摘要: 首先,針對閃存Flash的存儲編程 特點(diǎn),提出一種基于虛擬扇區(qū)的閃存管理技術(shù),使系統(tǒng)對Flash的擦寫次數(shù)大大降低,從而提高Flash的使用壽命和整個(gè)系統(tǒng)的性能。然后,通過嵌入式系統(tǒng)電子名片管理器,介紹這一技術(shù)的使用。隨著閃存的廣泛應(yīng)用,對Flash的有效存儲管理將有很大的實(shí)用意義和社會效益。
引言
隨著嵌入式系統(tǒng) 的迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用,大量需要一種能多次編程,容量大,讀寫、擦除快捷、方便、簡單,外圍器件少,價(jià)格低廉的非易揮發(fā)存儲器件。閃存Flash存儲介質(zhì)就是在這種背景需求下應(yīng)運(yùn)而生的。它是一種基于半導(dǎo)體 的存儲器,具有系統(tǒng)掉電后仍可保留內(nèi)部信息,及在線擦寫等功能特點(diǎn),是一種替代EEPROM 存儲介質(zhì)的新型存儲器。因?yàn)樗淖x寫速度比EEPROM更快,在相同容量的情況下成本更低,因此閃存Flash將是嵌入式系統(tǒng)中的一個(gè)重要組成單元。
然而,由于Flash讀寫存儲的編程特點(diǎn),有必要對其進(jìn)行存儲過程管理,以使整個(gè)系統(tǒng)性能得以改善。
1 閃存Flash的存儲編程特點(diǎn)
Flash寫:由1變?yōu)?,變?yōu)?后,不能通過寫再變?yōu)?。
Flash擦除:由0變?yōu)?,不能只某位單元進(jìn)行擦除。
Flash的擦除包括塊擦除和芯片擦除。塊擦除是把某一擦除塊的內(nèi)容都變?yōu)?,芯片擦除是把整個(gè)Flash的內(nèi)容都變?yōu)?。通常一個(gè)Flash存儲器芯片,分為若干個(gè)擦除block,在進(jìn)行Flash存儲時(shí),以擦除block為單位。
當(dāng)在一個(gè)block中進(jìn)行存儲時(shí),一旦對某一block中的某一位寫0,再要改變成1,則必須先對整個(gè)block進(jìn)行擦除,然后才能修改。通常,對于容量小的block操作過程是:先把整個(gè)block讀到RAM 中,在RAM中修改其內(nèi)容,再擦除整個(gè)block,最后寫入修改后的內(nèi)容。顯然,這樣頻繁復(fù)雜的讀-擦除-寫操作,對于Flash的使用壽命以及系統(tǒng)性能是很不好的,而且系統(tǒng)也常常沒有這么大的RAM空間資源。一種基于虛擬扇區(qū)的管理技術(shù)可以有效地控制Flash的擦寫次數(shù),提高Flash的使用壽命,從而提高系統(tǒng)性能。
2 基本原理
2.1概念
VSS(Visual Small Sector),虛擬小扇區(qū):以它為單位讀寫Flash內(nèi)容。
VSS ID(Visual Small Sector Identi ty),虛擬小扇區(qū)號:只通過虛擬扇區(qū)號進(jìn)行存儲,不用考慮它的真實(shí)物理地址。
SI(Sector Identity),分割號:一個(gè)擦寫邏輯塊中物理扇區(qū)的順序分割號。
BI(Block Identity),塊號:Flash芯片中按擦除進(jìn)行劃分的塊號。
SAT(Sector Allocate Table),扇區(qū)分配表:一個(gè)擦寫邏輯塊中的扇區(qū)分配表。一個(gè)SAT由許多SAT單元組成,一個(gè)SAT表對應(yīng)一個(gè)Block,一個(gè)SAT單元對應(yīng)一個(gè)VSS。
每個(gè)SAT單元最高兩位為屬性位,后面各位為VSS ID號。如果一個(gè)SAT單元由16位組成,則VSS ID最大可以達(dá)到16×1024;而如果SAT單元由8位組成,則VSS ID最大可以達(dá)到64,具體約定由應(yīng)用情況而定。
2.2 實(shí)現(xiàn)原理
把每個(gè)block分為更小的虛擬邏輯塊(visual small sector),稱為虛擬扇區(qū),扇區(qū)大小根據(jù)應(yīng)用而定。每個(gè)block前面的一固定單元用于記錄本block中扇區(qū)分配的使用情況(即扇區(qū)分配表),包括扇區(qū)屬性及扇區(qū)邏輯號。圖1為邏輯扇區(qū)劃分示意圖。
在進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫和修改時(shí),以虛擬扇區(qū)塊的大小為單位。要修改某一扇區(qū)的數(shù)據(jù)時(shí),先讀出這個(gè)扇區(qū)的內(nèi)容,重新找一個(gè)未使用的扇區(qū),把修改后的內(nèi)容寫入這個(gè)新扇區(qū)。然后,修改原來扇區(qū)的屬性值為無效,修改這個(gè)新扇區(qū)的屬性為有效,拷貝VSS ID號到新扇區(qū)對應(yīng)的SAT單元中。
這樣,當(dāng)某一個(gè)block中的SAT屬性都標(biāo)為無效時(shí),才對當(dāng)前block進(jìn)行擦寫??梢?,以虛擬扇區(qū)大小為單位的存儲管理,對Flash塊的擦寫次數(shù)可大大減少,從而提高了系統(tǒng)性能。 3 VSS管理實(shí)現(xiàn)要點(diǎn)
3.1 常數(shù)部分
#define BLOCKSIZE 128*1024 //可根據(jù)Flash型號修改
#define SECTORSIZE 512 //可根據(jù)Flash型號及應(yīng)用情況修改
#define MAX_BLOCK 8 //可擦除塊個(gè)數(shù)
#define MAX_SI_1B 255 //每個(gè)可擦除塊中有效SI個(gè)數(shù)
#define SATSIZE 510 //扇區(qū)分配表大小
#define VSS_MASK 0XC000 //VSS屬性屏蔽值
#define VSS_FREE 0XC000 //VSS為未使用的屬性值
#define VSS_VALID 0X4000 //VSS為有效的屬性值
#define VSS_INVALID 0X0000 //VSS為無效的屬性值
3.2 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)部分
unsigned char VSS_Table[MAX_BLOCK][MAX_SI_1B/8];用于記錄Flash中各個(gè)block的使用情況。數(shù)組中的某位為1,表示相應(yīng)sector為未使用;否則,為已經(jīng)寫過,系統(tǒng)通過這個(gè)表可以跟蹤各個(gè)block的使用情況。
3.3 函數(shù)功能部分
1) Flash_Format()//擦除整塊Flash存儲介質(zhì)。
2) Flash_Init()//對VSS管理系統(tǒng)參數(shù)進(jìn)行初始化,填充VSS_Table表,統(tǒng)計(jì)Flash的使用情況。在系統(tǒng)復(fù)位初始時(shí)調(diào)用。
3) Block_Erase(int blockID)//擦除塊號為block ID的塊。
4) Find_VSS(int vss)//查找VSS所在的block ID及分割號SI。
5) Get_Ad dr(int vss)//取得VSS所在的物理地址。
6) Scan _SAT(int blockID)//整理塊號為block ID的SAT,填充VSS_Table[]。
7) Flash_Read(long addr,char *pdata,int len)//從物理地址為addr的Flash處讀取len個(gè)字節(jié)到pdata。
8) Flash_Write(long addr,char *pdata,int len)//寫pdata中長度為len的數(shù)據(jù)到指定地址為addr的Flash中。
9) Read_Sat(int bi)//讀取塊號為blockID的SAT。
10) IsValid(vat)//檢查本SAT單元屬性是否有效。
11) IsFree(vat)//檢查本SAT單元屬性是否未使用。
12) IsInvalid(vat)//檢查本SAT單元屬性是否無效。
13) Read_VSS(addr)//從地址為addr處讀一個(gè)VSS。
14) Write_VSS(addr,*pData)//把pData中的內(nèi)容寫到從地址addr開始的一個(gè)VSS中。
4 計(jì)算VSS ID的物理地址
要對某個(gè)VSS ID進(jìn)行讀寫操作,必須先找到其物理地址。
定位某個(gè)VSS ID物理地址的過程如下。
① 查找這個(gè)VSS ID所在的塊號(BI)以及在這個(gè)塊中所處的分割號(SI)。
從第一個(gè)block開始,搜索這個(gè)塊的SAT表。首先搜索屬性,只有屬性為有效的才比較VSS ID號。如果條件滿足,記錄所在的塊號BI及SAT的位置,即扇區(qū)分割號SI;否則,block號增加,繼續(xù)按照上面步驟查找。
bFound=0;
for(int i=0;i{//讀取對應(yīng)block的SAT表
psat=ReadSat(i)
for(j=0;j{//分析每個(gè)SAT單元
sat=*psat++;
if(IsValid(sat))//比較屬性是否有效
{//比較邏輯號是否相等,相等設(shè)置標(biāo)志退出
if(Equal(sat,VSSID)){bFound=1;break;}
}
}
if(bFound){bi=i;si=j;break;}//找到后記錄塊號和分割號退出
}
②找到VSS ID所在的塊號及分割號(SI)后,這個(gè)VSS ID的物理地址為:
ADDR=整個(gè)Flash的偏地址+
BLOCKID*BLOCKSIZE+SATSIZE+SI*SECTERSIZE。
5 應(yīng)用
應(yīng)用于名片記錄管理系統(tǒng):由于名片記錄很大,而且記錄很多,存在常常修改的情況,因此可以使用Flash作存儲介質(zhì)。
名片記錄結(jié)構(gòu)為:
struct CARD
{
char name[10]; //姓名:10字節(jié)
char position[15]; //出職務(wù):15字節(jié)
char companyname[40]; //公司名稱:15字節(jié)
char mobilephone[11]; //手機(jī) 號碼:11字節(jié)
char homephone[15]; //家庭電話:15字節(jié)
char officephone[15]; //辦公電話:15字節(jié)
char Emai l[30]; //郵件地址:30字節(jié)
char homepage[30]; //公司主頁:30字節(jié)
char remark[40]; //備注:40字節(jié)
}card_record;
每個(gè)名片記錄大小為:181字節(jié)。
對于1MB的Flash,分為8個(gè)block,每個(gè)block為128KB(131072字節(jié))。
針對以上情況,作如下分配:
每個(gè)扇區(qū)大小為181字節(jié);
SAT大小為1432字節(jié),每個(gè)SAT單元用16位(2字節(jié));
分為716個(gè)扇區(qū),也相當(dāng)于1個(gè)block能存716條名片記錄,則131072-1432-716×181=44字節(jié)為空閑。
常數(shù)定義部分修改如下:
#define blockSIZE 128*1024 //每個(gè)block大小
#define SECTORSIZE 181 //每個(gè)扇區(qū)大小
#define MAX_SI_1B 716 //每個(gè)可擦除塊中有SI個(gè)數(shù)
#define SATSIZE 1432 //扇區(qū)分配表大小
#define VSS_MASK 0XC000 //VSS屬性屏蔽值
#define VSS_FREE 0XC000 //VSS為未使用的屬性值
#define VSS_VALID 0X4000 //VSS為有效的屬性值
#define VSS_INVALID 0X0000 //VSS為無效的屬性值
約定:首先對名片進(jìn)行編號,且約定名片的編號對應(yīng)于VSS ID邏輯號。
a) 記錄增加。增加一個(gè)記錄時(shí),根據(jù)提供的VSS?。桑奶?,首先查找這個(gè)記錄號是否在使用。如果還沒有使用,首先查找這個(gè)記錄號是否在使用。如果還沒有使用,則申請一個(gè)未使用的VSS,把相在內(nèi)容寫入這個(gè)VSS,修改其對應(yīng)的SAT單元,寫入有效屬性值和VSSID號;否則,進(jìn)入記錄修改過程。
b) 記錄刪除。要刪除一個(gè)記錄時(shí),根據(jù)提供的VSS?。桑奶枺檎遥樱粒员?。如果找到,修改其對應(yīng)的SAT屬性為無效;否則,說明這個(gè)記錄不存在。
c) 記錄查找。①由VSS?。桑奶栠M(jìn)行的查找:根據(jù)提供的VSS?。桑奶枺檎宜械模樱粒员碇袑傩詾橛行У模郑樱印。桑模祷叵鄳?yīng)的BI及SI。②根據(jù)名片的用戶名查找:檢測所有的SAT表中屬性為有效的VSS?。桑模玫较鄳?yīng)的BI及SI,由BI及SI定位到指定Flash物理地址讀入用戶各到RAM中,比較是否相等。如果相等,讀取并返回SAT單元的VSS?。桑模环駝t,繼續(xù)查找。
d) 記錄修改。當(dāng)要修改一名片記錄時(shí),由VSS?。桑南劝堰@個(gè)記錄讀入到RAM中,然后修改其內(nèi)容,重新找一個(gè)未使用的扇區(qū),把修改后的內(nèi)容寫入到這個(gè)新扇區(qū)中,并拷貝其VSS?。桑奶柕竭@個(gè)新扇區(qū)對應(yīng)的SAT單元,修改其屬性為高,修改原來的扇區(qū)屬性為無效。
結(jié)語
本文提出的Flash存儲管理技術(shù)原理簡單實(shí)用。它是對那些復(fù)雜的Flash文件管理系統(tǒng)的一種剪裁、簡化和定制。對于那些不需要復(fù)雜的文件管理系統(tǒng),而又使用了Flash作為存儲介質(zhì)的嵌入式 系統(tǒng)有很好的借鑒意義和使用價(jià)值,如手機(jī)電話號碼簿管理、短信管理等都可以利用這種技術(shù)進(jìn)行管理。
管理技術(shù) (8528)
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,需通過現(xiàn)有資源實(shí)現(xiàn)類似功能。
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。通過這一技術(shù) 可以大大減少企業(yè)對網(wǎng)站成本的投入,并可以方便的擴(kuò)大市場,宣傳產(chǎn)品擴(kuò)大知名度。特點(diǎn) 1,可在線實(shí)時(shí)開通 web 服務(wù) 2,支持域名、虛擬 主機(jī)、數(shù)據(jù)庫、郵局等產(chǎn)品在線實(shí)時(shí)開通 3
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系統(tǒng)設(shè)計(jì)Flash 在每MB的存儲 開銷上較RAM要昂貴,但對于uClinux系統(tǒng)來說,選擇Flash 作為存儲 器具有一定的優(yōu)勢。UClinux系統(tǒng)在上電后,需要運(yùn)行的程序代碼和數(shù)據(jù)都可以存儲 在Flash
2011-06-02 09:26:24
我們發(fā)現(xiàn) Flash 下載工具在下載過程中可能會擦除比預(yù)期更多的扇區(qū) 。也就是說,如果我們下載一個(gè)圖像文件,其大小可能覆蓋小于扇區(qū) N 的扇區(qū) (部分大小為 4096),并且下載日志還顯示刻錄到部分 N
2024-07-11 06:27:09
虛擬 化技術(shù) 作為建設(shè)綠色數(shù)據(jù)中心的一項(xiàng)重要技術(shù) ,一直在不斷發(fā)展完善,其應(yīng)用領(lǐng)域包括操作系統(tǒng)、服務(wù)器、存儲 以及網(wǎng)絡(luò)。網(wǎng)絡(luò)的虛擬 化技術(shù) 主要依托于以太網(wǎng)交換機(jī)實(shí)現(xiàn),自2009年以來,以太網(wǎng)交換機(jī)的主流廠商都推出了自己的虛擬 化解決方案,下面就將這幾種主要的虛擬 化技術(shù) 列比說明下。
2019-08-14 06:52:16
在擦除扇區(qū) 和寫入扇區(qū) 時(shí)報(bào)FLASH _ERROR_PROGRAM錯(cuò)誤??赡茉颍?b class="flag-6" style="color: red">flash沒有初始化。在操作前初始化即可。void drv_flash _Init(void){FLASH
2021-08-05 08:10:44
STM32L431CC 對其 FLASH 使用頁面而不是扇區(qū) ,因此這是我用來寫入其 FLASH 存儲 器的代碼:HAL_FLASH _Unlock();__HAL_FLASH
2023-01-12 07:47:33
Flash 類型與技術(shù) 特點(diǎn)有哪些?如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動器?如何去設(shè)計(jì)Flash 存儲 器?
2021-04-27 06:20:01
一顆flash 存儲 空間大小不一樣,地址線位寬也是不一樣的。比如:一顆flash 存儲 空間為64Mbit,每個(gè)地址內(nèi)存儲 1byte(8bit)數(shù)據(jù),共8Mbyte空間。地址分為 128 扇區(qū)
2021-12-10 07:19:38
FLASH 存儲 器是什么?嵌入式Flash 的特性有哪些?嵌入式Flash 扇區(qū) 擦除有哪些步驟?
2021-09-24 14:40:28
必須尋求一個(gè)完備的存儲 器數(shù)據(jù)管理 方法[ 1] 。本文介紹了一種適用于無文件系統(tǒng)環(huán)境下的N OR Flash 管理 方法, 采用分塊管理 和狀態(tài)轉(zhuǎn)換的方法使得Flash 的使用效率和操作可靠性得到大大提高。
2020-04-07 06:10:21
大家好, 我有一個(gè)問題是通過I2C管理 扇區(qū) 安全狀態(tài)。我的步驟在這里描述: - 顯示I2C密碼,如數(shù)據(jù)表中所述(僅在啟動時(shí)需要) - 寫入所需扇區(qū) 的SSS字節(jié)。 作為一個(gè)仔細(xì)檢查,我將讀取剛剛寫入
2019-08-20 12:42:48
求一套FLASH 存儲 器實(shí)時(shí)存取管理 方案。
2021-04-25 08:18:52
用SPI接口擴(kuò)展外部Flash 存儲 器本應(yīng)用例使用SPMC75F2413A的SPI(Serial Peripheral Interface)功能實(shí)現(xiàn)對具有SPI接口的Flash 存儲 設(shè)備進(jìn)行操作。完成
2009-09-21 09:19:30
項(xiàng)目中用到stm32內(nèi)部flash 存儲 一些系統(tǒng)運(yùn)行數(shù)據(jù),每次上電重新加載保存的數(shù)據(jù)。早先用法如下圖所示,擦除之前每次要關(guān)閉總中斷,解鎖flash ,擦除對應(yīng)扇區(qū) ,然后寫入數(shù)據(jù)
2022-01-26 07:51:05
我想問一下閃存的哪些扇區(qū) 可用于用戶數(shù)據(jù)存儲 (例如配置、登錄名/密碼)。目前,我正在使用外部存儲 器,但使用板載閃存的某些扇區(qū) 會更便宜。我嘗試在用 blank.bin 編寫的一些扇區(qū) 中寫入數(shù)據(jù),但最后
2024-07-12 08:13:49
以TRI 公司的基于NOR Flash 的Flash 管理 軟件FMM 為例, 詳細(xì)介紹嵌入式系統(tǒng)中如何根據(jù)Flash 的物理特性來進(jìn)行Flash 存儲 管理 。
2009-05-15 13:21:42 15 較為詳細(xì)地介紹嵌入式操作系統(tǒng)uClinux 平臺下的Flash 存儲 技術(shù) ,并給出基于三星S3C4510 系統(tǒng)下Flash 存儲 器的具體設(shè)計(jì)實(shí)例。
2009-05-15 15:47:24 10 首先, 針對閃存Flash 的存儲 編程特點(diǎn), 提出一種基于虛擬 扇區(qū) 的閃存管理 技術(shù) , 使系統(tǒng)對Flash 的擦寫次數(shù)大大降低,從而提高Flash 的使用壽命和整個(gè)系統(tǒng)的性能。然后,通過嵌入式
2009-05-16 13:30:20 19 本文以TRI 公司的基于NOR Flash 的Flash 管理 軟件FMM 為例,詳細(xì)介紹嵌入式系統(tǒng)中如何根據(jù)Flash 的物理特性來進(jìn)行Flash 存儲 管理 ,并比較與不采用FMM
2009-09-14 09:44:54 9 VxWorks 操作系統(tǒng)提供文件系統(tǒng)來訪問和管理 Flash 存儲 器,這種方式不能滿足實(shí)時(shí)寫入和系統(tǒng)可控的要求。本文提出一種通過接管系統(tǒng)時(shí)鐘中斷來控制Flash Memory 讀寫操作和基于管理 區(qū)
2009-09-22 11:36:12 29 NAND FLASH 開始廣泛應(yīng)用于星載存儲 器,針對FLASH 的數(shù)據(jù)高效管理 成為該類存儲 器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲 特點(diǎn),引入文件系統(tǒng)的概
2010-02-24 14:41:26 10 NAND FLASH 開始廣泛應(yīng)用于星載存儲 器,針對FLASH 的數(shù)據(jù)高效管理 成為該類存儲 器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲 特點(diǎn),引入文件系統(tǒng)的概
2010-07-17 18:06:29 14 Nand+Flash 存儲 管理 在DSP系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn)
Nand Flash 作為一種安全、快速的存儲 體,因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn),已
2010-04-12 13:42:17 1773 淺析虛擬 化技術(shù) 各種形式管理 方案
隨著存儲 網(wǎng)絡(luò)技術(shù) 的成熟,大容量和復(fù)雜度較高的方案實(shí)現(xiàn)變得十分常見。不同架構(gòu)的存儲 平臺大大增加了管理
2010-04-27 17:34:09 949 最近幾年,隨著企業(yè)業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)量(郵件數(shù)據(jù)、應(yīng)用程序、業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)、特殊機(jī)密數(shù)據(jù)等等)的爆炸性增加,隨之而來的是存儲 容量和數(shù)據(jù)管理 難度的增加;加上虛擬 化將越來越普及
2010-09-10 17:59:43 519 Flash 存儲 器的簡介
在眾多的單片機(jī)中都集成了 Flash 存儲 器系統(tǒng),該存儲 器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)
2010-11-11 18:25:09 5395 現(xiàn)如今,任何技術(shù) 幾乎都可以虛擬 化,按照這種邏輯的話,存儲 當(dāng)然也不例外。這意味著要隱藏虛擬 層之后發(fā)生的一切——包括分層,分層概念在本質(zhì)上很簡單,即在成本效益的基礎(chǔ)上,將數(shù)據(jù)儲存于最合適的存儲 類型中。換言之,數(shù)據(jù)的價(jià)值越高,就越應(yīng)該被保存在更快
2011-02-23 10:16:24 1084 FLASH 的全稱是FLASH EEPROM,但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同, FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH 按扇區(qū) 操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲 單元的結(jié)構(gòu)也不同
2011-12-28 10:02:19 6445 存儲 虛擬 化技術(shù) 將底層存儲 設(shè)備進(jìn)行抽象化統(tǒng)一管理 ,向服務(wù)器層屏蔽存儲 設(shè)備硬件的特殊性,而只保留其統(tǒng)一的邏輯特性,從而實(shí)現(xiàn)了存儲 系統(tǒng)集中、統(tǒng)一而又方便的管理 。對比一個(gè)
2012-02-15 14:40:39 2051 一般而言,存儲 虛擬 化的實(shí)現(xiàn)方式通常分為三種:交換架構(gòu)虛擬 化,磁盤陣列虛擬 化,以及整合到應(yīng)用設(shè)備內(nèi)的虛擬 化。對于三種不同的虛擬 化方式,存儲 供應(yīng)商都有各自的獨(dú)門兵器。
2012-08-01 09:18:26 1014 Cheap_Flash _FS--嵌入式NandFlash文件系統(tǒng)源碼下載
Cheap_Flash _FS 代碼已經(jīng)由我們開發(fā)完成,并經(jīng)過了嚴(yán)格的測試。
壞塊管理 功能包括基于壞塊表的管理 程序,可以
2016-05-11 09:46:01 0 的管理 程序,可以提供單/多扇區(qū) 的操作。
多扇區(qū) 為nandflash專門設(shè)計(jì),可以降低NANDFLASH物理擦除數(shù),具有FLASH 上直接預(yù)分配功能。
2016-09-19 16:57:48 0 uClinux平臺下的Flash 存儲 技術(shù)
2017-01-19 21:22:54 12 Flash 存儲 問題總是在我們技術(shù) 支持渠道位列榜首。Toradex投入了大量資源保證存儲 盡可能的穩(wěn)定。然而,了解一些關(guān)于存儲 的基本知識還是十分重要的。首先你需要知道存儲 是否磨損,當(dāng)往內(nèi)置的存儲 設(shè)備
2017-09-18 11:51:21 19 本文提供一種利用MCU內(nèi)部數(shù)據(jù)Flash 存儲 非易失性數(shù)據(jù)的方法,它不僅操作方便,應(yīng)用接口簡單,而且可以盡量避免扇區(qū) 擦除操作,提高存儲 效率,同時(shí)提高M(jìn)CU內(nèi)部數(shù)據(jù)Flash 的使用壽命。
2017-09-19 11:13:46 4 FLASH (閃速存儲 器)作為一種安全、快速的存儲 體,具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn),已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH 在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤
2017-10-15 10:15:54 6 虛擬 化正處在業(yè)界討論的風(fēng)口浪尖,它的興起使得眾多存儲 廠商爭相上馬虛擬 化技術(shù) 。然而,盡管所有人都同意存儲 虛擬 化在簡化存儲 管理 和降低存儲 資產(chǎn)管理 成本方面具有巨大潛力,但市場中仍然存在一些對虛擬 化的誤解
2017-10-20 11:23:54 1 。 然而,最終用戶都希望虛擬 桌面的性能和用戶體驗(yàn)至少和物理桌面一樣好,但是對于某些應(yīng)用如視頻播放、網(wǎng)頁Flash 播放等等VDI的用戶體驗(yàn)均不理想。本文針對VDI環(huán)境下網(wǎng)頁Flash 視頻播放效果差的問題,提出了一種基于虛擬 通道的Flash 映射技術(shù) ,大幅度提
2017-11-16 16:36:10 0 , 這就必須尋求一個(gè)完備的存儲 器數(shù)據(jù)管理 方法[ 1] 。本文介紹了一種適用于無文件系統(tǒng)環(huán)境下的N OR Flash 管理 方法, 采用分塊管理 和狀態(tài)轉(zhuǎn)換的方法使得Flash 的使用效率和操作可靠性得到大大提高。 2 NOR Flash 存儲 器及其特性 NOR Flash 和NAND Fl
2017-11-30 04:25:01 1639 的工作, 這就必須尋求一個(gè)完備的存儲 器數(shù)據(jù)管理 方法[ 1] 。本文介紹了一種適用于無文件系統(tǒng)環(huán)境下的N OR Flash 管理 方法, 采用分塊管理 和狀態(tài)轉(zhuǎn)換的方法使得Flash 的使用效率和操作可靠性得到大大提高。 2 NOR Flash 存儲 器及其特性 NOR Flash 和NAND
2017-11-30 04:44:29 482 。 然而,最終用戶都希望虛擬 桌面的性能和用戶體驗(yàn)至少和物理桌面一樣好,但是對于某些應(yīng)用如視頻播放、網(wǎng)頁Flash 播放等等VDI的用戶體驗(yàn)均不理想。本文針對VDI環(huán)境下網(wǎng)頁Flash 視頻播放效果差的問題,提出了一種基于虛擬 通道的Flash 映射技術(shù) ,大幅度提
2017-12-05 11:07:48 0 由于采用了存儲 虛擬 化技術(shù) ,數(shù)據(jù)中心的運(yùn)維人員在日常管理 與維護(hù)中通常無需對單一存儲 設(shè)備進(jìn)行操作,而是通過存儲 虛擬 化控制器提供的統(tǒng)一界面,對存儲 資源進(jìn)行管理 。對存儲 系統(tǒng)擴(kuò)容時(shí),可以靈活地根據(jù)需求、成本、項(xiàng)目預(yù)算等因素考慮采用利舊,對原有設(shè)備擴(kuò)容及采購異構(gòu)存儲 等多種方案,實(shí)現(xiàn)了業(yè)務(wù)的不中斷操作。
2018-08-16 18:03:18 7243 隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用,大量需要一種能多次編程,容量大,讀寫、擦除快捷、方便、簡單,外圍器件少,價(jià)格低廉的非易揮發(fā)存儲 器件。閃存Flash 存儲 介質(zhì)就是在這種背景需求下應(yīng)運(yùn)而生的。它是一種
2020-05-25 08:01:00 1772 FLASH 的全稱是FLASHEEPROM,但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同。 FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH 按扇區(qū) 操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲 單元的結(jié)構(gòu)也
2018-09-21 22:40:01 1518 虛擬 化改變了計(jì)算機(jī)使用存儲 的方式。就像物理機(jī)器抽象成虛擬 機(jī)(VM:Virtual Machine)一樣,物理存儲 設(shè)備也被抽象成虛擬 磁盤(Virtual Disk)。
2019-05-19 11:39:20 1721 近日,據(jù)外媒報(bào)道,東芝存儲 器美國子公司宣布推出一種新的存儲 器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash ,該技術(shù) 是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù) 和SLC
2019-08-07 10:56:32 1067 據(jù)外媒報(bào)道,東芝存儲 器美國子公司宣布推出一種新的存儲 器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash ,該技術(shù) 是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù) 和SLC。
2019-09-04 16:41:32 1643 存儲 虛擬 化技術(shù) 可以減少存儲 系統(tǒng)的管理 開銷、實(shí)現(xiàn)存儲 系統(tǒng)的數(shù)據(jù)共享、提供透明的高可靠性和可擴(kuò)展性、優(yōu)化使用存儲 系統(tǒng)。
2020-03-20 16:21:37 809 據(jù)媒體報(bào)道指國產(chǎn)存儲 芯片企業(yè)長江存儲 已開發(fā)出128層的NAND flash 存儲 芯片,這是當(dāng)前國際存儲 芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash 技術(shù) ,意味著中國的存儲 芯片技術(shù) 已達(dá)到國際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:45 14823 SNIA 存儲 網(wǎng)絡(luò)工業(yè)協(xié)會對存儲 虛擬 化定義:通過對存儲 (子)系統(tǒng)或存儲 服務(wù)的內(nèi)部功能進(jìn)行抽象、隱藏或隔離,使存儲 或數(shù)據(jù)的管理 與應(yīng)用、服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)資源的管理 分離,從而實(shí)現(xiàn)應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)的獨(dú)立管理 。
2020-07-02 09:45:13 1523 服務(wù)器廠商會在服務(wù)器端實(shí)施虛擬 存儲 。同樣,軟件廠商也會在服務(wù)器平臺上實(shí)施虛擬 存儲 。
2020-07-29 14:10:15 3079 虛擬 化技術(shù) 可以更好的管理 虛擬 基礎(chǔ)架構(gòu)的存儲 資源,使系統(tǒng)大幅提升存儲 資源利用率和靈活性,提高應(yīng)用的正常運(yùn)行時(shí)間。
2020-07-31 14:42:37 3449 Nand flash 是flash 存儲 器的其中一種,Nand flash 其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH 存儲 器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:08 5421 虛擬 存儲 器是存儲 管理 中一個(gè)特別重要的概念,你要認(rèn)真掌握虛存的定義和特征。此外,你還要知道為何要引入虛存、實(shí)現(xiàn)虛存技術(shù) 的物質(zhì)基礎(chǔ)、虛存容量受到哪兩方面的限制。
2020-11-25 16:37:22 16660 的Flash Flash 存儲 器有以下特點(diǎn) 最大1M字節(jié)的能力 128位,也就是16字節(jié)寬度的數(shù)據(jù)讀取 字節(jié),半字,字和雙字寫入 扇區(qū) 擦除和批量擦除 存儲 器的構(gòu)成 主要存儲 區(qū)塊包含4個(gè)16K字節(jié)扇區(qū) ,1個(gè)
2021-02-23 15:59:32 6308 ME32F030采用高可靠的嵌入式Flash 技術(shù) ,64K用戶區(qū)間,支持IAP/ISPFlash擦寫技術(shù) 。MCUFlash采用32位數(shù)據(jù)總線讀寫,充分利用32位ARMCPU性能優(yōu)勢,同時(shí)它的512字節(jié)小扇區(qū) 結(jié)構(gòu),管理 操作也更加靈活。
2021-05-01 16:21:00 7279 盡管虛擬 化存儲 有很多好處,但目前還沒有一種明確的方法來部署或管理 該技術(shù) ;這部分是因?yàn)槠髽I(yè)有不同的要求,并且產(chǎn)品在功能、技術(shù) 要求和用例方面差異很大。 存儲 虛擬 化有助于簡化管理 并提高資源使用率。還可
2021-10-13 16:32:33 2423 的區(qū)別在于,①Flash 的存儲 容量大于EEPROM,②Flash 在寫入之前的擦除操作時(shí),需要以扇區(qū) 為最小單
2021-11-26 19:21:12 23 主要介紹mcu-內(nèi)部flash 1、STM32F207VET6跟GD32F407VET6,flash 的結(jié)構(gòu):包含4個(gè)16KB的扇區(qū) 、1個(gè)64KB的扇區(qū) 、3個(gè)128KB的扇區(qū) 。塊0跟塊1。內(nèi)部flash
2021-12-01 21:06:07 11 FLASH 磨損均衡原理及實(shí)現(xiàn)背景磨損均衡原理磨損均衡實(shí)現(xiàn)定長數(shù)據(jù)讀寫不定長數(shù)據(jù)讀寫多個(gè)不定長數(shù)據(jù)存儲 讀寫總結(jié)背景flash 為嵌入式設(shè)備中常見的存儲 器,優(yōu)點(diǎn):便宜,容量大,但缺點(diǎn)也比較明顯,最大的缺點(diǎn)
2021-12-02 10:06:05 8 項(xiàng)目中用到stm32內(nèi)部flash 存儲 一些系統(tǒng)運(yùn)行數(shù)據(jù),每次上電重新加載保存的數(shù)據(jù)。早先用法如下圖所示,擦除之前每次要關(guān)閉總中斷,解鎖flash ,擦除對應(yīng)扇區(qū) ,然后寫入數(shù)據(jù)
2021-12-02 11:51:13 16 寫flash 芯片時(shí)為什么需要先擦除? 在講解為什么需要先擦除Flash 芯片之前,先來了解一下Flash 芯片的基本概念和組成部分。 Flash 芯片是非易失性存儲 器,內(nèi)部由多個(gè)塊組成,每個(gè)塊都是一定
2023-10-29 17:24:37 5844 ,包括其結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)以及如何寫入數(shù)據(jù)。 一、STM32 Flash 的結(jié)構(gòu) STM32 Flash 存儲 器通常被分為多個(gè)扇區(qū) ,每個(gè)扇區(qū) 大小為2KB到256KB不等,根據(jù)不同的型號有所不同。每個(gè)扇區(qū) 可以獨(dú)立進(jìn)行
2024-01-31 15:46:03 3729 存儲 虛擬 化是一種將多個(gè)存儲 設(shè)備的物理存儲 資源抽象出來、將它們集中在一起并將它們呈現(xiàn)為單個(gè)邏輯存儲 單元的技術(shù) 。此過程簡化了存儲 管理 ,提高了資源利用率,并實(shí)現(xiàn)了跨各種存儲 設(shè)備(例如硬盤驅(qū)動器、固態(tài)驅(qū)動器
2024-03-07 16:47:42 1978 前言 在數(shù)字化時(shí)代的今天,數(shù)據(jù)的存儲 和管理 變得越來越重要。各種各樣的存儲 技術(shù) 應(yīng)運(yùn)而生,以滿足不同的使用場景和需求。其中,Flash 存儲 芯片以其非易失性、可擦寫性和可編程性等優(yōu)勢,占據(jù)了重要地位。本
2024-04-03 12:02:55 7925 MLC NAND Flash 作為一種均衡的存儲 解決方案,以其合理的性能、耐用性和成本效益,在消費(fèi)級市場和特定企業(yè)級應(yīng)用中占有重要地位。隨著技術(shù) 的進(jìn)步,MLC NAND Flash 將繼續(xù)滿足日益增長的存儲 需求。
2024-06-06 11:14:15 1502 的存儲 架構(gòu),內(nèi)部陣列由多個(gè)256字節(jié)的可編程頁面組成,支持頁編程、扇區(qū) 擦除、塊擦除及整片擦除等多種操作模式,為用戶帶來高度靈活的存儲 管理 體驗(yàn)。
2025-12-26 11:51:49 154
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