1 后摩爾時代，先進封裝成為提升芯片性能重要解法

1.1 摩爾定律放緩，先進封裝日益成為提升芯片性能重要手段 隨著摩爾定律放緩，芯片特征尺寸接近物理極限，先進封裝成為提升芯片性能，延續(xù)摩爾定律的重要手段。

先進封裝是指處于前沿的封裝形式和技術(shù)，通過優(yōu)化連接、在同一個封裝內(nèi)集成不同材料、線寬的半導(dǎo)體集成電路和器件等方式，提升集成電路的連接密度和集成度。當(dāng)前全球芯片制程工藝已進入3-5nm區(qū)間，接近物理極限，先進制程工藝芯片的設(shè)計難度、工藝復(fù)雜度和開發(fā)成本大幅增加，摩爾定律逐漸失效，半導(dǎo)體行業(yè)進入“后摩爾時代”。前道制程工藝發(fā)展受限，但隨著AI等新興應(yīng)用場景快速發(fā)展，芯片性能要求日益提高，越來越多集成電路企業(yè)轉(zhuǎn)向后道封裝工藝尋求先進技術(shù)方案，以確保產(chǎn)品性能的持續(xù)提升。先進封裝技術(shù)應(yīng)運而生，在“后摩爾時代”逐步發(fā)展為推動芯片性能提升的主要研發(fā)方向。 先進封裝有多種分類標(biāo)準(zhǔn)，是否有焊線或光刻工序是其中一種區(qū)分方式。傳統(tǒng)封裝不涉及光刻工序，切割后的晶圓通過焊線工藝實現(xiàn)芯片與引線框架的電性連接，從而完成芯片內(nèi)外部的連通。先進封裝主要利用光刻工序?qū)崿F(xiàn)線路重排（RDL）、凸塊制作（Bumping）及三維硅通孔（TSV）等工藝技術(shù)，涉及涂膠、曝光、顯影、電鍍、去膠、蝕刻等工序。

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1.2 先進封裝份額占比提升，2.5D/3D封裝增速領(lǐng)先先進封裝 AI帶動先進封裝需求。TrendForce報告指出，聊天機器人等生成式AI應(yīng)用爆發(fā)式增長，帶動2023年AI服務(wù)器開發(fā)大幅擴張。這種對高端AI服務(wù)器的依賴，需要使用高端AI芯片，這不僅將拉動2023~2024年HBM的需求，而且預(yù)計還將在2024年帶動先進封裝產(chǎn)能增長30~40%。 先進封裝增速高于整體封裝，2.5D/3D封裝增速居先進封裝之首。根據(jù)Yole，2021年，先進封裝市場規(guī)模約375億美元，占整體封裝市場規(guī)模的44%，預(yù)計到2027年將提升至占比53%，約650億美元，CAGR21-27為9.6%，高于整體封裝市場規(guī)模CAGR21-27 6.3%。先進封裝中的2.5D/3D封裝多應(yīng)用于(x)PU, ASIC, FPGA, 3D NAND, HBM, CIS等，受數(shù)據(jù)中心、高性能計算、自動駕駛等應(yīng)用的驅(qū)動，2.5D/3D封裝市場收入規(guī)模CAGR21-27高達14%，在先進封裝多個細(xì)分領(lǐng)域中位列第一。

1.3 先進封裝處于晶圓制造與封測的交叉區(qū)域 先進封裝處于晶圓制造與封測制程中的交叉區(qū)域，涉及IDM、晶圓代工、封測廠商。先進封裝要求在晶圓劃片前融入封裝工藝步驟，具體包括應(yīng)用晶圓研磨薄化、重布線（RDL）、凸塊制作（Bumping）及硅通孔（TSV）等工藝技術(shù)，涉及與晶圓制造相似的光刻、顯影、刻蝕、剝離等工序步驟，從而使得晶圓制造與封測前后道制程中出現(xiàn)中道交叉區(qū)域，如圖表4所示。 前后道大廠爭先布局先進封裝，競爭格局較為集中。后摩爾時代，先進制程成本快速提升，一些晶圓代工大廠發(fā)展重心正在從過去追求更先進納米制程，轉(zhuǎn)向封裝技術(shù)的創(chuàng)新。諸如臺積電、英特爾、三星、聯(lián)電等芯片制造廠商紛紛跨足封裝領(lǐng)域。先進封裝競爭格局較為集中，全球主要的6家廠商，包括2家IDM廠商(英特爾、三星)，一家代工廠商(臺積電)，以及全球排名前三的封測廠商(日月光、Amkor、JCET)，共處理了超過80%的先進封裝晶圓。

2 TSV：硅通孔，先進封裝關(guān)鍵技術(shù) 2.1 TSV：硅通孔技術(shù)，芯片垂直堆疊互連的關(guān)鍵技術(shù) TSV（Through Silicon Via），硅通孔技術(shù)，是通過硅通道垂直穿過組成堆棧的不同芯片或不同層實現(xiàn)不同功能芯片集成的先進封裝技術(shù)。TSV主要通過銅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充完成硅通孔的垂直電氣互連，減小信號延遲，降低電容、電感，實現(xiàn)芯片的低功耗、高速通信，增加帶寬和實現(xiàn)器件集成的小型化需求。 此前，芯片之間的大多數(shù)連接都是水平的，TSV的誕生讓垂直堆疊多個芯片成為可能。Wire bonding（引線鍵合）和Flip-Chip（倒裝焊）的Bumping（凸點）提供了芯片對外部的電互連，RDL(再布線)提供了芯片內(nèi)部水平方向的電互連，TSV則提供了硅片內(nèi)部垂直方向的電互連。

2.2 TSV三種主要應(yīng)用方向：背面連接、2.5D封裝、3D封裝 TSV有多種用途（如圖表7），可大致分為3種（如圖表8）： (a) 垂直的背面連接，無芯片堆疊，如“簡單的背面連接”。TSV位于有源晶粒（active die）中，用于連接至晶圓背面的焊盤（bond pad）； (b) 2.5D封裝。晶粒（die）連接至硅中介層（interposer），TSV在中介層中； (c) 3D封裝。TSV位于有源晶粒中，用于實現(xiàn)芯片堆疊。

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（a）TSV作為簡單背面連接：用于CIS和鍺化硅（SiGe）功率放大器 TSV三種主要應(yīng)用方式中，簡單的背面連接結(jié)構(gòu)是技術(shù)難度最低的，也是TSV技術(shù)首次大規(guī)模投入生產(chǎn)時的應(yīng)用方向，如CMOS圖像傳感器（CIS）、SiGe功率放大器兩個產(chǎn)品就應(yīng)用了TSV技術(shù)。 將TSV用于CMOS圖像傳感器有許多優(yōu)點： 1）使用TSV代替引線鍵合可以減小相機模組的尺寸（如圖表10）。 2）簡化了圖像傳感器的晶圓級封裝（WLP）（如圖表11）。WLP工藝的第一步是將玻璃晶圓附著到圖像傳感器的正面，防止光刻膠(抗蝕劑)微透鏡在組裝過程中受到損壞和污染，然而安裝好玻璃晶圓后會使從晶圓正面到焊盤的連接途徑受阻，TSV通過簡化晶圓級封裝，對此問題提供了簡易的解決方法。

（b）TSV應(yīng)用于2.5D封裝：FPGA 與簡單的背面連接相比，2.5D先進封裝的硅中介層需要更小的TSV間距（≤50 μm），因此需要更先進的TSV工藝。 現(xiàn)場可編程門陣列（Field Programmable Gate Array，F(xiàn)PGA）器件是最早使用硅中介層的產(chǎn)品之一：硅中介層可以使芯片間密切連接，整合后的結(jié)構(gòu)看起來像單個大尺寸的FPGA芯片，解決了早期直接構(gòu)建單個大尺寸FPGA芯片的技術(shù)難題。

（c）TSV應(yīng)用于3D封裝：存儲器堆疊 存儲器堆疊是首批應(yīng)用3D堆疊TSV結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品之一，和2.5D封裝中硅中介層對TSV間距的需求相似，但實際應(yīng)用中難度更高，例如寬I/O DRAM設(shè)備。 使用寬 I/O DRAM 和芯片堆疊的優(yōu)勢包括封裝高度降低40%，功耗降低50%，帶寬增加6倍。

2.3 國內(nèi)封測廠TSV布局情況：多家頭部廠商已有布局 內(nèi)資封測廠商向TSV等先進封裝領(lǐng)域突破。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷二次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，目前處于第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的進程之中，作為半導(dǎo)體領(lǐng)域壁壘相對較低的領(lǐng)域，封測產(chǎn)業(yè)目前主要轉(zhuǎn)移至亞洲區(qū)域，主要包括中國大陸、中國臺灣、東南亞等。封測是中國大陸集成電路發(fā)展最為完善的板塊，技術(shù)能力與國際先進水平比較接近，我國封測市場已形成內(nèi)資企業(yè)為主的競爭格局。中國大陸封測市場目前主要以傳統(tǒng)封裝業(yè)務(wù)為主，經(jīng)過多年的技術(shù)創(chuàng)新和市場積累，內(nèi)資企業(yè)產(chǎn)品已由DIP、SOP、SOT、QFP等產(chǎn)品向QFN/DFN、BGA、CSP、FC、TSV、LGA、WLP等技術(shù)更先進的產(chǎn)品發(fā)展，并且在WLCSP、FC、BGA和TSV等技術(shù)上取得較為明顯的突破，產(chǎn)量與規(guī)模不斷提升，逐步縮小與外資廠商之間的技術(shù)差距，極大地帶動我國封裝測試行業(yè)的發(fā)展。

我國頭部封測企業(yè)，如長電科技、通富微電、華天科技、晶方科技已有采用TSV技術(shù)封裝的產(chǎn)品批量出貨。2.5D/3D封裝所需的晶圓內(nèi)部的加工如TSV加工，硅轉(zhuǎn)接板加工等工序?qū)儆诰A廠擅長制程，而晶圓，裸芯片(Die)之間的高密度互聯(lián)和堆疊，以及和基板，接點的互聯(lián)技術(shù)屬于芯片后道成品制造環(huán)節(jié)的優(yōu)勢。應(yīng)用于CoWoS等2.5D/3D先進封裝中的TSV技術(shù)對深寬比等有更高要求，需要用到諸多前道設(shè)備，仍多由晶圓廠來完成。國內(nèi)封測廠則在先進封裝平臺、CIS封裝等領(lǐng)域?qū)SV技術(shù)有所布局。長電科技的XDFOI技術(shù)平臺有TSV less和TSV方案。通富微電2021年在高性能計算領(lǐng)域建成了2.5D/3D封裝平臺（VISionS）及超大尺寸FCBGA研發(fā)平臺，并完成高層數(shù)再布線技術(shù)開發(fā)，可為客戶提供晶圓級和基板級Chiplet封測解決方案；在存儲器領(lǐng)域，多層堆疊NAND Flash及LPDDR封裝實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，并在國內(nèi)首家完成基于TSV技術(shù)的3DS DRAM封裝開發(fā)。華天科技工業(yè)級12吋TSV-CIS產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)。晶方科技應(yīng)用晶圓級硅通孔（TSV）封裝技術(shù)，聚焦以影像傳感芯片為代表的智能傳感器市場，封裝的產(chǎn)品主要包括CIS芯片、TOF芯片、生物身份識別芯片、MEMS芯片等，應(yīng)用于智能手機、安防監(jiān)控數(shù)碼、汽車電子等市場領(lǐng)域。

3?TSV制造流程及所需設(shè)備 3.1 TSV制造流程 以2.5D interposer為例，其制造流程可以分為三大部分：TSV process-Via last or Via middle（TSV孔的制造）、Front side process-Dual Damascene process（正面制程-大馬士革工藝）以及Backside process-Cu Expose & RDL process（背面制程-露銅刻蝕和RDL制程）。每個部分具體環(huán)節(jié)對應(yīng)不同設(shè)備及不同指標(biāo)。 TSV process： 1）TSV etch：深反應(yīng)離子刻蝕（DRIE）制作TSV孔，可用技術(shù)包括Non-Bosch Process與Bosch Process，其中Non-Bosch很難實現(xiàn)更高深寬比的刻蝕且效率有限；而Bosch工藝由于采用一步刻蝕一步沉積的方式，可以實現(xiàn)更高深寬比的刻蝕，另外其速率更快，可滿足業(yè)界對成本與效率的要求。因此該步驟目前首選技術(shù)是基于Bosch工藝的干法刻蝕，使用到感應(yīng)耦合高密度等離子體干法刻蝕機（ICP）。 2）Post etch clean：使用濕法方式進行深孔的清洗，需用到清洗設(shè)備。 3）TSV liner：沉積二氧化硅保護層liner，可用等離子增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）制作介電層；另外由于TSV的深寬比更高，亦用SACVD+PECVD的方式沉積，但是這種沉積方式要求深寬比要小于10:1并且開口需要大于10微米；北方華創(chuàng)用PEALD的方式。 4）TSV Barrier/Seed deposition：物理氣相沉積（PVD）制作金屬擴散阻擋層（業(yè)界一般使用Ti/TiN或者Ta/TaN，要求連續(xù)，需要滿足最薄厚度的要求；同時要求有優(yōu)良的粘附性）/種子層（業(yè)界一般使用Cu，要求連續(xù)，需要滿足最薄厚度的要求；同時頂部不能有over hang），防止金屬擴散到硅中或者金屬擴散到氧化物中。 5）Cu Filling：用銅/鎢電鍍填孔，要求不留縫隙，同時盡量減少電鍍過程中的應(yīng)力；使用ECP。 6）Cu Anneal：電鍍后的退火，因為銅在室溫下有自退火效應(yīng)，若不做退火，則給后道的CMP帶來很大的不穩(wěn)定性，做完退火后銅的晶粒分布更加均勻、晶界數(shù)量減少，增加銅的電遷移的可靠性，電阻率可以降低20%；業(yè)界用立式爐。 Front side process-Dual Damascene process包括Via Etch/Trench（Etch Via/Trench的刻蝕）、Post etch clean（刻蝕后的清洗）、Cu barrier/Seed Deposition（阻擋層/種子層的沉積）、ECP（電鍍）以及CMP（化學(xué)機械拋光去除多余的金屬）。 Backside process-Cu Expose & RDL process包括Bonding（臨時鍵合）、Wafer Thinning（減?。?、Cu expose etch（用干法刻蝕的方式把TSV的銅柱露出來（BFR、BVR工藝））、Post etch clean（濕法清洗）、PECVD（PECVD做鈍化）、CMP SiO2（磨掉銅柱上面的氮化硅，為RDL做準(zhǔn)備）以及RDL制程（Descum、RDL PVD、PIQ、UBM PVD）。

3.2 TSV關(guān)鍵工藝設(shè)備及特點 TSV生產(chǎn)流程涉及到深孔刻蝕、PVD、CVD、銅填充、微凸點及電鍍、清洗、減薄、鍵合等二十余種設(shè)備，其中深孔刻蝕、氣相沉積、銅填充、清洗、CMP去除多余的金屬、晶圓減薄、晶圓鍵合等工序涉及的設(shè)備最為關(guān)鍵。 1）深孔刻蝕設(shè)備 深孔刻蝕是TSV的關(guān)鍵工藝，目前首選技術(shù)是基于Bosch工藝的干法刻蝕。深反應(yīng)等離子刻蝕設(shè)備是感應(yīng)耦合高密度等離子體干法刻蝕機（Inductively Coupled ?Plasma Etcher），采用半導(dǎo)體刻蝕機的成熟技術(shù)，獨特設(shè)計的雙等離子體源實現(xiàn)了對腔室內(nèi)等離子體密度的均勻控制，滿足硅高深寬比刻蝕工藝的要求。具有穩(wěn)定可靠的工藝性能、寬闊的工藝窗口和良好的工藝兼容性，用于晶片的高深寬比刻蝕。

2）氣相沉積設(shè)備 氣相沉積設(shè)備主要用于薄膜電路表面的高低頻低應(yīng)力氧化硅等薄膜淀積。設(shè)備具有低溫TEOS工藝沉積氧化硅薄膜，應(yīng)力易調(diào)控，適用于薄膜電路制造中保護膜層的沉積。設(shè)備應(yīng)具有預(yù)真空室、基片傳送模塊以及工藝模塊等，傳片及工藝過程自動化。 絕緣層做好后，通過物理氣相沉積法（PVD）沉積金屬擴散阻擋層和種子層，為后續(xù)的銅填充做好準(zhǔn)備。后續(xù)的電鍍銅填充要求TSV側(cè)壁和底部具有連續(xù)的阻擋層和種子層。種子層的連續(xù)性和均勻性被認(rèn)為是TSV銅填充最重要的影響因素。根據(jù)硅通孔的形狀、深寬比及沉積方法不同，種子層的特點也各有不同，種子層沉積的厚度、均勻性和粘合強度是極為重要的指標(biāo)。 3）銅填充設(shè)備 深孔金屬化電鍍設(shè)備用于新一代高頻組件高深寬比通孔填孔電鍍銅工藝，解決高深寬比微孔內(nèi)的金屬化問題，提高互聯(lián)孔的可靠性。TSV填孔鍍銅工序是整個TSV工藝?yán)镒詈诵?、難度最大的工藝，對設(shè)備的要求比較高，成熟的用于TSV填孔鍍銅的設(shè)備價格昂貴。 4）減薄拋光設(shè)備 一旦完成了銅填充，則需要對晶圓進行減薄拋光。TSV要求晶圓減薄至50μm甚至更薄，要使硅孔底部的銅暴露出來，為下一步的互連做準(zhǔn)備。目前晶圓減薄可以通過機械研磨、化學(xué)機械拋光、濕法及干法化學(xué)處理等不同的加工工序來實現(xiàn)，但晶圓很難容忍減薄過程中的磨削對晶圓的損傷及內(nèi)在應(yīng)力，其剛性也難以使晶圓保持原有的平整狀態(tài)，同時后續(xù)工藝的晶圓傳遞、搬送也遇到了很大的問題。目前業(yè)界的多采用一體機的思路，將晶圓的磨削、拋光、貼片等工序集合在一臺設(shè)備內(nèi)。 5）清洗設(shè)備 TSV的濕法清洗不同于晶圓級封裝等先進封裝，其中有幾個關(guān)鍵工序需用到清洗：①TSV刻蝕后清洗：有比較重的硅的殘留、側(cè)壁的polymer比較重，清洗的時候不能破壞底部的二氧化硅；②TSV長完liner后要把底部的二氧化硅打開后清洗，清洗底部的同時不能破壞側(cè)壁長好的liner的二氧化硅；③大馬士革正面制程刻蝕后的清洗包括Via刻蝕后和Trench刻蝕后；④露銅過程前后的清洗。

6）檢測量測設(shè)備：在后段封裝工藝中，芯片倒裝（Flip-chip）、圓片級封裝（Wafer-level Packaging）和硅通孔（Through-silicon Via，TSV）等先進工藝要求對凸點（Bump）、通孔（TSV）、銅柱（Copper pillar）等的缺損/異物殘留及其形狀、間距、高度的一致性，以及重布線層（Re-distribution layer，RDL）進行無接觸定量檢查和測量，以保證集成電路芯片生產(chǎn)線快速進入量產(chǎn)階段并獲取穩(wěn)定的高成品率和高經(jīng)濟效益。 3.3 TSV國產(chǎn)設(shè)備廠商 北方華創(chuàng)：為滿足市場需求，新興的封裝技術(shù)向集成和晶圓級發(fā)展，薄膜重布線技術(shù)和通孔技術(shù)越來越多的被使用到。在先進封裝領(lǐng)域，公司為客戶定制的UBM/RDL金屬沉積設(shè)備、TSV金屬沉積設(shè)備、TSV刻蝕設(shè)備及工藝已經(jīng)實現(xiàn)了在國內(nèi)主流先進封裝企業(yè)的批量生產(chǎn)，并不斷獲得客戶的重復(fù)采購訂單；全新DESCUM設(shè)備已完成研發(fā)并已正式投放市場。

中微公司：2022年年報報告期內(nèi)，公司ICP技術(shù)設(shè)備產(chǎn)品類中的8英寸和12英寸深硅刻蝕設(shè)備Primo TSV200E、Primo TSV300E在晶圓級先進封裝、2.5維封裝和微機電系統(tǒng)芯片生產(chǎn)線等成熟刻蝕市場繼續(xù)獲得重復(fù)訂單的同時，在300mm的3D芯片的硅通孔刻蝕工藝上得到成功驗證，并在歐洲客戶300mm微機電系統(tǒng)芯片的生產(chǎn)線上獲得認(rèn)證機臺的機會。公司的等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用在國際一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米及其他先進的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進封裝生產(chǎn)線。? 盛美上海：公司基于自主知識產(chǎn)權(quán)的前道銅互連電鍍設(shè)備Ultra ECP map及電鍍工藝，將該技術(shù)進一步延伸到先進封裝濕法設(shè)備領(lǐng)域，成功開發(fā)了先進封裝電鍍設(shè)備、三維TSV電鍍設(shè)備和高速電鍍設(shè)備，填補國內(nèi)空白并形成批量銷售。同時布局多款后道先進封裝工藝設(shè)備，技術(shù)優(yōu)勢明顯。

拓荊科技：公司在現(xiàn)有PECVD設(shè)備基礎(chǔ)上，針對先進封裝領(lǐng)域晶圓的特殊性，采用獨特的加熱盤、傳片平臺等設(shè)計，開發(fā)了反應(yīng)溫度在80℃-200℃范圍內(nèi)（通常反應(yīng)溫度在260℃-550℃范圍內(nèi)）的低溫薄膜沉積設(shè)備，可以沉積低溫的SiN、TEOS等介質(zhì)薄膜材料，并在先進封裝領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用。

微導(dǎo)納米：公司的iTomic系列原子層沉積鍍膜系統(tǒng)適用于高介電常數(shù)（High-k）柵氧層、MIM電容器絕緣層、TSV介質(zhì)層金屬、金屬氮化物等薄膜工藝需求。產(chǎn)品憑借原子級別的精確控制、高覆蓋率薄膜沉積和極高的工藝均勻性等優(yōu)勢，可為邏輯芯片、存儲芯片、微納制造以及先進封裝提供介質(zhì)層等關(guān)鍵工藝解決方案。?

芯源微：在應(yīng)用各項底層先進封裝技術(shù)支持Chiplet的工藝場景下，為了滿足更多層的互聯(lián)工藝要求，通常需要經(jīng)過更多的圖形化道次，催生了更多后道涂膠顯影、濕法類工藝需求。2022年年報報告期內(nèi)，公司后道先進封裝領(lǐng)域用涂膠顯影設(shè)備、單片式濕法設(shè)備實現(xiàn)批量銷售超百臺套，已作為主流機型批量應(yīng)用于臺積電與長電科技等國內(nèi)一線大廠，成為客戶端的主力量產(chǎn)設(shè)備，同時公司加深與盛合晶微與長電紹興等國內(nèi)新興封裝勢力的合作關(guān)系，成功批量導(dǎo)入各類設(shè)備。?

華海清科：隨著摩爾定律接近物理極限，通過芯片堆疊的方式完成高性能芯片制造成為摩爾定律趨緩下半導(dǎo)體工藝的重要發(fā)展方向，公司主打產(chǎn)品CMP設(shè)備、減薄設(shè)備均是芯片堆疊技術(shù)、先進封裝技術(shù)的關(guān)鍵核心設(shè)備。隨著芯片線寬不斷縮小、芯片結(jié)構(gòu)3D化、Chiplet等先進封裝技術(shù)不斷演進，CMP設(shè)備、減薄設(shè)備將獲得更加廣泛的應(yīng)用，也是公司未來長期高速發(fā)展的重要機遇。?

至純科技：公司提供濕法槽式清洗設(shè)備及濕法單片式清洗設(shè)備，聚焦晶圓制造的前道工藝，主要應(yīng)用于擴散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積等關(guān)鍵工序段前后。高端產(chǎn)品包括SPM高溫硫酸、去膠、晶背清洗等清洗設(shè)備，其中單片SPM工藝應(yīng)用貫穿整個先進半導(dǎo)體的前、中段工藝，清洗工藝次數(shù)超過30道，是所有濕法工藝中應(yīng)用最多的一種設(shè)備；此外SPM工藝被廣泛應(yīng)用在淺槽隔離（STI）、接觸孔刻蝕后（CT）等高深寬結(jié)構(gòu)，以及鰭式晶體管（FinFET）、電容（capacitor）等高度復(fù)雜圖形區(qū)域。

芯碁微裝：公司的泛半導(dǎo)體直寫光刻設(shè)備WLP系列用于8英寸/12英寸集成電路先進封裝領(lǐng)域，包括Flip Chip、Fan-In WLP、Fan-Out WLP和2.5D/3D等先進封裝形式。該系統(tǒng)采用多光學(xué)引擎并行掃描技術(shù)，具備自動套刻、背部對準(zhǔn)、智能糾偏、WEE/WEP功能，在RDL、Bumping和TSV等制程工藝中優(yōu)勢明顯。?

上海精測：精測電子子公司，主要聚焦半導(dǎo)體前道檢測設(shè)備領(lǐng)域，致力于半導(dǎo)體前道量測檢測設(shè)備的研發(fā)及生產(chǎn)，主營產(chǎn)品包括膜厚量測系統(tǒng)、光學(xué)關(guān)鍵尺寸量測系統(tǒng)、電子束缺陷檢測系統(tǒng)和自動檢測設(shè)備（ATE）等，其中膜厚產(chǎn)品（含獨立式膜厚設(shè)備）、電子束設(shè)備已取得國內(nèi)一線客戶的批量訂單；OCD設(shè)備獲得多家一線客戶的驗證通過，且已取得部分訂單；半導(dǎo)體硅片應(yīng)力測量設(shè)備也取得客戶訂單并完成交付，明場光學(xué)缺陷檢測設(shè)備已取得突破性訂單，且已完成首臺套交付；其余儲備的產(chǎn)品目前正處于研發(fā)、認(rèn)證以及拓展的過程中。

? 中科飛測：公司自成立以來始終專注于檢測和量測兩大類集成電路專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品主要包括無圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備系列、圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備系列、三維形貌量測設(shè)備系列、薄膜膜厚量測設(shè)備系列等產(chǎn)品，已應(yīng)用于國內(nèi)28nm及以上制程的集成電路制造產(chǎn)線。

? 睿勵儀器：主營產(chǎn)品為光學(xué)膜厚測量設(shè)備和光學(xué)缺陷檢測設(shè)備，以及硅片厚度及翹曲測量設(shè)備等；自主研發(fā)的12英寸光學(xué)測量設(shè)備TFX3000系列產(chǎn)品，已應(yīng)用在65/55/40/28納米芯片生產(chǎn)線并在進行了14納米工藝驗證，在3D存儲芯片產(chǎn)線支持64層3D NAND芯片的生產(chǎn)，并正在驗證96層3D NAND芯片的測量性能。根據(jù)中微公司2022年年報，中微公司已累計對睿勵儀器項目投資約2.51億元，并持有睿勵儀器34.75%的股份，并委派尹志堯出任睿勵儀器的董事長。

? 東方晶源：成立于2014年，總部位于北京亦莊經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)，是一家專注于集成電路良率管理的企業(yè)，公司自主研發(fā)的計算光刻軟件（OPC）、納米級電子束檢測裝備（EBI）、12吋和8吋關(guān)鍵尺寸量測裝備（CD-SEM）這三款核心產(chǎn)品，填補多項國內(nèi)市場空白，均已在客戶產(chǎn)線驗證并實現(xiàn)訂單。2022年11月，東方晶源完成新一輪近10億元股權(quán)融資。

報告信息

證券研究報告《TSV研究框架：先進封裝關(guān)鍵技術(shù)》

報告發(fā)布機構(gòu)：中郵證券有限責(zé)任公司

分析師:吳文吉??SAC編號:S1340523050004

編輯：黃飛

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