半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)秩序/競(jìng)合關(guān)系陷入大洗牌

在More than Moore的時(shí)代，晶圓代工業(yè)者除了制程微縮之外，還有許多其他道路可走。不管是還留在先進(jìn)制程競(jìng)技場(chǎng)上的臺(tái)積電、三星或英特爾，或是已經(jīng)策略轉(zhuǎn)向的聯(lián)電、格芯，以及本來就走小而美路線的特殊制程晶圓代工業(yè)者，都必須用更全方位的眼光跟策略布局來面對(duì)未來市場(chǎng)需求的變化跟潛在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的動(dòng)向。

舉例來說，臺(tái)積電近日便宣布將在銅鑼興建先進(jìn)封裝廠，英特爾跟超微則聯(lián)合開發(fā)概念上類似臺(tái)積電CoWoS封裝技術(shù)的EMIB封裝，并借此聯(lián)合推出搭載了英特爾CPU、超微GPU的模組解決方案。

不過，目前EMIB封裝只用來串聯(lián)GPU跟周邊的HBM記憶體，CPU跟GPU之間的連線還是藉由模組基板上的PCIe來實(shí)現(xiàn)。或許在未來，EMIB也有機(jī)會(huì)用來實(shí)現(xiàn)CPU跟GPU之間的互聯(lián)，而這也意味著臺(tái)積電除了InFO、CoWoS之外，在先進(jìn)封裝上還會(huì)有其他牌可打。該公司對(duì)先進(jìn)封裝的投入，不是只有產(chǎn)能擴(kuò)張這么簡(jiǎn)單。

半導(dǎo)體供應(yīng)鏈上各家廠商之間的關(guān)系正在大洗牌，昨日的合作伙伴，未來可能是最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手；本來井水不犯河水的兩家廠商，也可能瞬間成為競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系；勢(shì)不兩立幾十年的死對(duì)頭，也有可能坐下來談聯(lián)合技術(shù)研發(fā)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來，顯然還很有看頭。

晶圓制造主要設(shè)備市場(chǎng)情況

根據(jù)2017年SEMI公布的數(shù)據(jù)，在集成電路制程中，晶圓制造設(shè)備投入占比約占設(shè)備投資的80%，而封裝、測(cè)試設(shè)備投入則占比分別為9%和6%。在制造過程中，最主要、價(jià)值最昂貴的三類分別是沉積設(shè)備，包括PECVD，LPCVD等、刻蝕設(shè)備、光刻機(jī)，占半導(dǎo)體晶圓廠設(shè)備總投資的15%、15%、20-25%。

而這些設(shè)備因?yàn)楸粦?yīng)用于制造，因此其精度和穩(wěn)定性也要求最高。而憑借技術(shù)資金等優(yōu)勢(shì)占據(jù)大份額的龍頭企業(yè)在這些領(lǐng)域尤為領(lǐng)先。

2017年全球營(yíng)收前十大半導(dǎo)體設(shè)備公司

數(shù)據(jù)來源：各公司公告、國(guó)泰君安證券研究

幾乎壟斷了高端光刻市場(chǎng)份額高達(dá)80%的ASML，在CVD設(shè)備和PVD設(shè)備領(lǐng)域都保持領(lǐng)先的美國(guó)應(yīng)用材料（AMAT）以及刻蝕機(jī)設(shè)備領(lǐng)域龍頭Lam Research穩(wěn)坐前三。下面將就沉積、刻蝕、光刻這三大領(lǐng)域及代表公司進(jìn)行詳解。

1. 沉積設(shè)備

沉積是半導(dǎo)體制程工藝中的一個(gè)非常重要的技術(shù)，分為物理氣相沉積（PVD）和化學(xué)氣相沉積（CVD）。

PVD是英文Physical Vapor Deposition的縮寫，中文意思是“物理氣相沉積”，是指在真空條件下，用物理的方法使材料沉積在被鍍工件上的薄膜制備技術(shù)。

PVD鍍膜技術(shù)主要分為三類，真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍和真空離子鍍膜。對(duì)應(yīng)于PVD技術(shù)的三個(gè)分類，相應(yīng)的真空鍍膜設(shè)備也就有真空蒸發(fā)鍍膜機(jī)、真空濺射鍍膜機(jī)和真空離子鍍膜機(jī)這三種。

CVD是英文Chemical Vapor Deposition的縮寫，中文意思為“化學(xué)氣相沉積”，是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)，其可用于沉積大范圍的絕緣材料、大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，化學(xué)氣相沉積法時(shí)將兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。

在集成電路制成中，經(jīng)常使用的CVD技術(shù)有：大氣壓化學(xué)氣相沉積（APCVD）、低氣壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）以及新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）等。相應(yīng)的設(shè)備也就有APCVD設(shè)備，LPCVD設(shè)備，PECVD設(shè)備以及MOCVD設(shè)備。

代表企業(yè)：AMAT

美國(guó)應(yīng)用材料股份有限公司AMAT是最大的納米制造技術(shù)企業(yè)。自1967年成立以來至今，作為全球最大的半導(dǎo)體與顯示行業(yè)制造設(shè)備供應(yīng)商，產(chǎn)品與服務(wù)已覆蓋原子層沉積、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、刻蝕、快速熱處理、離子注入、測(cè)量與檢測(cè)、清洗等生產(chǎn)步驟。特別是其沉積設(shè)備技術(shù)更是全球領(lǐng)先。在PVD設(shè)備市場(chǎng)，AMAT全球占比近55%，在CVD市場(chǎng)，AMAT全球占比近30%。

在2018年，公司推出采用全新設(shè)計(jì)的新型CENTURA 200毫米常壓厚硅外延反應(yīng)室PRONTO。該反應(yīng)室專為生產(chǎn)工業(yè)級(jí)高質(zhì)量厚硅（厚度為20～150微米）外延膜而設(shè)計(jì)，能使當(dāng)前的外延膜生產(chǎn)效率最大化。

2. 刻蝕設(shè)備

刻蝕是采用物理或者化學(xué)的方法，通過掩膜圖形使薄膜材料選擇性銷蝕的技術(shù)，是薄膜制備的“反”過程。

刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕兩類。濕法刻蝕是將硅片浸泡在可與被刻蝕薄膜進(jìn)行反應(yīng)的溶液中，用化學(xué)方法除去不要部分的薄膜。早期制造業(yè)以濕法為主。當(dāng)半導(dǎo)體制造業(yè)進(jìn)入微米、亞微米時(shí)代以后，要求刻蝕的線寬越來越細(xì)，傳統(tǒng)的濕法化學(xué)刻蝕因其固有的橫向鉆蝕，無法控制線寬，甚至造成斷裂，已不再適應(yīng)科研及生產(chǎn)的要求，取而代之的是以等離子體技術(shù)為基礎(chǔ)的干法刻蝕方法。這種方法是將被加工的硅片置于等離子體中，在帶有腐蝕性、具有一定能量離子的轟擊下，反應(yīng)生成氣態(tài)物質(zhì)，去除被刻薄膜，此種方法具有各向異性。

干法刻蝕種類較多，常見的有等離子體刻蝕（分為圓筒型和平行電極型）、反應(yīng)離子刻蝕、濺射刻蝕、離子束刻蝕、反應(yīng)離子束刻蝕等。相應(yīng)的設(shè)備就有等離子體刻蝕機(jī)、反應(yīng)離子刻蝕機(jī)、離子束刻蝕機(jī)等。

代表企業(yè)：Lam Research

Lam Research Corporation創(chuàng)立于1980年，總部位于美國(guó)加州弗里蒙特，是向世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供晶圓制造設(shè)備和服務(wù)的主要供應(yīng)商之一，是目前全球第三大半導(dǎo)體生產(chǎn)商。

公司的三大核心產(chǎn)品是：刻蝕（ETCH--RIE/ALE）設(shè)備、沉積（Deposition--CVD/ECD/ALD）設(shè)備，以及去光阻和清洗（Strip & Clean）設(shè)備。

Lam Research通過專利刻蝕技術(shù)-變壓器耦合等離子（TCP，transformer coupled plasma）提供高水平的刻蝕，鞏固了Lam Research在半導(dǎo)體業(yè)界的地位。目前Lam Research占有全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)一半以上的市場(chǎng)份額。

3. 光刻機(jī)

光刻機(jī)是芯片制造的核心設(shè)備之一，按照用途可以分為好幾種：有用于生產(chǎn)芯片的光刻機(jī)；有用于封裝的光刻機(jī)；還有用于LED制造領(lǐng)域的投影光刻機(jī)。

在加工芯片的過程中，光刻機(jī)通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經(jīng)物鏡補(bǔ)償各種光學(xué)誤差，將線路圖成比例縮小后映射到硅片上，然后使用化學(xué)方法顯影，得到刻在硅片上的電路圖。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、激光刻蝕等工序。經(jīng)過一次光刻的芯片可以繼續(xù)涂膠、曝光。越復(fù)雜的芯片，線路圖的層數(shù)越多，也需要更精密的曝光控制過程。

代表企業(yè)：ASML

1984年，ASML從荷蘭著名電子制造商飛利浦獨(dú)立，此后主要專精于晶片制造微縮影設(shè)備之設(shè)計(jì)制造與整合，積體電路生產(chǎn)流程中，其關(guān)鍵的制程技術(shù)則是微縮影技術(shù)將電路圖影像投射在晶片上之曝光。

阿斯麥公司在世界14個(gè)國(guó)家和地區(qū)有50個(gè)子公司和生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)，主要產(chǎn)品是用來生產(chǎn)大規(guī)模集成電路的核心設(shè)備光刻機(jī)，在世界同類產(chǎn)品中有90%的市占率。

今年，ASML已經(jīng)開始出貨新品Twinscan NXT:2000i DUV（NXT:2000i雙工件臺(tái)深紫外光刻機(jī)），可用于7nm和5nm節(jié)點(diǎn)。

值得一提的是，ASML有一個(gè)非常奇特的規(guī)定，那就是只有投資ASML，才能夠獲得優(yōu)先供貨權(quán)。這樣奇特的合作模式使得ASML獲得了大量的資金，包括英特爾、三星、臺(tái)積電、海力士都在ASML中有相當(dāng)可觀的股份，可以說大半個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)都是ASML一家的合作伙伴，形成了龐大的利益共同體。

半導(dǎo)體裝備是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng)。根據(jù)各細(xì)分設(shè)備市場(chǎng)占有率統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，在光刻機(jī)、CVD、PVD及刻蝕機(jī)，前三家設(shè)備商的總市占率都達(dá) 90%以上，且行業(yè)龍頭都能占據(jù)一半的市場(chǎng)，所以要想在半導(dǎo)體裝備市場(chǎng)中能分一杯羹，公司就必須在細(xì)分領(lǐng)域能夠做到全球前三。

中國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)備企業(yè)

2016年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備銷售收入總計(jì)57.33億元，同比增長(zhǎng)21.5%，其中前十強(qiáng)單位完成銷售收入47.7億元，同比增長(zhǎng)28.5%，也就是說，前十強(qiáng)的增速快于整體增速，市場(chǎng)集中度在不斷提高，可喜可賀。

2016全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備十強(qiáng) 數(shù)據(jù)來源：中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)

從圖中可以看到，國(guó)內(nèi)的設(shè)備公司在前道制造中有一席之地有：中電科、北方華創(chuàng)、中微半導(dǎo)體、上海微電子。下面就來介紹這幾家公司：

1. 中電科電子裝備公司

中電科電子裝備集團(tuán)有限公司是在中國(guó)電子科技集團(tuán)公司2所、45所、48所基礎(chǔ)上組建成立的二級(jí)成員單位，屬中國(guó)電子科技集團(tuán)公司獨(dú)資公司，具備集成電路局部成套和系統(tǒng)集成能力以及光伏太陽能產(chǎn)業(yè)鏈整線交鑰匙能力。已形成以離子注入機(jī)、電化學(xué)沉積設(shè)備等為代表的微電子工藝設(shè)備研究開發(fā)與生產(chǎn)制造體系，可服務(wù)于材料加工、芯片制造、先進(jìn)封裝和測(cè)試檢測(cè)等多個(gè)領(lǐng)域。

中電科裝備公司主營(yíng)業(yè)務(wù)是光伏。不過在中電科電子的不斷努力下，公司在離子注入機(jī)和CMP（化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)）兩個(gè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了重大突破。

承擔(dān)02專項(xiàng)后，電科裝備在離子注入機(jī)方面的研發(fā)可謂是一年邁一個(gè)臺(tái)階。在14年通過02專項(xiàng)的驗(yàn)收后，其離子注入機(jī)即在中芯國(guó)際投入使用。

2015年，電科裝備12英寸中束流離子注入機(jī)在中芯國(guó)際先后完成了55nm、45nm和40nm小批量產(chǎn)品工藝驗(yàn)證，并開始批量生產(chǎn)，逐步提升產(chǎn)能，增加驗(yàn)證機(jī)臺(tái)的數(shù)量。同年，中束流設(shè)備實(shí)現(xiàn)了批量銷售，量產(chǎn)晶圓超過300萬片。

2016年，用于45nm~22nm低能大束流離子注入機(jī)與中束流離子注入機(jī)通過了28nm工藝制程同步驗(yàn)證，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)銷售。

2017年，電科裝備離子注入機(jī)批量制造條件廠房及工藝實(shí)驗(yàn)室已投入使用，重點(diǎn)打造離子注入機(jī)零部件檢測(cè)、模塊裝配及局部成套三大平臺(tái)，可實(shí)現(xiàn)10臺(tái)設(shè)備同時(shí)組裝調(diào)試，具備年產(chǎn)20臺(tái)以上的批量制造能力，具備集成電路裝備系統(tǒng)集成能力及局部成套工藝生產(chǎn)能力。

在CMP拋光機(jī)方面，中電科裝備也有了新的突破。2017年8月，電科裝備成功研發(fā)出了國(guó)內(nèi)首臺(tái)擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的200mm化學(xué)機(jī)械拋光商用機(jī)，研發(fā)團(tuán)隊(duì)在3年的時(shí)間里突破了10余項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，完成技術(shù)改進(jìn)50余項(xiàng)，經(jīng)過3個(gè)批次近10000片的馬拉松測(cè)試，性能指標(biāo)獲得中芯國(guó)際工程師的好評(píng)，并于2017年11月21日成功在中芯國(guó)際天津廠8英寸大生產(chǎn)線裝機(jī)驗(yàn)證，已經(jīng)進(jìn)入24小時(shí)生產(chǎn)階段。

在沉積設(shè)備方面，也有PECVD的產(chǎn)品。

就在今年8月，電科裝備正式發(fā)布了“SEMICORE爍科”系列品牌，將把離子注入機(jī)和CMP設(shè)備注入爍科裝備，推動(dòng)其進(jìn)入生產(chǎn)線批量應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代、自主可控，具備國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)能力。

2. 北方華創(chuàng)

北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司是北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司的全資子公司，主營(yíng)業(yè)務(wù)由原七星電子的半導(dǎo)體裝備相關(guān)業(yè)務(wù)與原北方微電子的全部業(yè)務(wù)整合而成。產(chǎn)品涵蓋：等離子刻蝕、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、氧化/擴(kuò)散、清洗、退火等半導(dǎo)體工藝裝備；平板顯示制造裝備和氣體質(zhì)量流量控制器等核心零部件。涉及集成電路、先進(jìn)封裝、LED、MEMS、電力電子、平板顯示、光伏電池等半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域。

北方華創(chuàng)目前和所有國(guó)內(nèi)大廠都有合作，比如正在武漢和南京如火如荼建設(shè)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司，3D NAND FLASH產(chǎn)線的氧化爐設(shè)備就有采用北方華創(chuàng)的產(chǎn)品，2017年11月搬入產(chǎn)線。

在氧化爐領(lǐng)域，2017年11月30日，北方華創(chuàng)下屬子公司北方華創(chuàng)微電子自主研發(fā)的12英寸立式氧化爐THEORISO 302 Move In長(zhǎng)江存儲(chǔ)生產(chǎn)線，應(yīng)用于3D NAND Flash制程，擴(kuò)展了國(guó)產(chǎn)立式氧化爐的應(yīng)用領(lǐng)域。

在硅刻蝕機(jī)領(lǐng)域，在2003年啟動(dòng)研制時(shí)，中國(guó)和國(guó)外差距在20年以上，僅僅能夠制造90nm制程，在國(guó)家02專項(xiàng)的支持下，北方華創(chuàng)在硅刻蝕機(jī)領(lǐng)域不斷實(shí)現(xiàn)突破，先進(jìn)制程工藝一路上揚(yáng)，28nm，22nm都實(shí)現(xiàn)了突破，2016年研發(fā)出了14nm工藝的硅刻蝕機(jī)，更先進(jìn)的7nm硅刻蝕機(jī)也正研發(fā)中。

除了氧化爐和刻蝕機(jī)領(lǐng)域以外，北方華創(chuàng)在PVD設(shè)備（物理氣相沉積，薄膜沉積設(shè)備的一種）和單片退火設(shè)備領(lǐng)域也實(shí)現(xiàn)了批量出貨，目前主要在28nm級(jí)別。

在薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域，北方華創(chuàng)進(jìn)展較快，多種14nm的生產(chǎn)設(shè)備也在產(chǎn)線驗(yàn)證中，包括ALD，AL PVD，LPCVD，HM PVD等，基本都是不同的沉積設(shè)備，目的是制作氧化薄膜，便于絕緣，和控制不同的雜質(zhì)擴(kuò)散速度，或者金屬化，PVD是物理氣相沉積，CVD是化學(xué)氣相沉積，ALD是原子層沉積，他們的工作原理不同，但是目的是一樣的。

除了這三大類設(shè)備外，北方華創(chuàng)還有第四種關(guān)鍵設(shè)備：清洗機(jī)。

2017年8月7日，北方華創(chuàng)1500萬美元，也就是才1億人民幣多點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了對(duì)美國(guó)Akrion公司的收購(gòu)。Akrion公司是位于美國(guó)賓夕法尼亞州的一家專注于硅片清洗設(shè)備業(yè)務(wù)的公司，主要用于集成電路制造領(lǐng)域，硅晶圓制造領(lǐng)域、微機(jī)電系統(tǒng)和先進(jìn)封裝領(lǐng)域，該公司擁有多年的清洗技術(shù)積累和廣泛的市場(chǎng)與客戶基礎(chǔ)，累計(jì)在線機(jī)臺(tái)千余臺(tái)。

北方華創(chuàng)自研的12英寸單片清洗機(jī)產(chǎn)品主要應(yīng)用于集成電路芯片制程，成功收購(gòu)Akrion公司，北方華創(chuàng)微電子的清洗機(jī)產(chǎn)品線將得以補(bǔ)充，形成涵蓋應(yīng)用于集成電路、先進(jìn)封裝、功率器件、微機(jī)電系統(tǒng)和半導(dǎo)體照明等半導(dǎo)體領(lǐng)域的8-12英寸批式和單片清洗機(jī)產(chǎn)品線。

實(shí)際上，根據(jù)北方華創(chuàng)2017年披露的2016年年報(bào)，其自研的12英寸清洗機(jī)到2016年底的累計(jì)流片量已突破60萬片，收購(gòu)Akrion之后，北方華創(chuàng)的實(shí)力進(jìn)一步加強(qiáng)。

3. 中微半導(dǎo)體

中微半導(dǎo)體是尹志堯創(chuàng)辦，他之前是全球最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備商應(yīng)用材料公司的副總裁，回國(guó)創(chuàng)辦中微。

中微的產(chǎn)品，主要是三大領(lǐng)域，一個(gè)是LED芯片的MOCVD機(jī)臺(tái)，這個(gè)是LED芯片制造的核心設(shè)備，以致于衡量芯片廠家的制造能力，都是用它有多少M(fèi)OCVD機(jī)臺(tái)來衡量，機(jī)臺(tái)數(shù)量越多的產(chǎn)能越大。國(guó)產(chǎn)MOCVD設(shè)備從2012年底研發(fā)成功，到2016年開始完成批量驗(yàn)證，目前處于迅速上升的態(tài)勢(shì)。經(jīng)過不斷洗牌，中微半導(dǎo)體已占據(jù)領(lǐng)先地位，目前國(guó)產(chǎn)MOCVD市場(chǎng)份額已呈現(xiàn)增長(zhǎng)局面。

中微半導(dǎo)體的另外一個(gè)領(lǐng)域，主要是其最早開始研發(fā)，具有多年經(jīng)驗(yàn)的介質(zhì)刻蝕機(jī)，這個(gè)目前是用在集成電路芯片制造上面，目前已經(jīng)可以做到22nm及其以下，且中微半導(dǎo)體的14nm也在產(chǎn)線進(jìn)行驗(yàn)證，同時(shí)在推進(jìn)5nm的聯(lián)合研究。

目前總體而言，中微處于比較好的發(fā)展態(tài)勢(shì)，MOCVD機(jī)臺(tái)已經(jīng)經(jīng)受住了量產(chǎn)的考驗(yàn)，將會(huì)迎來大批量出貨時(shí)期，其多年來集中力量攻關(guān)的等離子體介質(zhì)刻蝕機(jī)，已經(jīng)在國(guó)際大廠部署多年，同時(shí)目前也開始進(jìn)入最先進(jìn)的5nm制程的預(yù)研。

4. 上海微電子公司

上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司是一家掌握了高端光刻機(jī)相關(guān)技術(shù)且具有高端投影光刻機(jī)生產(chǎn)能力的企業(yè)。于今年3月份，與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)ASML簽署了戰(zhàn)略合作備忘錄。公司主要從事半導(dǎo)體裝備、泛半導(dǎo)體裝備、高端智能裝備的開發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷售及技術(shù)服務(wù)。旗下產(chǎn)品可應(yīng)用于集成電路前道、先進(jìn)封裝、FPD面板、MEMS、LED、Power Devices等制造領(lǐng)域。

總結(jié)

目前，中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備已有了一定的基礎(chǔ)，雖然設(shè)備總量不大，但一直并保持著高速增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。但需要認(rèn)清的是，目前我國(guó)的技術(shù)實(shí)力與國(guó)外相比仍存在較大的差距，尤其與市占率超80%的設(shè)備企業(yè)如ASML、應(yīng)用材料等相比，實(shí)力偏弱且絕大部分設(shè)備廠商無法滿足國(guó)際已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的制程，較難進(jìn)入國(guó)際代工巨頭的產(chǎn)線。

當(dāng)然，在落后的局面下，我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備也在奮起直追，并取得了一定成績(jī)，在國(guó)內(nèi)產(chǎn)線上已經(jīng)進(jìn)行了一部分國(guó)產(chǎn)替代。半導(dǎo)體設(shè)備是我國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體集成電路的基石，我們要把握好先行條件，率先推進(jìn)，爭(zhēng)取早日完成進(jìn)口替代。