往往會(huì)采用常見(jiàn)的機(jī)械零件和工具所對(duì)應(yīng)微觀模擬元件，例如它們可能包含通道、孔、懸臂、膜、腔以及其它
結(jié)構(gòu)。然而，
MEMS器件加工
技術(shù)并非機(jī)械式。相反，它們采用類(lèi)似于集成電路批處理式的微制造
技術(shù)?！ 〗裉?/div>
2018-11-07 11:00:01
哪位大佬可以詳細(xì)介紹下MEMS技術(shù)到底是什么
2020-11-25 07:23:59
通常在毫米或微米級(jí)，具有重量輕、功耗低、耐用性好、價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn)，是近年來(lái)發(fā)展最快的領(lǐng)域之一。下面讓我們來(lái)領(lǐng)略一下應(yīng)用MEMS技術(shù)的黑科技吧。1、膠囊胃鏡重慶金山科技有限公司生產(chǎn)的膠囊胃鏡，為消費(fèi)者開(kāi)創(chuàng)
2018-10-15 10:47:43
靈敏度的應(yīng)用中，ECM產(chǎn)品具有單向或噪聲消除方向性。它們的寬范圍工作電壓也適用于具有松散調(diào)節(jié)電壓軌的應(yīng)用。選擇合適的麥克風(fēng)最終，您選擇的麥克風(fēng)技術(shù)取決于項(xiàng)目的限制。雖然MEMS麥克風(fēng)由于其眾多的內(nèi)在優(yōu)勢(shì)
2019-02-23 14:05:47
。加工工藝：MEMS技術(shù)基于已經(jīng)相當(dāng)成熟的微電子技術(shù)、集成電路技術(shù)及其加工工藝。它與傳統(tǒng)的IC工藝有許多相似之處，如光刻、薄膜沉積、摻雜、刻蝕、化學(xué)機(jī)械拋光工藝等，但是有些復(fù)雜的微結(jié)構(gòu)難以用IC工藝
2016-12-09 17:46:21
的微型器件研究，還有很多創(chuàng)新工作要做，不然就會(huì)面臨發(fā)展停滯的風(fēng)險(xiǎn)。技術(shù)優(yōu)勢(shì)：用MEMS工藝制造傳感器、執(zhí)行器或者微結(jié)構(gòu)， 具有微型化、集成化、智能化、成本低、效能高、可大批量生產(chǎn)等特點(diǎn)， 產(chǎn)能高，良品率
2018-11-12 10:51:35
智能化的特點(diǎn)， 經(jīng)過(guò)四十多年的發(fā)展，已成為世界矚目的重大科技領(lǐng)域之一。它涉及電子、機(jī)械、材料、物理學(xué)、化學(xué)、生物學(xué)、醫(yī)學(xué)等多種學(xué)科與技術(shù)，具有廣闊的應(yīng)用前景。在眾多汽車(chē)傳感器中，有越來(lái)越多的MEMS
2022-10-18 18:28:49
MEMS全稱(chēng)微型電子機(jī)械系統(tǒng)，相比于傳統(tǒng)的機(jī)械，MEMS的尺寸更小，其大小在幾微米及一個(gè)厘米之間，而厚度則更加微小。MEMS的生產(chǎn)技術(shù)與集成電路類(lèi)似，可以大量套用集成電路生產(chǎn)中的技術(shù)、工藝等進(jìn)行大批量、低成本生產(chǎn)。因此，性價(jià)比會(huì)有很大的提升。
2020-08-18 07:19:30
結(jié)構(gòu)材料，而不是使用基材本身。[23]表面微機(jī)械加工創(chuàng)建于1980年代后期，旨在使硅的微機(jī)械加工與平面集成電路技術(shù)更加兼容，其目標(biāo)是在同一硅晶片上結(jié)合MEMS和集成電路。最初的表面微加工概念基于薄多晶硅
2021-01-05 10:33:12
更廣泛的狀態(tài)監(jiān)測(cè)應(yīng)用的可行選擇。與諧振頻率高達(dá)50千赫，和噪聲密度水平下降到25μ加速度計(jì)克 √Hz的是現(xiàn)在可以對(duì)專(zhuān)門(mén)的MEMS結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)。信號(hào)調(diào)理電子設(shè)備的精心設(shè)計(jì)充分利用了這些新型加速度計(jì)的低
2018-10-29 17:11:46
MEMS技術(shù)制造開(kāi)關(guān)的四個(gè)主要步驟。開(kāi)關(guān)建構(gòu)在一個(gè)高電阻率硅晶圓(1)上，晶圓上面沉積一層很厚的電介質(zhì)，以便提供與下方襯底的優(yōu)良電氣隔離。利用標(biāo)準(zhǔn)后端CMOS互連工藝實(shí)現(xiàn)到MEMS開(kāi)關(guān)的互連。低電阻率
2018-10-17 10:52:05
了通過(guò)體加工和表面加工方法、利用壓阻、電容和光學(xué)技術(shù)制備的基于洛倫茲力的MEMS磁傳感器，并介紹了各種結(jié)構(gòu)磁傳感器的靈敏度、品質(zhì)因子、噪聲和探測(cè)極限等特性。隨著納米技術(shù)、集成化技術(shù)以及封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，更多高性能、同時(shí)可監(jiān)測(cè)多個(gè)物理量的智能傳感器會(huì)不斷出現(xiàn)。
2018-11-09 10:38:15
MEMS裝配技術(shù)的公司是不會(huì)公開(kāi)他們經(jīng)驗(yàn)的，這是一個(gè)保密的行業(yè)，以后也是如此?！痹S多PCB裝配問(wèn)題都會(huì)影響靈敏度，比如說(shuō)焊點(diǎn)就有較大的影響，這主要是由于機(jī)械而非電氣性原因。在決定碰撞時(shí)感應(yīng)器的感應(yīng)強(qiáng)度
2014-08-19 15:50:19
2. MEMS麥克風(fēng)的SEM圖像圖3. MEMS麥克風(fēng)的橫截面由于幾何結(jié)構(gòu)在制造工藝中受到嚴(yán)格控制，因此不同麥克風(fēng)的實(shí)測(cè)性能具有高度可重復(fù)性。利用MEMS技術(shù)構(gòu)建麥克風(fēng)的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)是薄膜極小，因此其
2019-11-05 08:00:00
COMS工藝制程技術(shù)主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝
2019-03-15 18:09:22
EMC設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)基本要點(diǎn)和問(wèn)題處理流程推薦給大家參考。。
2015-08-25 12:05:04
分為兩大類(lèi)：一類(lèi)稱(chēng)為無(wú) 源MEMS，其結(jié)構(gòu)無(wú)可動(dòng)零 件；另一類(lèi)稱(chēng)為有源MEMS，有可動(dòng)結(jié)構(gòu)，在電 應(yīng)力作用下，可動(dòng)零件會(huì) 發(fā)生形變或移動(dòng)。其關(guān)鍵 加工技術(shù)分為四大類(lèi)：平 面加工技術(shù)、體硅腐蝕技 術(shù)、固相
2017-07-13 09:14:06
<br/>? 九. 檢驗(yàn)工藝<br/>? 十. SMT生產(chǎn)中的靜電防護(hù)技術(shù)<br/><
2008-09-12 12:43:03
。 SMT有關(guān)的技術(shù)組成 1、電子元件、集成電路的設(shè)計(jì)制造技術(shù) 2、電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)技術(shù) 3、電路板的制造技術(shù) 4、自動(dòng)貼裝設(shè)備的設(shè)計(jì)制造技術(shù) 5、電路裝配制造工藝技術(shù) 6、裝配制造中使用的輔助材料的開(kāi)發(fā)生產(chǎn)技術(shù)
2010-03-09 16:20:06
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對(duì)ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對(duì)較高的問(wèn)題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過(guò)優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
;nbsp; &nbsp;<br/>薛競(jìng)成----無(wú)鉛工藝技術(shù)應(yīng)用和可靠性&nbsp;<br/>主辦單位&
2009-07-27 09:02:35
各向異性（晶體）化學(xué)蝕刻是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)工藝技術(shù)，其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是：（1）具有原子級(jí)光滑面的光學(xué)設(shè)備（波導(dǎo)、激光器）減少損失（2）MEMS，其中幾何形狀可以通過(guò)
2021-07-08 13:09:52
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對(duì)此，業(yè)界存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
什么是RF MEMS？有哪些關(guān)鍵技術(shù)與器件？微電子機(jī)械系統(tǒng)(MicroElectroMechanicalSystem)，簡(jiǎn)稱(chēng)MEMS，是以微電子技術(shù)為基礎(chǔ)而興起發(fā)展的，以硅、砷化鎵、藍(lán)寶石等為襯底
2019-08-01 06:17:43
和日趨完善?！ ∪詣?dòng)貼裝工藝是表面貼裝技術(shù)中對(duì)設(shè)備依賴(lài)性最強(qiáng)的一個(gè)工序，整個(gè)SNIT生產(chǎn)線的產(chǎn)能、效率和產(chǎn)品適應(yīng)性，主要取決于貼裝工序，在全自動(dòng)貼裝中貼片機(jī)設(shè)備起決定性作用。但是這絕不意味著設(shè)備決定一切
2018-11-22 11:08:10
技術(shù)的特有工藝MEMS器件與IC芯片的制備工藝非常相似，但MEMS器件有兩個(gè)重要特征：高深寬比的微結(jié)構(gòu)和懸臂結(jié)構(gòu)，因此需要一些特有的工藝來(lái)制備。第一項(xiàng)特有工藝是用于制備高深寬比結(jié)構(gòu)的LIGA技術(shù)
2020-05-12 17:27:14
PCB部件使用PI膜作為柔性芯板，并覆蓋聚酰亞胺或丙烯酸膜。粘合劑使用低流動(dòng)性預(yù)浸料，最后將這些基材層壓在一起以制成剛撓性PCB。剛?cè)嵝訮CB制造工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)：未來(lái)，剛?cè)峤Y(jié)合PCB將朝著超薄，高密度
2019-08-20 16:25:23
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)
2021-04-25 09:08:11
的工藝技術(shù)可用于晶圓凸起，每種技術(shù)有各自的優(yōu)缺點(diǎn)。其中金線柱焊接凸點(diǎn)和電解或化學(xué)鍍金焊接凸點(diǎn)主要用于引腳數(shù)較少的封裝應(yīng)用領(lǐng)域包括玻璃覆晶封裝、軟膜覆晶封裝和RF模塊。由于這類(lèi)技術(shù)材料成本高、工序
2011-12-01 14:33:02
MEMS市場(chǎng)動(dòng)向最近幾年，使用了MEMS技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求及用途大幅增加。MEMS是Micro Electro Mechanical Systems的縮寫(xiě)，硅電路板上由電路和機(jī)械可活動(dòng)結(jié)構(gòu)的三維
2019-07-04 06:06:12
表面硅MEMS加工技術(shù)是在集成電路平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種MEMS工藝技術(shù)，它利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來(lái)形成各種微結(jié)構(gòu)。什么是表面硅MEMS加工技術(shù)？表面硅MEMS加工技術(shù)先在
2018-11-05 15:42:42
請(qǐng)?jiān)敿?xì)敘述腐蝕工藝工段的工藝流程以及整個(gè)前道的工藝技術(shù)
2011-04-13 18:34:13
件相適應(yīng),于是制約了整個(gè)系統(tǒng)的集成化、批量化和性能的充分發(fā)揮。微型傳感器不是傳統(tǒng)傳感器簡(jiǎn)單的物理縮小的產(chǎn)物,而是以新的工作機(jī)制和物化效應(yīng),使用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝兼容的材料,通過(guò)MEMS 加工技術(shù)制備的新一代
2019-07-24 07:13:29
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 編輯
釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35
2013-11-04 11:51:00
硅技術(shù)的迅猛發(fā)展使工程師們能夠設(shè)計(jì)和創(chuàng)建出新型電路，這些電路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)和PHEMT技術(shù)才能達(dá)到，電路的核心就是鍺化硅(SiGe)工藝
2019-07-30 07:56:50
摘要：采用微機(jī)電系統(tǒng)（ MEMS） 犧牲層技術(shù)制作的壓力傳感器具有芯片尺寸小，靈敏度高的優(yōu)勢(shì)，但同時(shí)也帶來(lái)了提高過(guò)載能力的難題。為此，利用有限元法，對(duì)犧牲層結(jié)構(gòu)壓阻式壓力傳感器彈性膜片的應(yīng)力分布
2018-11-05 15:27:14
再流焊工藝技術(shù)研究(SMT工藝):隨著表面貼裝技術(shù)的發(fā)展，再流焊越來(lái)越受到人們的重視。本文介紹了再流焊接的一般技術(shù)要求，并給出了典型溫度曲線以及溫度曲線上主要控制點(diǎn)
2009-03-25 14:44:33
30 和艦科技自主創(chuàng)新研發(fā)的0.16 微米硅片制造工藝技術(shù)在原有比較成熟的0.18 微米工藝技術(shù)基礎(chǔ)上，將半導(dǎo)體器件及相關(guān)繞線尺寸進(jìn)行10%微縮（實(shí)際尺寸為0.162 微米），大大降低了芯
2009-12-14 11:23:3625 高壓0.18um 先進(jìn)工藝技術(shù)上海華虹 NEC 電子有限公司工程一部1、簡(jiǎn)介項(xiàng)目名稱(chēng)：高壓0.18μm 先進(jìn)工藝技術(shù)，該項(xiàng)目產(chǎn)品屬于30V 高工作電壓的關(guān)鍵尺寸為0.18μm 的邏輯器件。
2009-12-14 11:37:329 選擇性焊接工藝技術(shù)的研究烽火通信科技股份有限公司 鮮飛摘要: 本文介紹了選擇性焊接的概念、特點(diǎn)、分類(lèi)和使用工藝要點(diǎn)。選擇性焊接是現(xiàn)代組裝技術(shù)的新概念，它的出現(xiàn)
2009-12-19 08:19:4114 La、Co 代換永磁鐵氧體的高性能化與工藝技術(shù)何水校關(guān)鍵詞：永磁鐵氧體，離子代換，高性能，工藝技術(shù)摘 要：介紹了日本TDK、日立公司等開(kāi)發(fā)高性能永磁鐵氧體的一些基
2010-02-05 22:26:1934 常用PCB工藝技術(shù)參數(shù).
2010-07-15 16:03:1766 運(yùn)用單島膜E型硅杯結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及其應(yīng)力分析數(shù)學(xué)模型以及半導(dǎo)體MEMS工藝技術(shù)，在8英寸硅片上設(shè)計(jì)并制作出了用于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)壓力傳感器節(jié)點(diǎn)的敏感元件IC芯片；通過(guò)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化與表面鈍化
2010-11-17 11:45:3030 摘 要：熱風(fēng)整平技術(shù)是目前應(yīng)用較為成熟的技術(shù)，但因?yàn)槠?b class="flag-6" style="color: red">工藝 處于一個(gè)
2006-04-16 21:33:46
1902 無(wú)鉛波峰焊接工藝技術(shù)與設(shè)備1．無(wú)鉛焊接技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)
2006-04-16 21:37:53669 IC工藝技術(shù)問(wèn)題 集成電路芯片偏置和驅(qū)動(dòng)的電源電壓Vcc是選擇IC時(shí)要注意的重要問(wèn)題。從IC電源管腳吸納的電流主要取決于該電壓值以及該IC芯片輸出級(jí)
2009-08-27 23:13:38780 釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)
濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35 Microstructures在SEMICON C
2009-11-18 09:17:32880 ADI完成制造工藝技術(shù)的升級(jí)，有效提高晶圓制造效率
Analog Devices, Inc.，最近成功完成了對(duì)專(zhuān)有模擬、混合信號(hào)和 MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）制造工藝技術(shù)的升級(jí)和改進(jìn)，目的是
2009-12-24 08:44:23659 什么是CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù)/向下兼容？
CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù) 我們?？梢栽贑PU性能列表上看到“工藝技術(shù)”一項(xiàng)，其中有“
2010-02-04 10:41:53742 超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹
目前，集成度呈越來(lái)越高的趨勢(shì)，許多公司紛紛開(kāi)始SOC技術(shù)，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問(wèn)題，因
2010-03-30 16:43:081181 采用SiGe：C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品
恩智浦將在2010年底前推出超過(guò)50種采用SiGe：C技術(shù)的產(chǎn)品，其QUBiC4 SiGe：C工藝技術(shù)可提供高功率增益和優(yōu)
2010-05-24 11:06:351367 光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來(lái)以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來(lái)完成的,也就是說(shuō),首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:210 對(duì)于PCB抄板工程師來(lái)說(shuō)，除了掌握一定的抄板技術(shù)技巧和軟件應(yīng)用技能之外，還應(yīng)該對(duì)各類(lèi)電路板基板材料有初步的了解，本文我們將為大家介紹一種新的基板--PALUP基板的結(jié)構(gòu)工藝和性
2011-06-23 11:27:051204 雷達(dá)是一個(gè)復(fù)雜的電子機(jī)械機(jī)構(gòu)，因此雷達(dá)的結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)在雷達(dá)研制中占有極為重要的地位。結(jié)構(gòu)和工藝不僅是雷達(dá)研制中不可或缺的技術(shù)支撐，而且是雷達(dá)性能和質(zhì)量的重要保證
2011-08-03 17:08:310 MEMS表面微機(jī)械加工工藝是指所有工藝都是在圓片表面進(jìn)行的 MEMS 制造工藝。表面微加工中，采用低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)這一類(lèi)方法來(lái)獲得作為結(jié)構(gòu)單元的薄膜。表面微加工工藝采用若
2011-11-01 11:45:2311161 對(duì)3D封裝技術(shù)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、主流多層基板技術(shù)分類(lèi)及其常見(jiàn)鍵合技術(shù)的發(fā)展作了論述,對(duì)過(guò)去幾年國(guó)際上硅通孔( TSV)技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)給與了重點(diǎn)的關(guān)注。尤其就硅通孔關(guān)鍵工藝技術(shù)如硅片減薄
2011-12-07 11:00:52149 科銳公司（CREE）宣布推出兩項(xiàng)新型GaN工藝：0.25微米、漏極電壓最高為40V的G40V4和0.4微米、漏極電壓最高為50VG50V3。新的工藝技術(shù)增加了工作電壓和無(wú)線射頻功率密度，與傳統(tǒng)的技術(shù)相比
2012-07-18 14:30:561306 隨著芯片微縮，開(kāi)發(fā)先進(jìn)工藝技術(shù)的成本也越來(lái)越高。TSMC對(duì)外發(fā)言人孫又文表示，臺(tái)積電會(huì)繼續(xù)先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的投入和開(kāi)發(fā)，今年年底臺(tái)積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:301782 本文重點(diǎn)描述運(yùn)用MEMS微機(jī)械加工工藝技術(shù)設(shè)計(jì)、加工、生產(chǎn)胎壓傳感器IC芯片，希望對(duì)大家學(xué)習(xí)MEMS有所幫助
2012-12-11 14:17:267238 半導(dǎo)體的制造流程以及各工位的詳細(xì)工藝技術(shù)。
2016-05-26 11:46:340 PCB測(cè)試工藝技術(shù)，很詳細(xì)的
2016-12-16 21:54:480 撓性電路板化學(xué)鎳鈀金工藝技術(shù)研究
2017-01-22 20:56:130 據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，MEMS代工廠Micralyne展示了用于開(kāi)發(fā)下一代氣體傳感器的MEMS技術(shù)平臺(tái)——標(biāo)準(zhǔn)的硅工藝技術(shù)和工藝模塊。
2017-10-16 17:17:546724 業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-03-15 11:06:13447 據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近日，領(lǐng)先的微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）和傳感器代工廠Micralyne在日本“MEMS傳感和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)展會(huì)”上展示了用于開(kāi)發(fā)下一代氣體傳感器的MEMS技術(shù)平臺(tái)——標(biāo)準(zhǔn)的硅工藝技術(shù)和工藝模塊。
2018-04-28 15:30:002103 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝制程技術(shù)的詳細(xì)資料說(shuō)明。主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝技術(shù)。
2019-01-08 08:00:0075 對(duì)MEMS工藝技術(shù)的投資加上設(shè)計(jì)創(chuàng)新，已大大改善MEMS性能，使得MEMS足以成為更廣泛狀態(tài)監(jiān)控應(yīng)用的可行選擇
2019-04-10 15:20:072356 
PCB板上的線路圖形就是PCB線路板廠家采用曝光成像與顯影蝕刻工藝技術(shù)來(lái)完成的，無(wú)論是PCB多層線路板還是柔性線路板在制作線路圖形時(shí)都要用到曝光成像與顯影工藝技術(shù)。下面來(lái)詳細(xì)介紹這兩種工藝的加工特點(diǎn)及加工原理。
2019-04-28 15:10:5231336 IMT公司專(zhuān)項(xiàng)獎(jiǎng)學(xué)金支持未來(lái)之才開(kāi)展創(chuàng)新研究，推動(dòng)MEMS制造工藝技術(shù)快速發(fā)展。
2019-05-06 14:22:04809 對(duì)MEMS工藝技術(shù)的投資加上設(shè)計(jì)創(chuàng)新，已大大改善MEMS性能，使得MEMS足以成為更廣泛狀態(tài)監(jiān)控應(yīng)用的可行選擇。采用專(zhuān)門(mén)化MEMS結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)，現(xiàn)在已實(shí)現(xiàn)諧振頻率高達(dá)50 kHz、噪聲密度低至25 g/ Hz的加速度計(jì)。
2019-05-20 14:14:182628 
在14版本中，SONNET新引入了一種名為工藝技術(shù)層的屬性定義層，以實(shí)現(xiàn)EDA框架和設(shè)計(jì)流程的平滑過(guò)渡。該工藝技術(shù)層實(shí)際上是用戶創(chuàng)建的EM工程中 的多個(gè)屬性對(duì)象的集合體，其中包括了很多基本屬性設(shè)置，比如層的命名、物理位置、金屬屬性、網(wǎng)格控制選項(xiàng)等等。
2019-10-08 15:17:412021 
MEMS技術(shù)基于已經(jīng)是相當(dāng)成熟的微電子技術(shù)、集成電路技術(shù)及其加工工藝。它與傳統(tǒng)的IC工藝有許多相似之處，如光刻、薄膜沉積、摻雜、刻蝕、化學(xué)機(jī)械拋光工藝等，但是有些復(fù)雜的微結(jié)構(gòu)難以用IC工藝實(shí)現(xiàn)，必須采用微加工技術(shù)制造。
2019-12-25 10:03:092631 比較。 對(duì)MEMS工藝技術(shù)的投資加上設(shè)計(jì)創(chuàng)新，已大大改善MEMS性能，使得MEMS足以成為更廣泛狀態(tài)監(jiān)控應(yīng)用的可行選擇。采用專(zhuān)門(mén)化MEMS結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)，現(xiàn)在已實(shí)現(xiàn)諧振頻率高達(dá)50 kHz、噪聲密度低至25 g/?Hz的加速度計(jì)。通過(guò)精心設(shè)計(jì)的信號(hào)調(diào)理電子電路，可
2020-04-09 09:12:311318 CMOS器件是在硅材料上逐層制作而成的。雖然蝕刻和沉積是標(biāo)準(zhǔn)工藝，但它們主要使用光刻和等離子蝕刻在裸片上創(chuàng)建圖案。另一方面，MEMS是采用體硅加工工藝嵌入到硅中，或通過(guò)表面微加工技術(shù)在硅的頂部形成。
2020-09-01 11:21:323490 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝技術(shù)的學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載。
2020-12-09 08:00:000 IBM日前推出一項(xiàng)微芯片工藝技術(shù)中的新改進(jìn)。該公司表示，這項(xiàng)改進(jìn)將讓為手機(jī)和其它通信設(shè)備制造更高速的硅設(shè)備
2021-03-26 11:08:541281 MEMS工藝——半導(dǎo)體制造技術(shù)說(shuō)明。
2021-04-08 09:30:41237 多絞屏蔽線處理及焊接工藝技術(shù)綜述
2021-07-12 09:45:593 件、電子電路、傳感器、執(zhí)行機(jī)構(gòu)集成在一塊電路板上的高附加值元件。 MEMS工藝 MEMS工藝以成膜工序、光刻工序、蝕刻工序等常規(guī)半導(dǎo)體工藝流程為基礎(chǔ)。 下面介紹MEMS工藝的部分關(guān)鍵技術(shù)
2021-08-27 14:55:4417759 全面解讀電子封裝工藝技術(shù)
2022-10-10 11:00:51876 鍵合技術(shù)是 MEMS 工藝中常用的技術(shù)之一，是指將硅片與硅片、硅片與玻璃或硅片與金屬等材料通過(guò)物理或化學(xué)反應(yīng)機(jī)制緊密結(jié)合在一起的一種工藝技術(shù)。
2022-10-11 09:59:573731 Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 結(jié)構(gòu)在制作 CMOS 之前完成，帶有MEMS 微結(jié)構(gòu)部分的硅片可以作為 CMOS 工藝的初始材料。
2022-10-13 14:52:435875 對(duì)MEMS工藝技術(shù)的投資，加上設(shè)計(jì)創(chuàng)新，極大地提高了MEMS性能，足以使MEMS成為更廣泛的狀態(tài)監(jiān)測(cè)應(yīng)用的可行選擇?，F(xiàn)在，通過(guò)專(zhuān)門(mén)的MEMS結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)，可以提高諧振頻率高達(dá)50 kHz，噪聲密度
2023-01-03 11:00:44980 
氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思？ 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度
2023-02-05 10:24:521177 傳感器公司為例，介紹了他們的MEMS傳感器技術(shù)。更詳細(xì)的技術(shù)干貨，帶你進(jìn)一步揭開(kāi)MEMS技術(shù)神秘的面紗。01丨開(kāi)拓—什么是MEMS技術(shù)MEMS的全稱(chēng)，是Micro-E
2021-10-29 18:24:49554 
隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）逐漸成為眾多領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。MEMS器件在諸如傳感器、執(zhí)行器等方面表現(xiàn)出卓越的性能，但要實(shí)現(xiàn)這些優(yōu)越特性，對(duì)其封裝結(jié)構(gòu)和制造工藝要求極高。本文將詳細(xì)介紹MEMS器件真空封裝結(jié)構(gòu)及其制造工藝。
2023-04-21 14:18:181042 
2006電子元器件搪錫工藝技術(shù)要求
2023-08-23 16:48:033 本文整理自公眾號(hào)芯生活SEMI Businessweek中關(guān)于MEMS制造工藝的多篇系列內(nèi)容，全面、專(zhuān)業(yè)地介紹了MEMS芯片制造中的常用工藝情況，推薦！ ? 作為現(xiàn)代傳感器重要的制造技術(shù)，MEMS
2023-10-20 16:10:351409 
電子產(chǎn)品裝聯(lián)工藝技術(shù)詳解
2023-10-27 15:28:22373 
密性等。本文介紹了五種用于MEMS封裝的封帽工藝技術(shù),即平行縫焊、釬焊、激光焊接、超聲焊接和膠粘封帽?？偨Y(jié)了不同封帽工藝的特點(diǎn)以及不同MEMS器件對(duì)封帽工藝的選擇。本文還介紹了幾種常用的吸附劑類(lèi)型,針對(duì)吸附劑易于飽和問(wèn)題,給出了封帽工藝解決方案,探
2024-02-25 08:39:28171 
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