有新聞報(bào)道，復(fù)旦大學(xué)設(shè)計(jì)出了一種新型態(tài)基于原子級(jí)薄度的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)出一種內(nèi)存，透過二維過度金屬材料創(chuàng)造出一種原子級(jí)薄度的半導(dǎo)體，不需要電力輔助用光線就能消除儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。

近日有研究團(tuán)隊(duì)基于原子級(jí)薄度的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)出一種內(nèi)存，除了具有良好的性能，也可以在完全不需要電力輔助的情況下，用光線就能消除儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，團(tuán)隊(duì)認(rèn)為這種新的內(nèi)存在系統(tǒng)整合型面板（System on Panel）上， 具有十分大的應(yīng)用潛力。

復(fù)旦大學(xué)和中國科學(xué)院微電子研究所的 Long-Fei He 及相關(guān)研究人員最近在新的應(yīng)用物理學(xué)快報(bào)（AIP）期刊上發(fā)表了一個(gè)關(guān)于新型態(tài)內(nèi)存的論文。

由于大多數(shù)現(xiàn)有的內(nèi)存技術(shù)都太過笨重，無法整合應(yīng)用在顯示面板上，研究人員一直都在研究全新的設(shè)計(jì)和材料，試圖制造出同樣具有良好性能、卻能超薄的儲(chǔ)存設(shè)備。

在這項(xiàng)新的研究中，研究人員透過二維過度金屬材料「二硫化鉬」（MoS2）的應(yīng)用，創(chuàng)造出一種原子級(jí)薄度的半導(dǎo)體，它的電導(dǎo)率（conductivity）可以被精細(xì)的調(diào)整，進(jìn)而形成具有高開關(guān)電流比的內(nèi)存基礎(chǔ)組件。

除此之外，團(tuán)隊(duì)也在測試中證實(shí)，這類型內(nèi)存具有運(yùn)行速度快、大容量的內(nèi)存空間和優(yōu)異的保存性，研究人員估計(jì)，即使處在 85°C（185°F）的高溫下 10 年，儲(chǔ)存空間仍可以保存原有的 60% 左右，對(duì)于實(shí)際應(yīng)用來說仍然足夠。

過去已有研究證實(shí)二硫化鉬具有光敏性（photoresponsive），這意味著一些性質(zhì)可以運(yùn)用光來控制，為了了解實(shí)際應(yīng)用情況，團(tuán)隊(duì)也實(shí)際進(jìn)行了相關(guān)實(shí)驗(yàn)，結(jié)果他們發(fā)現(xiàn)，當(dāng)光線照射到已編程的存儲(chǔ)設(shè)備上時(shí)，儲(chǔ)存數(shù)據(jù)被完全消除， 但同時(shí)運(yùn)用電壓抹除信息的方式也仍然可以使用。

合著人 Hao Zhu 表示，團(tuán)隊(duì)目前正在研究透過編程可控的光脈沖波長和時(shí)間，來大規(guī)模整合這種儲(chǔ)存組件。 研究人員相信未來這種儲(chǔ)存設(shè)備，將會(huì)在系統(tǒng)整合型面板的應(yīng)用上扮演重要角色。