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電子發(fā)燒友網(wǎng)>嵌入式技術(shù)>嵌入式新聞>ARM并不看好Intel的3D晶體管制程技術(shù)

ARM并不看好Intel的3D晶體管制程技術(shù)

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22納米3D晶體管技術(shù)

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半導(dǎo)體制程邁入3D 2013年為量產(chǎn)元年

時序即將進(jìn)入2012年,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)持續(xù)進(jìn)行變革,其中3D IC便為未來芯片發(fā)展趨勢,將促使供應(yīng)鏈加速投入3D IC研發(fā),其中英特爾 (Intel)在認(rèn)為制程技術(shù)將邁入3D下,勢必激勵其本身的
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高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管

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Intel2011年5月6日研制成功的世界上第一個3D晶體管“Tri-Gate”現(xiàn)在已經(jīng)逐步進(jìn)入大家的視線了,本文將介紹3D晶體管的一些優(yōu)點。
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22nm 3D三柵極晶體管技術(shù)詳解

本文核心議題: 通過本文介紹,我們將對Intel 22nm 3D三柵極晶體管技術(shù)有著詳細(xì)的了解。業(yè)界一直傳說3D三柵級晶體管技術(shù)將會用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造,沒想到英特爾竟提前將之用
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英特爾開發(fā)3D晶體管ARM構(gòu)成的威脅

英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn),它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器,代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別,它不只可
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技術(shù)牛人對intel的22nm 3D工藝的解讀

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本文中心議題: 英特爾(Intel)于日前宣布芯片設(shè)計創(chuàng)新,外界認(rèn)為,主要是為擺脫英國芯片大廠ARM的威脅。ARM對英特爾在微處理器行業(yè)的統(tǒng)治地位構(gòu)成挑戰(zhàn)。但是ARM卻表明立場:面對
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裸眼3D顯示技術(shù)詳解

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2012-08-17 12:21:52

英特爾將在SoC移動芯片上應(yīng)用“3D晶體管” 業(yè)界質(zhì)疑

近日消息,英特爾計劃將“3D晶體管”工藝應(yīng)用到SoC移動芯片上,以獲得產(chǎn)品性能飛躍性提升,但對于“3D晶體管技術(shù)是否適用于SoC芯片的制造,參與舊金山國際電子產(chǎn)品大會的專家們
2012-12-11 09:05:451434

IBM展示領(lǐng)先芯片技術(shù),3D晶體管碳納米管來襲

IBM在Common Platform技術(shù)論壇上展示了藍(lán)色巨人對未來晶圓的發(fā)展預(yù)測,Common Platform是IBM、Globalfoundries和Samsung的聯(lián)盟,旨在研究3D晶體管
2013-02-20 23:04:308361

3D技術(shù)的應(yīng)用探索3D機(jī)器視覺庫

3D技術(shù)的應(yīng)用探索3D機(jī)器視覺庫 的資料。
2016-03-22 15:01:570

3D顯示技術(shù)3D電視機(jī)

3D顯示技術(shù)3D電視機(jī)
2017-04-21 10:11:2212

3D打印技術(shù)是什么?未來3D打印技術(shù)對城市空間的影響

3D打印技術(shù)以令人驚嘆的速度發(fā)展起來,3D汽車、3D器官、3D食物等等都將會深刻地影響我們?nèi)粘I?。雖然3D打印技術(shù)現(xiàn)在并不完善,但是一旦邁過這個技術(shù)門檻,絕對會給我們的世界帶來巨大的變革。與此對應(yīng)的,城市也將會迎來新的發(fā)展機(jī)遇和變化。
2017-05-17 10:29:562530

3D打印技術(shù)詳解,3D打印技術(shù)在地學(xué)信息領(lǐng)域的應(yīng)用

3D打印技術(shù)近年來得到普遍關(guān)注。目前,3D打印技術(shù)在各領(lǐng)域的應(yīng)用已取得明顯進(jìn)展,但是3D打印技術(shù)還沒有得到全面應(yīng)用。就地學(xué)信息領(lǐng)域而言,僅在個別部門得到初步應(yīng)用。
2017-06-23 10:32:124346

投資者并不看好Intel的股票,CEO突然離職,10nm工藝難產(chǎn),局面太尷尬

據(jù)美國媒體報道稱,不少投資人士還有行業(yè)專家都不看好最近Intel的股票,因為他們在跟AMD和NVIDIA的競爭上,表現(xiàn)的并不是那么強勢,當(dāng)然還有公司一大堆不是很穩(wěn)定的發(fā)展戰(zhàn)略。
2018-07-18 17:20:00799

鰭式場效晶體管集成電路設(shè)計與測試

鰭式場效晶體管集成電路設(shè)計與測試 鰭式場效晶體管的出現(xiàn)對 集成電路 物 理設(shè)計及可測性設(shè)計流程具有重大影響。鰭式場效晶體管的引進(jìn)意味著在集成電路設(shè)計制程中互補金屬氧化物( CMOS )晶體管必須被建模成三維(3D)的器件,這就包含了各種復(fù)雜性和不確定性。
2018-05-25 09:26:006080

三家獨大!在晶體管產(chǎn)業(yè)誰更厲害?

由于晶體管制造的復(fù)雜性,每代晶體管制程針對不同用途的制造技術(shù)版本,不同廠商的代次間統(tǒng)計算法也完全不同,單純用代次來比較并不準(zhǔn)確。根據(jù)目前業(yè)界常用晶體管密度來衡量制程水平,英特爾最新10nm制程晶體管密度堪比三星 EUV版本7nm制程。
2018-07-10 16:31:004668

英特爾立體3D效果實例

Intel Stereo 3D Effect Example
2018-10-16 03:19:002822

麻省理工開發(fā)微加工技術(shù)可生產(chǎn)最小的3D晶體管

新的微加工技術(shù)可用于生產(chǎn)有史以來最小的3D晶體管,尺寸是目前主流商用產(chǎn)品的三分之一。
2018-12-12 09:40:483709

3D傳感器巨頭艾邁斯半導(dǎo)體看好汽車、工業(yè)和音頻等新興市場

3D傳感器巨頭艾邁斯半導(dǎo)體看好汽車、工業(yè)和音頻等新興市場
2019-07-02 15:25:163023

格芯新開發(fā)出基于ARM架構(gòu)的3D高密度測試芯片 成熟穩(wěn)定性優(yōu)于7納米制程芯片

格芯指出,新開發(fā)出基于ARM架構(gòu)的3D高密度測試芯片,是采用格芯的12納米FinFET制程所制造,采用3DARM網(wǎng)狀互連技術(shù),允許資料更直接的傳輸?shù)狡渌麅?nèi)核,極大化的降低延遲性。而這樣的架構(gòu),這可以降低資料中心、邊緣運算以及高端消費者應(yīng)用程式的延遲,并且提升數(shù)據(jù)的傳輸速度。
2019-08-12 16:36:543247

Artilux實現(xiàn)寬頻3D深度傳感技術(shù)

作為光學(xué)和電子技術(shù)的專家,Artilux(光程研創(chuàng))領(lǐng)先業(yè)界發(fā)表采用鍺硅GeSi制程的寬帶3D傳感技術(shù)。
2019-08-15 16:16:424052

怎樣使用3055金屬晶體管制造音頻放大器

 這種類型,我們可以使用3055金屬晶體管制作音頻放大器電路。
2019-10-08 11:23:103945

TSV制程技術(shù)日愈成熟,模擬芯片將邁向3D時代

類比積體電路設(shè)計也將進(jìn)入三維晶片(3D IC)時代。在數(shù)位晶片開發(fā)商成功量產(chǎn)3D IC方案后,類比晶片公司也積極建置類比3D IC生產(chǎn)線,期透過矽穿孔(TSV)與立體堆疊技術(shù),在單一封裝內(nèi)整合采用不同制程生產(chǎn)的異質(zhì)類比元件,以提升包括電源晶片、感測器與無線射頻(RF)等各種類比方案效能。
2019-10-21 14:28:531438

國際大廠們之間的“3D堆疊大戰(zhàn)”

困于10nm的Intel也在這方面尋找新的機(jī)會,其在去年年底的“架構(gòu)日”活動中,推出其業(yè)界首創(chuàng)的3D邏輯芯片封裝技術(shù)——Foveros,F(xiàn)overos首次引入3D堆疊的優(yōu)勢,可實現(xiàn)在邏輯芯片上堆疊
2020-01-28 16:10:004118

新東芝存儲對3D XPoint前景不看好,性價比比不上XL-Flash

至于原因,東芝認(rèn)為3D XPoint成本太高,在容量/價格比上難以匹敵3D NAND 技術(shù),現(xiàn)在市面上96層堆疊的閃存已經(jīng)大量涌現(xiàn),可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。
2020-01-02 09:27:343123

鎧俠展望3D XPoint前景,3D NAND技術(shù)成熟占據(jù)主導(dǎo)

未來十年,存儲市場仍將繼續(xù)追求存儲的密度、速度和需求的平衡點。盡管各個廠家的技術(shù)側(cè)重點不盡相同,但鎧俠(原東芝存儲器)對 3D XPoint 之類的堆疊類存儲方案的前景并不看好
2020-01-02 16:02:115268

Intel與美光達(dá)成新協(xié)議 將繼續(xù)獲得3D XPoint產(chǎn)品供應(yīng)

Intel于近日與美光在3D XPoint閃存供應(yīng)事項上面達(dá)成了新的協(xié)議,分析師認(rèn)為,他們向美光支付了以前更多的錢以繼續(xù)獲得3D XPoint產(chǎn)品的供應(yīng)。
2020-03-23 08:52:432863

3D打印在制造業(yè)中的應(yīng)用范圍

不少看似3D打印相關(guān)的商業(yè)模式其實確偏離了主題,就拿3D打印煎餅來說,煎餅?zāi)懿荒苷碱I(lǐng)消費者的胃,并不在于3D打印技術(shù),而是在于煎餅是不是煎餅味道的。而一些基于3D打印技術(shù)的藝術(shù)品亦然,說到底3D打印
2020-07-30 13:47:292165

X-Cube?3D 系列推進(jìn) 3D 封裝工藝發(fā)展

前有臺積電的 CoWoS,Intel 的 Foveros,現(xiàn)在三星也公布了自家的 3D 封裝技術(shù) X-Cube。顯而易見的是,未來我們買到的電子產(chǎn)品中,使用 3D 封裝技術(shù)的芯片比例會越來越高。
2020-08-24 14:39:253046

Intel、臺積電推出3D芯片封裝后,三星宣布新一代3D芯片技術(shù)

Intel、臺積電各自推出自家的3D芯片封裝技術(shù)之后,三星也宣布新一代3D芯片技術(shù)——X-Cube,基于TSV硅穿孔技術(shù),可以將不同芯片搭積木一樣堆疊起來,目前已經(jīng)可以用于7nm及5nm工藝。
2020-10-10 15:22:582004

為何很多的人都不看好鴻蒙OS系統(tǒng)?

其實對于國產(chǎn)的手機(jī)系統(tǒng),很多的人是不看好的,所以到了華為要自己做系統(tǒng)的時候這個不看好的聲音就一直高居不下。
2020-12-21 14:29:575354

3D封裝技術(shù)如火如荼 3D DRAM正在路上

FinFET確切的說,是一個技術(shù)的代稱。世界上第一個3D三維晶體管是由英特爾在2011年5月宣布研制成功,當(dāng)時英特爾稱其為 “Tri-Gate”(三柵極晶體管)。
2022-07-08 15:04:262297

如何使用單個晶體管制作音頻混音器

在這個項目中,我們將使用單個晶體管制作音頻混音器,該晶體管將組合兩個或多個音頻信號并產(chǎn)生組合音頻輸出。在該電路中,兩個音頻輸入將使用單個晶體管進(jìn)行混合以產(chǎn)生混合音頻輸出。
2022-09-23 17:06:364272

由分立晶體管制成的計算器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《由分立晶體管制成的計算器.zip》資料免費下載
2022-11-15 10:35:230

Intel制程技術(shù)節(jié)點概覽

Intel近幾年對于芯片制程工藝的發(fā)展令人嘆為觀止,規(guī)劃從Intel 10制程開始,逐步有序進(jìn)入到Intel 7和Intel 4技術(shù)節(jié)點,然后就是 Intel 3、Intel 20A 和最新的Intel 18A制程。
2023-03-15 09:53:481753

3D晶體管的轉(zhuǎn)變

在半導(dǎo)體行業(yè)的最初幾十年里,新的工藝節(jié)點只需縮小晶體管的物理尺寸并將更多晶體管塞到芯片上即可實現(xiàn)性能、功耗和面積增益,這稱為經(jīng)典縮放。集成電路工作得更好,因為電信號在每個晶體管之間傳播的距離更短。
2023-07-16 15:47:431457

背面供電與DRAM、3D NAND三大技術(shù)介紹

最近有許多正在全球范圍內(nèi)研究和開發(fā)的技術(shù),例如晶體管GAA(Gate All around)、背面供電以及3D IC。
2023-07-26 18:21:586699

英特爾展示下一代晶體管微縮技術(shù)突破,將用于未來制程節(jié)點

在IEDM 2023上,英特爾展示了結(jié)合背面供電和直接背面觸點的3D堆疊CMOS晶體管,這些開創(chuàng)性的技術(shù)進(jìn)展將繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律。
2023-12-11 16:31:051079

技術(shù)前沿:“環(huán)抱”晶體管與“三明治”布線

晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)。這兩項技術(shù)首次成功集成于Intel 20A制程節(jié)點,也將用于Intel 18A。 RibbonFET:柵極“環(huán)抱”晶體管 通過RibbonFET晶體管,英特爾實現(xiàn)了
2024-09-11 17:57:52733

麻省理工學(xué)院研發(fā)全新納米級3D晶體管,突破性能極限

11月7日,有報道稱,美國麻省理工學(xué)院的研究團(tuán)隊利用超薄半導(dǎo)體材料,成功開發(fā)出一種前所未有的納米級3D晶體管。這款晶體管被譽為迄今為止最小的3D晶體管,其性能與功能不僅與現(xiàn)有的硅基晶體管相當(dāng),甚至在某些方面還超越了后者。
2024-11-07 13:43:101592

下一代3D晶體管技術(shù)突破,半導(dǎo)體行業(yè)迎新曙光!

新的晶體管技術(shù)。加州大學(xué)圣巴巴拉分校的研究人員在這一領(lǐng)域邁出了重要一步,他們利用二維(2D)半導(dǎo)體技術(shù),成功研發(fā)出新型三維(3D晶體管,為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展開啟了新的篇
2025-03-20 15:30:451073

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