存儲芯片庫存過剩、客戶削減訂單、產(chǎn)品價格暴跌，上千億美元的存儲芯片市場正在經(jīng)歷艱難時刻。雖然消費市場需求還未復(fù)蘇，其他應(yīng)用領(lǐng)域卻蘊藏著機遇，比如數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器以及汽車應(yīng)用。

存儲芯片在汽車應(yīng)用中的機會

DRAM、NAND和NOR同樣適用于汽車電子系統(tǒng)，更高的汽車智能化將推動對存儲芯片的需求，芯查查認為主要有幾個推動力：

高容量存儲：車載電子設(shè)備增多，娛樂系統(tǒng)、導(dǎo)航系統(tǒng)、駕駛輔助系統(tǒng)等對存儲容量的需求也越來越高。存儲芯片可以提供高容量存儲解決方案，滿足車輛中大量數(shù)據(jù)的存儲需求。

數(shù)據(jù)記錄與分析：車輛裝備了各種傳感器和攝像頭，生成大量的行車數(shù)據(jù)和駕駛行為信息。存儲芯片可以記錄和存儲這些數(shù)據(jù)，為后續(xù)數(shù)據(jù)分析、車輛安全性評估和駕駛行為改善提供基礎(chǔ)。

軟件更新和固件升級：隨著車輛變得更加智能化，軟件在車輛中扮演著越來越重要的角色。存儲芯片可以用于存儲軟件代碼和固件，實現(xiàn)遠程軟件更新和固件升級，提升車輛性能、功能和安全性。

自動駕駛技術(shù)：自動駕駛技術(shù)需要大量數(shù)據(jù)處理和存儲能力，包括圖像識別、傳感器數(shù)據(jù)融合、地圖數(shù)據(jù)等。存儲芯片可以提供高速、大容量數(shù)據(jù)存儲和處理能力，支持自動駕駛系統(tǒng)的實時運算和環(huán)境感知。

互聯(lián)網(wǎng)連接和車聯(lián)網(wǎng)：存儲芯片支持車輛與互聯(lián)網(wǎng)的連接和數(shù)據(jù)交換。存儲芯片可以存儲和管理車輛的網(wǎng)絡(luò)連接配置、用戶個人化設(shè)置、車輛數(shù)據(jù)等信息，為車輛提供更豐富互聯(lián)網(wǎng)功能和服務(wù)。

圖注：智能座艙和駕駛輔助系統(tǒng)中的NAND

汽車應(yīng)用提升存儲芯片的使用數(shù)量，還推動存儲芯片的升級換代。以自動駕駛為例，L1-L2自動駕駛汽車主要使用LPDDR3或LPDDR4，帶寬為25-50 GB/s。L3自動駕駛的帶寬要求提高到200GB/s，L4的帶寬要求提高到300GB/s，L5的帶寬要求提高到500GB/s。因此，具有更高帶寬的LPDDR5和GDDR6可以簡化高級自動駕駛汽車的系統(tǒng)設(shè)計。Counterpoint數(shù)據(jù)顯示，未來十年，單車的存儲容量將達到2TB~11TB，迎合不同自動駕駛水平的要求。

存儲芯片產(chǎn)業(yè)的周期

長期來看，汽車的智能化和自動駕駛的普及應(yīng)用將推動存儲芯片的發(fā)展。短期內(nèi)，存儲芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)從低谷走向復(fù)蘇的跡象。

芯查查APP顯示，三星第二季度將錄得3至4萬億韓元的營業(yè)虧損，盡管這將相比第一季度的4.58萬億韓元營業(yè)虧損有所下降。SK海力士預(yù)計將在第二季度連續(xù)第三個季度虧損，金額為2.86萬億韓元，此前2022年第四季度虧損1.89萬億韓元，上一季度虧損3.4萬億韓元。美光即將公布3-5月的季報，市場預(yù)計虧損會達到18億美元，預(yù)計美光毛利率將在2023年下半年觸底。

主要存儲芯片廠商業(yè)績損失已經(jīng)縮小，預(yù)示產(chǎn)業(yè)可能進入拐點。

資料顯示，存儲芯片產(chǎn)業(yè)具有較強的周期特性，以3-4年為周期，循環(huán)出現(xiàn)營收高峰。例如在過去的15年中，DRAM營收在2006年、2010年、2014年和2018年達到頂峰；NAND營收在2007年、2011年、2015年和2018年達到頂峰。

下圖顯示主要存儲芯片廠商2016Q1至2022Q4之間的DRAM和NAND營收。DRAM兩次峰值出現(xiàn)在2018年第三季度和2021年第四季度，NAND峰值出現(xiàn)在2018年第三季度和2022年第二季度。鑒于三家廠商在存儲芯片產(chǎn)業(yè)占據(jù)較大份額，因此圖表也代表產(chǎn)業(yè)整體情況。

圖1：主要存儲芯片廠商的DRAM和NAND營收（單位：百萬美元，來源：theinformationnet.com）

按照這種周期特性，2022年是存儲芯片產(chǎn)業(yè)的景氣高峰。芯查查研究顯示，存儲芯片產(chǎn)業(yè)在2022年進入周期峰值，以6月份為轉(zhuǎn)折點，下半年行情急轉(zhuǎn)直下。無論是電商價格還是市場價格，均在2022年Q3達到峰值，此后便一直下降。

圖注：芯查查企業(yè)SaaS顯示，存儲芯片產(chǎn)業(yè)在2022年6月達到周期高峰。

Q3價格反轉(zhuǎn)？

價格具體下降了多少？參考Yole Intelligence數(shù)據(jù)，DRAM價格自2021年Q3以來下跌了57%（2023年Q1為0.54至0.30美元），而NAND價格同期下跌了55%。當(dāng)價格下跌在2022年第三季度開始加速時，供應(yīng)商修改2023年的支出計劃，減少2023年至2024年產(chǎn)量。倘若2023年下半年價格惡化，供應(yīng)商進一步下調(diào)2023年生產(chǎn)計劃，最終幾乎所有存儲供應(yīng)商都削減投資、降低晶圓廠利用率，其結(jié)果是2023年存儲生產(chǎn)增長史無前例地放緩，DRAM同比-9%（低于前7年的平均值~21%），NAND同比-5%（低于前7年的平均~36%）。

圖注：DRAM&NAND的價格按季度環(huán)比變化趨勢（來源：YOLE）

按照該機構(gòu)的數(shù)據(jù)，存儲芯片價格將在Q3止跌，這點可能符合實際情況。

供應(yīng)鏈消息指出，中國對三星內(nèi)存產(chǎn)品的需求正在增加，預(yù)計價格將上漲。三星存儲產(chǎn)品的價格目前處于最低點。過去兩個月市場趨勢的分析表明，供應(yīng)商承受著巨大的壓力，供應(yīng)鏈也不愿意以更低低價出售產(chǎn)品。經(jīng)過多次調(diào)整，定價趨于穩(wěn)定，未來定價可能不會進一步下跌。

雖然消費市場需求沒有反彈，但企業(yè)市場狀況有所改善，或許能帶動消費市場，因為價格下跌的空間較小，下游正在利用價格低位緩慢地消耗市場存量。

根據(jù)Quiksol的報告，進入到6月，存儲市場似乎處于供需博弈的階段，上游渠道期望拉升價格，終端及現(xiàn)貨商不愿妥協(xié)漲價，持觀望態(tài)度。存儲原廠計劃在Q3開始提高價格，業(yè)內(nèi)人士均認為當(dāng)下的低價已在安全界線，可以適當(dāng)建倉備些庫存。消息稱最近部分工廠已有備貨動作，期待已久的反轉(zhuǎn)是否會在Q3到來，重點關(guān)注需求端是否有起色。

庫存仍然是一個關(guān)鍵變量。

許多下游廠商已經(jīng)將庫存調(diào)整到正常水平，但供應(yīng)商試圖通過建立庫存，防止過去幾個季度的價格下跌，這些庫存現(xiàn)在像達摩克利斯之劍一樣籠罩著整個行業(yè)，但不太可能縮短價格反彈的時間。

芯查查獲悉，供應(yīng)商的大部分DRAM庫存是DDR4。對DDR4的需求正在迅速被對DDR5的需求所取代，DDR5需求庫存仍然相對較低。雖然DDR4庫存可能會持續(xù)到明年，但其他部分（例如DDR5，移動DRAM和圖形DRAM）將緊張，價格將上漲。

NAND的生產(chǎn)削減比DRAM要大得多，將使NAND庫存更快地耗盡，從而使市場恢復(fù)平衡。內(nèi)存供應(yīng)商花了一年時間才達到合理制造水平，減產(chǎn)使供應(yīng)商在年底前達到某種平衡，價格或?qū)㈤_始攀升，但供應(yīng)商不會立即增加支出和產(chǎn)量。

小結(jié)

從應(yīng)用端看，數(shù)據(jù)中心/AI服務(wù)器引發(fā)存儲芯片的需求變化。從周期性來看，2023年下半年或?qū)嶋H看到存儲芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)生一些變化，原廠減產(chǎn)產(chǎn)生的積極影響將顯現(xiàn)。

出于半導(dǎo)體制造的高固定投入/可變成本結(jié)構(gòu)、全球經(jīng)濟形勢變化、外匯匯率或國際貿(mào)易政策變化等因素影響，存儲芯片市場的定價歷來波動很大。目前從上游原廠和供應(yīng)鏈角度來看，存儲芯片的價格已經(jīng)到達臨界點。

庫存的安全水平是一個動態(tài)調(diào)整過程，還是遵循更廣泛的消費者需求趨勢?；疽?guī)律是，需求提升，存儲芯片制造商可能會遇到更高的訂單并相應(yīng)地減少庫存；如果需求減弱，過剩的庫存可能會導(dǎo)致價格下跌。

審核編輯 黃宇