光電子器件的重要基礎(chǔ)材料。研究非晶氧化鎵的熱輸運(yùn)特性對(duì)其在能源與光電子器件的熱管理及能量轉(zhuǎn)化等方面的應(yīng)用至關(guān)重要。
2023-06-27 08:57:41
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在氮化鎵和碳化硅之后，氧化鎵(Ga?O?)正以超高擊穿電壓與低成本潛力，推動(dòng)超寬禁帶功率器件進(jìn)入大規(guī)模落地階段。
2025-07-11 09:12:482948 
12月7日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，保密文化傳統(tǒng)濃厚的蘋(píng)果開(kāi)始作出了改變，將對(duì)外公布在人工智能方面的研究成果，并參加人工智能方面的學(xué)術(shù)活動(dòng)。
2016-12-07 19:22:30673 物聯(lián)網(wǎng)是信息化時(shí)代的重要產(chǎn)物與標(biāo)志，其出現(xiàn)給軍隊(duì)建設(shè)和作戰(zhàn)方式帶來(lái)巨大影響，與信息化戰(zhàn)爭(zhēng)更是息息相關(guān)。物聯(lián)網(wǎng)在軍事領(lǐng)域取得了哪些研究成果，帶來(lái)了哪些影響？
2017-01-04 09:23:556346 關(guān)鍵詞。未來(lái)有哪些實(shí)驗(yàn)室技術(shù)研究成果會(huì)給LED行業(yè)帶來(lái)重大影響。小編選擇了新興產(chǎn)業(yè)智庫(kù)對(duì)LED前沿五種技術(shù)的分析與大家分享。
2017-01-11 07:52:552388 電子器件散熱研究現(xiàn)狀，分析了進(jìn)一步的發(fā)展方向; 發(fā)現(xiàn)針對(duì)電力電子器件散熱技術(shù)的基礎(chǔ)理論研究成果較為豐富，并且在散熱器的幾何和結(jié)構(gòu)優(yōu)化及散熱系統(tǒng)風(fēng)道設(shè)計(jì)等方面的研究也已十分深入，不少論文針對(duì)性的提出了多種
2023-11-07 09:37:084423 
本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過(guò)離子注入擴(kuò)散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價(jià)帶無(wú)法有效進(jìn)行空穴傳導(dǎo)，因此難以制作P型半導(dǎo)體。學(xué)習(xí)氧化鎵仿真初期
2023-11-27 17:15:094855 
氮氧化鎵(Gallium Oxynitride，GaOxNy)是一種介于晶態(tài)與非晶態(tài)之間的化合物。其物化性質(zhì)可通過(guò)調(diào)控制備條件在氮化鎵(GaN)與氧化鎵(Ga2O3)之間連續(xù)調(diào)整，兼具寬禁帶半導(dǎo)體特性與靈活的功能可設(shè)計(jì)性，因此在功率電子、紫外光電器件及光電催化等領(lǐng)域展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
2025-05-23 16:33:201474 
氧化鎵（Ga2O3 ）是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，不僅臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、飽和速度高，而且具有極高的 巴利加優(yōu)值和約翰遜優(yōu)值，在功率和射頻器件領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景。本文聚焦于 Ga2O3射頻器件
2025-06-11 14:30:062165 
管制，就足以證明。 ? 日本在氧化鎵領(lǐng)域的研究起步較早，目前在國(guó)際上處于領(lǐng)先地位。不過(guò)，由于目前氧化鎵產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)度緩慢，因此主要是一些大學(xué)研究機(jī)構(gòu)以及初創(chuàng)企業(yè)在進(jìn)行研究。而國(guó)內(nèi)近兩年來(lái)，在氧化鎵領(lǐng)域也涌現(xiàn)了不少優(yōu)
2023-11-06 09:26:003157 生長(zhǎng)4英寸導(dǎo)電型氧化鎵單晶仍沿用了細(xì)籽晶誘導(dǎo)+錐面放肩技術(shù)，籽晶與晶體軸向平行于[010]晶向，可加工4英寸（010）面襯底，適合SBD等高功率器件應(yīng)用。 ? 在以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體之后，氧化鎵被視為是下一代半導(dǎo)體的最佳材
2025-02-17 09:13:241340 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 3月22日，九峰山實(shí)驗(yàn)室首次公布了GaN相關(guān)的研究成果，包括國(guó)際首創(chuàng)8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底（N-polar GaNOI）；全國(guó)首個(gè)100nm高性能氮化鎵流片PDK平臺(tái)；動(dòng)態(tài)
2025-03-25 00:21:001267 我國(guó)科學(xué)家成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。我國(guó)氧化鎵領(lǐng)域研究連續(xù)取得突破日前，西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
領(lǐng)域的研究動(dòng)態(tài)以及研究成果。 電子科技大學(xué)教授明鑫帶來(lái)了功率GaN器件驅(qū)動(dòng)技術(shù)的報(bào)告，分享了該技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展。（根據(jù)會(huì)議資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解。）
2018-11-05 09:51:35
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富，該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管，后來(lái)從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對(duì)ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對(duì)較高的問(wèn)題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過(guò)優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c(diǎn)半說(shuō)』經(jīng)多方專家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時(shí)
2019-07-08 04:20:32
近日，微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室（三室）在阻變存儲(chǔ)器研究工作中取得進(jìn)展，并被美國(guó)化學(xué)協(xié)會(huì)ACS Nano雜志在線報(bào)道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器（ReRAM）具有低廉的價(jià)格
2010-12-29 15:13:32
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
時(shí)間。
更加環(huán)保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時(shí)的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運(yùn)輸環(huán)節(jié)產(chǎn)生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
被用作絕緣體了，而氧化鎵有一組獨(dú)特的特性，它可以作為功率切換和射頻電子器件的半導(dǎo)體從而發(fā)揮巨大作用。它的特點(diǎn)之一是，通過(guò)摻雜的方法，可以在氧化鎵中加入電荷載流子，使其更具導(dǎo)電性。摻雜包括向晶體添加
2023-02-27 15:46:36
在論述二氧化錫氣敏機(jī)理的基礎(chǔ)上，介紹了通過(guò)摻雜金屬、金屬離子、金屬氧化物等方法制備二氧化錫膜氣敏傳感器的研究成果以及二氧化錫傳感器陣列電鼻子的研究現(xiàn)狀，并對(duì)
2009-07-03 09:01:09
16 在論述二氧化錫氣敏機(jī)理的基礎(chǔ)上，介紹了通過(guò)摻雜金屬、金屬離子、金屬氧化物等方法制備二氧化錫膜氣敏傳感器的研究成果以及二氧化錫傳感器陣列電鼻子的研究現(xiàn)狀，并對(duì)其
2009-11-23 14:07:1028 95華梵大學(xué)機(jī)電工程學(xué)系專題研究成果報(bào)告
2010-07-17 17:41:4020 首批商用氮化鎵集成功率級(jí)器件
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出行業(yè)首個(gè)商用集成功率級(jí)產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率
2010-03-06 09:44:011094 
IR推出高效率氮化鎵功率器件
目前，硅功率器件主要通過(guò)封裝和改善結(jié)構(gòu)來(lái)優(yōu)化性能提升效率，不過(guò)隨著工藝技術(shù)的發(fā)展這個(gè)改善的空間已經(jīng)不大了
2010-05-10 17:50:571347 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的研究人員利用原子力針尖誘導(dǎo)的局域催化還原反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了在單層氧化石墨烯上直接繪制納米晶體管器件。相關(guān)研究成果日前在線發(fā)
2012-11-23 09:29:301638 蘋(píng)果在月初曾表示，將會(huì)公開(kāi)發(fā)表他們的 AI 研究成果。而首份論文也在日前亮相，主題是電腦的“視覺(jué)辨識(shí)”。
2016-12-30 18:03:11473 近日，中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所二維材料與能源器件研究組研究員吳忠?guī)泩F(tuán)隊(duì)利用紫外光還原氧化石墨烯技術(shù)，一步法實(shí)現(xiàn)了氧化石墨烯的還原與石墨烯圖案化微電極的構(gòu)筑，批量化制備出不同構(gòu)型的微型超級(jí)電容器。相關(guān)研究成果發(fā)表在ACS Nano（DOI：10．1021／acsnano．7b01390）上。
2017-04-18 17:45:532377 最近，麻省理工學(xué)院（MIT）、半導(dǎo)體公司IQE、哥倫比亞大學(xué)、IBM以及新加坡MIT研究與技術(shù)聯(lián)盟的科研人員展示出一項(xiàng)新型設(shè)計(jì)，讓氮化鎵功率器件處理的電壓可達(dá)1200伏。
2018-01-04 11:13:1212253 綜述主要關(guān)注金屬材料中NT和HNT諸結(jié)構(gòu)的實(shí)驗(yàn)、原子和理論方面的最新研究成果。
2018-04-25 14:42:125623 
近日，中南大學(xué)冶金與環(huán)境學(xué)院賴延清教授團(tuán)隊(duì)針對(duì)高能二次電池的研究成果先后在線發(fā)表于能源材料領(lǐng)域國(guó)際頂級(jí)期刊《Advanced Materials》(IF=19.79)和《Energy Storage Materials》(IF≈13.31)。
2018-06-23 10:08:001623 
北京時(shí)間8月14日，谷歌DeepMind發(fā)布了一項(xiàng)研究成果，該研究報(bào)告稱谷歌與Moorfields眼科醫(yī)院合作產(chǎn)生了第一階段研究成果，人工智能系統(tǒng)可以準(zhǔn)確地診斷超過(guò)50種威脅視力的眼科疾病且有助于醫(yī)生確定需要緊急治療的患者順序。
2018-08-14 16:36:321717 美國(guó)佛羅里達(dá)大學(xué)、美國(guó)海軍研究實(shí)驗(yàn)室和韓國(guó)大學(xué)的研究人員在AIP出版的《應(yīng)用物理學(xué)》上發(fā)表了研究有關(guān)，展現(xiàn)最具前景的超寬帶化合物——氧化鎵（Ga2O3）的特性、能力、電流限制和未來(lái)發(fā)展前景。
2018-12-28 16:30:116687 西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院周弘副教授總結(jié)了目前氧化鎵半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展?fàn)顩r。著重介紹了目前大尺寸襯底制備、高質(zhì)量外延層生長(zhǎng)、高性能二極管以及場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研制進(jìn)展。同時(shí)對(duì)氧化鎵低熱導(dǎo)率特性的規(guī)避提供了可選擇的方案，對(duì)氧化鎵未來(lái)發(fā)展前景進(jìn)行了展望。
2019-01-10 15:27:1017618 
氧化鎵應(yīng)用范圍從實(shí)現(xiàn)可用到可靠的組件，最后再到可插入可持續(xù)市場(chǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等各個(gè)方面。但Ga2O3還是存在一個(gè)重要的直接缺點(diǎn)：它的導(dǎo)熱率很低（10-30 W/m-K，對(duì)比SiC 330 W/m-K
2019-01-24 11:47:1119623 
氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(一)氮化鎵器件的介紹
2019-04-03 06:10:007864 
關(guān)鍵詞：gan , SiC , 導(dǎo)通電阻 , 功率元件 , 氧化鎵 技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件.pdf(930.95 KB, 下載次數(shù): 5) 2012-4-21 09
2019-02-11 11:08:011450 
NVIDIA應(yīng)用深度學(xué)習(xí)研究副總裁Bryan Catanzaro表示：“研究論文中總會(huì)提出各種又新又酷的想法，但這些想法往往只能被一小部分特定的人群讀懂，而我們正在嘗試讓我們的研究成果變得更加通俗易懂。AI Playground可以讓每個(gè)人都能與我們的研究成果進(jìn)行互動(dòng)，并從中獲得樂(lè)趣。”
2019-04-03 12:21:154768 近日，眾多全球頂級(jí)機(jī)器人學(xué)研究人員帶著他們的前沿成果，亮相ICRA 2019。麻省理工學(xué)院、紐約大學(xué)和賓夕法尼亞大學(xué)等NVAIL（NVIDIA AI實(shí)驗(yàn)室）合作伙伴也參與其中，展示其各自的研究成果——基于NVIDIA平臺(tái)進(jìn)行實(shí)時(shí)推理。
2019-06-07 12:44:004118 在昨天結(jié)束的發(fā)布會(huì)上，被人稱之為“科學(xué)狂人”的馬斯克用難以抑制的興奮向大眾展示了其最新的研究成果——大腦芯片植入！
2019-07-22 10:14:025818 3月28日，在華為開(kāi)發(fā)者大會(huì)2020（Cloud）第二天，除了宣布全場(chǎng)景AI計(jì)算框架MindSpore在碼云正式開(kāi)源，華為還全面分享了在計(jì)算視覺(jué)領(lǐng)域的基礎(chǔ)研究成果。
2020-03-28 13:52:362465 近日，氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目樁基開(kāi)工。這個(gè)項(xiàng)目總投資25億元，占地111.35畝，分兩期實(shí)施，全部達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)年銷(xiāo)售30億元以上，可進(jìn)一步推動(dòng)嘉興集成電路新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
2020-07-06 08:46:052191 從器件的角度來(lái)看， Ga 2 O 3 的Baliga品質(zhì)因子要比SiC高出二十倍。對(duì)于各種應(yīng)用來(lái)說(shuō)，陶瓷氧化物的帶隙約為5eV，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于SiC和GaN的帶隙，后兩者都不到到3.5eV。因此，這種陶瓷氧化物器件可以承受比SiC或GaN器件更高的工作電壓，導(dǎo)通電阻也更低。
2020-10-12 15:58:035651 GaN功率器件具有工作頻率高、導(dǎo)通電阻小、溫度特性好等優(yōu)點(diǎn)，已成為未來(lái)高功率密度電源系統(tǒng)的首選器件。在高功率密度電源系統(tǒng)應(yīng)用中，如何降低系統(tǒng)EMI噪聲和損耗是當(dāng)前GaN功率驅(qū)動(dòng)芯片面臨的一個(gè)重要挑戰(zhàn)。
2021-03-11 15:01:154033 本文重點(diǎn)討論氮化鎵功率器件在陣列雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用。下面結(jié)合半導(dǎo)體的物理特性，對(duì)氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）的特點(diǎn)加以說(shuō)明。
2022-04-24 16:54:336940 
近日，Nature子刊Nature Neuroscience接收了一項(xiàng)由字節(jié)跳動(dòng)海外技術(shù)團(tuán)隊(duì)與新加坡國(guó)立大學(xué)等機(jī)構(gòu)合作的研究成果。Nature Neuroscience是神經(jīng)生物學(xué)領(lǐng)域最頂級(jí)的刊物之一。
2022-05-20 16:53:064257 
FLOSFIA 的氧化鎵功率器件使用一種稱為α-Ga2O3的材料。氧化鎵具有不同晶形的β-Ga2O3，結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。然而，由于α型在帶隙等特性方面優(yōu)越（Si的帶隙值(eV) 為1.1，SiC為3.3， Ga2O3為5.3 。
2022-07-28 11:22:552411 )半導(dǎo)體器件有可能實(shí)現(xiàn)更高電壓的電子設(shè)備。候選UWBG半導(dǎo)體包括氮化鋁(AlN)、立方氮化硼和金剛石，但在過(guò)去十年中，研究活動(dòng)增加最多的可能是氧化鎵(Ga2O3)。這種興趣的部分原因是由于其4.85
2022-11-29 14:46:531385 (UWBG)(帶隙4.5eV)半導(dǎo)體器件有可能實(shí)現(xiàn)更高電壓的電子設(shè)備。候選UWBG半導(dǎo)體包括氮化鋁(AlN)、立方氮化硼和金剛石，但在過(guò)去十年中，研究活動(dòng)增加最多的可能是氧化鎵(Ga2O3)。這種興趣的部分原因是由于其4.85 eV的大帶隙和晶體生長(zhǎng)方面的突破，導(dǎo)致了2012年第一個(gè)
2022-12-19 20:36:162293 
如何開(kāi)發(fā)出有效的邊緣終端結(jié)構(gòu)，緩解肖特基電極邊緣電場(chǎng)是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點(diǎn)。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決，PN結(jié)相關(guān)的邊緣終端結(jié)構(gòu)一直是難點(diǎn)。
2022-12-21 10:21:581332 )半導(dǎo)體器件有可能實(shí)現(xiàn)更高電壓的電子設(shè)備。候選UWBG半導(dǎo)體包括氮化鋁(AlN)、立方氮化硼和金剛石，但在過(guò)去十年中，研究活動(dòng)增加最多的可能是氧化鎵(Ga2O3)。這種興趣的部分原因是由于其4.85
2022-12-28 17:46:23860 
氮化鎵功率器件可以分為三類：MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。
2023-02-19 14:32:393120 氮化鎵功率器件是一種用于控制電子設(shè)備功率的器件，它可以提供高效率、低噪聲和高穩(wěn)定性的功率控制。它們可以用于控制電源、電池充電器、電源管理系統(tǒng)、電源調(diào)節(jié)器、電源濾波器等應(yīng)用。
2023-02-19 17:20:4811077 
我國(guó)的氧化鎵襯底能夠小批量供應(yīng)，外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程幾乎空白，研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當(dāng)中。
2023-02-22 10:59:334889 氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價(jià)帶無(wú)法有效進(jìn)行空穴傳導(dǎo)，因此難以制造P型半導(dǎo)體。近期斯坦福、復(fù)旦等團(tuán)隊(duì)已在實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)了氧化鎵P型器件，預(yù)計(jì)將逐步導(dǎo)入產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
2023-02-27 18:06:433476 相比于目前常見(jiàn)的寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN，Ga2O3的Baliga品質(zhì)因數(shù)更大、預(yù)期生長(zhǎng)成本更低，在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面更具潛力。
2023-03-13 11:12:26787 氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲紫外光響應(yīng)特性，在功率器件和光電領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。
2023-03-13 12:25:26950 氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導(dǎo)體，日本和海外正在進(jìn)行研究和開(kāi)發(fā)。
2023-04-14 15:42:06977 以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，有著顯著的優(yōu)勢(shì)和巨大的發(fā)展?jié)摿?，越?lái)越得到國(guó)內(nèi)外的重視。
2023-05-24 10:44:291155 
第三代半導(dǎo)體功率器件的理想材料，可以在溶劑中生長(zhǎng)。
2022-01-13 17:39:233689 
近日，中國(guó)汽車(chē)芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟在北京亦莊舉行了汽車(chē)芯片標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)研究成果發(fā)布儀式。在國(guó)家部委領(lǐng)導(dǎo)、地方政府領(lǐng)導(dǎo)、參研單位、行業(yè)專家及相關(guān)支持單位的共同見(jiàn)證下，聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)原誠(chéng)寅發(fā)布了《汽車(chē)芯片
2022-07-28 10:10:501262 
48.5W，電光轉(zhuǎn)換效率（PCE）峰值高達(dá)72.6%，30W功率點(diǎn)的PCE大于67%，35W輸出時(shí)的PCE仍高達(dá)64.5%！研究成果《48Wcontinuous-wave
2022-11-10 10:08:001827 
超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體具有臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高和可實(shí)現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢(shì)， 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究價(jià)值和廣闊的應(yīng)用前景。
2023-07-27 10:24:022970 
三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年7月28日）宣布，已投資日本氧化鎵晶圓開(kāi)發(fā)和銷(xiāo)售企業(yè)Novel Crystal Technology，今后將加快研究開(kāi)發(fā)高性能低損耗氧化鎵功率半導(dǎo)體，為實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出貢獻(xiàn)。
2023-08-02 10:38:181727 三菱電機(jī)公司近日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家開(kāi)發(fā)和銷(xiāo)售氧化鎵晶圓的日本公司，氧化鎵晶圓是一個(gè)很有前途的候選者。三菱電機(jī)打算加快開(kāi)發(fā)優(yōu)質(zhì)節(jié)能功率半導(dǎo)體，以支持全球脫碳。
2023-08-08 15:54:30926 
以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體禁帶寬度、化學(xué)穩(wěn)定性、擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，是國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
2023-08-09 16:14:421396 
氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點(diǎn)。
2023-08-17 14:24:162130 
氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開(kāi)關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無(wú)線通信、雷達(dá)和太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:154484 調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
2023-09-04 15:13:241214 
近年來(lái)，氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體受到世界各國(guó)科研和產(chǎn)業(yè)界的普遍關(guān)注。氧化鎵具有4.9 eV的超寬禁帶，高于第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）的3.2 eV和氮化鎵（GaN）的3.39 eV。
2023-09-11 10:24:441442 
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)勢(shì)，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:561027 生成式AI正為醫(yī)療大模型迭代按下加速鍵。 近日，商湯科技聯(lián)合行業(yè)合作伙伴，結(jié)合生成式人工智能和醫(yī)療圖像數(shù)據(jù)的多中心聯(lián)邦學(xué)習(xí)發(fā)表的最新研究成果 《通過(guò)分布式合成學(xué)習(xí)挖掘多中心異構(gòu)醫(yī)療數(shù)據(jù)
2023-09-12 18:50:021766 
氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過(guò)深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:3410640 
在當(dāng)今的高科技社會(huì)中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢(shì)在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學(xué)、規(guī)范的測(cè)試方案至關(guān)重要。
2023-10-08 15:13:231900 
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件，它利用氮化鎵材料的特性來(lái)實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應(yīng)用。
2023-10-16 14:52:442506 論文研究氮化鎵GaN功率集成技術(shù)
2023-01-13 09:07:473 百度最新研究成果登上Nature子刊封面，文心生物計(jì)算大模型獲國(guó)際頂刊認(rèn)可！
2023-11-25 11:25:562070 
英特爾研究院將重點(diǎn)展示31項(xiàng)研究成果，它們將推進(jìn)面向未來(lái)的AI創(chuàng)新。 ? ? ? ?英特爾研究院將在NeurIPS 2023大會(huì)上展示一系列富有價(jià)值、業(yè)界領(lǐng)先的AI創(chuàng)新成果。面向廣大開(kāi)發(fā)者、研究
2023-12-08 09:17:211123 市舉辦。 在NeurIPS 2023上，英特爾研究院將展示其最新AI研究成果，并和產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界分享英特爾“讓AI無(wú)處不在”的愿景。大會(huì)期間，英特爾研究院將發(fā)表31篇論文，包括12篇主會(huì)場(chǎng)論文和19篇研討會(huì)論文，并在405號(hào)展臺(tái)進(jìn)行技術(shù)演示。這些研究的重點(diǎn)是針對(duì)AI在科
2023-12-08 19:15:04956 氮化鎵功率器件的電壓限制主要是由以下幾個(gè)原因造成的。 首先，氮化鎵是一種寬能帶隙半導(dǎo)體材料，具有較高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和較高的耐壓能力。盡管氮化鎵材料具有較高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，但在制備器件時(shí)，仍然存在一定
2023-12-27 14:04:292188 2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出直徑6英寸的β型氧化鎵（β-Ga2O3）單晶。通過(guò)增加單晶襯底的直徑和質(zhì)量，可以降低β-Ga2O3功率器件的成本。
2023-12-29 09:51:352554 
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416137 特性，并展示了近期在高壓器件方面的一些進(jìn)展。氧化鎵的固有材料特性氧化鎵的β相(β-Ga2O3)已成為評(píng)估UWBG材料選擇的關(guān)鍵候選。多個(gè)因素促成了這一點(diǎn)。表1列出了
2024-06-18 11:12:311583 
8月23日，雄安新區(qū)RISC-V產(chǎn)業(yè)發(fā)展交流促進(jìn)會(huì)順利召開(kāi)，芯昇科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中移芯昇”）總經(jīng)理肖青發(fā)布智能可信城市蜂窩物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施研究成果，為雄安新區(qū)建設(shè)新型智慧城市賦能增效。該成果
2024-08-31 08:03:321307 
近日，SynSense時(shí)識(shí)科技與海南大學(xué)聯(lián)合在影響因子高達(dá)7.7的國(guó)際知名期刊《Computers in Biology and Medicine》上發(fā)表了最新研究成果，展示了如何用低維信號(hào)通用類腦
2024-10-23 14:40:311305 
風(fēng)電等功率模組應(yīng)用需求。然而氧化鎵熱導(dǎo)率極低，限制了氧化鎵高功率器件的發(fā)展。近日，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所（以下簡(jiǎn)稱為上海微系統(tǒng)所）異質(zhì)集成XOI課題組與哈爾濱工業(yè)大學(xué)孫華銳教授課題組通過(guò)“萬(wàn)能離子刀”剝離轉(zhuǎn)移技術(shù)制備了
2024-11-13 11:16:271884 
VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜 2025年1月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶
2025-02-14 10:52:40902 
2024 ）上報(bào)告了 多項(xiàng)基于寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵，碳化硅的最新研究進(jìn)展 。研究成果覆蓋功率器件技術(shù)和新型器件技術(shù)： 高速且具備優(yōu)越開(kāi)關(guān)速度控制能力的3D堆疊式GaN/SiC cascode 功率器件
2025-02-19 11:14:46952 
在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域，氧化鎵器件憑借其獨(dú)特性能成為研究熱點(diǎn)。泰克中國(guó)區(qū)技術(shù)總監(jiān)張欣與香港科技大學(xué)電子及計(jì)算機(jī)工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀、應(yīng)用前景及測(cè)試測(cè)量挑戰(zhàn)展開(kāi)深入交流。
2025-04-29 11:13:001029 電壓(BV)GaNHEMT器件的研究成果。Qromis襯底技術(shù)(QST?)硅基氮化鎵(GaN-on-Si)是目前商用功率HEMT器件的首選技術(shù)，其主流最高工作電壓范
2025-05-28 11:38:15674 
在亞特蘭大舉行的國(guó)際機(jī)器人與自動(dòng)化大會(huì) (ICRA) 上，NVIDIA 展示了其在生成式 AI、仿真和自主操控領(lǐng)域的多項(xiàng)研究成果。
2025-06-06 14:56:071231 近日，國(guó)際計(jì)算機(jī)視覺(jué)大會(huì) ICCV 2025 正式公布論文錄用結(jié)果，Nullmax 感知團(tuán)隊(duì)在端到端自動(dòng)駕駛方向的最新研究成果《HiP-AD: Hierarchical
2025-07-05 15:40:121643 
在今年的機(jī)器人科學(xué)與系統(tǒng)會(huì)議 (RSS) 上，NVIDIA 研究中心展示了一系列推動(dòng)機(jī)器人學(xué)習(xí)的研究成果，展示了在仿真、現(xiàn)實(shí)世界遷移和決策制定領(lǐng)域的突破。
2025-07-23 10:43:311221 全球機(jī)器人領(lǐng)域最具影響力的學(xué)術(shù)會(huì)議IROS 2025于10月19日至25日在杭州國(guó)際博覽中心舉行。大會(huì)收錄的多篇論文的研究成果采用了奧比中光的3D視覺(jué)技術(shù)，涵蓋自動(dòng)化掃描、空間建模、人機(jī)交互等前沿方向，彰顯了奧比中光在全球機(jī)器人與AI視覺(jué)研究領(lǐng)域的底層支撐地位。
2025-10-23 16:29:15671
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