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電子產(chǎn)品系統(tǒng)基本由傳感器、處理器、存儲(chǔ)器和執(zhí)行器組成；其中，傳感器獲取數(shù)據(jù)，處理器處理數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，執(zhí)行器則負(fù)責(zé)執(zhí)行處理器對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理后的結(jié)果。在目前，存儲(chǔ)器芯片大致分為內(nèi)存和閃存，內(nèi)存芯片主要是指DRAM，閃存則可進(jìn)一步分為NAND FLASH和NOR FLASH。

假如說(shuō)，把一款電子設(shè)備運(yùn)行一段完整的程序說(shuō)成是制造出一款產(chǎn)品，那么，電子設(shè)備相當(dāng)于工廠，存儲(chǔ)芯片相當(dāng)于制造工廠的倉(cāng)庫(kù)，處理器相當(dāng)于工廠的車(chē)間。要想讓制造工廠生產(chǎn)的效率持續(xù)提升，除了應(yīng)想方設(shè)法提高車(chē)間的效率外，還可以想辦法縮短原材料到達(dá)加工車(chē)間的時(shí)間，即臨時(shí)設(shè)置小倉(cāng)庫(kù)。于是，閃存相當(dāng)于工廠的大倉(cāng)庫(kù)，內(nèi)存相當(dāng)于工廠的小倉(cāng)庫(kù)。閃存和內(nèi)存都是數(shù)據(jù)的載體，但兩者間有明顯的區(qū)別。內(nèi)存的容量比閃存小，讀取數(shù)據(jù)要比閃存快。內(nèi)存為當(dāng)前處理器最需處理的數(shù)據(jù)提供了一個(gè)更快速的通道，使得處理器能夠快速獲取這些數(shù)據(jù)并處理。

NAND FLASH和NOR FLASH的區(qū)別主要在于，兩者的應(yīng)用領(lǐng)域不同：NAND FLASH主要用于智能手機(jī)、電腦SSD、SD 卡等高端大容量產(chǎn)品；NOR FLASH主要用于功能機(jī)、MP3、USBkey、DVD 等低端產(chǎn)品；此外，在汽車(chē)電子、智能機(jī)手機(jī)等設(shè)備的觸控和顯示集成TDDI、有機(jī)AMOLED屏幕有用到NOR FLASH。

隨著各種應(yīng)用程序越來(lái)越復(fù)雜，各種新的場(chǎng)景不斷落地，比如人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、5G等，需要存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量隨之變得越來(lái)越大。況且，在當(dāng)今和未來(lái)，數(shù)據(jù)已經(jīng)不僅僅是數(shù)字，更是被業(yè)界定義成了一種資產(chǎn)。阿里巴巴創(chuàng)始人馬云更是將數(shù)據(jù)資產(chǎn)稱(chēng)作比石油還珍貴?；ヂ?lián)網(wǎng)公司通過(guò)對(duì)大數(shù)據(jù)的獲取和運(yùn)用，進(jìn)而成為了數(shù)據(jù)處理中心；互聯(lián)網(wǎng)公司間的競(jìng)爭(zhēng)既是流量的競(jìng)爭(zhēng)，又是數(shù)據(jù)的競(jìng)爭(zhēng)。而存儲(chǔ)器芯片作為數(shù)據(jù)的載體，在過(guò)去、現(xiàn)在和未來(lái)，都可謂剛需。

現(xiàn)階段，存儲(chǔ)器芯片，尤其高端存儲(chǔ)器，中國(guó)主要還得從國(guó)外進(jìn)口。并且，無(wú)論內(nèi)存，還是閃存，基本都被少數(shù)幾家大廠所壟斷。而中國(guó)廠商發(fā)展存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)業(yè)，在人才、資金、技術(shù)和市場(chǎng)上都有不少困難待克服。三大國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片研發(fā)和制造基地中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)由紫光集團(tuán)主導(dǎo)，主要研發(fā)和生產(chǎn)NAND FLASH閃存；另外兩大存儲(chǔ)器制造基地，即合肥長(zhǎng)鑫和福建晉華都以DRAM內(nèi)存作為首要的突破口。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為國(guó)內(nèi)最大的NAND FLASH研發(fā)和制造廠商，被國(guó)人們寄予厚望。先前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)用了大約兩年的時(shí)間，投入10億美金的研發(fā)費(fèi)用，組織上千人的團(tuán)隊(duì)研發(fā)出的首款32層3D NAND FLASH已告成功。后面是集中力量研發(fā)和量產(chǎn)64層3D NAND FLASH、128層3D NAND FLASH等閃存芯片。一個(gè)多月前，在美國(guó)圣克拉拉舉辦的全球閃存峰會(huì)上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)還發(fā)布了一項(xiàng)突破性的架構(gòu)技術(shù)Xtacking。該技術(shù)將給3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。

近期，長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全接受了中國(guó)證券報(bào)的專(zhuān)訪。高啟全表示：長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND FLASH是完全獨(dú)立自主研發(fā)。從全球范圍看，32層3D NAND FLASH實(shí)際上已是落后產(chǎn)品，因此，長(zhǎng)江存儲(chǔ)不會(huì)大量生產(chǎn)該產(chǎn)品。未來(lái)，64層3D NAND FLASH才是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的主力產(chǎn)品之一。長(zhǎng)江存儲(chǔ)希望到2023年左右在全球市場(chǎng)中獲得20%的占有率，未來(lái)10年內(nèi)在技術(shù)和市占率要達(dá)到全球一流水準(zhǔn)。并且，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在今后10年內(nèi)的研發(fā)投入亦會(huì)保持增長(zhǎng)。

當(dāng)被記者問(wèn)到長(zhǎng)江存儲(chǔ)的自主研發(fā)技術(shù)儲(chǔ)備實(shí)力如何時(shí)，高啟全說(shuō)：“剛開(kāi)始，我們獲得了一些專(zhuān)利授權(quán)，在此基礎(chǔ)上研發(fā)了32層3D NAND，但到64層，就是完全自主獨(dú)立開(kāi)發(fā)。目前的研發(fā)設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在硅谷有一個(gè)、上海有一個(gè)，有國(guó)外的人才力量，也有中科院同仁加入我們。工藝方面的團(tuán)隊(duì)主要來(lái)自武漢新芯。中科院研發(fā)團(tuán)隊(duì)有1000多個(gè)專(zhuān)利，同時(shí)長(zhǎng)江儲(chǔ)存在過(guò)去幾年也申請(qǐng)了500多項(xiàng)專(zhuān)利。專(zhuān)利不在于數(shù)量，在于好不好用，有些人有一、兩萬(wàn)個(gè)專(zhuān)利但沒(méi)有一個(gè)好用，人家想來(lái)攻擊你的時(shí)候還是能攻擊你。”

外界一向很關(guān)心，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在技術(shù)和工藝上是否有一定的積累，以及怎樣培養(yǎng)員工？招攬了很多有經(jīng)驗(yàn)的人，但也要慢慢把下面的人培養(yǎng)上來(lái)。通常一個(gè)存儲(chǔ)器芯片公司，要有3000人的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，其中博士占20%-30%，才表示公司員工的素質(zhì)夠好。長(zhǎng)江存儲(chǔ)現(xiàn)在還沒(méi)有達(dá)到，但馬上會(huì)達(dá)到這個(gè)目標(biāo)。等這些博士進(jìn)來(lái)，經(jīng)過(guò)一番訓(xùn)練和融入，五、六年后就會(huì)有不錯(cuò)表現(xiàn)。