本文主要對(duì)接觸式三維測(cè)量和非接觸式三維測(cè)量進(jìn)行了介紹。著重介紹了光學(xué)三維測(cè)量技術(shù)的各種實(shí)現(xiàn)方法及原理。最后對(duì)目前光學(xué)三維測(cè)量的應(yīng)用進(jìn)行了簡(jiǎn)單介紹。
2022-07-13 10:09:28
4794 壓印光刻是許多新興應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)，例如微光學(xué)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)、MEMS和光電傳感器;但它是什么以及它是如何工作的?
2022-07-25 16:15:072070 
關(guān)于紅外雨量計(jì)（光學(xué)雨量傳感器）的紅外光學(xué)測(cè)量技術(shù) 紅外雨量計(jì)是一種常用的雨量測(cè)量設(shè)備，它通過(guò)紅外光學(xué)測(cè)量技術(shù)來(lái)測(cè)量雨量。紅外光學(xué)測(cè)量技術(shù)是指利用光學(xué)原理和儀器對(duì)物體的紅外輻射進(jìn)行測(cè)量、分析和處理
2023-08-11 14:50:301661 
雙光子光刻技術(shù)能夠精確制備三維結(jié)構(gòu)，并將其精準(zhǔn)集成在光電芯片上，能夠在光纖-芯片以及芯片-芯片之間，構(gòu)建大帶寬、低損耗的光信號(hào)鏈路，實(shí)現(xiàn)光信號(hào)的高效互連，降低封裝過(guò)程的對(duì)準(zhǔn)精度，給光學(xué)芯片的封裝過(guò)程帶來(lái)了全新的機(jī)遇。
2023-11-06 14:36:301813 
在關(guān)鍵尺寸的在線(xiàn)量測(cè)環(huán)節(jié)，所運(yùn)用的設(shè)備主要涵蓋 CD-SEM 以及 OCD（optical critical dimention，光學(xué)關(guān)鍵尺寸）量測(cè)設(shè)備。
2025-03-06 16:42:103469 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線(xiàn)、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃
2012-01-12 10:51:59
300~500nmKrF：波長(zhǎng)248.8nmArF：波長(zhǎng)193nm衍射效應(yīng)對(duì)光刻圖案的影響左圖是理想的光強(qiáng)分布，由于光的衍射效應(yīng)，實(shí)際的光強(qiáng)分布如右圖所示。當(dāng)光的波長(zhǎng)與mask的特征尺寸可比時(shí)，會(huì)產(chǎn)生明顯的衍射效應(yīng)。如上圖所示，透過(guò)mask的光相互疊加，使得不該受到光照的區(qū)域被曝光。
2014-09-26 10:35:02
光刻掩膜設(shè)計(jì)與加工制造服務(wù)，請(qǐng)問(wèn)可以加工二元光學(xué)器件嗎？相位型光柵那種.
2024-04-22 06:24:37
。 為什么需要EUV光刻？ EUV的優(yōu)勢(shì)之一是減少了芯片處理步驟，而使用EUV代替?zhèn)鹘y(tǒng)的多重曝光技術(shù)將大大減少沉積、蝕刻和測(cè)量的步驟。目前EUV技術(shù)主要運(yùn)用在邏輯工藝制程中，這導(dǎo)致了2019年訂單
2020-07-07 14:22:55
文章編號(hào)：1003-353X(2005)06-0032-051 引言作為微電子技術(shù)核心的集成電路制造技術(shù)是電子工業(yè)的基礎(chǔ)，其發(fā)展更新的速度是其他產(chǎn)業(yè)無(wú)法企及的。在集成電路制作過(guò)程中，光刻是其關(guān)鍵工藝[1
2018-08-23 11:56:31
光學(xué)3D表面輪廓儀是基于白光干涉技術(shù)，結(jié)合精密Z向掃描模塊、3D 建模算法等快速、準(zhǔn)確測(cè)量物體表面的形狀和輪廓的檢測(cè)儀器。它利用光學(xué)投射原理，通過(guò)光學(xué)傳感器對(duì)物體表面進(jìn)行掃描，并根據(jù)反射光的信息來(lái)
2023-08-21 13:41:46
` 隨著傳感器技術(shù)、計(jì)算機(jī)應(yīng)用技術(shù)、超大規(guī)模集成電路技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)通信技術(shù)的發(fā)展，光學(xué)測(cè)徑儀被廣泛的應(yīng)用于外徑檢測(cè)當(dāng)中，測(cè)徑儀隨著傳感器技術(shù)的愈加成熟，測(cè)量精度更高，測(cè)量更準(zhǔn)確，更適合現(xiàn)代化的生產(chǎn)工藝
2018-11-02 09:24:10
性化，可于不同倍率/不同光源下精密量測(cè)，知名度享譽(yù)世界及同業(yè)，且為美國(guó)第一大視覺(jué)量測(cè)制造廠(chǎng)?！ ?、光學(xué)影像檢測(cè)系統(tǒng)的作用 光學(xué)影像測(cè)量系統(tǒng)為現(xiàn)代制造機(jī)械的關(guān)鍵性設(shè)備，并廣泛應(yīng)用于機(jī)器視覺(jué)應(yīng)用領(lǐng)域，如
2012-08-07 22:14:19
成都力得納光科技有限公司本公司本著“誠(chéng)信，創(chuàng)新”的原則，長(zhǎng)期從事光學(xué)微結(jié)構(gòu)產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計(jì)及生產(chǎn)制作 ，擁有專(zhuān)業(yè)的研發(fā)設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)及良好的社會(huì)資源。公司承接業(yè)務(wù)范圍：光刻復(fù)制、激光直寫(xiě)、微納結(jié)構(gòu)刻蝕傳遞
2016-06-23 16:14:13
光學(xué)測(cè)試技術(shù)光學(xué)測(cè)試技術(shù)
2012-11-20 16:47:57
現(xiàn)象在 1946 年由 Frank 和 Ginzburg 從理論上給予了預(yù)言[ 1] , 隨著測(cè)試技術(shù)的進(jìn)步、測(cè)量設(shè)備的更新和加速器研制的需要, 1975 年光學(xué)渡越輻射開(kāi)始被用來(lái)測(cè)量和診斷電子束的束
2018-03-14 09:25:53
光學(xué)透過(guò)率測(cè)量儀（也稱(chēng)為光透過(guò)率檢測(cè)儀）是一種專(zhuān)門(mén)用于測(cè)量材料透光率的儀器。以下是對(duì)其技術(shù)原理和應(yīng)用場(chǎng)景的詳細(xì)解析：技術(shù)原理光學(xué)透過(guò)率測(cè)量儀的技術(shù)原理主要基于光的透射原理。當(dāng)光線(xiàn)通過(guò)物質(zhì)時(shí)，會(huì)發(fā)
2024-10-16 14:38:31
CCD光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)原理
2012-07-20 22:57:56
在DDRx里面經(jīng)常會(huì)被一些縮寫(xiě)誤擾，如OCD、OCT和ODT，我想有同樣困擾的大有人在，今天還是繼續(xù)上一篇的關(guān)鍵技術(shù)來(lái)介紹一下大家的這些困擾吧。片外驅(qū)動(dòng)調(diào)校OCD（Off-Chip Driver
2016-08-31 11:36:41
利用CCD進(jìn)行光學(xué)測(cè)量，想知道ccd拍攝圖像的灰度值與相面上的照度和曝光時(shí)間有什么關(guān)系？知道了想灰度值、曝光時(shí)間等參數(shù)怎樣求得相面上的照度
2013-07-08 19:54:50
三種常見(jiàn)的光刻技術(shù)方法根據(jù)暴光方法的不同,可以劃分為接觸式光刻,接近式光刻和投影式光刻三種光刻技術(shù)。 ◆投影式暴光是利用透鏡或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上的暴光方法.在這種暴光方法中,由于掩膜
2012-01-12 10:56:23
測(cè)物體通過(guò)物鏡成像在CCD目標(biāo)表面上，而信號(hào)則由物鏡輸出，適當(dāng)?shù)靥幚鞢CD，提取測(cè)量對(duì)象的幾何信息，結(jié)合光學(xué)系統(tǒng)的變換特性，最后計(jì)算出測(cè)量尺寸。與普通的測(cè)量方法相比，使用CCD視覺(jué)檢測(cè)技術(shù)進(jìn)行測(cè)量
2021-04-10 11:38:28
什么是光學(xué)模數(shù)轉(zhuǎn)換器？光學(xué)模數(shù)轉(zhuǎn)換器的主要技術(shù)指標(biāo)光學(xué)模數(shù)轉(zhuǎn)換器的研究進(jìn)展光學(xué)模數(shù)轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用
2021-04-20 06:52:52
什么是RF MEMS？有哪些關(guān)鍵技術(shù)與器件？微電子機(jī)械系統(tǒng)(MicroElectroMechanicalSystem)，簡(jiǎn)稱(chēng)MEMS，是以微電子技術(shù)為基礎(chǔ)而興起發(fā)展的，以硅、砷化鎵、藍(lán)寶石等為襯底
2019-08-01 06:17:43
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)國(guó)科大）微電子學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院，國(guó)科大微電子學(xué)院開(kāi)設(shè)的《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》課程是國(guó)內(nèi)少有的研究討論光刻技術(shù)的研究生課程，而開(kāi)設(shè)課程
2021-10-14 09:58:07
優(yōu)勢(shì)在于測(cè)量大批量小型精密零部件，這對(duì)于質(zhì)量控制和生產(chǎn)流程的優(yōu)化至關(guān)重要。
圖像尺寸測(cè)量儀適用于哪些零部件？
1、圖像尺寸測(cè)量儀適用于各類(lèi)機(jī)械零部件。
采用機(jī)器視覺(jué)技術(shù)，結(jié)合高精度圖像分析算法，并融入
2023-09-11 16:44:36
微型光學(xué)***模組，集感應(yīng)測(cè)量光路、微型機(jī)械構(gòu)造和數(shù)字/模擬微電子集成電路于一體，是高度微型化的機(jī)電一體化人機(jī)輸入模塊，其核心技術(shù)是光學(xué)***OFN（Optical Finger
2020-03-10 07:49:47
求一款大尺寸LCD光學(xué)量測(cè)系統(tǒng)的應(yīng)用方案
2021-06-01 07:14:32
【作者】：王艷茹;李斌成;劉明強(qiáng);【來(lái)源】：《強(qiáng)激光與粒子束》2010年02期【摘要】：采用格林函數(shù)法,考慮徑向邊界條件和對(duì)流熱損失,理論上求解了有限尺寸高反射光學(xué)元件在激光作用下的熱傳導(dǎo)方程
2010-04-22 11:40:34
耳塞式光學(xué)心率測(cè)量
2021-01-21 06:56:41
我想使用 L6474 STATUS 寄存器的 OCD 標(biāo)志來(lái)檢測(cè)步進(jìn)電機(jī)受阻時(shí)機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)的結(jié)束。但是我們?cè)谶@樣做時(shí)遇到了一些麻煩。如果 OCD_TH 中的電流小于 TVAL 中的電流，則在運(yùn)動(dòng)開(kāi)始時(shí)
2022-12-07 07:54:35
期間內(nèi)外良好的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)性?！ 」庾V-物理獨(dú)特的腔外倍頻技術(shù)是全固體Q激光里面的最高品質(zhì)。另外激光器關(guān)鍵器件諸如泵浦二極管、光纖、shutter、輸出窗口等是可以簡(jiǎn)單的現(xiàn)場(chǎng)維修更換的，這就使得光譜-物理
2011-12-01 11:48:46
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻機(jī)作為集成電路制造中最關(guān)鍵的設(shè)備，對(duì)芯片制作工藝有著決定性的影響，被譽(yù)為“超精密制造技術(shù)皇冠上的明珠”，根據(jù)之前中芯國(guó)際的公報(bào)，目...
2021-07-29 09:36:46
投影儀、影像測(cè)量儀等在效率上難以滿(mǎn)足用戶(hù)的測(cè)量需求。 全自動(dòng)尺寸測(cè)量儀器將高精度遠(yuǎn)心光學(xué)鏡頭與智能化圖像處理技術(shù)相結(jié)合，并融入一鍵閃測(cè)原理，精度達(dá)到微米級(jí)
2022-06-14 15:26:37
中圖儀器基于3D光學(xué)成像測(cè)量非接觸、操作簡(jiǎn)單、速度快等優(yōu)點(diǎn)，以光學(xué)測(cè)量技術(shù)創(chuàng)新為發(fā)展基礎(chǔ)，研發(fā)出了常規(guī)尺寸光學(xué)3D測(cè)量儀、微觀(guān)尺寸光學(xué)3D測(cè)量儀、大尺寸光學(xué)3D測(cè)量儀等，能提供從納米到百米的精密測(cè)量
2023-04-21 11:32:11
GK-1000光刻掩膜版測(cè)溫儀，光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)測(cè)溫儀光刻機(jī)是一種用于微納米加工的設(shè)備，主要用于制造集成電路、光電子器件、MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）等微細(xì)結(jié)構(gòu)。光刻機(jī)是一種光學(xué)投影技術(shù)，通過(guò)將光線(xiàn)通過(guò)
2023-07-07 11:46:07
提要：本文討論了光學(xué)光刻中的離軸照明技術(shù)。主要從改善光刻分辨率、增大焦深、提高空間像對(duì)比度等方面對(duì)離軸照明與傳統(tǒng)照明作了比較，并用 仿真軟件進(jìn)行了模擬分析。研
2010-11-11 15:45:02
0 LED光學(xué)參數(shù)的測(cè)量技術(shù)和國(guó)家光度標(biāo)準(zhǔn)
2010-12-27 17:14:47115 納米級(jí)測(cè)量的檢測(cè)儀器。SuperViewW一鍵三維形貌光學(xué)檢測(cè)輪廓儀能以3D非接觸方式，測(cè)量分析樣品表面形貌的關(guān)鍵參數(shù)和尺寸，典型結(jié)果包括：表面形貌（粗糙度，平面度
2024-07-17 14:16:41
中圖儀器SuperViewW微觀(guān)形貌幾何尺寸光學(xué)輪廓測(cè)量儀以白光干涉技術(shù)為原理、結(jié)合精密Z向掃描模塊、3D 建模算法等，以3D非接觸方式，測(cè)量分析樣品表面形貌的關(guān)鍵參數(shù)和尺寸?？蓽y(cè)各類(lèi)從超光滑到粗糙
2024-07-26 16:15:05
OCD TMS570 CortexR4
2017-10-26 09:14:0317 光學(xué)光刻是通過(guò)廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫(huà)在涂有光刻膠的硅片上，通過(guò)光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得
2018-04-17 16:07:4135720 光刻技術(shù)是集成電路最重要的加工工藝。在整個(gè)芯片制造工藝中，幾乎每個(gè)工藝的實(shí)施，都離不開(kāi)光刻技術(shù)。光刻也是制造芯片的最關(guān)鍵技術(shù)，占芯片制造成本的35%以上。
2018-04-22 17:54:004076 和汞燈作為曝光光源，其特征尺寸在微米級(jí)以上。90年代以來(lái)，為了適應(yīng)IC集成度逐步提高的要求，相繼出現(xiàn)了g譜線(xiàn)、h譜線(xiàn)、I譜線(xiàn)光源以及KrF、ArF等準(zhǔn)分子激光光源。目前光學(xué)光刻技術(shù)的發(fā)展方向主要表現(xiàn)
2018-06-27 15:43:5013171 Ｘ射線(xiàn)投影光刻的無(wú)污染激光等離子體光源、高分辨率大視場(chǎng)投影光學(xué)系統(tǒng)、無(wú)應(yīng)力光學(xué)裝調(diào)工藝、深亞納米級(jí)鏡面加工和多層膜制備、低缺陷反射式掩膜、表面成像光刻膠、精密掃描機(jī)構(gòu)等關(guān)鍵技術(shù)均取得了突破
2019-01-02 16:32:2329613 光刻是集成電路最重要的加工工藝，他的作用，如同金工車(chē)間中車(chē)床的作用。在整個(gè)芯片制造工藝中，幾乎每個(gè)工藝的實(shí)施，都離不開(kāi)光刻的技術(shù)。光刻也是制造芯片的最關(guān)鍵技術(shù)，他占芯片制造成本的35%以上。在如今的科技與社會(huì)發(fā)展中，光刻技術(shù)的增長(zhǎng)，直接關(guān)系到大型計(jì)算機(jī)的運(yùn)作等高科技領(lǐng)域。
2019-02-25 10:07:536886 光刻是集成電路最重要的加工工藝，他的作用，如同金工車(chē)間中車(chē)床的作用。在整個(gè)芯片制造工藝中，幾乎每個(gè)工藝的實(shí)施，都離不開(kāi)光刻的技術(shù)。光刻也是制造芯片的最關(guān)鍵技術(shù)，他占芯片制造成本的35%以上。在如今的科技與社會(huì)發(fā)展中，光刻技術(shù)的增長(zhǎng)，直接關(guān)系到大型計(jì)算機(jī)的運(yùn)作等高科技領(lǐng)域。
2019-12-21 09:58:4023322 海洋光學(xué)的光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)，可用于LED、燈、平板顯示器、其它輻射源及太陽(yáng)輻射的光譜輻射分析。新型的Jaz-ULM-200尺寸小巧，擁有強(qiáng)大的微處理器和低功耗顯示面板。它使用方便，用途廣泛，可以替代標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)計(jì)量?jī)x和輻射計(jì)量?jī)x。
2020-08-20 14:09:291099 作為光刻工藝中最重要設(shè)備之一，光刻機(jī)一次次革命性的突破，使大模集成電路制造技術(shù)飛速向前發(fā)展。了解提高光刻機(jī)性能的關(guān)鍵技術(shù)以及了解下一代光刻技術(shù)的發(fā)展情況是十分重要的。 光刻機(jī) 光刻機(jī)（Mask
2020-08-28 14:39:0415066 
光刻機(jī)被業(yè)界譽(yù)為集成電路產(chǎn)業(yè)皇冠上的明珠，其研發(fā)的技術(shù)門(mén)檻和資金門(mén)檻非常高，全球光刻機(jī)主要制造廠(chǎng)商主要包括荷蘭的 ASML、日本的 Nikon、日本的 Cannon、美國(guó)的 Ultratech 以及
2020-09-02 17:41:006641 
導(dǎo)讀：光刻是集成電路最重要的加工工藝，他的作用，如同金工車(chē)間中車(chē)床的作用。光刻是制造芯片的最關(guān)鍵技術(shù)，在整個(gè)芯片制造工藝中，幾乎每個(gè)工藝的實(shí)施，都離不開(kāi)光刻的技術(shù)。 光刻機(jī)的工作原理： 利用光刻
2022-12-23 13:34:5410099 近兩年來(lái)，芯片制造成為了半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的焦點(diǎn)。芯片制造離不開(kāi)光刻機(jī)，而光刻技術(shù)則是光刻機(jī)發(fā)展的重要推動(dòng)力。在過(guò)去數(shù)十載的發(fā)展中，光刻技術(shù)也衍生了多個(gè)分支，除了光刻機(jī)外，還包括光源、光學(xué)元件、光刻膠等材料設(shè)備，也形成了極高的技術(shù)壁壘和錯(cuò)綜復(fù)雜的產(chǎn)業(yè)版圖。
2020-11-27 16:03:3621975 光刻技術(shù)的進(jìn)步使得器件的特征尺寸不斷減小，芯片的集成度和性能不斷提高。在摩爾定律的引領(lǐng)下,光學(xué)光刻技術(shù)經(jīng)歷了接觸/接近、等倍投影、縮小步進(jìn)投影、步進(jìn)掃描投影等曝光方式的變革。
2020-12-14 15:06:448831 集成電路設(shè)計(jì)發(fā)展到超深亞微米，其特征尺寸越來(lái)越小，并趨近于曝光系統(tǒng)的理論極限，光刻后硅片表面的成像將產(chǎn)生嚴(yán)重的畸變，即產(chǎn)生光學(xué)鄰近效應(yīng)（Optical Proximity Effect）。隨著光刻
2021-04-19 14:21:0215185 
OCD ICE 修復(fù)說(shuō)明
2022-06-26 09:46:280 已全部加載完成
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