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群聯(lián)全系列控制芯片支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND

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長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存量產(chǎn)

9月2日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布,其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存(每顆裸芯片存儲(chǔ)容量為256千兆字位,每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存)正式量產(chǎn),以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151919

旺宏將于2020年開始出貨3D NAND

臺(tái)灣專用存儲(chǔ)器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產(chǎn)3D NAND存儲(chǔ)器。該公司將成為臺(tái)灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計(jì)的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長(zhǎng)吳銘表示,旺宏將在
2019-12-14 09:51:295966

3D垂直NAND閃存 輕松提升SSD容量

最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比,具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢(shì)。
2013-08-29 10:46:512858

干貨!一文看懂3D NAND Flash

目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月,先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng),如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨(dú)大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0644661

3D NAND Flash,中國(guó)自主存儲(chǔ)器突破點(diǎn)

3D NAND Flash。中國(guó)已吹響進(jìn)軍3D NAND Flash沖鋒號(hào),若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù),中國(guó)3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:129182

中國(guó)在3D NAND存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展

2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息,近日,由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-16 11:35:241161

長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展

近日,由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-17 07:48:232091

一文讀懂3D NAND存儲(chǔ)器進(jìn)化史

通過3D堆疊技術(shù)將存儲(chǔ)層層堆疊起來,促成了NAND 技術(shù)進(jìn)一步成熟。
2018-04-16 08:59:5213248

Xtacking? 架構(gòu)取得三大技術(shù)突破,64層3D NAND預(yù)計(jì)明年批量出貨

集微網(wǎng)消息,9月19日,2018年中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(CFMS2018)在深圳舉行,長(zhǎng)江存儲(chǔ)總經(jīng)理?xiàng)钍繉幉┦恳浴皠?chuàng)新Xtacking?架構(gòu):釋放3D NAND潛能”為主題,介紹長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking?架構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND新進(jìn)展。
2018-09-20 10:22:075992

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO)宣布該公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)
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傳蘋果有意采購(gòu)長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND Flash

采購(gòu)。日經(jīng)新聞引述兩名知情人士消息稱,蘋果將把這些芯片用于新款 iPhone 以及特別是其他在中國(guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)銷售的產(chǎn)品。 蘋果與長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技皆未立即回應(yīng)置評(píng)請(qǐng)求。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層3D NAND Flash獲得了突破性進(jìn)展 2016年3月,總投資約1600億元人民幣的國(guó)家存儲(chǔ)器基地在武漢啟動(dòng)。四個(gè)月
2018-02-16 17:44:085972

長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn),拉開國(guó)產(chǎn)閃存產(chǎn)品大幕!

2018年底長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)32層64Gb 3D NAND Flash量產(chǎn)。它注定將開創(chuàng)中國(guó)存儲(chǔ)芯片的歷史。
2019-01-28 17:18:5517621

紫光存儲(chǔ)解散?官方回應(yīng)NAND業(yè)務(wù)逐步轉(zhuǎn)移到長(zhǎng)江存儲(chǔ)

對(duì)相關(guān)業(yè)務(wù)進(jìn)行了重新聚焦:壓縮了NAND部分產(chǎn)品線。 紫光存儲(chǔ)方面表示,未來隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND穩(wěn)步量產(chǎn),相關(guān)業(yè)務(wù)將逐步轉(zhuǎn)移到長(zhǎng)江存儲(chǔ);同時(shí),還將增強(qiáng)DRAM部分產(chǎn)品線。 去年9月2日,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布,已開始量產(chǎn)中國(guó)首款
2020-03-19 09:18:226283

又一廠商推出純國(guó)產(chǎn)SSD,采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND顆粒,聯(lián)蕓主控加持

據(jù)媒體報(bào)道,朗科純國(guó)產(chǎn)化SSD產(chǎn)品朗系列正式面世,從主控芯片、閃存顆粒到生產(chǎn)制造所有的環(huán)節(jié)均由中國(guó)企業(yè)完成。 據(jù)介紹,朗系列國(guó)產(chǎn)SSD選用長(zhǎng)江存儲(chǔ)存儲(chǔ)顆粒和聯(lián)蕓科技的主控。 朗系列SSD產(chǎn)品有三種
2020-06-16 10:11:3813144

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出致鈦3D NAND閃存產(chǎn)品及解決方案

,重量輕,強(qiáng)度高,定義閃存科技新鈦度。致鈦將提供高品質(zhì)3D NAND閃存產(chǎn)品及解決方案,讓記憶承載夢(mèng)想。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出SSD品牌致鈦ZHITAI 據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在未來推出致鈦品牌的SSD產(chǎn)品。根據(jù)官方發(fā)布的海報(bào)來看,這款產(chǎn)品應(yīng)該是一款采用M.2接口的SSD硬盤。它
2020-08-28 18:24:143933

3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?

什么是3D NAND?什么是4D NAND?3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?
2021-06-18 06:06:00

芯片3D化歷程

128層甚至更高,外圍電路可能會(huì)占到芯片Xtacking技術(shù)將外圍電路連接到存儲(chǔ)單元之上,從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存產(chǎn)品將在2020年進(jìn)入
2020-03-19 14:04:57

【半導(dǎo)體存儲(chǔ)】關(guān)于NAND Flash的一些小知識(shí)

技術(shù)方案。   三、NAND Flash分類   NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技術(shù)為主,NAND閃存顆粒根據(jù)存儲(chǔ)原理分為SLC、MLC、TLC和QLC,從結(jié)構(gòu)上又可分為2D、3D兩大類
2024-12-17 17:34:06

三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)探討3D NAND技術(shù)

`CFMS2018近日成功舉辦,來自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等全球存儲(chǔ)業(yè)大咖,與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來。我們來看看他們都說了什么。三星:看好在UFS市場(chǎng)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
2018-09-20 17:57:05

3D NAND的不同架構(gòu)淺析 #存儲(chǔ)技術(shù)

NANDIC設(shè)計(jì)存儲(chǔ)技術(shù)3d nand
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:29:27

創(chuàng)展出全系列3D 4K2K超高解析度電視面板

8月28日至30日,創(chuàng)光電將在臺(tái)北世界貿(mào)易中心南港展覽館參與“2013 Touch Taiwan 觸控面板暨光學(xué)膜制程、設(shè)備、材料展覽會(huì)”,屆時(shí)將會(huì)展出全球唯一全系列3D 4K2K超高解析度電視面板與高階移動(dòng)設(shè)備顯示技術(shù)的嶄新產(chǎn)品與技術(shù)。
2013-08-23 11:17:331915

蘋果計(jì)劃從長(zhǎng)江存儲(chǔ)采購(gòu)其NAND芯片,長(zhǎng)江存儲(chǔ)迎來重大收獲

北京時(shí)間2月14日晚間消息,據(jù)報(bào)道,蘋果公司(以下簡(jiǎn)稱“蘋果”)正與中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司談判,希望采購(gòu)其NAND閃存芯片用于iPhone。
2018-07-19 11:46:001229

聯(lián)欲大幅征才200名工程師,進(jìn)一步擴(kuò)產(chǎn)3D NAND

NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器)隨著2D轉(zhuǎn)3D制程良率改善,量產(chǎn)能力大為提升,盡管價(jià)格已經(jīng)松動(dòng),但包括存儲(chǔ)器、控制IC、封測(cè)等供應(yīng)體系業(yè)者紛紛看好有助于量能提升。存儲(chǔ)控制IC大廠聯(lián)電子
2018-07-09 09:52:00800

長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式裝機(jī):3D NAND量產(chǎn)還有多遠(yuǎn)?

4月11日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)以芯存長(zhǎng)江,智儲(chǔ)未來為主題,慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長(zhǎng)江存儲(chǔ)新建的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目(一期)一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房實(shí)現(xiàn)提前封頂,2018年2月份進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝,正是為4月搬入機(jī)臺(tái)設(shè)備而準(zhǔn)備,預(yù)計(jì)很快就可以實(shí)現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:0010302

湖北大學(xué)與長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技在3D存儲(chǔ)芯片研究上開展合作

從第四批科技成果轉(zhuǎn)化簽約大會(huì)湖北大學(xué)專場(chǎng)上獲悉,湖北大學(xué)物理與電子科學(xué)學(xué)院王浩教授領(lǐng)銜的團(tuán)隊(duì),與長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司簽約受讓3D存儲(chǔ)器選通管技術(shù),年產(chǎn)值預(yù)計(jì)將達(dá)60億元。雙方達(dá)成戰(zhàn)略合作,將繼續(xù)
2018-06-11 01:15:002853

3D NAND新產(chǎn)品技術(shù)進(jìn)入市場(chǎng)之際加快發(fā)展步伐

的平面閃存,3D存儲(chǔ)器的關(guān)鍵技術(shù)是薄膜和刻蝕工藝,技術(shù)工藝差別較大,而且相對(duì)2D NAND來說,國(guó)際大廠在3D存儲(chǔ)器布局方面走得并不遠(yuǎn)。
2018-06-20 17:17:495087

看看長(zhǎng)江存儲(chǔ)新型架構(gòu)為3D NAND帶來哪些性能?

作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長(zhǎng)江存儲(chǔ))今年將首次參加閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit),并發(fā)表備受期待的主題演講,闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:015077

英特爾采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤發(fā)布,以便擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)

近日,英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤,加強(qiáng)擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)。
2018-08-01 17:44:541237

聯(lián)SSD晶片通過3D NAND Flash BiCS3測(cè)試,將可望擴(kuò)大SSD市占率

NAND Flash控制IC大廠聯(lián)日前宣布,PCI-e規(guī)格的固態(tài)硬碟(SSD)晶片已經(jīng)通過3D NAND Flash BiCS3測(cè)試,下半年將成為PC/NB OEM的SSD市場(chǎng)主流規(guī)格,將可望擴(kuò)大SSD市占率。
2018-08-03 16:08:212411

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推全新3D NAND架構(gòu) 挑戰(zhàn)三星存儲(chǔ)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司表示,盡管仍采用3D分層,但速度卻可提升三倍。
2018-08-09 09:33:164029

中國(guó)首批32層3D NAND閃存芯片即將量產(chǎn)

昨日長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式公開了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉,該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND芯片專利研發(fā)完成,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)報(bào)捷,已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn),震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002770

長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布突破性技術(shù),將大大提升3D NAND的性能

作為NAND行業(yè)的新晉者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱:長(zhǎng)江存儲(chǔ))昨日公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:002244

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推全新3D NAND架構(gòu)——XtackingTM

作為NAND行業(yè)的新晉者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天公開發(fā)布其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)知情人士透露,這之前存儲(chǔ)一直都是三星的強(qiáng)項(xiàng)。
2018-08-13 16:08:274029

長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存堆棧結(jié)構(gòu)Xtacking,獲得了“最佳展示獎(jiǎng)”

日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士在FMS會(huì)議上的演講,我們之前也做過簡(jiǎn)單的報(bào)道,這次他們的介紹更加詳細(xì),我們可以一窺長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存現(xiàn)在到底進(jìn)行到那一步了。
2018-08-15 10:50:166345

紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的全新3D NAND架構(gòu)技術(shù)隆重亮相2018重慶智博會(huì)

“芯”、“云”系列成果,全面展示了其創(chuàng)新的產(chǎn)品和領(lǐng)先的解決方案。紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的全新3D NAND架構(gòu)Xtacking?技術(shù),賦能行業(yè)的云及AI解決方案等,都給大會(huì)嘉賓留下了深刻印象。
2018-08-24 14:42:002154

長(zhǎng)江存儲(chǔ)趕超將為NAND Flash市場(chǎng)帶來新變量

Cell )NAND將邁入百家爭(zhēng)鳴時(shí)代,帶動(dòng)消費(fèi)性固態(tài)硬盤(SSD)容量快速升級(jí)至TB等級(jí),加上長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布新一代3D NAND架構(gòu)Xtacking,試圖超車追趕國(guó)際大廠,全球NAND Flash產(chǎn)量持續(xù)增加,戰(zhàn)火愈益激烈,2019年NAND Flash市場(chǎng)恐將大幅震蕩。
2018-08-29 17:46:267373

聯(lián)64層3D QLC NAND Flash控制芯片出貨,單顆容量即可達(dá)128GB

快閃存儲(chǔ)器(NANDFlash)控制芯片及儲(chǔ)存解決方案領(lǐng)導(dǎo)聯(lián)6日正式宣布,搭載美系國(guó)際原廠最新QLC規(guī)格64層3DNANDFlash之的SSD控制芯片PS3111-S11T于本月正式出貨。
2018-09-11 16:49:002540

半導(dǎo)體行業(yè)3D NAND Flash

?由于國(guó)家政策和大基金的支持,中國(guó)大陸現(xiàn)在也把存儲(chǔ)芯片作為重點(diǎn)來抓,3D NAND也順理成章成為廣大廠商關(guān)注的重點(diǎn),早前被紫光納入旗下的武漢新芯科技(XMC)很早已經(jīng)在武漢開工建設(shè)12英寸晶圓廠
2018-10-08 15:52:39780

聯(lián)蕓科技對(duì)外發(fā)布支持96層鎂光B27A的 3D TLC NAND閃存顆粒

11月15日, 國(guó)產(chǎn)知名SSD主控芯片原廠聯(lián)蕓科技(MAXIO)再下一城,正式對(duì)外宣布MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒,并對(duì)外提供搭載聯(lián)蕓科技自主
2018-11-19 17:22:318411

紫光宏茂微電子宣布公司成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)

在2017年年底舉行的第四屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)上透露,紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)透露,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)研發(fā)出了32層64G的完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的3D NAND芯片;2018年4月的長(zhǎng)江存儲(chǔ)生產(chǎn)機(jī)臺(tái)進(jìn)場(chǎng)安裝儀式上,趙偉國(guó)指出,他們的32層芯片會(huì)在2018年年底實(shí)現(xiàn)芯片量產(chǎn);
2019-01-15 14:01:109311

長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片 閃存市場(chǎng)將迎來一波沖擊

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城,日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱,中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片,這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場(chǎng)無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056

與DRAM領(lǐng)域不同 長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND領(lǐng)域取得了進(jìn)展

紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)YMTC是國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片陣營(yíng)中主修NAND閃存的公司,也是目前進(jìn)度最好的,去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存,前不久紫光在深圳第七屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)
2019-04-18 16:18:522545

長(zhǎng)江存儲(chǔ)直追國(guó)際技術(shù) NAND陷入全球混戰(zhàn)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后,進(jìn)一步規(guī)劃在2019年8月開始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片,等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局,對(duì)比今年三星、SK海力士(SK Hynix )進(jìn)入90層3D NAND芯片生產(chǎn),長(zhǎng)江存儲(chǔ)追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。
2019-05-17 14:13:281753

江波龍牽手長(zhǎng)江存儲(chǔ),推動(dòng)國(guó)內(nèi)自研存儲(chǔ)芯片進(jìn)入終端消費(fèi)市場(chǎng)

江波龍已經(jīng)導(dǎo)入長(zhǎng)江存儲(chǔ) 32 層的 3D NAND 芯片,用于 8GB 的 U 盤等產(chǎn)品上
2019-06-14 10:25:106559

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層堆棧3D閃存亮相,年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)官網(wǎng)資料,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002725

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了全球首款基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品,擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲(chǔ)密度。Xtacking?可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)
2019-09-03 10:07:021788

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出第二代Xtacking 3D NAND存儲(chǔ)架構(gòu)

Xtacking是長(zhǎng)江存儲(chǔ)在去年FMS(閃存技術(shù)峰會(huì))首次公開的3D NAND架構(gòu),榮獲當(dāng)年“Best of Show”獎(jiǎng)項(xiàng)。其獨(dú)特之處在于,采用Xtacking,可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:373601

基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技(YMTC)本周早些時(shí)候表示,已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:162374

紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存芯片首次公開亮相

據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:005147

中國(guó)首次量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會(huì)有什么市場(chǎng)影響

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144

中國(guó)量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會(huì)帶來什么影響

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455

長(zhǎng)江存儲(chǔ)投產(chǎn)64層堆棧3D閃存 將在年底提高產(chǎn)能到6萬片

今年一季度,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)開始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:331140

明年長(zhǎng)江存儲(chǔ)將實(shí)現(xiàn)加大3D閃存芯片產(chǎn)能

 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片終于“抬起了頭”。   在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上,終于有中國(guó)公司可以殺進(jìn)去跟國(guó)際大廠正面競(jìng)爭(zhēng)了。據(jù)報(bào)道,今年一季度,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)開始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-29 09:46:243767

我國(guó)閃存核心技術(shù)獲得成功,3D NAND進(jìn)步實(shí)屬不易

有關(guān)國(guó)產(chǎn)閃存技術(shù)的發(fā)展與突破,相信很多人都在翹首期待,希望我們能夠擁有自己的先進(jìn)閃存產(chǎn)品,而當(dāng)長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功發(fā)展出來3D NAND存儲(chǔ)Xtacking架構(gòu)技術(shù)的時(shí)候,我們知道,真正的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)即將出現(xiàn)了!
2019-10-31 11:37:071248

長(zhǎng)江存儲(chǔ)存儲(chǔ)巨頭們發(fā)起挑戰(zhàn),3D NAND實(shí)現(xiàn)突破性的創(chuàng)新

長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷,作為國(guó)家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目,經(jīng)歷多年的研發(fā),終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:053808

搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的SSD產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平

根據(jù)國(guó)科微官方的消息,國(guó)科微搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測(cè)試。
2020-01-17 15:17:495929

長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示128層3D NAND技術(shù)會(huì)按計(jì)劃推出

據(jù)證券時(shí)報(bào)消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示,128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工,從中長(zhǎng)期來看,這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895

長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布成功研制128層QLC 3D閃存 將是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND

今日(4月13日),長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布,其128層QLC 3D閃存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控商場(chǎng)SSD等終端產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-13 09:23:091347

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出 128 層 QLC 閃存,單顆容量達(dá) 1.33Tb

2020年4月13日,中國(guó)武漢,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款
2020-04-13 09:29:416830

業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存有哪些特點(diǎn)?

2020年4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:523480

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首推128層QLC閃存,單顆容量可達(dá)1.33Tb

4月13日,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長(zhǎng)江存儲(chǔ))宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。
2020-04-13 17:14:491750

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND flash存儲(chǔ)芯片 中國(guó)存儲(chǔ)芯片國(guó)際領(lǐng)先

據(jù)媒體報(bào)道指國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已開發(fā)出128層的NAND flash存儲(chǔ)芯片,這是當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù),意味著中國(guó)的存儲(chǔ)芯片技術(shù)已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4514823

長(zhǎng)江儲(chǔ)存宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品已研發(fā)成功

長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功,型號(hào)為X2-6070,并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:063603

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新,128層3D NAND閃存芯片問世

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:003612

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND閃存研發(fā)成功,跳過了96層

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功,這標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 14:59:225527

聯(lián)電子與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作,促進(jìn)為國(guó)內(nèi)市場(chǎng)提供穩(wěn)定的SSD產(chǎn)品

  5月7日消息, 根據(jù)聯(lián)電子官方的消息,聯(lián)全系列控制芯片支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND,且都邁入了量產(chǎn)階段。這將促進(jìn)廠商推出搭載國(guó)產(chǎn)顆粒的SSD產(chǎn)品。隨著華為海思、紫光展銳、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、中芯國(guó)際等企業(yè)不斷取得技術(shù)突破,中國(guó)大陸“缺芯少魂”的局面一步步得到緩解。
2020-05-08 14:55:323668

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首發(fā)128層QLC閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號(hào):X2-9060),用以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2020-07-06 16:49:421991

官宣!致鈦科技將發(fā)布SSD新品,配備長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D閃存

9月9日下午,致鈦科技正式宣布,9月10日14時(shí)將舉行線上發(fā)布會(huì),屆時(shí)會(huì)正式推出致鈦品牌的SSD新品,使用的是長(zhǎng)江存儲(chǔ)自己生產(chǎn)的3D閃存。
2020-09-10 10:02:331227

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation,NASDAQ:SIMO)宣布該公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-09-11 11:12:162690

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長(zhǎng) 江 存 儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

全 球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation,NASDAQ:SIMO)宣布該公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-09-11 11:12:342586

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696

未來的3D NAND將如何發(fā)展?

NAND 應(yīng)運(yùn)而生,可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量,在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來的 3D NAND 將如何發(fā)展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 在 2020 年的閃存峰
2020-11-20 16:07:133095

未來的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率?

。 3D NAND 路線圖:三星最早入局,長(zhǎng)江存儲(chǔ)跨級(jí)追趕 Choe 介紹了 2014-2023 年的世界領(lǐng)先存儲(chǔ)公司的閃存路線圖,包括三星、鎧俠(原東
2020-11-20 17:15:444306

長(zhǎng)江存儲(chǔ)已打入華為供應(yīng)鏈

表示,很多人反映很少看到國(guó)產(chǎn)內(nèi)存, 實(shí)際上華為Mate 40系列手機(jī)現(xiàn)在也使用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存。 他強(qiáng)調(diào),與國(guó)際存儲(chǔ)大廠6年的路程相比, 長(zhǎng)江存儲(chǔ)僅用了短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了3D NAND的32層、64層、128層的跨越。 會(huì)議上, 他還展示了長(zhǎng)江存儲(chǔ) 先進(jìn)的Xt
2020-11-23 11:59:265787

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的首款消費(fèi)級(jí)固態(tài)品牌,基于3D NAND顆粒打造

長(zhǎng)江存儲(chǔ)基于Xtacking架構(gòu)的3D NAND顆粒打造的首款消費(fèi)級(jí)固態(tài)品牌致鈦存儲(chǔ)于日前正式與我們見面,并獲得眾多用戶的支持。而在網(wǎng)上呼聲較高的問題就是關(guān)于致鈦存儲(chǔ)的技術(shù),而就在近日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過
2020-11-24 09:56:484526

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科普SSD、3D NAND的發(fā)展史

作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)行業(yè)的佼佼者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進(jìn),引發(fā)普遍關(guān)注,尤其是獨(dú)創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu),最近還打造了首個(gè)消費(fèi)級(jí)SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:315270

Mate40旗艦機(jī)搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND

此外,楊士寧還展示了Xtacking技術(shù),表示:在這一方面,長(zhǎng)江存儲(chǔ)也是走在國(guó)際最前沿的;長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)也是非常先進(jìn)的,以后可以委托給中芯國(guó)際;同時(shí)也要感謝國(guó)產(chǎn)同行的支持。他還表示,目前只有帶有Xtacking標(biāo)簽的終端產(chǎn)品才擁有真正國(guó)產(chǎn)閃存芯片。
2020-11-30 11:20:013979

不要過于關(guān)注3D NAND閃存層數(shù)

NAND應(yīng)運(yùn)而生,可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量,在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 ? ? ? ?依托于先進(jìn)工藝的3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率? 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:493617

3D NAND技術(shù)堆疊將走向何方?

3D NAND;長(zhǎng)江存儲(chǔ)于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉(zhuǎn)眼來到2020年末,美光和SK海力士相繼發(fā)布了176層3D NAND。這也是唯二進(jìn)入176層的存儲(chǔ)廠商。不得不說,存儲(chǔ)之戰(zhàn)沒有最烈,只有更烈。
2020-12-09 14:55:374583

全球六大廠商壟斷競(jìng)爭(zhēng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望打破壟斷

NAND Flash作為全球最為重要的存儲(chǔ)芯片之一,目前被全球六大廠商進(jìn)行壟斷競(jìng)爭(zhēng),中國(guó)NAND Flash廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)已在2020年第一季將128層3D NAND樣品送交存儲(chǔ)控制器廠商,目標(biāo)第三季進(jìn)入投片量產(chǎn),未來中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望打破國(guó)外在NAND FLASH的壟斷競(jìng)爭(zhēng)格局。
2021-01-11 14:18:334603

回顧長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程

日前,有媒體報(bào)道稱,消息人士透露,長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬片晶圓,并準(zhǔn)備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片,不過為確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量,該計(jì)劃有可能會(huì)被推遲至今年下半年。
2021-01-13 13:59:275875

長(zhǎng)江存儲(chǔ)即將試產(chǎn)第一批 192 層 3D NAND 閃存芯片

長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃今年把產(chǎn)量提高一倍,計(jì)劃到下半年將每月的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量提高到 10 萬片晶圓,約占全球總產(chǎn)量的 7%。并準(zhǔn)備試產(chǎn) 192 層 NAND 快閃記憶體晶片。這將有助于長(zhǎng)江存儲(chǔ)縮小與全球先進(jìn)制造商之間的差距。據(jù)悉,三星電子目前每月約生產(chǎn) 48 萬片晶圓,而美光的月產(chǎn)能約為 18 萬片。
2021-02-14 09:21:009270

長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃今年將產(chǎn)量提高一倍

此前4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。這標(biāo)志著國(guó)內(nèi)3D NAND領(lǐng)域正式進(jìn)入國(guó)際先進(jìn)水平。
2021-01-17 10:19:203430

盤點(diǎn)2020年存儲(chǔ)行業(yè)十大事件

2020年4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,這也是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團(tuán)展臺(tái)上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362729

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UC023閃存芯片 專為5G時(shí)代打造

  昨日消息,國(guó)內(nèi)專注于3D NAND閃存及存儲(chǔ)器解決方案的半導(dǎo)體集成電路企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出UFS 3.1通用閃存-UC023。
2022-04-20 11:47:522797

長(zhǎng)江正式打破三星壟斷,192層3D NAND閃存實(shí)現(xiàn)年底量產(chǎn)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時(shí)間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218286

對(duì)比韓企存儲(chǔ)技術(shù),長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展如何

據(jù)外媒報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年7月生產(chǎn)了232層3D NAND閃存樣機(jī),同年11月開始投入量產(chǎn)。
2023-02-28 10:51:252395

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美起訴美光 指控侵犯8項(xiàng)3D NAND專利

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在專利侵害訴訟場(chǎng)主張說:“此次訴訟是為了中斷美光公司廣泛而無許可地使用長(zhǎng)江低利的專利革新?!?b class="flag-6" style="color: red">長(zhǎng)江存儲(chǔ)訴訟稱,美光使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù),從與長(zhǎng)江存儲(chǔ)的競(jìng)爭(zhēng)中防御,確保和保護(hù)市場(chǎng)占有率。
2023-11-12 14:26:451222

起訴美光!長(zhǎng)江存儲(chǔ)反擊

訴訟旨在解決以下問題的一個(gè)方面:美光試圖通過迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash(閃存)市場(chǎng)來阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:511090

長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光 涉及專利侵權(quán)

在起訴書中,長(zhǎng)江存儲(chǔ)聲稱自己目前是全球3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,并得到了行業(yè)和第三方機(jī)構(gòu)的廣泛認(rèn)可。長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新改善了3D NAND的速度、性能、密度、可靠性和產(chǎn)量,推動(dòng)了多種電子設(shè)備的創(chuàng)新。
2023-11-13 16:03:051470

長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光!

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在以上起訴書中稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場(chǎng)的重要參與者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論:長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過了美光。
2023-11-13 16:53:041658

8項(xiàng)專利被侵權(quán)!美光與長(zhǎng)江存儲(chǔ)陷入專利之爭(zhēng)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)與美光芯片戰(zhàn)升級(jí)。3D NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ),已于9日在美國(guó)加州北區(qū)地方法院對(duì)美國(guó)記憶芯片龍頭美光科技提告,指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)8項(xiàng)與3D NAND相關(guān)的美國(guó)專利。
2023-11-13 17:24:511517

聯(lián)電子推出全系列UFS芯片

近日,聯(lián)電子宣布推出全新的全系列UFS芯片(PS8325、PS8327、PS8329、PS8361),旨在為手機(jī)廠商提供從入門級(jí)到旗艦款的全方位解決方案,打造極致的行動(dòng)儲(chǔ)存效能。
2024-01-31 17:19:372081

有了2D NAND,為什么要升級(jí)到3D呢?

2D NAND3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)(NVM Non-VolatileMemory),屬于Memory(存儲(chǔ)器)的一種。
2024-03-17 15:31:392376

首次亮相!長(zhǎng)江存儲(chǔ)128 層3D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來了大量產(chǎn)品,其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822

預(yù)期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準(zhǔn)備沖擊1000層

2030年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊的3D NAND存儲(chǔ)器。 ? 3D NAND似乎已經(jīng)成為各大存儲(chǔ)企業(yè)競(jìng)相追逐的“工業(yè)明珠”,包括三星、海力士、美光、鎧俠、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等都在這一領(lǐng)域投入大量資源,而比拼的就是堆疊層數(shù)。 ? 3D NAND 為何如此重要? ? 隨著數(shù)字化信息的爆炸性增長(zhǎng),對(duì)對(duì)存儲(chǔ)容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061

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