原子層刻蝕和沉積工藝?yán)米韵扌苑磻?yīng)，提供原子級(jí)控制。 泛林集團(tuán)先進(jìn)技術(shù)發(fā)展事業(yè)部公司副總裁潘陽(yáng)博士 分享了他對(duì)這個(gè)話題的看法。 技術(shù)節(jié)點(diǎn)的每次進(jìn)步都要求對(duì)制造工藝變化進(jìn)行更嚴(yán)格的控制。最先進(jìn)的工藝
2021-02-08 10:53:00
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本期，我們將繼續(xù)探索半導(dǎo)體制造過(guò)程中的兩大關(guān)鍵步驟：刻蝕和薄膜沉積。
2022-08-01 10:58:186000 
等離子體工藝廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中。比如，IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕或干法刻蝕，等離子體增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體化學(xué)氣相沉積 (HDP CVD)廣泛用于電介質(zhì)
2022-11-15 09:57:315641 。 ? ? 第六步 互連 ? 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性處于導(dǎo)體與非導(dǎo)體（即絕緣體）之間，這種特性使我們能完全掌控電流。通過(guò)基于晶圓的光刻、刻蝕和沉積工藝可以構(gòu)建出晶體管等元件，但還需要將它們連接起來(lái)才能實(shí)現(xiàn)電力與信號(hào)的發(fā)送與接收。 ? 金屬因
2021-08-02 13:49:0418340 鋁、干法刻蝕鈦、干法刻蝕氮化鈦等）20、 等離子去膠21、 DRIE （硅深槽刻蝕）、ICP、TSV22、 濕法刻蝕23、 膜厚測(cè)量24、 納米、微米臺(tái)階測(cè)量25、 電阻、方阻、電阻率測(cè)量等26、 半導(dǎo)體
2015-01-07 16:15:47
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體技術(shù)是如何變革汽車設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的？
2021-02-22 09:07:43
多個(gè)數(shù)據(jù)流，并以超低的成本，延長(zhǎng)工作壽命。有些應(yīng)用需要抵消輸入阻塞信號(hào)的作用，降低攔截概率。正在席卷整個(gè)行業(yè)的相控天線設(shè)計(jì)為這些挑戰(zhàn)提供了解決辦法。人們開(kāi)始采用先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)解決相控陣天線過(guò)去存在的缺點(diǎn)，以最終
2021-01-20 07:11:05
無(wú)嚴(yán)格要求的特點(diǎn)。因此，目前檢測(cè)半導(dǎo)體材料電阻率，尤其對(duì)于薄膜樣品來(lái)說(shuō)，四探針是較常用的方法?！ ∷奶结?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)要求使用四根探針等間距的接觸到材料表面。在外邊兩根探針之間輸出電流的同時(shí)，測(cè)試中間兩根探針的電壓差。最后，電阻率通過(guò)樣品的幾何參數(shù)，輸出電流源和測(cè)到的電壓值來(lái)計(jì)算得出。
2021-01-13 07:20:44
隨著溫度的升高，金屬的電阻率增加，使其具有正的電阻溫度系數(shù)。半導(dǎo)體的電阻溫度系數(shù)是負(fù)的。非本征半導(dǎo)體的電阻率大于本征半導(dǎo)體。半導(dǎo)體電阻率的溫度依賴性對(duì)其在電子學(xué)中的應(yīng)用起著重要的作用電導(dǎo)率描述了電流
2022-02-25 09:55:01
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過(guò)兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無(wú)運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過(guò)氧化層成長(zhǎng)、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù)，所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。半導(dǎo)體制程的繁雜性是為了確保每一個(gè)元器件的電性參數(shù)和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
作為通訊乃至軍事行業(yè)的技術(shù)支撐者，半導(dǎo)體廠商曾經(jīng)離家用電器行業(yè)很“遠(yuǎn)”，而現(xiàn)在，隨著家電應(yīng)用市場(chǎng)和功能的擴(kuò)展，消費(fèi)者對(duì)家電產(chǎn)品的質(zhì)量和技術(shù)的要求越來(lái)越高，半導(dǎo)體廠商轉(zhuǎn)身成為了家電變頻技術(shù)的競(jìng)技者
2019-06-21 07:45:46
半導(dǎo)體失效分析項(xiàng)目介紹，主要包括點(diǎn)針工作站（Probe Station）、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、微漏電偵測(cè)系統(tǒng)（EMMI）、X-Ray檢測(cè)，缺陷切割觀察系統(tǒng)（FIB系統(tǒng)）等檢測(cè)試驗(yàn)。
2020-11-26 13:58:28
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
降低。這種摻雜半導(dǎo)體常稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。雜質(zhì)半導(dǎo)體靠導(dǎo)帶電子導(dǎo)電的稱N型半導(dǎo)體，靠?jī)r(jià)帶空穴導(dǎo)電的稱P型半導(dǎo)體。不同類型半導(dǎo)體間接觸（構(gòu)成PN結(jié)）或半導(dǎo)體與金屬接觸時(shí)，因電子（或空穴）濃度差而產(chǎn)生擴(kuò)散，在
2013-01-28 14:58:38
在這里我們通過(guò)半導(dǎo)體與其他材料的主要區(qū)別來(lái)了解半導(dǎo)體的本性： 在室溫下，半導(dǎo)體的電導(dǎo)率處在103~10-9西[門子]/厘米之間，其中西[門子]/厘米為電導(dǎo)率的單位，電導(dǎo)率與電阻率互為倒數(shù)。一般金屬
2018-03-29 09:04:21
功率半導(dǎo)體的熱管理對(duì)于元件運(yùn)行的可靠性和使用壽命至關(guān)重要。本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹的愛(ài)普科斯(EPCOS)負(fù)溫度系數(shù)(NTC)和正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻系列，可以幫助客戶可靠地監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體元件的溫度。
2020-08-19 06:50:50
超聲波線束焊接機(jī)利用超聲波金屬焊接技術(shù)對(duì)金屬線束進(jìn)行焊接加工，把高頻電能通過(guò)換能器轉(zhuǎn)換成機(jī)械振動(dòng)能作用于金屬線束上，當(dāng)振動(dòng)摩擦生熱的溫度到達(dá)線束金屬熔點(diǎn)時(shí)，線束就會(huì)熔化，并且線束在融合的同時(shí)線束焊接裝置會(huì)施加一定的壓力，最后線束焊接裝置移開(kāi)并停止機(jī)械振動(dòng)，就會(huì)形成線束焊接效果。
2019-10-22 09:03:00
的半導(dǎo)體過(guò)程控制技術(shù)來(lái)嚴(yán)格監(jiān)控工藝過(guò)程狀態(tài)，而SPC就是其中最重要的一種技術(shù)。本文針對(duì)SPC做了簡(jiǎn)要概述，著重論述了根據(jù)半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的特點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)其在半導(dǎo)體晶圓廠的實(shí)際應(yīng)用。 關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體；SPC；過(guò)程
2018-08-29 10:28:14
設(shè)備參數(shù) ZEISS Auriga Compact 1.場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡（SEM）：各種材料形貌觀察和分析，如金屬、半導(dǎo)體、陶瓷、高分子材料、有機(jī)聚合物等，放大率：12×～1000,000×；分辨率
2017-06-29 14:20:28
壓阻薄膜生長(zhǎng)后，采用光刻、濕法刻蝕、離子注入和蒸發(fā)金屬剝離圖案技術(shù)制作壓敏電阻微結(jié)構(gòu)。引入電感耦合等離子體 (ICP) 將兩個(gè)槽蝕刻到壓阻層，然后在壓阻薄膜臺(tái)面的頂部沉積和圖案化 Ti/Pt/Au
2021-07-07 10:22:15
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較編號(hào)：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)簡(jiǎn)介編號(hào)：JFSJ-21-076作者：炬豐科技概括VLSI制造中使用的材料材料根據(jù)其導(dǎo)電特性可分為三大類：絕緣體導(dǎo)體半導(dǎo)體
2021-07-09 10:26:01
保留半導(dǎo)體電路圖。這一步驟需要借助液體、氣體或等離子體等物質(zhì)，通過(guò)濕法刻蝕或干法刻蝕等方法，精確去除選定的多余部分。
薄膜沉積將含有特定分子或原子單元的薄膜材料，通過(guò)一系列技術(shù)手段，如化學(xué)氣相沉積
2024-12-30 18:15:45
新加坡知名半導(dǎo)體晶圓代工廠招聘資深刻蝕工藝工程師和刻蝕設(shè)備主管！此職位為內(nèi)部推薦，深刻蝕工藝工程師需要有LAM 8寸機(jī)臺(tái)poly刻蝕經(jīng)驗(yàn)。刻蝕設(shè)備主管需要熟悉LAM8寸機(jī)臺(tái)。待遇優(yōu)厚。有興趣的朋友可以將簡(jiǎn)歷發(fā)到我的郵箱sternice81@gmail.com，我會(huì)轉(zhuǎn)發(fā)給HR。
2017-04-29 14:23:25
一般都是比其他精密電阻差。2.精密薄膜電阻精密薄膜電阻的技術(shù)發(fā)展代表了可以被大量商用的精密電阻技術(shù)，也是目前最流行的精密電阻技術(shù)。通過(guò)長(zhǎng)時(shí)間多層的膜層沉積，高精密的調(diào)阻和后期的篩選，最優(yōu)的精密薄膜電阻
2019-04-26 13:55:26
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電阻
2023-02-21 16:01:16
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
今日分享晶圓制造過(guò)程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過(guò)程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
單芯片互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）傳感器有哪幾種？它們分別有什么應(yīng)用以及特點(diǎn)？
2021-06-17 08:54:54
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:57 編輯
請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有這種做法，就是在pcb上畫一圈一圈的金屬線，當(dāng)電感用？請(qǐng)問(wèn)可以用protel99來(lái)設(shè)計(jì)嗎？謝謝~
2012-12-20 16:58:39
安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)的成像技術(shù)和方案分享
2021-05-31 07:07:32
尊敬的先生/女士，我想找出所有VIRTEX-6的半導(dǎo)體安裝技術(shù)，是倒裝芯片安裝技術(shù)的芯片嗎？謝謝問(wèn)候，缺口
2020-06-15 16:30:12
，以及在下面緊貼著抗蝕膜的一層硅。刻蝕（英語(yǔ)：etching）是半導(dǎo)體器件制造中利用化學(xué)途徑選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。刻蝕對(duì)于器件的電學(xué)性能十分重要。如果刻蝕過(guò)程中出現(xiàn)失誤，將造成難以恢復(fù)
2017-10-09 19:41:52
的設(shè)備。可供應(yīng)翻新半導(dǎo)體工藝設(shè)備包括：光刻機(jī) 步進(jìn)光刻機(jī) 涂膠顯影 化學(xué)濕臺(tái) 沉積設(shè)備 劃片及磨片設(shè)備 電子束蒸發(fā) CVD沉積設(shè)備 刻蝕設(shè)備 離子注入機(jī) 顯微鏡 探針臺(tái) 薄膜測(cè)厚儀 表面檢測(cè)設(shè)備 鍵合機(jī)
2009-10-14 11:05:53
文/編譯楊碩王家農(nóng)在網(wǎng)絡(luò)無(wú)處不在、IP無(wú)處不在和無(wú)縫移動(dòng)連接的總趨勢(shì)下，國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)項(xiàng)目組在他們的15年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展預(yù)測(cè)中認(rèn)為，隨著技術(shù)和體系結(jié)構(gòu)推進(jìn)“摩爾定律”和生產(chǎn)力極限
2019-07-24 08:21:23
——薄膜制作(Layer)、圖形光刻(Pattern)、刻蝕和摻雜，再到測(cè)試封裝，一目了然。 全書共分20章，根據(jù)應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的主要技術(shù)分類來(lái)安排章節(jié)，包括與半導(dǎo)體制造相關(guān)的基礎(chǔ)技術(shù)信息；總體流程圖
2025-04-15 13:52:11
氣體接觸，由于氧的減少，勢(shì)壘降低，電子移動(dòng)變得容易，電導(dǎo)率增加，電阻率下降。3、吸附氧理論 吸附氧理論是表面吸附機(jī)理和晶界勢(shì)壘模型兩者的結(jié)合，是目前公認(rèn)較好的理論。當(dāng)半導(dǎo)體表面吸附了氧這類電負(fù)性
2018-10-24 14:21:10
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
`哪位了解LCVD激光氣相沉積設(shè)備，想買一臺(tái)用來(lái)做補(bǔ)線用。如圖，沉積出寬10um左右的金屬線。求大神指點(diǎn)！`
2014-01-17 10:36:02
“通過(guò)創(chuàng)新，電子系統(tǒng)將使汽車可以自動(dòng)操作，使其更加安全、舒適和高效”。飛思卡爾半導(dǎo)體汽車及標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部亞太地區(qū)市場(chǎng)總監(jiān)Allen Kwang高度評(píng)價(jià)汽車電子的創(chuàng)新意義。而汽車電子創(chuàng)新顯然與動(dòng)力、底盤、安全、車身、信息娛樂(lè)系統(tǒng)發(fā)展趨勢(shì)息息相關(guān)。
2019-07-24 07:26:11
本帖最后由 濟(jì)世良駒 于 2016-10-10 22:31 編輯
第一講 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性1、半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫化物都是半導(dǎo)體。2、常見(jiàn)
2016-10-07 22:07:14
刻蝕工藝以滿足工藝集成要求; 3、 與其他工程師緊密配合，進(jìn)行半導(dǎo)體工藝流程分析 任職要求： 1、大學(xué)本科學(xué)歷（含）以上 2、掌握半導(dǎo)體基礎(chǔ)理論，制品及器件技術(shù)，熟悉設(shè)備 、工藝 、 制造等相關(guān)內(nèi)容
2016-10-26 17:05:04
試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導(dǎo)體的是負(fù)的？
2023-04-23 11:27:04
怎樣通過(guò)ASV技術(shù)去生成準(zhǔn)確的3D深度圖？采用艾邁斯半導(dǎo)體的ASV技術(shù)有什么特點(diǎn)？
2021-07-09 06:25:46
. ?。?）薄膜電容加工 因?yàn)镸IS（Metal-Insulator-Semiconductor金屬-絕緣體-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)）薄膜電容利用半導(dǎo)體作為底電極，使電容本身具有寄生電阻，造成元件的共振頻率降低
2018-09-11 16:12:05
金屬線脹系數(shù)的測(cè)定:學(xué)習(xí)用光杠桿法測(cè)量金屬棒的線脹系數(shù)。 光杠桿原理T:望遠(yuǎn)鏡；M:光杠桿(反光鏡)；P:標(biāo)尺；C:有孔圓柱體；m,c:金屬桿受熱膨脹后的光杠桿和圓柱體 ；a:光
2009-06-08 21:25:15
25 半導(dǎo)體制程之薄膜沉積
在半導(dǎo)體組件工業(yè)中，為了對(duì)所使用的材料賦與某種特性，在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用，假如
2009-03-06 17:14:586630 
金屬線脹系數(shù)的測(cè)量
實(shí)驗(yàn)?zāi)康模簩W(xué)習(xí)利用光杠桿測(cè)量金屬棒的線脹系數(shù)。儀器和用具：線脹系數(shù)測(cè)定裝置、光杠桿、尺度望遠(yuǎn)
2009-06-08 21:29:0613392 
半導(dǎo)體知識(shí)：PVD金屬沉積制程講解
2019-07-24 11:47:2314886 
不久前，MEMS 蝕刻和表面涂層方面的領(lǐng)先企業(yè) memsstar 向《電子產(chǎn)品世界》介紹了 MEMS 與傳統(tǒng) CMOS 刻蝕與沉積工藝的關(guān)系，對(duì)中國(guó)本土 MEMS 制造工廠和實(shí)驗(yàn)室的建議等。 1
2022-12-13 11:42:003165 刻蝕是半導(dǎo)體制造中十分關(guān)鍵的一環(huán)，刻蝕通過(guò)物理或化學(xué)方法將硅片表面不需要的材料去除，從而將掩膜圖形正確的復(fù)制到涂膠硅片上。
2021-02-23 16:41:574218 薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之- - ，薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。
半導(dǎo)體器件的不斷縮小對(duì)薄膜沉積工藝提出了更高要求，而ALD技術(shù)憑借沉積薄膜厚度的高度可控性、優(yōu)異的均勻性和三E維保形性,在半導(dǎo)體先進(jìn)制程應(yīng)用領(lǐng)域彰顯優(yōu)勢(shì)。
2023-02-16 14:36:541256 光刻機(jī)、刻蝕機(jī)設(shè)備、氣相沉積設(shè)備是三大核心半導(dǎo)體設(shè)備，占據(jù)了產(chǎn)線設(shè)備總投資額70%。
2023-02-22 11:34:491327 金屬和半導(dǎo)體的接觸
2023-03-08 16:40:001927 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:165091 金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時(shí)鋁中如果 有少量銅就會(huì)引起殘余物問(wèn)題，因?yàn)镃u Cl2的揮發(fā)性極低且會(huì)停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:546518 本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨(dú)立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實(shí)是為了金屬布線才進(jìn)行的。在金屬布線過(guò)程中，會(huì)采用很多與之前的電子元器件層性質(zhì)不同的配線材料（金屬）。
2023-04-25 10:38:492938 
經(jīng)過(guò)氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會(huì)形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會(huì)讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；
2023-04-28 10:04:521692 
但是，HCl為基體的刻蝕溶液，會(huì)嚴(yán)重地侵蝕Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金屬硅化物阻值升高。這就要求有一種刻蝕劑是無(wú)氯基體，而且對(duì)Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe無(wú)傷害、對(duì)金屬選擇性又高。這就是目前常用的高溫硫酸和雙氧水混合液
2023-05-29 10:48:276536 
由后段制程(BEOL)金屬線寄生電阻電容(RC)造成的延遲已成為限制先進(jìn)節(jié)點(diǎn)芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線間距需要更窄的線關(guān)鍵尺寸(CD)和線間隔，這會(huì)導(dǎo)致更高的金屬線電阻和線間電容。
2023-06-09 12:55:521831 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見(jiàn)。
2023-06-15 17:51:573242 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-06-29 16:58:371956 
在前幾篇文章（點(diǎn)擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過(guò)程來(lái)形象地說(shuō)明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說(shuō)到，為制作巧克力夾心，需通過(guò)“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層。“倒入巧克力糖漿”和“蓋上餅干層”的過(guò)程在半導(dǎo)體制程中就相當(dāng)于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:172560 
和在刻蝕工藝中一樣，半導(dǎo)體制造商在沉積過(guò)程中也會(huì)通過(guò)控制溫度、壓力等不同條件來(lái)把控膜層沉積的質(zhì)量。例如，降低壓強(qiáng)，沉積速率就會(huì)放慢，但可以提高垂直方向的沉積質(zhì)量。因?yàn)?，壓?qiáng)低表明設(shè)備內(nèi)反應(yīng)氣體粒子
2023-07-02 11:36:404230 
半導(dǎo)體同時(shí)具有“導(dǎo)體”的特性，因此允許電流通過(guò)，而絕緣體則不允許電流通過(guò)。離子注入工藝將雜質(zhì)添加到純硅中，使其具有導(dǎo)電性能。我們可以根據(jù)實(shí)際需要使半導(dǎo)體導(dǎo)電或絕緣。 重復(fù)光刻、刻蝕和離子注入步驟會(huì)在
2023-07-03 10:21:574672 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-08-17 15:33:272485 
半導(dǎo)體技術(shù)在當(dāng)今社會(huì)已成為高科技產(chǎn)品的核心，而在半導(dǎo)體制造的各個(gè)環(huán)節(jié)中，銅憑借其出色的性能特點(diǎn)，已成為眾多工藝應(yīng)用的關(guān)鍵材料。在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，銅主要被用于制造互連線路。在傳統(tǒng)的互連制造中，銅通常被用作通過(guò)化學(xué)氣相淀積（CVD）或物理氣相沉積（PVD）技術(shù)沉積在金屬膜上。
2023-08-19 11:41:154519 銅的電阻率取決于其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上，銅(Cu)線的形成是通過(guò)使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案，然后通過(guò)鑲嵌流用Cu填充溝槽來(lái)完成的。
2023-09-22 09:57:231704 
半導(dǎo)體設(shè)備系列研究-薄膜沉積設(shè)備
2023-01-13 09:06:5211 半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:261646 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過(guò)加入N2以增加對(duì)光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負(fù)載效應(yīng)，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對(duì)TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進(jìn)行刻蝕。
2023-12-06 09:38:5312484 近日，美國(guó)知名數(shù)字標(biāo)牌解決方案供應(yīng)商Stratacache與半導(dǎo)體技術(shù)公司Lumiode達(dá)成戰(zhàn)略合作，共同推動(dòng)Micro LED技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。Stratacache計(jì)劃將Lumiode的背板沉積技術(shù)集成到其即將完成的Micro LED生產(chǎn)線E4當(dāng)中。
2024-02-05 17:07:041648 薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料，比如絕緣化合物二氧化硅，半導(dǎo)體多晶硅、金屬銅等。用來(lái)鍍膜的這個(gè)設(shè)備就叫薄膜沉積設(shè)備。薄膜制備工藝按照其成膜方法可分為兩大類
2024-03-28 14:22:412150 
及電阻率增加問(wèn)題，半導(dǎo)體行業(yè)正在尋找替代銅的金屬線材料。 l 在較小尺寸中，釕的性能優(yōu)于銅和鈷，因此是較有潛力的替代材料。 隨著互連尺寸縮減，阻擋層占總體線體積的比例逐漸增大。因此，半導(dǎo)體行業(yè)一直在努力尋找可取代傳統(tǒng)銅雙大馬士革方案的替代金屬線材料。 相比金屬線寬
2024-04-09 17:11:121148 
著提升。通常，銅線的制作流程是用溝槽刻蝕工藝在低介電二氧化硅里刻蝕溝槽圖形，然后通過(guò)大馬士革流程用銅填充溝槽。 但這種方法會(huì)生出帶有明顯晶界和空隙的多晶結(jié)構(gòu)，從而增加銅線電阻。 為防止大馬士革退火工藝中的銅擴(kuò)散，此工藝還使用了高電阻率的氮化鉭內(nèi)襯材料。 我們可以使用
2024-08-19 11:49:471261 
金屬導(dǎo)體的電阻與其材料性質(zhì)、形狀、溫度等因素有關(guān)，但與一些其他因素?zé)o關(guān)。下面將介紹金屬導(dǎo)體電阻的影響因素以及與其無(wú)關(guān)的因素。 材料性質(zhì) 金屬導(dǎo)體的電阻與其材料性質(zhì)密切相關(guān)。不同的金屬材料具有
2024-08-25 09:22:082301 半導(dǎo)體靶材是半導(dǎo)體材料制備過(guò)程中的重要原料，它們?cè)诒∧?b class="flag-6" style="color: red">沉積、物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）等多種技術(shù)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體靶材的種類以及它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的作用和意義。
2024-09-02 11:43:251941 
在這篇文章中，我們將學(xué)習(xí)基本的半導(dǎo)體制造過(guò)程。為了將晶圓轉(zhuǎn)化為半導(dǎo)體芯片，它需要經(jīng)歷一系列復(fù)雜的制造過(guò)程，包括氧化、光刻、刻蝕、沉積、離子注入、金屬布線、電氣檢測(cè)和封裝等。
2024-10-16 14:52:053360 
主要介紹幾種常用于工業(yè)制備的刻蝕技術(shù)，其中包括離子束刻蝕（IBE）、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、以及后來(lái)基于高密度等離子體反應(yīng)離子的電子回旋共振等離子體刻蝕（ECR）和電感耦合等離子體刻蝕（ICP）。
2024-10-18 15:20:413338 
半導(dǎo)體薄膜沉積工藝是現(xiàn)代微電子技術(shù)的重要組成部分。這些薄膜可以是金屬、絕緣體或半導(dǎo)體材料，它們?cè)谛酒母鱾€(gè)層次中發(fā)揮著不同的作用，如導(dǎo)電、絕緣、保護(hù)等。薄膜的質(zhì)量直接影響到芯片的性能、可靠性和成本。
2024-10-31 15:57:455179 
，影響刻蝕速率和選擇性。溫度影響聚合物的沉積速率和穩(wěn)定性，高溫可使沉積層分解或減少，低溫則會(huì)增加聚合物沉積。 ? 選擇性 ：刻蝕材料和掩膜材料的選擇性對(duì)溫度非常敏感。溫度過(guò)高會(huì)降低刻蝕選擇性，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">刻蝕速率加速會(huì)同時(shí)刻蝕掩
2024-12-03 10:48:311982 
其實(shí)在半導(dǎo)體濕法刻蝕整個(gè)設(shè)備中有一個(gè)比較重要部件，或許你是專業(yè)的，第一反應(yīng)就是它。沒(méi)錯(cuò)，加熱器！但是也有不少剛?cè)胄?，或者了解不深的人好奇?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體濕法刻蝕設(shè)備加熱器的作用是什么呢？ 沒(méi)錯(cuò)，這個(gè)就是今天
2024-12-13 14:00:311610 什么是刻蝕？刻蝕是指通過(guò)物理或化學(xué)方法對(duì)材料進(jìn)行選擇性的去除，從而實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)圖形的一種技術(shù)。蝕刻是半導(dǎo)體制造及微納加工工藝中相當(dāng)重要的步驟，自1948年發(fā)明晶體管到現(xiàn)在，在微電子學(xué)和半導(dǎo)體領(lǐng)域
2024-12-20 16:03:161651 
半導(dǎo)體濕法刻蝕殘留物的原理涉及化學(xué)反應(yīng)、表面反應(yīng)、側(cè)壁保護(hù)等多個(gè)方面。 以下是對(duì)半導(dǎo)體濕法刻蝕殘留物原理的詳細(xì)闡述： 化學(xué)反應(yīng) 刻蝕劑與材料的化學(xué)反應(yīng)：在濕法刻蝕過(guò)程中，刻蝕劑（如酸、堿或氧化劑
2025-01-02 13:49:321181 半導(dǎo)體濕法刻蝕過(guò)程中殘留物的形成，其背后的機(jī)制涵蓋了化學(xué)反應(yīng)、表面交互作用以及側(cè)壁防護(hù)等多個(gè)層面，下面是對(duì)這些機(jī)制的深入剖析： 化學(xué)反應(yīng)層面 1 刻蝕劑與半導(dǎo)體材料的交互：濕法刻蝕技術(shù)依賴于特定
2025-01-08 16:57:451468 在半導(dǎo)體制造業(yè)這一精密且日新月異的舞臺(tái)上，每一項(xiàng)技術(shù)都是推動(dòng)行業(yè)躍進(jìn)的關(guān)鍵舞者。其中，原子層沉積（ALD）技術(shù)，作為薄膜沉積領(lǐng)域的一顆璀璨明星，正逐步成為半導(dǎo)體工藝中不可或缺的核心要素。本文旨在深度剖析為何半導(dǎo)體制造對(duì)ALD技術(shù)情有獨(dú)鐘，并揭示其獨(dú)特魅力及廣泛應(yīng)用。
2025-01-24 11:17:211922 刻蝕工藝的核心機(jī)理與重要性 刻蝕工藝是半導(dǎo)體圖案化過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，與光刻機(jī)和薄膜沉積設(shè)備并稱為半導(dǎo)體制造的三大核心設(shè)備。刻蝕的主要作用是將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到功能膜層，具體而言，是通過(guò)物理及化學(xué)
2025-04-27 10:42:452205 
半導(dǎo)體BOE（Buffered Oxide Etchant，緩沖氧化物蝕刻液）刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中用于去除晶圓表面氧化層的關(guān)鍵工藝，尤其在微結(jié)構(gòu)加工、硅基發(fā)光器件制作及氮化硅/二氧化硅刻蝕中廣
2025-04-28 17:17:255516 ICP（Inductively Coupled Plasma，電感耦合等離子體）刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中的一種關(guān)鍵干法刻蝕工藝，廣泛應(yīng)用于先進(jìn)集成電路、MEMS器件和光電子器件的加工。以下是關(guān)于ICP
2025-05-06 10:33:063902 定向沉積在晶圓表面，從而構(gòu)建高精度的金屬互連結(jié)構(gòu)。 從鋁到銅，芯片互連的進(jìn)化之路： 隨著芯片制造工藝不斷精進(jìn)，芯片內(nèi)部的互連線材料也從傳統(tǒng)的鋁逐漸轉(zhuǎn)向銅。半導(dǎo)體鍍銅設(shè)備因此成為芯片制造中的“明星設(shè)備”。 銅的優(yōu)勢(shì)：銅導(dǎo)線擁有更低的電阻，可以有效降低芯片
2025-05-13 13:29:562532 
半導(dǎo)體外延和薄膜沉積是兩種密切相關(guān)但又有顯著區(qū)別的技術(shù)。以下是它們的主要差異：定義與目標(biāo)半導(dǎo)體外延核心特征：在單晶襯底上生長(zhǎng)一層具有相同或相似晶格結(jié)構(gòu)的單晶薄膜（外延層），強(qiáng)調(diào)晶體結(jié)構(gòu)的連續(xù)性和匹配
2025-08-11 14:40:061537 
傳輸線方法（TLM）作為常見(jiàn)的電阻測(cè)量技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件中溝道電阻與接觸電阻的提取。傳統(tǒng)的TLM模型基于理想歐姆接觸假設(shè)，忽略了界面缺陷、勢(shì)壘等非理想因素引入的界面電阻，尤其在氧化物半導(dǎo)體如
2025-09-29 13:43:07430 
Xfilm埃利測(cè)量專注于電阻/方阻及薄膜電阻檢測(cè)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)與技術(shù)突破，致力于為全球集成電路和光伏產(chǎn)業(yè)提供高精度、高效率的量檢測(cè)解決方案。公司以核心技術(shù)為驅(qū)動(dòng)，深耕半導(dǎo)體量測(cè)裝備及光伏電池電阻檢測(cè)
2025-09-29 13:46:391016
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