淺溝道隔離（STI）是芯片制造中的關(guān)鍵工藝技術(shù)，用于在半導(dǎo)體器件中形成電學(xué)隔離區(qū)域，防止相鄰晶體管之間的電流干擾。本文簡單介紹淺溝道隔離技術(shù)的作用、材料和步驟。
2025-03-03 10:00:47
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分為兩大類：一類稱為無 源MEMS，其結(jié)構(gòu)無可動零 件；另一類稱為有源MEMS，有可動結(jié)構(gòu)，在電 應(yīng)力作用下，可動零件會 發(fā)生形變或移動。其關(guān)鍵 加工技術(shù)分為四大類：平 面加工技術(shù)、體硅腐蝕技 術(shù)、固相
2017-07-13 08:50:15
往往會采用常見的機械零件和工具所對應(yīng)微觀模擬元件，例如它們可能包含通道、孔、懸臂、膜、腔以及其它
結(jié)構(gòu)。然而，
MEMS器件加工
技術(shù)并非機械式。相反，它們采用類似于集成電路批處理式的微制造
技術(shù)?！ 〗裉?/div>
2018-11-07 11:00:01
哪位大佬可以詳細介紹下MEMS技術(shù)到底是什么
2020-11-25 07:23:59
靈敏度的應(yīng)用中，ECM產(chǎn)品具有單向或噪聲消除方向性。它們的寬范圍工作電壓也適用于具有松散調(diào)節(jié)電壓軌的應(yīng)用。選擇合適的麥克風(fēng)最終，您選擇的麥克風(fēng)技術(shù)取決于項目的限制。雖然MEMS麥克風(fēng)由于其眾多的內(nèi)在優(yōu)勢
2019-02-23 14:05:47
。加工工藝：MEMS技術(shù)基于已經(jīng)相當成熟的微電子技術(shù)、集成電路技術(shù)及其加工工藝。它與傳統(tǒng)的IC工藝有許多相似之處，如光刻、薄膜沉積、摻雜、刻蝕、化學(xué)機械拋光工藝等，但是有些復(fù)雜的微結(jié)構(gòu)難以用IC工藝
2016-12-09 17:46:21
的微型器件研究，還有很多創(chuàng)新工作要做，不然就會面臨發(fā)展停滯的風(fēng)險。技術(shù)優(yōu)勢：用MEMS工藝制造傳感器、執(zhí)行器或者微結(jié)構(gòu)， 具有微型化、集成化、智能化、成本低、效能高、可大批量生產(chǎn)等特點， 產(chǎn)能高，良品率
2018-11-12 10:51:35
智能化的特點， 經(jīng)過四十多年的發(fā)展，已成為世界矚目的重大科技領(lǐng)域之一。它涉及電子、機械、材料、物理學(xué)、化學(xué)、生物學(xué)、醫(yī)學(xué)等多種學(xué)科與技術(shù)，具有廣闊的應(yīng)用前景。在眾多汽車傳感器中，有越來越多的MEMS
2022-10-18 18:28:49
結(jié)構(gòu)材料，而不是使用基材本身。[23]表面微機械加工創(chuàng)建于1980年代后期，旨在使硅的微機械加工與平面集成電路技術(shù)更加兼容，其目標是在同一硅晶片上結(jié)合MEMS和集成電路。最初的表面微加工概念基于薄多晶硅
2021-01-05 10:33:12
了通過體加工和表面加工方法、利用壓阻、電容和光學(xué)技術(shù)制備的基于洛倫茲力的MEMS磁傳感器，并介紹了各種結(jié)構(gòu)磁傳感器的靈敏度、品質(zhì)因子、噪聲和探測極限等特性。隨著納米技術(shù)、集成化技術(shù)以及封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，更多高性能、同時可監(jiān)測多個物理量的智能傳感器會不斷出現(xiàn)。
2018-11-09 10:38:15
MEMS裝配技術(shù)的公司是不會公開他們經(jīng)驗的，這是一個保密的行業(yè)，以后也是如此?！痹S多PCB裝配問題都會影響靈敏度，比如說焊點就有較大的影響，這主要是由于機械而非電氣性原因。在決定碰撞時感應(yīng)器的感應(yīng)強度
2014-08-19 15:50:19
COMS工藝制程技術(shù)主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝
2019-03-15 18:09:22
EMC設(shè)計、工藝技術(shù)基本要點和問題處理流程推薦給大家參考。。
2015-08-25 12:05:04
分為兩大類：一類稱為無 源MEMS，其結(jié)構(gòu)無可動零 件；另一類稱為有源MEMS，有可動結(jié)構(gòu)，在電 應(yīng)力作用下，可動零件會 發(fā)生形變或移動。其關(guān)鍵 加工技術(shù)分為四大類：平 面加工技術(shù)、體硅腐蝕技 術(shù)、固相
2017-07-13 09:14:06
<br/>? 九. 檢驗工藝<br/>? 十. SMT生產(chǎn)中的靜電防護技術(shù)<br/><
2008-09-12 12:43:03
。 SMT有關(guān)的技術(shù)組成 1、電子元件、集成電路的設(shè)計制造技術(shù) 2、電子產(chǎn)品的電路設(shè)計技術(shù) 3、電路板的制造技術(shù) 4、自動貼裝設(shè)備的設(shè)計制造技術(shù) 5、電路裝配制造工藝技術(shù) 6、裝配制造中使用的輔助材料的開發(fā)生產(chǎn)技術(shù)
2010-03-09 16:20:06
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
各向異性（晶體）化學(xué)蝕刻是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)工藝技術(shù)，其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是：（1）具有原子級光滑面的光學(xué)設(shè)備（波導(dǎo)、激光器）減少損失（2）MEMS，其中幾何形狀可以通過
2021-07-08 13:09:52
什么是RF MEMS？有哪些關(guān)鍵技術(shù)與器件？微電子機械系統(tǒng)(MicroElectroMechanicalSystem)，簡稱MEMS，是以微電子技術(shù)為基礎(chǔ)而興起發(fā)展的，以硅、砷化鎵、藍寶石等為襯底
2019-08-01 06:17:43
技術(shù)的特有工藝MEMS器件與IC芯片的制備工藝非常相似，但MEMS器件有兩個重要特征：高深寬比的微結(jié)構(gòu)和懸臂結(jié)構(gòu)，因此需要一些特有的工藝來制備。第一項特有工藝是用于制備高深寬比結(jié)構(gòu)的LIGA技術(shù)
2020-05-12 17:27:14
PCB部件使用PI膜作為柔性芯板，并覆蓋聚酰亞胺或丙烯酸膜。粘合劑使用低流動性預(yù)浸料，最后將這些基材層壓在一起以制成剛撓性PCB。剛?cè)嵝訮CB制造工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢：未來，剛?cè)峤Y(jié)合PCB將朝著超薄，高密度
2019-08-20 16:25:23
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)
2021-04-25 09:08:11
的工藝技術(shù)可用于晶圓凸起，每種技術(shù)有各自的優(yōu)缺點。其中金線柱焊接凸點和電解或化學(xué)鍍金焊接凸點主要用于引腳數(shù)較少的封裝應(yīng)用領(lǐng)域包括玻璃覆晶封裝、軟膜覆晶封裝和RF模塊。由于這類技術(shù)材料成本高、工序
2011-12-01 14:33:02
表面硅MEMS加工技術(shù)是在集成電路平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種MEMS工藝技術(shù)，它利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來形成各種微結(jié)構(gòu)。什么是表面硅MEMS加工技術(shù)？表面硅MEMS加工技術(shù)先在
2018-11-05 15:42:42
請詳細敘述腐蝕工藝工段的工藝流程以及整個前道的工藝技術(shù)
2011-04-13 18:34:13
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 編輯
釋放MEMS機械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35
2013-11-04 11:51:00
硅技術(shù)的迅猛發(fā)展使工程師們能夠設(shè)計和創(chuàng)建出新型電路，這些電路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)和PHEMT技術(shù)才能達到，電路的核心就是鍺化硅(SiGe)工藝
2019-07-30 07:56:50
摘要：采用微機電系統(tǒng)（ MEMS） 犧牲層技術(shù)制作的壓力傳感器具有芯片尺寸小，靈敏度高的優(yōu)勢，但同時也帶來了提高過載能力的難題。為此，利用有限元法，對犧牲層結(jié)構(gòu)壓阻式壓力傳感器彈性膜片的應(yīng)力分布
2018-11-05 15:27:14
再流焊工藝技術(shù)研究(SMT工藝):隨著表面貼裝技術(shù)的發(fā)展，再流焊越來越受到人們的重視。本文介紹了再流焊接的一般技術(shù)要求，并給出了典型溫度曲線以及溫度曲線上主要控制點
2009-03-25 14:44:33
30 RF-MEMS 不僅在體積上小于傳統(tǒng)射頻器件，易于單片集成，且其性能也優(yōu)于傳統(tǒng)射頻器件，此外，RF-MEMS 還可以實現(xiàn)器件多功能配置，如可重構(gòu)天線。因此，RF-MEMS近年來已成為全世
2009-11-26 15:59:3921 和艦科技自主創(chuàng)新研發(fā)的0.16 微米硅片制造工藝技術(shù)在原有比較成熟的0.18 微米工藝技術(shù)基礎(chǔ)上，將半導(dǎo)體器件及相關(guān)繞線尺寸進行10%微縮（實際尺寸為0.162 微米），大大降低了芯
2009-12-14 11:23:3625 高壓0.18um 先進工藝技術(shù)上海華虹 NEC 電子有限公司工程一部1、簡介項目名稱：高壓0.18μm 先進工藝技術(shù)，該項目產(chǎn)品屬于30V 高工作電壓的關(guān)鍵尺寸為0.18μm 的邏輯器件。
2009-12-14 11:37:329 選擇性焊接工藝技術(shù)的研究烽火通信科技股份有限公司 鮮飛摘要: 本文介紹了選擇性焊接的概念、特點、分類和使用工藝要點。選擇性焊接是現(xiàn)代組裝技術(shù)的新概念，它的出現(xiàn)
2009-12-19 08:19:4114 La、Co 代換永磁鐵氧體的高性能化與工藝技術(shù)何水校關(guān)鍵詞：永磁鐵氧體，離子代換，高性能，工藝技術(shù)摘 要：介紹了日本TDK、日立公司等開發(fā)高性能永磁鐵氧體的一些基
2010-02-05 22:26:1934 常用PCB工藝技術(shù)參數(shù).
2010-07-15 16:03:1767 運用單島膜E型硅杯結(jié)構(gòu)設(shè)計及其應(yīng)力分析數(shù)學(xué)模型以及半導(dǎo)體MEMS工藝技術(shù)，在8英寸硅片上設(shè)計并制作出了用于無線網(wǎng)絡(luò)壓力傳感器節(jié)點的敏感元件IC芯片；通過結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化與表面鈍化
2010-11-17 11:45:3030 無鉛波峰焊接工藝技術(shù)與設(shè)備1．無鉛焊接技術(shù)的發(fā)展趨勢
2006-04-16 21:37:531063 IC工藝技術(shù)問題 集成電路芯片偏置和驅(qū)動的電源電壓Vcc是選擇IC時要注意的重要問題。從IC電源管腳吸納的電流主要取決于該電壓值以及該IC芯片輸出級
2009-08-27 23:13:381012 釋放MEMS機械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)
濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35 Microstructures在SEMICON C
2009-11-18 09:17:321341 提高多層板層壓品質(zhì)工藝技術(shù)技巧 由于電子技術(shù)的飛速發(fā)展，促使了印制電路技術(shù)的不斷發(fā)展。PCB板經(jīng)由單面-雙面一多層發(fā)展，并
2009-11-18 14:13:121272 ADI完成制造工藝技術(shù)的升級，有效提高晶圓制造效率
Analog Devices, Inc.，最近成功完成了對專有模擬、混合信號和 MEMS（微機電系統(tǒng)）制造工藝技術(shù)的升級和改進，目的是
2009-12-24 08:44:23952 什么是CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù)/向下兼容？
CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù) 我們?？梢栽贑PU性能列表上看到“工藝技術(shù)”一項，其中有“
2010-02-04 10:41:53961 超細線蝕刻工藝技術(shù)介紹
目前，集成度呈越來越高的趨勢，許多公司紛紛開始SOC技術(shù)，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問題，因
2010-03-30 16:43:082052 采用SiGe：C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品
恩智浦將在2010年底前推出超過50種采用SiGe：C技術(shù)的產(chǎn)品，其QUBiC4 SiGe：C工藝技術(shù)可提供高功率增益和優(yōu)
2010-05-24 11:06:351684 對于PCB抄板工程師來說，除了掌握一定的抄板技術(shù)技巧和軟件應(yīng)用技能之外，還應(yīng)該對各類電路板基板材料有初步的了解，本文我們將為大家介紹一種新的基板--PALUP基板的結(jié)構(gòu)工藝和性
2011-06-23 11:27:051597 雷達是一個復(fù)雜的電子機械機構(gòu)，因此雷達的結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)在雷達研制中占有極為重要的地位。結(jié)構(gòu)和工藝不僅是雷達研制中不可或缺的技術(shù)支撐，而且是雷達性能和質(zhì)量的重要保證
2011-08-03 17:08:310 MEMS表面微機械加工工藝是指所有工藝都是在圓片表面進行的 MEMS 制造工藝。表面微加工中，采用低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)這一類方法來獲得作為結(jié)構(gòu)單元的薄膜。表面微加工工藝采用若
2011-11-01 11:45:2312755 對3D封裝技術(shù)結(jié)構(gòu)特點、主流多層基板技術(shù)分類及其常見鍵合技術(shù)的發(fā)展作了論述,對過去幾年國際上硅通孔( TSV)技術(shù)發(fā)展動態(tài)給與了重點的關(guān)注。尤其就硅通孔關(guān)鍵工藝技術(shù)如硅片減薄
2011-12-07 11:00:52153 隨著芯片微縮，開發(fā)先進工藝技術(shù)的成本也越來越高。TSMC對外發(fā)言人孫又文表示，臺積電會繼續(xù)先進工藝技術(shù)節(jié)點的投入和開發(fā)，今年年底臺積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:302301 本文重點描述運用MEMS微機械加工工藝技術(shù)設(shè)計、加工、生產(chǎn)胎壓傳感器IC芯片，希望對大家學(xué)習(xí)MEMS有所幫助
2012-12-11 14:17:268619 半導(dǎo)體的制造流程以及各工位的詳細工藝技術(shù)。
2016-05-26 11:46:340 PCB測試工藝技術(shù)，很詳細的
2016-12-16 21:54:480 發(fā)電機轉(zhuǎn)子銅排成型工藝技術(shù)指標的優(yōu)化_胡陽
2017-01-01 15:31:541 撓性電路板化學(xué)鎳鈀金工藝技術(shù)研究
2017-01-22 20:56:130 業(yè)界對哪種 半導(dǎo)體 工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像 CMOS 、B iC MOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦
2017-11-25 02:35:02918 業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-03-15 11:06:13840 新思科技（Synopsys）推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車級DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:232042 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是CMOS工藝制程技術(shù)的詳細資料說明。主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝技術(shù)。
2019-01-08 08:00:0077 對MEMS工藝技術(shù)的投資加上設(shè)計創(chuàng)新，已大大改善MEMS性能，使得MEMS足以成為更廣泛狀態(tài)監(jiān)控應(yīng)用的可行選擇
2019-04-10 15:20:072941 
PCB板上的線路圖形就是PCB線路板廠家采用曝光成像與顯影蝕刻工藝技術(shù)來完成的，無論是PCB多層線路板還是柔性線路板在制作線路圖形時都要用到曝光成像與顯影工藝技術(shù)。下面來詳細介紹這兩種工藝的加工特點及加工原理。
2019-04-28 15:10:5236634 IMT公司專項獎學(xué)金支持未來之才開展創(chuàng)新研究，推動MEMS制造工藝技術(shù)快速發(fā)展。
2019-05-06 14:22:041109 對MEMS工藝技術(shù)的投資加上設(shè)計創(chuàng)新，已大大改善MEMS性能，使得MEMS足以成為更廣泛狀態(tài)監(jiān)控應(yīng)用的可行選擇。采用專門化MEMS結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)，現(xiàn)在已實現(xiàn)諧振頻率高達50 kHz、噪聲密度低至25 g/ Hz的加速度計。
2019-05-20 14:14:183656 
在14版本中，SONNET新引入了一種名為工藝技術(shù)層的屬性定義層，以實現(xiàn)EDA框架和設(shè)計流程的平滑過渡。該工藝技術(shù)層實際上是用戶創(chuàng)建的EM工程中 的多個屬性對象的集合體，其中包括了很多基本屬性設(shè)置，比如層的命名、物理位置、金屬屬性、網(wǎng)格控制選項等等。
2019-10-08 15:17:412756 
比較。 對MEMS工藝技術(shù)的投資加上設(shè)計創(chuàng)新，已大大改善MEMS性能，使得MEMS足以成為更廣泛狀態(tài)監(jiān)控應(yīng)用的可行選擇。采用專門化MEMS結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)，現(xiàn)在已實現(xiàn)諧振頻率高達50 kHz、噪聲密度低至25 g/?Hz的加速度計。通過精心設(shè)計的信號調(diào)理電子電路，可
2020-04-09 09:12:312099 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是CMOS工藝技術(shù)的學(xué)習(xí)課件免費下載。
2020-12-09 08:00:000 MEMS技術(shù)是目前很多廠家都在使用的先進技術(shù)之一，在前兩篇文章中，小編對MEMS存儲設(shè)備請求調(diào)度算法以及MEMS存儲設(shè)備的故障管理有所介紹。為增進大家對MEMS的了解，本文將對典型的MEMS工藝流程以及MEMS加速度計的運用前景予以闡述。如果你對MEMS具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2021-02-13 17:29:004911 MEMS工藝——半導(dǎo)體制造技術(shù)說明。
2021-04-08 09:30:41252 多絞屏蔽線處理及焊接工藝技術(shù)綜述
2021-07-12 09:45:593 件、電子電路、傳感器、執(zhí)行機構(gòu)集成在一塊電路板上的高附加值元件。 MEMS工藝 MEMS工藝以成膜工序、光刻工序、蝕刻工序等常規(guī)半導(dǎo)體工藝流程為基礎(chǔ)。 下面介紹MEMS工藝的部分關(guān)鍵技術(shù)。 晶圓
2021-08-27 14:55:4418999 電子工藝技術(shù)論文-反射層對倒裝LED芯片性能的影響
2021-12-08 09:55:046 全面解讀電子封裝工藝技術(shù)
2022-10-10 11:00:511455 鍵合技術(shù)是 MEMS 工藝中常用的技術(shù)之一，是指將硅片與硅片、硅片與玻璃或硅片與金屬等材料通過物理或化學(xué)反應(yīng)機制緊密結(jié)合在一起的一種工藝技術(shù)。
2022-10-11 09:59:576232 Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 結(jié)構(gòu)在制作 CMOS 之前完成，帶有MEMS 微結(jié)構(gòu)部分的硅片可以作為 CMOS 工藝的初始材料。
2022-10-13 14:52:438743 對MEMS工藝技術(shù)的投資，加上設(shè)計創(chuàng)新，極大地提高了MEMS性能，足以使MEMS成為更廣泛的狀態(tài)監(jiān)測應(yīng)用的可行選擇?，F(xiàn)在，通過專門的MEMS結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)，可以提高諧振頻率高達50 kHz，噪聲密度
2023-01-03 11:00:442166 
隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，微電子機械系統(tǒng)（MEMS）逐漸成為眾多領(lǐng)域的研究熱點。MEMS器件在諸如傳感器、執(zhí)行器等方面表現(xiàn)出卓越的性能，但要實現(xiàn)這些優(yōu)越特性，對其封裝結(jié)構(gòu)和制造工藝要求極高。本文將詳細介紹MEMS器件真空封裝結(jié)構(gòu)及其制造工藝。
2023-04-21 14:18:183884 
2006電子元器件搪錫工藝技術(shù)要求
2023-08-23 16:48:036 本文整理自公眾號芯生活SEMI Businessweek中關(guān)于MEMS制造工藝的多篇系列內(nèi)容，全面、專業(yè)地介紹了MEMS芯片制造中的常用工藝情況，推薦！ ? 作為現(xiàn)代傳感器重要的制造技術(shù)，MEMS
2023-10-20 16:10:355830 
電子產(chǎn)品裝聯(lián)工藝技術(shù)詳解
2023-10-27 15:28:222031 
多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制（一）
2022-12-30 09:21:225 多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制（三）
2022-12-30 09:21:225 多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制（二）
2022-12-30 09:21:236 DOH新工藝技術(shù)助力提升功率器件性能及使用壽命
2024-01-11 10:00:331934 
密性等。本文介紹了五種用于MEMS封裝的封帽工藝技術(shù),即平行縫焊、釬焊、激光焊接、超聲焊接和膠粘封帽?？偨Y(jié)了不同封帽工藝的特點以及不同MEMS器件對封帽工藝的選擇。本文還介紹了幾種常用的吸附劑類型,針對吸附劑易于飽和問題,給出了封帽工藝解決方案,探
2024-02-25 08:39:281975 
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor， 互補金屬氧化物半導(dǎo)體）工藝技術(shù)是當今集成電路制造的主流技術(shù)，99% 的 IC 芯片，包括大多數(shù)數(shù)字、模擬和混合信號IC，都是使用 CMOS 技術(shù)制造的。
2024-03-12 10:20:3713587 
將重點探討MEMS封裝中的封帽工藝技術(shù)，包括封帽材料選擇、制備工藝、封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計以及封帽過程中的關(guān)鍵技術(shù)問題。
2024-07-08 09:50:191589 
本章主要介紹了集成電路是如何從雙極型工藝技術(shù)一步一步發(fā)展到CMOS 工藝技術(shù)以及為了適應(yīng)不斷變化的應(yīng)用需求發(fā)展出特色工藝技術(shù)的。
2024-07-17 10:09:503052 
。 ? 作為現(xiàn)代傳感器重要的制造技術(shù)，MEMS工藝深刻地影響了現(xiàn)今傳感器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。可以說，MEMS的工藝技術(shù)都是從集成電路（IC）行業(yè)借鑒而來的，特別在MEMS剛興起時，傳統(tǒng)IC行業(yè)的工藝設(shè)備和技術(shù)為MEMS制造提供了巨大的基礎(chǔ)設(shè)施。比如，MEMS中使用的光刻設(shè)備，可能是為
2024-07-21 16:50:206476 
ALD 和 ALE 是微納制造領(lǐng)域的核心工藝技術(shù)，它們分別從沉積和刻蝕兩個維度解決了傳統(tǒng)工藝在精度、均勻性、選擇性等方面的挑戰(zhàn)。兩者既互補又相輔相成，未來在半導(dǎo)體、光子學(xué)、能源等領(lǐng)域的聯(lián)用將顯著加速
2025-01-23 09:59:542208 
本文介紹了集成電路制造工藝中的柵極的工作原理、材料、工藝，以及先進柵極工藝技術(shù)。
2025-03-27 16:07:411960 
MEMS矢量水聽器敏感結(jié)構(gòu)的后CMOS釋放工藝研究
2025-07-24 15:08:510 在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)追求更高性能、更低功耗的今天，一種名為“SOI（Silicon-On-Insulator）”的工藝技術(shù)逐漸成為行業(yè)焦點。無論是智能手機、自動駕駛汽車，還是衛(wèi)星通信系統(tǒng)，SOI技術(shù)都在幕后扮演著關(guān)鍵角色。
2025-10-21 17:34:181337 
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