在嵌入式系統(tǒng)開發(fā)中，我們經(jīng)常會(huì)涉及到存儲(chǔ)器的概念，其中頁、扇區(qū)和塊是常見的術(shù)語。雖然它們都與存儲(chǔ)器有關(guān)，但它們具有不同的定義和用途。本文將深入探討頁、扇區(qū)和塊之間的區(qū)別，以幫助開發(fā)者更好地理解這些概念。
2023-07-20 10:21:34
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這款flash芯片的的存儲(chǔ)是一個(gè)扇區(qū)4KB，一個(gè)扇區(qū)可以存256個(gè)字，一個(gè)字是8位，一個(gè)塊是64KB，一共有256個(gè)塊組成一個(gè)存儲(chǔ)flash內(nèi)存。
2024-04-19 09:52:312052 
NAND Flash?和?SD卡（SD NAND）的存儲(chǔ)扇區(qū)分配表都是用于管理存儲(chǔ)設(shè)備中扇區(qū)的分配信息。它們記錄了哪些扇區(qū)已被使用、哪些是空閑的，以及文件或數(shù)據(jù)與扇區(qū)的對(duì)應(yīng)關(guān)系，以便實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確讀寫和存儲(chǔ)空間的有效管理。
2025-03-13 15:20:281687 
FLASH和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)也不同，FLASH的電路結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM
2021-12-10 08:23:11
的 EEPROM 結(jié)構(gòu)如下圖所示，一個(gè)頁可以由 1 個(gè)或者多個(gè)扇區(qū)組成，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用靈活的選擇扇區(qū)數(shù)量，扇區(qū)數(shù)量越多，可以存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量就越多。通常 EEPROM 存儲(chǔ)區(qū)定義在整個(gè) FLASH 末尾，這樣
2025-07-16 15:13:16
，需通過現(xiàn)有資源實(shí)現(xiàn)類似功能。
技術(shù)可行性：利用FLASH的非易失性特性，通過軟件算法模擬EEPROM的字節(jié)級(jí)讀寫能力。
核心差異與挑戰(zhàn)
物理限制：FLASH需按扇區(qū)/頁擦除且寫入前必須全擦除為
2025-08-14 06:13:45
FLASH的塊/扇區(qū)/頁關(guān)系是什么？常用FLASH擦寫規(guī)則是什么？常用存儲(chǔ)器件有哪些分類？
2022-01-20 07:47:23
首先說明下flash。flash由N個(gè)扇區(qū)組成。1個(gè)扇區(qū)=16 page1page =16 block1 block =4 bytes其中最小的寫入單元是block，最小的擦除單元是page。即
2021-10-29 08:51:16
前言：英文中文block塊sector扇區(qū)page頁詳細(xì)描述：?P25Q32H芯片，擁有64個(gè)“塊”，每個(gè)塊有16個(gè)“扇區(qū)”，每個(gè)扇區(qū)有4KByte。
2021-12-20 06:51:22
：
Flash 單元格的已擦除狀態(tài)在邏輯上為 “0”。
aurixtc3xx_ts_part1_v2.5.1.pdf 第 380 頁，共 2155 頁
6.5.2.2. 3 命令序列定義——驗(yàn)證已擦除
2024-01-30 06:51:40
主要介紹mcu-內(nèi)部flash1、STM32F207VET6跟GD32F407VET6，flash的結(jié)構(gòu)：包含4個(gè)16KB的扇區(qū)、1個(gè)64KB的扇區(qū)、3個(gè)128KB的扇區(qū)。塊0跟塊1。內(nèi)部flash
2022-01-26 07:18:54
CW32F030 FLASH 的頁擦除操作的最小單位為 1 頁，即 512 字節(jié)。
頁擦除操作完成后，該頁所有地址空間的數(shù)據(jù)內(nèi)容均為0xFF。如果對(duì)未解鎖的 FLASH 頁面進(jìn)行頁擦除操作，會(huì)操
2025-12-15 06:26:23
，頁寫入產(chǎn)生壞塊。文件系統(tǒng)以NAND_FLASH壞塊管理驅(qū)動(dòng)運(yùn)行。NAND_FLASH支持ECC數(shù)據(jù)糾錯(cuò)，每個(gè)扇區(qū)二次ECC糾錯(cuò)，保證數(shù)據(jù)正確讀出。NAND_FLASH管理層如果發(fā)現(xiàn)不可糾錯(cuò)恢復(fù)的扇區(qū)
2015-08-28 11:16:05
擦除塊，塊移動(dòng)，寫入頁產(chǎn)生壞塊。文件系統(tǒng)基于NAND_FLASH壞塊管理層驅(qū)動(dòng)運(yùn)行。NAND_FLASH壞塊管理支持ECC糾錯(cuò)，對(duì)每個(gè)扇區(qū)執(zhí)行二次ECC糾錯(cuò)，保證數(shù)據(jù)正確的讀出。NAND_FLASH壞塊
2014-11-21 12:29:21
擦除塊，塊移動(dòng)，寫入頁產(chǎn)生壞塊。文件系統(tǒng)基于NAND_FLASH壞塊管理層驅(qū)動(dòng)運(yùn)行。NAND_FLASH壞塊管理支持ECC糾錯(cuò)，對(duì)每個(gè)扇區(qū)執(zhí)行二次ECC糾錯(cuò)，保證數(shù)據(jù)正確的讀出。NAND_FLASH壞塊
2015-04-12 14:02:38
擦除塊，塊移動(dòng)，寫入頁產(chǎn)生壞塊。文件系統(tǒng)基于NAND_FLASH壞塊管理層驅(qū)動(dòng)運(yùn)行。NAND_FLASH壞塊管理支持ECC糾錯(cuò)，對(duì)每個(gè)扇區(qū)執(zhí)行二次ECC糾錯(cuò)，保證數(shù)據(jù)正確的讀出。NAND_FLASH壞塊
2015-04-12 14:15:10
直接預(yù)分配功能。其上面可以運(yùn)行（Cheap_Flash_FS（支持多扇區(qū)操作））文件系統(tǒng)。文件系統(tǒng)可支持實(shí)時(shí)壞塊替換，包括擦除塊，塊移動(dòng)，寫入頁產(chǎn)生壞塊。文件系統(tǒng)基于NAND_FLASH壞塊管理層驅(qū)動(dòng)
2016-07-07 17:30:25
））文件系統(tǒng)。文件系統(tǒng)可支持實(shí)時(shí)壞塊替換，包括擦除塊，塊移動(dòng)，寫入頁產(chǎn)生壞塊。文件系統(tǒng)基于NAND_FLASH壞塊管理層驅(qū)動(dòng)運(yùn)行。NAND_FLASH壞塊管理支持ECC糾錯(cuò)，對(duì)每個(gè)扇區(qū)執(zhí)行二次ECC糾錯(cuò)
2017-04-24 10:28:18
。其上面可以運(yùn)行（Cheap_Flash_FS（支持多扇區(qū)操作））文件系統(tǒng)。文件系統(tǒng)可支持實(shí)時(shí)壞塊替換，包括擦除塊，塊移動(dòng)，寫入頁產(chǎn)生壞塊。文件系統(tǒng)基于NAND_FLASH壞塊管理層驅(qū)動(dòng)運(yùn)行
2015-08-15 13:38:04
實(shí)時(shí)壞塊替換，包括擦除塊，塊移動(dòng)，寫入頁產(chǎn)生壞塊。文件系統(tǒng)基于NAND_FLASH壞塊管理層驅(qū)動(dòng)運(yùn)行。NAND_FLASH壞塊管理支持ECC糾錯(cuò)，對(duì)每個(gè)扇區(qū)執(zhí)行二次ECC糾錯(cuò)，保證數(shù)據(jù)正確的讀出
2018-10-14 18:44:56
/多扇區(qū)的操作。多扇區(qū)為nandflash專門定制，可以降低NANDFLASH的擦除數(shù)。其上面可以流暢的運(yùn)行（CheapFAT）文件系統(tǒng)。支持文件系統(tǒng)運(yùn)行的時(shí)候?qū)崟r(shí)壞塊的替換，包括塊擦除，塊移動(dòng)，頁
2014-10-15 12:23:29
256K 及以上的閃存扇區(qū)大小是 2K，內(nèi)部 FLASH 大小小于 256K 的閃存扇區(qū)大小是 1K，在擦除時(shí)有所區(qū)別：1. 擦除閃存扇區(qū)步驟：解鎖閃存->擦除閃存扇區(qū)->鎖定閃存2. 擦除
2021-05-13 20:36:48
)閃存芯片讀寫的基本單位不同 應(yīng)用程序?qū)OR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對(duì)大容量NOR閃存的管理，通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時(shí)候塊內(nèi)還分成扇區(qū)。讀寫
2014-04-23 18:24:52
閃存芯片讀寫的基本單位不同 應(yīng)用程序?qū)OR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對(duì)大容量NOR閃存的管理，通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時(shí)候塊內(nèi)還分成扇區(qū)。讀寫時(shí)需要
2013-04-02 23:02:03
NAND Flash 和 SD卡（SD NAND）的存儲(chǔ)扇區(qū)分配表在原理上有相似之處，但由于二者的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用場(chǎng)景不同，也存在一些差異。以下是它們的異同點(diǎn)和用法介紹：相同點(diǎn)：
基本功能：NAND
2025-03-13 10:45:59
RFID卡的扇區(qū)與塊地址本文檔為本人在自學(xué)RFID卡片數(shù)據(jù)讀取過程中所寫的筆記，RFID卡片的扇區(qū)與塊地址如下表所示(RFID卡片數(shù)據(jù)讀取原理請(qǐng)自行百度)，本文檔內(nèi)容僅供學(xué)習(xí)參考。由于本人學(xué)習(xí)能力
2022-02-23 07:08:55
的 ROM 中有代碼，它在上電時(shí)通過 SPI 讀取閃存的第一個(gè)塊。
在那個(gè)塊中，我們有 2 個(gè)字節(jié)（在位置 2 和 3）。
它們的含義是（在別處找到）：
現(xiàn)在文檔中不清楚的是
1) ROM 加載初始扇區(qū) 0
2023-06-09 09:03:28
-電源GND地：此引腳應(yīng)與系統(tǒng)地接在一起。-地（3）AT45DB161D的功能框圖：（4）存儲(chǔ)器陣列：AT45DB161D的儲(chǔ)存器陣列被分為3個(gè)級(jí)別的粒度，分別為扇區(qū)、塊與頁。下面的“存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)圖
2018-07-19 04:03:28
程序調(diào)用頁擦除庫函數(shù)擦除內(nèi)部FLASH扇區(qū)數(shù)據(jù)時(shí)，函數(shù)返回值正常，但仿真查看內(nèi)存發(fā)現(xiàn)目標(biāo)扇區(qū)并未成功擦除。
擦除前解鎖FLASH正常，FLASH寄存器相關(guān)狀態(tài)標(biāo)志正常。系統(tǒng)頻率72MHz，按手冊(cè)要求
2024-05-23 06:44:20
今天移植了某個(gè)F1的工程到F4上，發(fā)現(xiàn)STM32F407的FLASH不能擦除某頁。只能按扇區(qū)擦除。而后面的扇區(qū)大小，高達(dá)128K，對(duì)于我們一般的應(yīng)用來說，儲(chǔ)存幾個(gè)KB的數(shù)據(jù)就行了，不需要用到這個(gè)
2021-08-02 09:00:06
STM32F407的FLASH為什么只能按扇區(qū)擦除？怎樣使用STM32F407內(nèi)部扇區(qū)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)？
2021-09-24 12:04:38
Flash module organization”，其中說扇區(qū)4的塊基地址從0x08011000開始，但實(shí)際上是從0x0801 0 000開始我通過將數(shù)據(jù)寫入閃存然后擦除扇區(qū) 4 來驗(yàn)證它 -> 擦除的部分從地址 0x08010000 開始
2023-01-03 09:32:04
我想保存少量的設(shè)置數(shù)據(jù)在FLASH中，這樣斷電數(shù)據(jù)不丟失。F2XX和F4XX的FLASH，一擦就是一個(gè)扇區(qū)，前面的幾個(gè)扇區(qū)還小一些，后面的扇區(qū)都是128K。程序得從開頭運(yùn)行吧，只能使用最后一個(gè)扇區(qū)，可后面的扇區(qū)都是128K，太浪費(fèi)了。不知道ST對(duì)這個(gè)事是怎么考慮的。
2019-03-21 08:04:39
扇區(qū)128K，寫數(shù)據(jù)要擦除整個(gè)扇區(qū)，扇區(qū)的其他數(shù)據(jù)頁被擦除掉了，怎么不改變扇區(qū)其他地址的數(shù)據(jù)不變
2025-03-14 07:49:54
。FLASH的頁面STM32的FLASH主存儲(chǔ)塊按頁組織，有的產(chǎn)品每頁1KB，有的產(chǎn)品每頁2KB。頁面典型的用途就是用于按頁擦除FLASH。從這點(diǎn)來看，頁面有點(diǎn)像通用FLASH的扇區(qū)。STM32產(chǎn)品的分類
2015-11-23 17:03:47
TC2XX現(xiàn)在看的擦除函數(shù)都是一個(gè)扇區(qū)一個(gè)扇區(qū)擦除的，如何實(shí)現(xiàn)按頁擦除？
2024-02-18 07:51:05
W25Q64串行FLASH基礎(chǔ)知識(shí)大小：8M（Byte）（128塊（Block），每塊64K字節(jié)，每塊16個(gè)扇區(qū)（Sector），每個(gè)扇區(qū)4K字 節(jié)，每個(gè)扇區(qū)16頁，每頁256個(gè)字節(jié)）特點(diǎn)
2021-07-22 09:32:51
信息及對(duì)主存儲(chǔ)塊的保護(hù)信息。 FLASH的頁面STM32的FLASH主存儲(chǔ)塊按頁組織，有的產(chǎn)品每頁1KB，有的產(chǎn)品每頁2KB。頁面典型的用途就是用于按頁擦除FLASH。從這點(diǎn)來看，頁面有點(diǎn)像通用
2018-11-27 15:20:38
為什么stm32f4xx_flash.h提供的庫函數(shù)是Flash_EraseSector()而不像stm32f10x_flash.h里面提供的是FLASH_ErasePage，因?yàn)橐粋€(gè)扇區(qū)是好多個(gè)頁
2024-04-29 06:07:00
我們發(fā)現(xiàn) Flash 下載工具在下載過程中可能會(huì)擦除比預(yù)期更多的扇區(qū)。也就是說，如果我們下載一個(gè)圖像文件，其大小可能覆蓋小于扇區(qū) N 的扇區(qū)（部分大小為 4096），并且下載日志還顯示刻錄到部分 N
2024-07-11 06:27:09
stm32f103rgt6 1 Mbyte of Flash memory有兩個(gè)bank。bank1256*2k。 bank2 我測(cè)試了。發(fā)現(xiàn)每個(gè)扇區(qū)是4K 。128*4 。我找了資料
2022-04-15 09:01:20
單片機(jī)的塊擦除與頁擦除是一樣的么
2023-10-10 06:24:34
在擦除扇區(qū)和寫入扇區(qū)時(shí)報(bào)FLASH_ERROR_PROGRAM錯(cuò)誤?？赡茉颍?b class="flag-6" style="color: red">flash沒有初始化。在操作前初始化即可。void drv_flash_Init(void){FLASH
2021-08-05 08:10:44
基于W25Q128一個(gè)塊 （bank）有多個(gè)扇區(qū) （sector），一個(gè)扇區(qū)（sector）有多個(gè)頁（page）塊（bank） > 扇區(qū)（sector） > 頁（page）頁：每頁有
2021-12-09 07:40:20
STM32開發(fā)板，外部FLASH為W25Q64，想問問void SPI_FLASH_SectorErase(u32 SectorAddr)這個(gè)函數(shù)是擦除了多少個(gè)字節(jié)，如果想要擦除多頁應(yīng)該怎么設(shè)置，請(qǐng)大神們幫忙
2017-05-08 16:47:35
STM32L431CC 對(duì)其 FLASH 使用頁面而不是扇區(qū)，因此這是我用來寫入其 FLASH 存儲(chǔ)器的代碼：HAL_FLASH_Unlock();__HAL_FLASH
2023-01-12 07:47:33
W25Q128 將 16M 的容量分為 256 個(gè)塊（Block），每個(gè)塊大小為 64K 字節(jié)，每個(gè)塊又分為 16個(gè)扇區(qū)（Sector），每個(gè)扇區(qū) 4K 個(gè)字節(jié)。 W25Q128 的最少擦除單位為一
2022-02-14 07:19:51
（sector）、每個(gè)扇區(qū)包含 256 頁（page）、每一頁包含256 字節(jié)（byte）， 因此該 Flash 芯片需要用到 23 位地址線扇區(qū)地址：128 = 2^7頁地址：256 = 2^8字節(jié)地址：256 = 2^8所以地址線為：23=7+8+8...
2021-12-10 07:19:38
現(xiàn)在想找一塊最小扇區(qū)1K或者512字節(jié)的存儲(chǔ)芯片，有推薦的嗎？我找了很多都是4K的。我用STM8的MCU才有2K的RAM, 這樣MCU緩存的數(shù)據(jù)不夠4K放不滿一個(gè)扇區(qū)。
2017-06-30 10:35:50
的區(qū)別在于，①Flash的存儲(chǔ)容量大于EEPROM，②Flash在寫入之前的擦除操作時(shí)，需要以扇區(qū)為最小單位擦
2021-12-10 06:59:43
FLASH存儲(chǔ)器是什么？嵌入式Flash的特性有哪些？嵌入式Flash扇區(qū)擦除有哪些步驟？
2021-09-24 14:40:28
存放密碼和控制權(quán)限 ，不能用來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。每個(gè)扇區(qū)的塊0，塊1，塊2可以用來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)（扇區(qū)0的塊0除外）。塊3的前6個(gè)字節(jié)為KeyA，后6個(gè)字節(jié)為KeyB。中間的4個(gè)字節(jié)為存儲(chǔ)控制。每個(gè)扇區(qū)可以通過它包含的密鑰A或者密鑰B單獨(dú)加密扇區(qū)圖IC卡加解密非加密卡和加密卡的區(qū)別就是，非加密卡中所有扇區(qū)的
2021-07-22 08:29:13
和AT25F4096與AT25F1024具有相同的操作時(shí)序和操作模式，區(qū)別僅僅是存儲(chǔ)空間的大小不同。AT25F1024為串行操作Flash遵循SPI操作時(shí)序，提供1M－Bit存儲(chǔ)單元，組織
2009-09-21 09:19:30
最近在用W25M02G這款NAND FLASH做U盤，之前用的W25Q64，不需要壞塊管理，讀寫也是以頁的，NAND FLASH多了壞塊，多了扇區(qū)重入的交換區(qū)管理，請(qǐng)問有沒有比較好的驅(qū)動(dòng)參考一下？
2024-04-25 06:44:32
請(qǐng)問F407擦除的問題，有不同大小的扇區(qū)，還有頁擦除這個(gè)概念嗎？如果是128K的扇區(qū)的話，是最小只能擦128K嗎
2019-02-26 07:32:06
我有一個(gè)數(shù)據(jù)文件想保存在207 內(nèi)部FLASH某個(gè)扇區(qū)。請(qǐng)問，有什么工具可以支持燒寫任意格式文件到指定扇區(qū)？如果沒有，那只有自己實(shí)現(xiàn)IAP了。
2018-08-28 10:50:46
首先， 針對(duì)閃存Flash 的存儲(chǔ)編程特點(diǎn)， 提出一種基于虛擬扇區(qū)的閃存管理技術(shù)， 使系統(tǒng)對(duì)Flash的擦寫次數(shù)大大降低，從而提高Flash 的使用壽命和整個(gè)系統(tǒng)的性能。然后，通過嵌入式
2009-05-16 13:30:20
19 摘要：首先，針對(duì)閃存Flash的存儲(chǔ)編程特點(diǎn)，提出一種基于虛擬扇區(qū)的閃存管理技術(shù)，使系統(tǒng)對(duì)Flash的擦寫次數(shù)大大降低，從而提高Flash的使用壽命和整個(gè)系統(tǒng)的性能
2006-03-24 13:01:35968 
架構(gòu)優(yōu)勢(shì)單電源工作全電壓范圍：讀寫操作電壓為 2.7V 至 3.6V存儲(chǔ)架構(gòu)統(tǒng)一的 64KB 扇區(qū)頂部或底部保護(hù)塊（兩個(gè) 64KB 扇區(qū)），每個(gè)可細(xì)分為 16 個(gè) 4KB 子扇區(qū)頁大小為 256
2025-03-07 13:58:21
FLASH的全稱是FLASH EEPROM，但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同, FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)也不同
2011-12-28 10:02:196445 無扇區(qū)svpwm，有需要的朋友可以下來看看
2016-03-30 14:59:5918 的管理程序，可以提供單/多扇區(qū)的操作。
多扇區(qū)為nandflash專門設(shè)計(jì)，可以降低NANDFLASH物理擦除數(shù)，具有FLASH上直接預(yù)分配功能。
2016-09-19 16:57:480 FLASH和EEPROM的區(qū)別
2017-03-29 09:09:146 FLASH芯片是應(yīng)用非常廣泛的存儲(chǔ)材料，Flash芯片可進(jìn)行可快速存儲(chǔ)、擦除數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)物質(zhì)。本文主要介紹了其中Flash芯片的種類以以它們區(qū)別詳情。
2018-03-30 11:42:3565433 NAND寫回速度快、芯片面積小，特別是大容量使其優(yōu)勢(shì)明顯。頁是NAND中的基本存貯單元，一頁一般為512 B（也有2 kB每頁的large page NAND FLASH），多個(gè)頁面組成
2020-05-20 08:57:003878 
NAND Flash的容量較大。整片Flash分為若干個(gè)塊（Block），每個(gè)Block分為若干個(gè)頁（Page）。在每個(gè)頁中，除了數(shù)據(jù)區(qū)域，也包含若干“多余”的區(qū)域，用來進(jìn)行ECC等操作。在進(jìn)行擦除操作是，基本單位是“塊”；而編程的基本單位是“頁”。
2018-12-11 15:47:2016351 
多個(gè)扇區(qū)組成。 段(Segments)：由若干個(gè)相鄰的塊組成。是Linux內(nèi)存管理機(jī)制中一個(gè)內(nèi)存頁或者內(nèi)存頁的一部分。
2019-05-14 16:54:261996 
FLASH是用于存儲(chǔ)程序代碼的，有些場(chǎng)合也可能用它來保存數(shù)據(jù)，當(dāng)然前提是該單片機(jī)的FLASH工藝是可以自寫的（運(yùn)行中可擦寫），但要注意FLASH的擦寫次數(shù)通常小于一萬次，而且通常FLASH只能按塊
2019-09-26 17:16:001 NAND閃存結(jié)構(gòu)NAND Flash的內(nèi)部組織是由塊和頁構(gòu)成。每個(gè)塊包含多個(gè)頁
2020-07-22 11:56:266212 
的Flash Flash存儲(chǔ)器有以下特點(diǎn) 最大1M字節(jié)的能力 128位，也就是16字節(jié)寬度的數(shù)據(jù)讀取 字節(jié)，半字，字和雙字寫入 扇區(qū)擦除和批量擦除 存儲(chǔ)器的構(gòu)成 主要存儲(chǔ)區(qū)塊包含4個(gè)16K字節(jié)扇區(qū)，1個(gè)
2021-02-23 15:59:326308 
一頁有2K。 還比如有些系列以扇區(qū)為最小單元，有的扇區(qū)最小16K，有的128K不等。 本文主要結(jié)合F4系列來描述關(guān)于FLASH的相關(guān)內(nèi)容
2021-03-12 17:13:392632 
。比如大家熟悉的STM32F1中小容量一頁大小只有1K，而F1大容量一頁有2K。 還比如有些系列以扇區(qū)為最小單元，有的扇區(qū)最小16K，有的128K不等。 通常Flash包含幾大塊，這里以F40x為例： 主存儲(chǔ)器：用來存放用戶代碼或數(shù)據(jù)。 系統(tǒng)存儲(chǔ)器：用來存放出廠程序，一般是啟動(dòng)程序代碼。 OTP 區(qū)域：
2021-06-27 11:41:474216 
基于頁合并更新的NAND Flash垃圾回收算法研究(android嵌入式開發(fā)高德)-該文檔為基于頁合并更新的NAND Flash垃圾回收算法研究總結(jié)文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………?
2021-07-30 12:19:1710 STM32F103C8T6使用內(nèi)部Flash的第63頁保存參數(shù)1. 概述STM32的FLASH是用來存儲(chǔ)主程序的，ST公司為了節(jié)約成本，沒有加入 EEPROM，但是許多場(chǎng)合下我們需要用EEPROM
2021-11-26 16:51:0723 基于W25Q128一個(gè)塊 （bank）有多個(gè)扇區(qū) （sector），一個(gè)扇區(qū)（sector）有多個(gè)頁（page）塊（bank） > 扇區(qū)（sector） > 頁（page
2021-11-26 17:36:1012 的區(qū)別在于，①Flash的存儲(chǔ)容量大于EEPROM，②Flash在寫入之前的擦除操作時(shí)，需要以扇區(qū)為最小單
2021-11-26 19:21:1223 ). Flash 芯片存儲(chǔ)區(qū)域劃分：8MB分為128塊，每塊大小為64KB；每塊又分為16個(gè)扇區(qū)，每個(gè)扇區(qū)大小為4KB；每個(gè)扇區(qū)有16頁，每頁大小為256個(gè)字節(jié) 。 芯片引腳圖1.CS 片選信號(hào)，低電平有效，操作flash之前要先拉低CS，這里要注意...
2021-11-30 14:06:2026 整個(gè)嵌入的FLASH，作為編程內(nèi)存的功能，被分成三塊： 應(yīng)用ROM（APROM）：通常存儲(chǔ)用戶代碼。 加 載ROM（LDROM）：通常存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼。 CONFIG字節(jié)：作用于硬件初始化
2021-12-01 20:36:148 主要介紹mcu-內(nèi)部flash1、STM32F207VET6跟GD32F407VET6，flash的結(jié)構(gòu)：包含4個(gè)16KB的扇區(qū)、1個(gè)64KB的扇區(qū)、3個(gè)128KB的扇區(qū)。塊0跟塊1。內(nèi)部flash
2021-12-01 21:06:0711 項(xiàng)目中用到stm32內(nèi)部flash存儲(chǔ)一些系統(tǒng)運(yùn)行數(shù)據(jù)，每次上電重新加載保存的數(shù)據(jù)。早先用法如下圖所示，擦除之前每次要關(guān)閉總中斷，解鎖flash,擦除對(duì)應(yīng)扇區(qū)，然后寫入數(shù)據(jù)
2021-12-02 11:51:1316 復(fù)用，不能利用地址線隨機(jī)尋址。讀取只能按頁來讀取，同樣按塊擦除。對(duì)比：由于NAND flash數(shù)據(jù)線引腳和地址線引腳復(fù)用，因此讀取速度比NOR flash慢，但是擦除和寫 入 速度比NOR flash快很多。 NAND flash數(shù)據(jù)密度大，體積小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的
2021-12-02 12:21:0630 W25Q128 將 16M 的容量分為 256 個(gè)塊（Block），每個(gè)塊大小為 64K 字節(jié)，每個(gè)塊又分為 16個(gè)扇區(qū)（Sector），每個(gè)扇區(qū) 4K 個(gè)字節(jié)。 W25Q128 的最少擦除單位為一
2021-12-09 15:36:0710 RFID卡的扇區(qū)與塊地址本文檔為本人在自學(xué)RFID卡片數(shù)據(jù)讀取過程中所寫的筆記，RFID卡片的扇區(qū)與塊地址如下表所示(RFID卡片數(shù)據(jù)讀取原理請(qǐng)自行百度)，本文檔內(nèi)容僅供學(xué)習(xí)參考。由于本人學(xué)習(xí)能力
2021-12-29 19:48:180 基站包含小區(qū)，小區(qū)包含扇區(qū)，每個(gè)扇區(qū)可以有多個(gè)載頻，一個(gè)載頻包含多個(gè)信道單元。
2023-01-17 10:06:0716447 5.3.5User flash?區(qū)擦除操作? User flash?區(qū)支持以下擦除方式：? l?頁擦除（512?字節(jié)）? l?塊擦除（16KB）? l?批量擦除（128KB）? Flash?存儲(chǔ)器在
2023-03-14 09:33:391588 小區(qū)、扇區(qū)、載波、載頻，都是和移動(dòng)通信基站有關(guān)的概念。
2023-07-20 10:20:172414 
stm32的FLASH擦除是按整頁或者整扇區(qū)擦除的，不同芯片的頁或者扇區(qū)(下邊統(tǒng)稱為頁)的大小是不一樣的，有1K，16K，64K，128K等大小。
2023-10-23 17:44:083471 
W25Q64 將 **8M** 的容量分為 **128 個(gè)塊（Block）** ，每個(gè)塊大小為 **64K 字節(jié)** ，每個(gè)塊又分為 **16個(gè)扇區(qū)（Sector）** ，每個(gè)扇區(qū) **4K 個(gè)字節(jié)** 。
2023-10-24 09:50:493184 
數(shù)量的頁（Page）組成，每頁又可以分成若干個(gè)扇區(qū)（Sector），扇區(qū)是Flash芯片的操作基本單位，通常為512字節(jié)或1K字節(jié)大小，而整個(gè)Flash芯片的容量則可以達(dá)到數(shù)個(gè)GB以上。Flash芯片的特點(diǎn)是擦寫次數(shù)是有限的，每個(gè)扇區(qū)只能擦寫數(shù)千次甚至更少次，而寫入次數(shù)則幾乎是無
2023-10-29 17:24:375844 ，包括其結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)以及如何寫入數(shù)據(jù)。 一、STM32 Flash的結(jié)構(gòu) STM32 Flash存儲(chǔ)器通常被分為多個(gè)扇區(qū)，每個(gè)扇區(qū)大小為2KB到256KB不等，根據(jù)不同的型號(hào)有所不同。每個(gè)扇區(qū)可以獨(dú)立進(jìn)行
2024-01-31 15:46:033729 一組(即一個(gè)Sector)、128頁為一組(8個(gè)Sector)、256頁為一組(16個(gè)Sector)或整個(gè)芯片(芯片擦除)進(jìn)行擦除。W25Q128FV分別有4,096個(gè)可擦除扇區(qū)和256個(gè)可擦除塊。較小
2024-09-26 11:20:512027 
的存儲(chǔ)架構(gòu)，內(nèi)部陣列由多個(gè)256字節(jié)的可編程頁面組成，支持頁編程、扇區(qū)擦除、塊擦除及整片擦除等多種操作模式，為用戶帶來高度靈活的存儲(chǔ)管理體驗(yàn)。
2025-12-26 11:51:49154
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