刻蝕是半導(dǎo)體制造中十分關(guān)鍵的一環(huán)，刻蝕通過物理或化學(xué)方法將硅片表面不需要的材料去除，從而將掩膜圖形正確的復(fù)制到涂膠硅片上。

刻蝕過程需要用到刻蝕機這一設(shè)備。如今，我國在光刻機領(lǐng)域雖然還難以突破，但在刻蝕機領(lǐng)域，我國已經(jīng)實現(xiàn)突圍。

中微半導(dǎo)體是我國刻蝕機領(lǐng)頭羊企業(yè)，由尹志堯在2004年一手創(chuàng)建。

尹志堯是半導(dǎo)體領(lǐng)域的大佬級人物，在英特爾、應(yīng)用材料等巨頭供職的20多年。如今，應(yīng)用材料在全球刻蝕機市場中，以19%的占比排名第三位。

因而，尹志堯有著豐厚的行業(yè)經(jīng)驗。彼時，與尹志堯一同回國的，還有30多人的精英團隊。在這群人的共同努力下，中微半導(dǎo)體在介質(zhì)刻蝕領(lǐng)域不斷深挖，成為行業(yè)新黑馬。

十余年的堅持讓中微半導(dǎo)體成功實現(xiàn)了從65nm，到最領(lǐng)先的5nm的攻克。而且，中微半導(dǎo)體5nm刻蝕機，還成功打入臺積電生產(chǎn)線。

為此，中微半導(dǎo)體成為大陸本土設(shè)備商中，唯一被臺積電認可的廠商。

中微半導(dǎo)體的這一系列成績，讓美國也感到了壓力。為搶奪中國市場，在2015年，美國商務(wù)部解除了對中國等離子體刻蝕設(shè)備的出口管制。

中微半導(dǎo)體的突圍，與其對研發(fā)的重視離不開。

據(jù)日前IPRdaily與incoPat聯(lián)合發(fā)布的“科創(chuàng)板225家上市企業(yè)有效發(fā)明專利排行榜”顯示，中微半導(dǎo)體排在了第六位，共擁有1142項全球發(fā)明專利，數(shù)量可觀。

中微半導(dǎo)體每年都會投入大量的資金用于研發(fā)，2019年，公司投入4.25億元用于研發(fā)。而這一年公司營收為19.47億元，研發(fā)投入占營收的比例為21.8%左右。

這一比例可與眾多海外科技巨頭相媲美。在巨大的研發(fā)投入之下，中微半導(dǎo)體自然能如此快取得亮眼的突破。

當(dāng)前，中微半導(dǎo)體的業(yè)績不斷改善，據(jù)中微半導(dǎo)體2020年度業(yè)績預(yù)告顯示，公司歸屬于母公司所有者凈利潤同比至少增長133.34%，為4.4億-5.2億元。

中微半導(dǎo)體的快速崛起令人矚目。但也應(yīng)該認識到的是，目前公司規(guī)模有限，難以同半導(dǎo)體巨頭相抗衡。

而且，全球刻蝕設(shè)備市場正處于寡頭壟斷狀態(tài)，泛林半導(dǎo)體、TEL與應(yīng)用材料三家巨頭，便占據(jù)了行業(yè)將近91%的市場。這給中微半導(dǎo)體的發(fā)展帶來了挑戰(zhàn)。

此外，刻蝕設(shè)備更新速度較快，中微半導(dǎo)體必須不斷攻克，保持技術(shù)領(lǐng)先。
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