（文章來源：極客視界）

SSD以及閃存產品存儲技術的升級是贏取市場先機的利器，這場激烈的存儲大廠技術角逐戰(zhàn)能為我們帶來怎樣的答案？

對于全球閃存行業(yè)來說，如果存儲產業(yè)鏈是制造商的主戰(zhàn)場，存儲介質就是決勝未來市場的關鍵。在云端、人工智能、5G快速落地的如今，我們的世界正邁向一個ZB級的數據時代，在數據大爆炸的新興邊緣，數據存儲架構、以及存儲密度都面臨著巨大的挑戰(zhàn)。在如此趨勢下，存儲企業(yè)重心都集中在能實現(xiàn)更大容量和更強性能的SSD上。

每一年的CFMS盛會，我們都能夠從新產品的發(fā)布中感受著閃存技術更迭換代，目前市場上，閃存NAND顆粒共分為四種類型，從高到低分別為SLC、MLC、TLC、QLC. 閃存顆粒在SSD中扮演著重要的角色，對性能有著主心骨的作用，成為存儲廠家的必爭之地。

西部數據是一家專注于數據存儲技術開發(fā)與創(chuàng)新的美國公司，在硬盤存儲和閃存技術具有業(yè)內公認的核心競爭力，QLC閃存作為最新的閃存類型，實然是3D NAND層數遞增遇到瓶頸的解決方案。我們都知道現(xiàn)在的3D NAND閃存，從24層到48層到96層發(fā)展到以后的100多層，在技術之巔，從來不缺少西部數據的身影。

西部數據在2017年發(fā)布的第四代96層3DNAND，將于2018年Q3搶先進入量產，F(xiàn)ab工廠每天產量可達8500片晶圓。先期以96層TLC 245Gb/512Gb為主，Q4開始量產96層QLC 1Tb。但都只能成為一個線性的密度增加，其實他并沒有從根本上增加存儲密度。而QLC閃存顆粒每單元可以存儲4位數據，是SLC的4倍、MLC的2倍、TLC的1.33倍，它大幅度的提高了存儲密度，它有效地控制了存儲的成本，而且有著很高效的讀取性能。

從SLC、MLC到每單元3比特的TLC，再到目前每個存儲孔可達422比特每單元的QLC，西部數據在研究閃存介質的路上創(chuàng)新不止，QLC能夠實現(xiàn)了更深度的存儲密度擴展，成本也得到了控制。所以無論是從經濟角度還是存儲密度角度而言，QLC閃存都是未來發(fā)展大容量SSD的最佳選擇。

其實在上一屆CFMS的時候，全球首款QLC閃存已經被研發(fā)出來并帶來產品亮相，但是因其在寫放大和擦寫次數方面有嚴重的局限性而飽受詬病。面對QLC閃存壽命的限制，固態(tài)硬盤的下一個突破口何處可尋？

西部數據公司產品市場部副總裁朱海翔在對ZB生態(tài)深度解析時表示：“令人欣慰的是，如果解決產品的寫入限制問題，QLC產品可以經濟高效地實現(xiàn)存儲密度的深度擴展。西部數據的分區(qū)存儲技術，成功實現(xiàn)了對QLC寫入壽命損失的有效管理、同時大幅提升產品耐久性，進而詮釋系統(tǒng)存儲效益最大化和數據中心TCO的最優(yōu)化?！?/p>

在本次CFMS上，西部數據展現(xiàn)了分區(qū)存儲技術在SSD產品上的創(chuàng)新沿用——Zoned Namespaces（ZNS）SSDs。分區(qū)命名空間是 NVMe 標準的擴展。借助這項技術，西部數據能夠提供與 HHD 分區(qū)類似的固態(tài)硬盤，從而允許將所有存儲（無論是 HDD，還是固態(tài)硬盤）視作一種技術。Zoned Storage Initiative 在分離環(huán)境中利用 SMR 和 ZNS 技術、開源標準和專用計算。

相較于傳統(tǒng)的NVMe SSD，ZNS NVMe SSD具備多種優(yōu)勢，首先就是總體擁有成本的降低，另外，ZNS NVMeSSD可以和計算資源更好地進行匹配，用名為“分區(qū)命名空間”的配套技術來存儲和檢索信息，而之前的寫入限制通過分區(qū)存儲技術也變成寫入管理，實現(xiàn)了在不犧牲性能的情況下提高存儲容量。

在踏入QLC時代的路上，西部數據儼然已是先行者的姿態(tài)，以分區(qū)存儲技術為將來成功實現(xiàn)大型云數據中心規(guī)?；夭渴餛LC打下堅實的基礎，這無疑是在存儲行業(yè)選擇題之上另辟新路徑，為隨之而來的數據存儲挑戰(zhàn)準備就緒。