chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

寫flash芯片時為什么需要先擦除?

工程師鄧生 ? 來源:未知 ? 作者:劉芹 ? 2023-10-29 17:24 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

寫flash芯片時為什么需要先擦除?

在講解為什么需要先擦除Flash芯片之前,先來了解一下Flash芯片的基本概念和組成部分。

Flash芯片是非易失性存儲器,內(nèi)部由多個塊組成,每個塊都是一定數(shù)量的頁(Page)組成,每頁又可以分成若干個扇區(qū)(Sector),扇區(qū)是Flash芯片的操作基本單位,通常為512字節(jié)或1K字節(jié)大小,而整個Flash芯片的容量則可以達到數(shù)個GB以上。Flash芯片的特點是擦寫次數(shù)是有限的,每個扇區(qū)只能擦寫數(shù)千次甚至更少次,而寫入次數(shù)則幾乎是無限的。

接下來我們就來探討一下為什么在寫入數(shù)據(jù)之前需要對Flash芯片進行擦除操作的原因。

一、Flash芯片的擦寫操作是以扇區(qū)為單位進行的,每個扇區(qū)需要在擦寫之前進行一次擦除,否則無法進行新的寫入操作。

二、由于Flash芯片是非易失性存儲器,寫入和擦除操作的電壓都較高,因此操作時需要耗費大量的能量,而對芯片的壽命也是有影響的。

三、每次擦寫操作都會導(dǎo)致芯片內(nèi)部原本被透明導(dǎo)體和鎢多層結(jié)構(gòu)堵塞的柵結(jié)相互打穿,這樣就會導(dǎo)致芯片內(nèi)部的漏電電流變大,從而會影響芯片的整體性能。

由于以上原因,我們就必須在進行寫入操作之前對芯片進行擦除。Flash擦除操作的意義在于將芯片的閃存單元全部重置為1,相當(dāng)于把Flash芯片格式化。擦除之后,扇區(qū)內(nèi)的所有數(shù)據(jù)都被擦除,狀態(tài)變?yōu)?,可以進行新的數(shù)據(jù)寫入操作。因此,在對Flash芯片進行寫入操作之前,我們就必須先對Flash芯片進行擦除操作。

擦除Flash芯片的方法可以分為硬件擦除和軟件擦除兩種方式:

一、硬件擦除

硬件擦除顧名思義是通過使用專門的設(shè)備,比如硬件編程器來進行擦除。硬件擦除的優(yōu)點是擦除效率高、操作簡單、擦除的每個扇區(qū)的狀態(tài)都可以被直接檢測到,然而硬件擦除也有一些缺點:

1.硬件擦除設(shè)備比較昂貴,不適合個人使用。

2.擦除操作只能通過特定的硬件設(shè)備來進行,不能在程序中使用。

二、軟件擦除

軟件擦除是通過CPU在程序中實現(xiàn)的一種擦除方式,需要注意的是,軟件擦除需要對扇區(qū)內(nèi)的每個字節(jié)進行擦除,操作的時間也相對較長。

軟件擦除的優(yōu)點是可以在程序中進行,不需要專門的擦除設(shè)備。缺點則是擦除效率相對較低,消耗的能量更大。

總結(jié):

為了確保Flash芯片的長期可靠性和性能,我們必須在進行寫入操作之前進行擦除操作。擦除操作可以通過從硬件設(shè)備到軟件程序來進行,不同的擦除方式有各自的優(yōu)缺點,需要根據(jù)實際需求選擇合適的擦除策略。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • FlaSh
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    1748

    瀏覽量

    155527
  • 非易失性存儲器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    131

    瀏覽量

    24094
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    CW32F030 FLASH的頁擦除操作

    CW32F030 FLASH 的頁擦除操作的最小單位為 1 頁,即 512 字節(jié)。 頁擦除操作完成后,該頁所有地址空間的數(shù)據(jù)內(nèi)容均為0xFF。如果對未解鎖的 FLASH 頁面進行頁
    發(fā)表于 12-15 06:26

    超級AI芯片時代,電子元器件的進化方向

    超級AI芯片時代,算力突飛猛進,行業(yè)日新月異,電子元器件的進化方向是哪里,我們要為此提前做好哪些準(zhǔn)備?
    的頭像 發(fā)表于 12-11 15:13 ?825次閱讀
    超級AI<b class='flag-5'>芯片時</b>代,電子元器件的進化方向

    FPGA實現(xiàn)基于SPI協(xié)議的Flash驅(qū)動控制芯片擦除

    本篇博客具體包括SPI協(xié)議的基本原理、模式選擇以及時序邏輯要求,采用FPGA(EPCE4),通過SPI通信協(xié)議,對flash(W25Q16BV)存儲的固化程序進行芯片擦除操作。
    的頭像 發(fā)表于 12-02 10:00 ?2578次閱讀
    FPGA實現(xiàn)基于SPI協(xié)議的<b class='flag-5'>Flash</b>驅(qū)動控制<b class='flag-5'>芯片</b><b class='flag-5'>擦除</b>

    TLE9893是否支持在FLASH1上運行代碼來擦除和編程FLASH1?

    芯片TLE9893是否支持在FLASH1上運行代碼來擦除和編程FLASH1。在NVM-PROG_UCODE中,代碼在FLASH1上運行,并將
    發(fā)表于 08-13 08:14

    FLASH/編程白皮書

    白皮書:如何燒Flash——不同場景不同需求下的選擇認識Flash?NAND vs. NOR如何燒/編程不同方案比較
    發(fā)表于 07-28 16:05 ?0次下載

    FLASH模擬EEPROM

    FLASH 模擬 EEPROM 原理 2.1 EERPOM 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu) 由于 FLASH 在寫入數(shù)據(jù)前,需要FLASH 數(shù)據(jù)
    發(fā)表于 07-16 15:13

    STM32F103RET6 FLASH擦除失敗的原因?怎么解決?

    芯片不掉電,再進行擦除會出現(xiàn)擦不掉的情況,但是FLASH->SR寄存器未起任何異常狀態(tài),只有一個EOP置位。如果只是擦除->寫入->
    發(fā)表于 07-10 06:40

    STM32G473 flash擦除時程序卡死,為什么?

    我在進行雙bank升級的時候,會先進行FLASH的批量擦除。在連續(xù)的升級過程中發(fā)現(xiàn)成功幾次后出現(xiàn)了執(zhí)行擦除flash操作時程序卡死的情況,直觀上看燈沒有閃爍。成功次數(shù)不規(guī)律,可能更新2
    發(fā)表于 06-12 08:05

    STM32G473 flash擦除時程序卡死的原因?

    我在進行雙bank升級的時候,會先進行FLASH的批量擦除。在連續(xù)的升級過程中發(fā)現(xiàn)成功幾次后出現(xiàn)了執(zhí)行擦除flash操作時程序卡死的情況,直觀上看燈沒有閃爍。成功次數(shù)不規(guī)律,可能更新2
    發(fā)表于 06-09 07:23

    關(guān)于CCG5 platform Flash問題,在燒images時,如何保留產(chǎn)線校準(zhǔn)數(shù)據(jù)?

    1. CCG5平臺flash大小為128K,有512 row,每個row大小是256個字節(jié) 通過PSoC Programmer燒image時,會將128K的flash全部擦除,會導(dǎo)
    發(fā)表于 05-30 07:50

    STM32L476 Flash擦除失敗的原因?

    開發(fā)板MCU型號:STM32L476RG 同樣的固件在開發(fā)板中flash讀寫擦除操作都沒問題,但在產(chǎn)品中擦除函數(shù)返回成功,但flash中的數(shù)據(jù)其實并沒有
    發(fā)表于 04-23 08:26

    存儲技術(shù)探秘 NAND Flash vs NOR Flash:藏在芯片里的&quot;門道之爭&quot;

    非易失存儲:斷電后數(shù)據(jù)不丟失 可重復(fù)編程:支持擦寫操作(需擦除后寫入) 二進制操作:擦除后全為 1,操作將 1 變?yōu)?0 核心差異 一、物理結(jié)構(gòu)對比 NOR 特性 獨立存儲單元并
    的頭像 發(fā)表于 03-18 12:06 ?1468次閱讀

    AGM FPGA/MCU燒文件類型有哪些及用途

    ,無法讀取出內(nèi)部程序數(shù)據(jù)。 另外,可以選擇Erase功能,進行程序的擦除。 其它編程功能 燒_master.prg前需擦除FLASH,可選擇Full chip erase befor
    發(fā)表于 03-14 09:54

    使用STM32 ST-LINK Utility和j-flash無法擦除怎么解決?

    在keil燒錄程序中直接報錯 使用工具擦除報 使用STM32 ST-LINK Utility 和j-flash也無法擦除這個要怎么解決
    發(fā)表于 03-12 07:07

    STM32H523中FLASH扇區(qū)擦除到0x8020000后面時擦除不干凈,是什么原因?qū)е碌模?/a>

    我使用的256K Flash的產(chǎn)品,使用的是HAL庫函數(shù)HAL_FLASHEx_Erase進行連續(xù)扇區(qū)擦除,然后工程是CUBEMX生成的,flash_lantcy是5,擦除延時也對是2
    發(fā)表于 03-07 07:55