摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強(qiáng)原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進(jìn)行，例如在大約23丁和 大約200V之間
2022-02-07 14:01:26
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CVD 技術(shù)是一種在真空環(huán)境中通過(guò)襯底表面化學(xué)反應(yīng)來(lái)進(jìn)行薄膜生長(zhǎng)的過(guò)程，較短的工藝時(shí)間以及所制備薄膜的高致密性，使 CVD 技術(shù)被越來(lái)越多地應(yīng)用于薄膜封裝工藝中無(wú)機(jī)阻擋層的制備。
2025-05-14 10:18:571205 
原子層刻蝕和沉積工藝利用自限性反應(yīng)，提供原子級(jí)控制。 泛林集團(tuán)先進(jìn)技術(shù)發(fā)展事業(yè)部公司副總裁潘陽(yáng)博士 分享了他對(duì)這個(gè)話題的看法。 技術(shù)節(jié)點(diǎn)的每次進(jìn)步都要求對(duì)制造工藝變化進(jìn)行更嚴(yán)格的控制。最先進(jìn)的工藝
2021-02-08 10:53:009515 
原子層沉積技術(shù)（Atomic layer deposition， ALD）近年在集成電路制程設(shè)備產(chǎn)業(yè)中受到相當(dāng)大的矚目，對(duì)比于其他在線鍍膜系統(tǒng)，原子層沉積技術(shù)具有更優(yōu)越的特點(diǎn)，如絕佳的鍍膜批覆性以及
2021-02-05 15:23:176101 
單晶圓系統(tǒng)也能進(jìn)行多晶硅沉積。這種沉積方法的好處之一在于能夠臨場(chǎng)進(jìn)行多晶硅和鎢硅化物沉積。DRAM芯片中通常使用由多晶硅-鈞硅化物形成的疊合型薄膜作為柵極、局部連線及單元連線。臨場(chǎng)多晶硅/硅化物沉積
2022-09-30 11:53:002261 進(jìn)行MEMS制造的最基本需求是能夠沉積1到100微米之間的材料薄膜。NEMS的制造過(guò)程是基本一致的，膜沉積的測(cè)量范圍從幾納米到一微米。
2022-10-11 09:12:592651 薄膜沉積工藝技術(shù)介紹 薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料，比如絕緣化合物二氧化硅，半導(dǎo)體多晶硅、金屬銅等。從半導(dǎo)體芯片制作工藝流程來(lái)說(shuō)，位于前道工藝中。 隨著
2024-11-01 11:08:074395 泛林集團(tuán) （Nasdaq:LRCX） 宣布推出一款全新的工藝方案——先進(jìn)的Striker? FE平臺(tái)——用于制造高深寬比的芯片架構(gòu)。S
2020-09-23 11:50:101012 沉積技術(shù)是推進(jìn)存儲(chǔ)器件進(jìn)步的關(guān)鍵要素。但隨著3D NAND堆棧的出現(xiàn)，現(xiàn)有填充方法的局限性已開始凸顯。
2021-02-22 14:15:182571 聽上去很高大上的“薄膜沉積”到底是什么？ 簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)：薄膜沉積就是幫芯片“貼膜”的。 薄膜沉積（Thin Film Deposition）是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜，再配合蝕刻和拋光等工藝
2025-04-16 14:25:091064 
比較厚的金屬或合金薄膜[2]。應(yīng)用于MEMS器件中的微電鍍與以防腐和美觀為目的的普通電鍍?cè)?b class="flag-6" style="color: red">一樣，同屬于電化學(xué)范疇，除膜厚度不受限制外，它還具有生產(chǎn)周期短、設(shè)備簡(jiǎn)單、易于操作等優(yōu)點(diǎn)，可以大大降低MEMS工藝薄膜沉積的成本，有利于產(chǎn)業(yè)化。
2019-07-04 08:14:01
的解決方案 泛林集團(tuán)通過(guò)其獨(dú)有的Durendal?工藝解決這一問(wèn)題。該工藝可以產(chǎn)出優(yōu)質(zhì)、光滑的大型銅柱頂部表面，整個(gè)晶圓上的大型銅柱高度也非常均勻。整套Durendal?工藝可以在SABRE? 3D設(shè)備上
2020-07-07 11:04:42
）110100100010-910-310-410-510-610-710-110-210-310-410-510110-110-210-3103102101 另一方面，在濺射工藝中，沉積速率一般比蒸發(fā)低2個(gè)數(shù)量級(jí)，而壓力比蒸發(fā)高4個(gè)數(shù)量級(jí)，因此所沉積的薄膜含有較高的氧。正是這個(gè)原因?yàn)R射不像蒸發(fā)那樣被認(rèn)為是一種清潔的薄膜制備方法
2016-12-08 11:08:43
。 6.氣相沉積系統(tǒng)（GIS）：FIB加工前為材料提供保護(hù)層，或用于材料精加工。 Dual Beam FIB-SEM制樣： FIB主要用于材料微納結(jié)構(gòu)的樣品制備，包括：TEM樣品制備、材料微觀截面截取
2017-06-29 14:16:04
。 6.氣相沉積系統(tǒng)（GIS）：FIB加工前為材料提供保護(hù)層，或用于材料精加工。 Dual Beam FIB-SEM制樣： FIB主要用于材料微納結(jié)構(gòu)的樣品制備，包括：TEM樣品制備、材料微觀截面截取
2017-06-29 14:20:28
。 6.氣相沉積系統(tǒng)（GIS）：FIB加工前為材料提供保護(hù)層，或用于材料精加工。 Dual Beam FIB-SEM制樣： FIB主要用于材料微納結(jié)構(gòu)的樣品制備，包括：TEM樣品制備、材料微觀截面截取
2017-06-29 14:24:02
推出Dual Beam FIB-SEM制樣業(yè)務(wù)，并介紹Dual Beam FIB-SEM在材料科學(xué)領(lǐng)域的一些典型應(yīng)用，包括透射電鏡( TEM)樣品制備，材料微觀截面截取與觀察、樣品微觀刻蝕與沉積以及
2017-06-28 16:45:34
。 5.納米操縱手：用于超薄樣品（納米級(jí)）固定轉(zhuǎn)移及精細(xì)加工。 6.氣相沉積系統(tǒng)（GIS）：FIB加工前為材料提供保護(hù)層，或用于材料精加工。 Dual Beam FIB-SEM制樣： FIB主要用于材料微
2017-06-28 16:40:31
。 5.納米操縱手：用于超薄樣品（納米級(jí)）固定轉(zhuǎn)移及精細(xì)加工。 6.氣相沉積系統(tǒng)（GIS）：FIB加工前為材料提供保護(hù)層，或用于材料精加工。 Dual Beam FIB-SEM制樣： FIB主要用于材料微
2017-06-28 16:50:34
轉(zhuǎn)移及精細(xì)加工。 6.氣相沉積系統(tǒng)（GIS）：FIB加工前為材料提供保護(hù)層，或用于材料精加工。 Dual Beam FIB-SEM制樣： FIB主要用于材料微納結(jié)構(gòu)的樣品制備，包括：TEM樣品制備、材料
2017-06-29 14:08:35
太陽(yáng)能電池可分為三類：?jiǎn)尉Ч杼?yáng)能電池、多晶硅太陽(yáng)能電池和薄膜太陽(yáng)能電池三種。非晶硅薄膜就是相對(duì)于單晶硅和多晶硅來(lái)說(shuō)的。薄膜太陽(yáng)電池作為一種新型太陽(yáng)能電池，由于其原材料來(lái)源廣泛、生產(chǎn)成本低、便于大規(guī)模
2016-01-29 15:46:43
應(yīng)用材料((Applied Materials Inc., AMAT)公司日前宣布在Endura Volta CVD Cobalt系統(tǒng)中通過(guò)化學(xué)氣相沉積方法，在銅互連工藝中成功實(shí)現(xiàn)鈷薄膜沉積。這一
2014-07-12 17:17:04
請(qǐng)問(wèn)一下8寸 原子層沉積設(shè)備ALD，單晶片。國(guó)內(nèi)設(shè)備大約在什么價(jià)位?。?
2023-06-16 11:12:27
，而且往往會(huì)充填到板厚度的100％以上。本章的網(wǎng)板設(shè)計(jì)部分將提供用于焊接定位孔的另一種可 行方法?！ 「鶕?jù)生產(chǎn)的特定組件，可使用不同的工藝步驟。最便利和最高成本效益的工藝是設(shè)計(jì)一個(gè)同時(shí)適合 SMC和異形
2018-11-22 11:01:02
中圖儀器NS系列沉積薄膜高度臺(tái)階儀能夠測(cè)量納米到330μm或1050μm的臺(tái)階高度，可以準(zhǔn)確測(cè)量蝕刻、濺射、SIMS、沉積、旋涂、CMP等工藝期間沉積或去除的材料。NS系列沉積薄膜高度臺(tái)階儀主要用于
2024-10-09 15:59:48
半導(dǎo)體制程之薄膜沉積
在半導(dǎo)體組件工業(yè)中，為了對(duì)所使用的材料賦與某種特性，在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用，假如
2009-03-06 17:14:586630 
硅單晶(或多晶)薄膜的沉積
硅（Si）單晶薄膜是利用氣相外延(VPE)技術(shù)，在一塊單晶Si 襯底上沿其原來(lái)的結(jié)晶軸方向，生長(zhǎng)一層導(dǎo)電類型
2009-03-09 13:23:4110170 由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優(yōu)點(diǎn)，ALD（原子層淀積）技術(shù)早從21世紀(jì)初即開始應(yīng)用于半導(dǎo)體加工制造。DRAM電容的高k介電質(zhì)沉積率先采用此技術(shù)，但近來(lái)ALD在其它半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域也已發(fā)展
2018-02-13 03:16:0027388 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)宣布其自維護(hù)設(shè)備創(chuàng)下半導(dǎo)體行業(yè)工藝流程生產(chǎn)率的新標(biāo)桿。通過(guò)與領(lǐng)先半導(dǎo)體制造商合作，泛林集團(tuán)成功實(shí)現(xiàn)了刻蝕工藝平臺(tái)全年無(wú)間斷運(yùn)行。
2019-05-15 17:49:271505 CMOS器件是在硅材料上逐層制作而成的。雖然蝕刻和沉積是標(biāo)準(zhǔn)工藝，但它們主要使用光刻和等離子蝕刻在裸片上創(chuàng)建圖案。另一方面，MEMS是采用體硅加工工藝嵌入到硅中，或通過(guò)表面微加工技術(shù)在硅的頂部形成。
2020-09-01 11:21:324666 沉積是半導(dǎo)體制造工藝中的一個(gè)非常重要的技術(shù)，其是一連串涉及原子的吸附、吸附原子在表面擴(kuò)散及在適當(dāng)?shù)奈恢孟戮劢Y(jié)，以漸漸形成薄膜并成長(zhǎng)的過(guò)程。在一個(gè)新晶圓投資建設(shè)中，晶圓廠80%的投資用于購(gòu)買設(shè)備。其中，薄膜沉積設(shè)備是晶圓制造的核心步驟之一，占據(jù)著約25%的比重。
2020-09-07 15:50:108180 
）及化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝已經(jīng)無(wú)法滿足極小尺寸下良好的臺(tái)階覆蓋要求，而控制納米級(jí)別厚度的高質(zhì)量超薄膜層制備也成為技術(shù)難點(diǎn)。 原子層沉積（ALD）是一種可以將物質(zhì)以單原子膜的形式，一層一層鍍?cè)诨妆砻娴南冗M(jìn)沉積技術(shù)。一個(gè)
2021-04-17 09:43:2123544 
業(yè)界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積（ALD）、物理式真空鍍膜（PVD）和化學(xué)式真空鍍膜（CVD）等，其中ALD屬于CVD的一種，屬于當(dāng)下最先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)。
2021-09-03 11:12:421617 
薄膜集成電路是使用了薄膜工藝在藍(lán)寶石、石英玻璃、陶瓷、覆銅板基片上制作電路元、器件及其接線，最后進(jìn)行封裝而成的。 集成電路薄膜沉積工藝可以分為三類，為物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD
2021-12-22 16:41:069492 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強(qiáng)原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進(jìn)行，例如在大約23丁和 大約200V之間或者在
2022-02-15 11:11:144832 
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