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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>28nm!印度今年將推出首款 “國(guó)產(chǎn)芯片”

28nm!印度今年將推出首款 “國(guó)產(chǎn)芯片”

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2012-09-21 13:49:05

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2017-12-07 14:49:102086

臺(tái)積電量產(chǎn)28納米制程的優(yōu)化版,預(yù)計(jì)今年市場(chǎng)份額仍可達(dá)7成

臺(tái)積電今年量產(chǎn)28納米制程的優(yōu)化版,預(yù)計(jì)今年市場(chǎng)份額仍可達(dá)7成,堪稱(chēng)臺(tái)積電最長(zhǎng)青的28nm制程, 估計(jì)貢獻(xiàn)該公司年?duì)I收逾2300億元新臺(tái)幣,創(chuàng)歷史新高。 臺(tái)積電最早在7年前推出28nm制程,搶得
2018-02-01 05:23:231189

三星預(yù)計(jì)今年采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片

晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項(xiàng)設(shè)計(jì)訂單,其中有超過(guò)十幾項(xiàng)設(shè)計(jì)將會(huì)在今年出樣(tape-out)。另一方面,其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星則預(yù)計(jì)今年采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134895

Innovus為28nm SoC實(shí)現(xiàn)更大規(guī)模設(shè)計(jì)和更高質(zhì)量的結(jié)果

瑞昱半導(dǎo)體股份有限公司(Realtek Semiconductor Corp.)Cadence? Innovus? 設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)用于其最新28nm數(shù)字電視(DTV)系統(tǒng)級(jí)芯片的研發(fā)并成功流片,同時(shí)成功縮小了芯片面積并降低了功耗。
2018-05-08 10:57:096958

超越--賽靈思7系列28nm FPGA產(chǎn)品發(fā)布會(huì)

超越--賽靈思7系列28nm FPGA產(chǎn)品發(fā)布會(huì)
2018-06-05 13:45:003991

了解Altera公司28nm的DSP創(chuàng)新技術(shù)

Altera市場(chǎng)行銷(xiāo)部高級(jí)副總裁Danny Biran介紹了該公司28nm的DSP創(chuàng)新,擬2011年1季度面試,開(kāi)發(fā)軟件DSPB-AB今年5月即可面試。這些Stratix V家族DSP鎖定三大海
2018-06-22 05:28:004286

瑞薩電子發(fā)布了業(yè)界第一使用28nm工藝的集成閃存微控制器

繼于2015年2月28nm嵌入式閃存的工藝開(kāi)發(fā)公布后,瑞薩電子于2016年9月宣布與臺(tái)積電合作生產(chǎn)28nm MCU。今日向市場(chǎng)推出全球第一28nm嵌入式閃存MCU,將成為瑞薩電子的另一個(gè)重要里程碑。瑞薩電子已經(jīng)驗(yàn)證了在16/14nm及下一代MCU產(chǎn)品上應(yīng)用鰭狀MONOS閃存技術(shù)。
2019-08-02 10:25:033067

三星突破次世代存儲(chǔ)器大規(guī)模生產(chǎn)28nm工藝EMRAM

三星宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)首商用EMRAM產(chǎn)品,該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù),并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲(chǔ)器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591275

紫光推出Logos-2系列,采用28nm CMOS工藝制程

紫光同創(chuàng)強(qiáng)勢(shì)推出Logos-2系列高性價(jià)比FPGA第一產(chǎn)品PG2L100H及其全套自主軟件和IP方案。該系列產(chǎn)品采用28nm CMOS工藝制程,相對(duì)于40nm工藝Logos-1系列FPGA性能提升
2020-03-18 16:25:304421

需求下滑導(dǎo)致臺(tái)積電28nm和40/45nm產(chǎn)能利用率下滑

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,由于需求下滑,芯片代工商臺(tái)積電28nm、40/45nm的產(chǎn)能利用率有下滑。
2020-04-15 14:44:583681

半導(dǎo)體制程發(fā)展:28nm向3nm的“大躍進(jìn)”

雖然高端市場(chǎng)會(huì)被 7nm、10nm以及14nm/16nm工藝占據(jù),但40nm、28nm等并不會(huì)退出。如28nm和16nm工藝現(xiàn)在仍然是臺(tái)積電的營(yíng)收主力,中芯國(guó)際則在持續(xù)提高28nm良率。
2020-10-15 11:18:025295

美國(guó)允許臺(tái)積電向華為供貨28nm芯片

據(jù)外媒最新報(bào)道,近日美國(guó)政府允許了臺(tái)積電向華為供貨芯片,但只是允許向華為供應(yīng)一部分成熟工藝的產(chǎn)品,即:28nm工藝或以上的產(chǎn)品! 臺(tái)積電從美國(guó)商務(wù)部獲得許可證,能夠繼續(xù)向華為供應(yīng)一部分成熟工藝產(chǎn)品
2020-10-23 10:54:442991

DigiTimes :臺(tái)積電 28nm產(chǎn)能罕見(jiàn)滿載 中芯轉(zhuǎn)單效應(yīng)提前發(fā)酵

通(Broadcom)原在中芯 28nm 制程生產(chǎn)的產(chǎn)品提早轉(zhuǎn)移過(guò)來(lái),成為臺(tái)積電 28nm 產(chǎn)能利用率達(dá) 100% 的主要原因。 與目前的 5nm、7nm 工藝相比,28nm、40/45nm 盡管已推出較長(zhǎng)時(shí)間,但它們?nèi)栽诶^續(xù)發(fā)揮作用,并在臺(tái)積電營(yíng)收中占有較大比重。 責(zé)任編輯:PSY
2020-11-04 10:24:271764

臺(tái)積電28nm的產(chǎn)能利用率未能達(dá)到預(yù)期

該報(bào)道指出,產(chǎn)能滿載的主要推動(dòng)力在于高通、博通原先在中芯國(guó)際的28nm訂單提前轉(zhuǎn)移到了臺(tái)積電。
2020-11-04 16:05:451885

最新調(diào)查:國(guó)產(chǎn)28nm芯片已實(shí)現(xiàn)去美化,成功自給自足

市場(chǎng)研究與咨詢機(jī)構(gòu)Strategy Analytics發(fā)布的研究報(bào)告《重要的28nm CMOS節(jié)點(diǎn)上中國(guó)自給自足:計(jì)劃能夠成功》指出,中國(guó)“國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期”的成立,可能會(huì)推動(dòng)中國(guó)在兩年內(nèi)在至關(guān)重要的28nm特征尺寸的集成電路生產(chǎn)方面幾乎實(shí)現(xiàn)自給自足。
2020-11-04 16:11:575401

美國(guó)禁令推動(dòng)國(guó)產(chǎn)28nm芯片兩年內(nèi)實(shí)現(xiàn)自給自足

市場(chǎng)研究與咨詢機(jī)構(gòu)Strategy Analytics發(fā)布的研究報(bào)告《重要的28nm CMOS節(jié)點(diǎn)上中國(guó)自給自足:計(jì)劃能夠成功》指出,中國(guó)“國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期”的成立,可能會(huì)推動(dòng)中國(guó)在兩年內(nèi)在至關(guān)重要的28nm特征尺寸的集成電路生產(chǎn)方面幾乎實(shí)現(xiàn)自給自足。
2020-11-04 16:08:182114

28nm工藝在芯片制造領(lǐng)域的地位

,計(jì)劃在2021年年底為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造28nm芯片,且預(yù)計(jì)在2022年底之前為5G設(shè)備供應(yīng)20nm芯片。 該報(bào)道稱(chēng),由于華為此前并沒(méi)有制造芯片的經(jīng)驗(yàn),因此該工廠將由上海市政府支持的上海集成電路研發(fā)中心有限公司(ICRD)運(yùn)營(yíng)。 對(duì)此華為未予置評(píng)。無(wú)論華為
2020-11-05 16:50:3411140

芯片“替代化”成主流趨勢(shì),28nm產(chǎn)業(yè)鏈1-2年有望成熟

近兩年,國(guó)際局勢(shì)的變化,推動(dòng)“芯片”這一話題不斷升溫。近日,清華大學(xué)教授魏少軍在接受搜狐科技專(zhuān)訪時(shí)表示,中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)在當(dāng)前的處境下帶來(lái)的反彈影響深遠(yuǎn),將會(huì)加速國(guó)產(chǎn)及歐日韓元器件作為替代。同時(shí),他提到,中國(guó)28nm芯片產(chǎn)業(yè)鏈有望在1-2年內(nèi)走向成熟。
2020-11-12 16:15:491984

28nm目前全球的晶圓代工狀況

28nm目前國(guó)內(nèi)主要的芯片產(chǎn)品以及未來(lái)5年可能會(huì)導(dǎo)入的新的芯片產(chǎn)品
2020-12-02 10:31:094356

Omdia 研究報(bào)告,28nm 將在未來(lái) 5 年成為半導(dǎo)體應(yīng)用的長(zhǎng)節(jié)點(diǎn)制程工藝

12 月 3 日消息 據(jù) Omdia 研究報(bào)告,28nm 將在未來(lái) 5 年成為半導(dǎo)體應(yīng)用的長(zhǎng)節(jié)點(diǎn)制程工藝。 在摩爾定律的指引下,集成電路的線寬不斷縮小,基本上是按每?jī)赡昕s小至原尺寸的 70% 的步伐
2020-12-03 17:02:252832

臺(tái)積電和聯(lián)華電子28nm工藝滿負(fù)荷運(yùn)行

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,雖然目前最先進(jìn)的芯片制程工藝已經(jīng)達(dá)到5nm,但成熟的28nm工藝,目前仍還有大量的需求,28nm工藝目前就還仍是臺(tái)積電的第4大收入來(lái)源,貢獻(xiàn)了去年四季度臺(tái)積電營(yíng)收的11%,是4項(xiàng)營(yíng)收占比超過(guò)10%的工藝之一。
2021-01-19 15:07:482108

曾經(jīng)被28nm改寫(xiě)的半導(dǎo)體市場(chǎng)

最近,關(guān)于28nm工藝的新聞?lì)l頻見(jiàn)于報(bào)端。 一方面,臺(tái)積電日前宣布,斥資約800億元新臺(tái)幣,把在南京廠建置28納米制程,目標(biāo)在2023年中前達(dá)到4萬(wàn)片月產(chǎn)能。除此之外,市場(chǎng)中也有消息傳出晶圓代工
2021-05-06 17:32:323176

中國(guó)28nm和14nm芯片進(jìn)步神速,未來(lái)5nm仍是挑戰(zhàn)

中國(guó)最大的芯片代工廠中芯國(guó)際 (SMIC) 是中國(guó)走向未來(lái)的前沿和中心,自去年以來(lái),它一直在加大關(guān)鍵 28 nm芯片的生產(chǎn)。今年實(shí)現(xiàn) 28nm 規(guī)模對(duì)于中國(guó)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展的長(zhǎng)期過(guò)程,并且減少
2021-06-23 16:42:479397

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺(tái)推出FPGA產(chǎn)品加強(qiáng)邊緣AI能力

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺(tái)推出了一系列FPGA產(chǎn)品,包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問(wèn)世的基于安全的FPGA Mach-NX,以及最新推出的CertusPro-NX,另外明年還會(huì)推出基于FD-SOI平臺(tái)的兩新品。
2021-08-14 10:07:446101

俄羅斯計(jì)劃耗資3.2萬(wàn)億盧布,在2030年實(shí)現(xiàn)28nm芯片的自主生產(chǎn)

近日,據(jù)外媒報(bào)道,俄羅斯投資3.2萬(wàn)億盧布來(lái)推動(dòng)芯片技術(shù)的研發(fā),計(jì)劃在2030年實(shí)現(xiàn)28nm芯片的自主生產(chǎn)。早在2月份就有這個(gè)消息的傳出。 在多方因素的影響之下,俄羅斯加快自主研發(fā)芯片的進(jìn)程
2022-04-17 17:14:373408

富士康計(jì)劃新建12英寸晶圓廠,鎖定28nm及40nm制程

合作,一同成立合資企業(yè),并在馬來(lái)西亞新建一座12英寸晶圓工廠。 據(jù)了解,富士康提及到該工廠將會(huì)鎖定28nm及40nm制程,并且預(yù)計(jì)該晶圓廠投產(chǎn)后,每個(gè)月能夠提供4萬(wàn)片的產(chǎn)能。目前市面上的微控制器、傳感器、連接相關(guān)芯片等都廣泛使用了28nm制程,因此例如臺(tái)積電等制
2022-05-18 16:35:032886

22nm28nm芯片性能差異

據(jù)芯片行業(yè)來(lái)看,目前22nm28nm芯片工藝技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟了,很多廠商也使用22nm、28nm芯片居多,主要原因就是價(jià)格便宜,那么這兩個(gè)芯片之間有什么性能差異呢?
2022-06-29 09:47:4610323

恩智浦推出全新28nm RFCMOS雷達(dá)單芯片系列,賦能新一代ADAS和自動(dòng)駕駛系統(tǒng)!

恩智浦首28nm RFCMOS雷達(dá)單芯片,適合多種安全關(guān)鍵型ADAS應(yīng)用,包括自動(dòng)緊急制動(dòng)和盲點(diǎn)檢測(cè) 單芯片式解決方案由高度集成的射頻前端和多核雷達(dá)處理器組成 DENSO Corporation
2023-01-19 09:25:021276

IP_數(shù)據(jù)表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm

IP_數(shù)據(jù)表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm
2023-03-14 19:20:110

IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm

IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm
2023-03-14 19:20:431

IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+

IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-03-14 19:21:550

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:25:461

IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-03-16 19:26:220

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-03-16 19:31:220

IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:31:530

IP_數(shù)據(jù)表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm

IP_數(shù)據(jù)表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm
2023-07-05 19:45:461

IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm

IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm
2023-07-05 19:46:141

IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+

IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-05 19:47:130

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:11:570

IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:12:261

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:17:411

IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:070

臺(tái)積電第一家日本工廠即將開(kāi)張:預(yù)生產(chǎn)28nm工藝芯片

這座晶圓廠于2022年4月開(kāi)始新建,大樓主結(jié)構(gòu)已完工,且辦公室部分區(qū)域也在今年8月啟用。生產(chǎn)N28 28nm級(jí)工藝芯片,這是日本目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝。22ULP工藝也會(huì)在這里生產(chǎn),但注意它不是22nm,而是28nm的一個(gè)變種,專(zhuān)用于超低功耗設(shè)備。
2024-01-03 15:53:271216

國(guó)內(nèi)首自主研發(fā)28nm顯示芯片量產(chǎn)

近日,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)重要里程碑,北京顯芯科技有限公司成功實(shí)現(xiàn)全球首28納米內(nèi)嵌RRAM(阻變存儲(chǔ)器)畫(huà)質(zhì)調(diào)節(jié)芯片的量產(chǎn)。這款芯片不僅標(biāo)志著我國(guó)在顯示類(lèi)芯片領(lǐng)域達(dá)到了新的半導(dǎo)體工藝高度,更是國(guó)內(nèi)首自主研發(fā)并成功商用的28nm顯示芯片,展現(xiàn)了我國(guó)在高端顯示技術(shù)上的自主創(chuàng)新能力。
2024-09-11 17:17:152844

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