14:22:412150

周星工程研發(fā)ALD技術,引領半導體工藝革新

半導體技術日新月異的今天,韓國半導體廠商周星工程(Jusung Engineering)憑借其最新研發(fā)的原子層沉積ALD技術,再次在全球半導體行業(yè)中引起了廣泛關注。據(jù)韓媒報道,這項技術能夠在生產(chǎn)先進工藝芯片時顯著降低極紫外光刻(EUV)工藝步驟的需求,為半導體制造領域帶來了革命性的突破。
2024-07-17 10:25:082435

半導體靶材:推動半導體技術飛躍的核心力量

半導體靶材是半導體材料制備過程中的重要原料,它們在薄膜沉積、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)等多種技術中發(fā)揮著關鍵作用。本文將詳細介紹半導體靶材的種類以及它們在半導體產(chǎn)業(yè)中的作用和意義。
2024-09-02 11:43:251941

SOLMATES:準分子激光器推進脈沖激光沉積

挑戰(zhàn) 薄膜沉積技術應用于多種市場,例如 MEMS、半導體、光伏、OLED 顯示屏和用于 5G 通信的射頻濾波器。 新型復雜材料系統(tǒng)具有越來越重要的材料特性,這就要求對薄膜沉積技術進行不斷擴展和質(zhì)量
2024-09-19 06:22:28853

一文詳解半導體薄膜沉積工藝

半導體薄膜沉積工藝是現(xiàn)代微電子技術的重要組成部分。這些薄膜可以是金屬、絕緣體或半導體材料,它們在芯片的各個層次中發(fā)揮著不同的作用,如導電、絕緣、保護等。薄膜的質(zhì)量直接影響到芯片的性能、可靠性和成本。
2024-10-31 15:57:455179

半導體FAB中常見的五種CVD工藝

Hello,大家好,今天來分享下半導體FAB中常見的五種CVD工藝。 化學氣相沉積(CVD)主要是通過利用氣體混合的化學反應在硅片表面沉積一層固體膜的工藝。在 CVD 工藝過程中,化合物會進行充分
2025-01-03 09:47:3411820

原子層沉積ALD, Atomic Layer Deposition)詳解

? 本文介紹了什么是原子層沉積ALD, Atomic Layer Deposition)。 1.原理:基于分子層級的逐層沉積 ALD 是一種精確的薄膜沉積技術,其核心原理是利用化學反應的“自限性
2025-01-17 10:53:443522

半導體制造里的ALD工藝:比“精”更“精”!

半導體制造這一高度精密且不斷進步的領域,每一項技術都承載著推動行業(yè)發(fā)展的關鍵使命。原子層沉積(Atomic Layer Deposition,簡稱ALD工藝,作為一種先進的薄膜沉積技術,正逐漸成為半導體制造中不可或缺的一環(huán)。本文將深入探討半導體中為何會用到ALD工藝,并分析其獨特優(yōu)勢和應用場景。
2025-01-20 11:44:444406

ALD和ALE核心工藝技術對比

ALD 和 ALE 是微納制造領域的核心工藝技術,它們分別從沉積和刻蝕兩個維度解決了傳統(tǒng)工藝在精度、均勻性、選擇性等方面的挑戰(zhàn)。兩者既互補又相輔相成,未來在半導體、光子學、能源等領域的聯(lián)用將顯著加速
2025-01-23 09:59:542208

半導體薄膜沉積技術優(yōu)勢和應用

半導體制造業(yè)這一精密且日新月異的舞臺上,每一項技術都是推動行業(yè)躍進的關鍵舞者。其中,原子層沉積ALD技術,作為薄膜沉積領域的一顆璀璨明星,正逐步成為半導體工藝中不可或缺的核心要素。本文旨在深度剖析為何半導體制造對ALD技術情有獨鐘,并揭示其獨特魅力及廣泛應用。
2025-01-24 11:17:211922

碳化硅薄膜沉積技術介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學與機械性能以及廣泛的應用前景而受到關注。
2025-02-05 13:49:121953

揭秘半導體電鍍工藝

定向沉積在晶圓表面,從而構建高精度的金屬互連結構。 從鋁到銅,芯片互連的進化之路: 隨著芯片制造工藝不斷精進,芯片內(nèi)部的互連線材料也從傳統(tǒng)的鋁逐漸轉向銅。半導體鍍銅設備因此成為芯片制造中的“明星設備”。 銅的優(yōu)勢:銅導線擁有更低的電阻,可以有效降低芯片
2025-05-13 13:29:562532

半導體外延和薄膜沉積有什么不同

半導體外延和薄膜沉積是兩種密切相關但又有顯著區(qū)別的技術。以下是它們的主要差異:定義與目標半導體外延核心特征:在單晶襯底上生長一層具有相同或相似晶格結構的單晶薄膜(外延層),強調(diào)晶體結構的連續(xù)性和匹配
2025-08-11 14:40:061537

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