我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng)，今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類(lèi)。 NAND閃存，是用于SSD和存儲(chǔ)卡的一種非易失性存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)。它的名字來(lái)源于邏輯門(mén)（NOT-AND），用于確定數(shù)字信息如何存儲(chǔ)在閃存設(shè)備的芯片中。它可以分為SLC、MLC、eMLC和TLC，下面我們具體了解一下。

　　SLC

　　SLC（Single-LevelCell，單層單元）SSD在每個(gè)單元中存儲(chǔ)一個(gè)Bit，這種設(shè)計(jì)提高了耐久性、準(zhǔn)確性和性能。對(duì)于企業(yè)的關(guān)鍵應(yīng)用程序和存儲(chǔ)服務(wù)，SLC是首選的閃存技術(shù)。當(dāng)然，它的價(jià)格最高。

　　MLC

　　考慮到閃存的消費(fèi)級(jí)特性，MLC（Multi-LevelCell，多層單元）架構(gòu)可以為每個(gè)單元存儲(chǔ)2個(gè)Bit。盡管在存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)多個(gè)Bit似乎能夠很好地利用空間，在相同空間內(nèi)獲得更大容量，但它的代價(jià)是使用壽命降低，可靠性降低。相對(duì)而言，MLCSSD使得在PC和筆記本電腦上增加閃存成為可能。

　　eMLC

　　eMLC（EnterpriseMulti-LevelCell，企業(yè)多級(jí)單元）是MLCNAND閃存的一個(gè)“增強(qiáng)型”的版本，它在一定程度上彌補(bǔ)了SLC和MLC之間的性能和耐久差距。eMLC驅(qū)動(dòng)器比MLC驅(qū)動(dòng)器貴，但比SLC驅(qū)動(dòng)器便宜得多。盡管每個(gè)單元仍然存儲(chǔ)2個(gè)Bit，但eMLC驅(qū)動(dòng)器的控制器管理數(shù)據(jù)放置、磨損均衡和一些其他存儲(chǔ)操作延長(zhǎng)了eMLCSSD的使用壽命。

　　TLC

　　相較于SLC和MLC的Nand閃存，最便宜的是TLC（Triple-LevelCell，三層單元）NAND閃存，每個(gè)單元存儲(chǔ)3Bit。通常用于性能和耐久性要求相對(duì)較低的電子產(chǎn)品，最適合于包含大量讀取操作的應(yīng)用程序，但是隨著閃存體系結(jié)構(gòu)的最新改進(jìn)，3DTLCNANDFlash對(duì)持久增強(qiáng)的數(shù)據(jù)放置和錯(cuò)誤糾正技術(shù)，使該技術(shù)在讀密集型企業(yè)存儲(chǔ)應(yīng)用程序和工業(yè)存儲(chǔ)環(huán)境中開(kāi)始了批量使用。

　　總而言之，每種類(lèi)型的NAND閃存都有不同的使用壽命，這意味著它會(huì)在SSD降級(jí)并最終失效之前提供有限數(shù)量的P/E周期。當(dāng)然，除了制造缺陷，電力激增或其他災(zāi)難性的破壞可能導(dǎo)致SSD的失效，這是決定SSD支持的存儲(chǔ)工作負(fù)載和應(yīng)用程序類(lèi)型的主要影響因素。