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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>NAND閃存和DRAM市況不同調(diào),內(nèi)存事業(yè)可望在第2季維持強(qiáng)勢(shì)表現(xiàn)

NAND閃存和DRAM市況不同調(diào),內(nèi)存事業(yè)可望在第2季維持強(qiáng)勢(shì)表現(xiàn)

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盡管2記憶體位元出貨量成長(zhǎng),但受到市場(chǎng)報(bào)價(jià)持續(xù)下跌,記憶體模組廠營(yíng)運(yùn)挑戰(zhàn)增加,但各家業(yè)者不同策略及發(fā)展的表現(xiàn)各異。 工控記憶體模組廠宜鼎國(guó)際2毛利率沖上32.32%,單季獲利維持高檔,而
2019-08-12 10:14:335239

全球2Q19 DRAM市場(chǎng)下跌9% NAND閃存持平

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2019-08-21 09:24:005660

第三 DRAM 提前備貨需求大增 帶動(dòng)產(chǎn)值成長(zhǎng)4%

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光通訊元件市場(chǎng)4探底 2017年高端產(chǎn)品加速推出

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2016-12-06 09:54:52821

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2017-01-05 07:23:38928

NAND Flash供應(yīng)持續(xù)吃緊 龍頭三星業(yè)績(jī)將逐攀升

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2017-03-08 10:11:39759

NAND閃存內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析

NAND閃存是一種電壓原件,靠其內(nèi)存電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:214056

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2019-06-04 10:02:061102

12月威剛NAND Flash維持出貨高檔 2020年需求有望持續(xù)擴(kuò)大

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DRAM內(nèi)存原理   不管你信不信,RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它們本質(zhì)上講是一樣的。RDRAM、DDR RAM
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LED旺季效應(yīng)加溫,晶電供不應(yīng)求

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2013-04-22 17:48:33

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MX25L25645GZ2I-08GMX25L25645GZNI-08G閃存芯片陳立白表示,整體而言,去年DRAM價(jià)格從3月開(kāi)始一路跌到年底,今年全年的狀況會(huì)比去年來(lái)的好,DRAM模塊廠只要好好經(jīng)營(yíng)
2022-02-17 08:59:47

MX25U4033EM1I-12GMX25U4033EZUI-12G閃存芯片

和其它產(chǎn)品占營(yíng)收比重則下滑至52.38%。以威剛2012年上半年?duì)I收來(lái)看,DRAM產(chǎn)品線營(yíng)收比重明顯提升達(dá)44.78%,NAND Flash產(chǎn)品線和其它產(chǎn)品占營(yíng)收約55.22%。威剛表示,2市況觸底后
2022-02-19 11:55:37

MX66L2G45GXRI00MX66L1G45GMI-10G閃存芯片

,威剛2營(yíng)收會(huì)較1少一點(diǎn),2會(huì)是全年?duì)I收的谷底,3將逐步升溫,如果庫(kù)存水位控制得宜,內(nèi)存模塊廠仍是可以賺到穩(wěn)定的獲利。DRAM供需方面,PC OEM買氣仍是持續(xù),但現(xiàn)貨市場(chǎng)需求卻相當(dāng)
2022-02-17 08:51:45

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客戶轉(zhuǎn)單的效應(yīng),威剛上半年財(cái)報(bào)交出每股稅后4元的好成績(jī),3營(yíng)收和獲利可望持續(xù)攀升。?威剛(3260)因預(yù)期DRAMNAND Flash價(jià)格可望緩步增溫,讓第三業(yè)績(jī)加溫,威剛股價(jià)再創(chuàng)今年新高
2022-02-14 11:55:25

[轉(zhuǎn)帖][資訊] DRAM挺過(guò)7月 有望旺到后年

[資訊] DRAM挺過(guò)7月 有望旺到后年動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存DRAM)價(jià)格年初以來(lái)維持強(qiáng)勢(shì),但封測(cè)廠強(qiáng)調(diào),7月?tīng)柋剡_(dá)新增產(chǎn)能是否可以去化是重要觀察期,一旦能順利消化,DRAM產(chǎn)業(yè)榮景將能持續(xù)到明、后年
2010-05-10 10:51:03

什么是Flash閃存以及STM32使用NAND Flash

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2025-07-03 14:33:09

全球10大DRAM廠商排名

來(lái)源:電子工程專輯根據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新出爐的報(bào)告,2006年第二全球DRAM銷售額較第一成長(zhǎng)15.5%。主要原因來(lái)自于***地區(qū)廠商產(chǎn)能持續(xù)開(kāi)出以及第二DDR
2008-05-26 14:43:30

國(guó)內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)崛起撬動(dòng)全球市場(chǎng),但需求不足跌價(jià)成必然 精選資料分享

的情況下,預(yù)計(jì)2019的NAND Flash及DRAM都會(huì)有一波大降價(jià)的情況。其中,NAND Flash的價(jià)格會(huì)跌45%,DRAM價(jià)格會(huì)下跌30%。而且,這樣的價(jià)價(jià)幅度2019年2之前是看不到
2021-07-13 06:38:27

存儲(chǔ)器】NAND flash和NOR flash軟件支持方面的差別

閃存被廣泛用于移動(dòng)存儲(chǔ)、數(shù)碼相機(jī)、 MP3 播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。由于受到數(shù)碼設(shè)備強(qiáng)勁發(fā)展的帶動(dòng), NAND 閃存一直呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)的超高速增長(zhǎng), NAND 可望在近期超過(guò) NOR 成為閃存技術(shù)的主導(dǎo)。
2018-06-14 14:34:31

無(wú)新產(chǎn)能導(dǎo)致淡季變旺,DRAM合約價(jià)再飆漲到Q3【硬之城電子元器件】

11%達(dá)27~27.5美元,晶片合約價(jià)調(diào)漲12%左右達(dá)3.1美元。5月合約價(jià)雖持平,但6月價(jià)格可望再調(diào)漲5%,等于第二合約價(jià)將再漲1~2成。PC DRAM合約價(jià)持續(xù)漲情況下,智能型手機(jī)用
2017-06-13 15:03:01

淺析DRAMNand flash

包括:DRAMNAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM),“動(dòng)態(tài)”二字指沒(méi)隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次,不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09

電子元器件又一波漲價(jià)!

15.8%。虹揚(yáng)指出,預(yù)估下半年前端原材料缺料問(wèn)題獲得緩解后,可望在獲利面回歸平穩(wěn)成長(zhǎng)。法人表示,虹揚(yáng)漲價(jià)效應(yīng)在5月起浮現(xiàn)后,2毛利率將改善,加上匯率干擾因素可能降低,使獲利有機(jī)會(huì)提升。2017年
2018-05-22 16:23:43

DRAM內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)

第二部分:DRAM 內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內(nèi)存
2008-08-05 11:41:300

iSuppli:明年2DDR3躍登DRAM市場(chǎng)主流

iSuppli:明年2DDR3躍登DRAM市場(chǎng)主流 11月24日消息,根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli的最新預(yù)測(cè),DDR3(Double Data Rate 3)標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存將在2010年2成為產(chǎn)業(yè)主流,全球DRAM市場(chǎng)出貨
2009-11-25 09:21:44651

NOR閃存/NAND閃存是什么意思

NOR閃存/NAND閃存是什么意思 NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在: 1) 閃存芯片讀寫(xiě)的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358955

NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì) 閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的
2010-05-20 09:26:231244

臺(tái)IC設(shè)計(jì)走出谷底 2或見(jiàn)強(qiáng)勁成長(zhǎng)

  IC設(shè)計(jì)龍頭聯(lián)發(fā)科(2454)預(yù)估今年1是產(chǎn)業(yè)景氣谷底,看好2可見(jiàn)較為強(qiáng)勁的成長(zhǎng)動(dòng)能。目前多數(shù)IC設(shè)計(jì)廠亦同調(diào)反應(yīng),包括F-晨星(3697)、聚積(3527)、原相(3227)、矽創(chuàng)
2012-04-06 08:59:13605

DRAM近期拉貨強(qiáng)勁 本月價(jià)格可望強(qiáng)彈

主攻個(gè)人計(jì)算機(jī)市場(chǎng)的標(biāo)準(zhǔn)型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)近期呈現(xiàn)強(qiáng)勁的拉貨力道,本月價(jià)格可望強(qiáng)彈;應(yīng)用行動(dòng)裝置的儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)因補(bǔ)貨需求落空,價(jià)格看跌。
2012-05-07 10:47:51820

智能手機(jī)需求強(qiáng)勁 第三NAND Flash供應(yīng)商營(yíng)收增長(zhǎng)兩成

TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,受惠于智能型手機(jī)需求強(qiáng)勁,及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少,2016年第三NAND Flash開(kāi)始漲價(jià),使得NAND Flash原廠營(yíng)收成長(zhǎng)19.6%,營(yíng)業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。
2016-12-08 11:31:15829

第二DRAM總營(yíng)收小幅成長(zhǎng)6.3%,位供給增加奏功

TrendForce 旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報(bào)告顯示,由于市況供過(guò)于求,第二 DRAM 的平均銷售單價(jià)持續(xù)下滑,整體均價(jià)跌幅超過(guò) 5%。然而,受惠于美光 20 納米
2017-01-04 16:41:11651

DRAMNAND閃存等未來(lái)五年最看俏

內(nèi)存市場(chǎng)日益擴(kuò)大,研調(diào)機(jī)構(gòu) IC Insights 最新報(bào)告預(yù)測(cè),DRAMNAND 閃存等,未來(lái) 5 年年均復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)可達(dá) 7.3%,產(chǎn)值將從去年的 773 億美元擴(kuò)增至 1,099 億美元。
2017-01-10 11:28:23823

DRAM內(nèi)存今年繼續(xù)缺貨、漲價(jià):三星成主要推手

2016年全球PC市場(chǎng)繼續(xù)下滑,除了游戲相關(guān)的硬件之外,活得最滋潤(rùn)的就是DRAM內(nèi)存、NAND閃存了,2016下半年開(kāi)始的缺貨、漲價(jià)使得相關(guān)廠商的營(yíng)收看漲。作為全球最大的DRAM內(nèi)存NAND閃存
2017-01-16 10:40:24836

半導(dǎo)體廠展望Q1營(yíng)收不同調(diào) 聯(lián)發(fā)科保守臺(tái)積電消極

半導(dǎo)體廠1營(yíng)運(yùn)展望不同調(diào),聯(lián)發(fā)科與創(chuàng)意1展望保守,業(yè)績(jī)恐將2位數(shù)百分點(diǎn),瑞昱、聯(lián)詠與譜瑞-KY則可望有淡季不淡表現(xiàn),業(yè)績(jī)有機(jī)會(huì)較去年4持平。 半導(dǎo)體廠1營(yíng)運(yùn)展望不同調(diào),聯(lián)發(fā)科
2017-02-14 01:06:40221

三星、NAND先后延遲投產(chǎn),對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備市況是個(gè)很大的沖擊

三星電子、NAND型快閃存儲(chǔ)器商今(2018)年紛紛延遲投產(chǎn),分析師擔(dān)憂這恐怕會(huì)沖擊明年的半導(dǎo)體設(shè)備市況。
2018-07-20 12:55:001169

旺宏展望今年的Nor flash市況,仍可望是供不應(yīng)求的水準(zhǔn)

旺宏去年第四營(yíng)收維持逆勢(shì)成長(zhǎng)的表現(xiàn),整體Nor flash仍是報(bào)價(jià)上漲,展望今年的Nor flash市況,整體市場(chǎng)需求仍是成長(zhǎng),而供給端則主要觀察大陸業(yè)者的產(chǎn)能開(kāi)出狀況,但整體來(lái)看,Nor
2018-01-11 01:47:00977

美系外資預(yù)估臺(tái)積電今年1營(yíng)收將減6%到8%

集微網(wǎng)消息,臺(tái)積電18日將舉辦法人說(shuō)明會(huì),美系外資預(yù)估臺(tái)積電今年1營(yíng)收將減6%到8%,優(yōu)于預(yù)期,但全年?duì)I收成長(zhǎng)恐偏低,維持「 中立」評(píng)等。 美系外資最新研究報(bào)告指出,比特幣挖礦特殊應(yīng)用芯片
2018-01-16 05:56:01880

DRAM無(wú)新增產(chǎn)能,服務(wù)器內(nèi)存合約價(jià)續(xù)漲

2017年,整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)不論DRAMNAND Flash,都度過(guò)了一個(gè)黃金好年,那么2018年可否持續(xù)榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法,DRAM熱度可望延續(xù),供不應(yīng)求態(tài)勢(shì)依舊,但NAND部分,恐怕
2018-01-22 11:30:02649

業(yè)界多估NAND Flash價(jià)格先降后升,DRAM 熱度可望延續(xù)

綜合目前業(yè)界的看法,DRAM 熱度可望延續(xù),供不應(yīng)求態(tài)勢(shì)依舊,但NAND 部分,恐怕就不會(huì)那么樂(lè)觀了,由于大廠3D NAND 良率大躍進(jìn),供給過(guò)剩問(wèn)題已經(jīng)提前2017 年第四引爆,至少2018 年上半年恐怕都不會(huì)太理想,最快2018 年第二供需平衡,第三再度供給吃緊,屆時(shí)產(chǎn)業(yè)由悲轉(zhuǎn)喜。
2018-01-22 14:33:334905

長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層NAND閃存預(yù)計(jì)2018年內(nèi)量產(chǎn)

NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ),也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲(chǔ)芯片,國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國(guó)產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在
2018-05-16 10:06:004167

DRAMNAND Flash優(yōu)缺勢(shì)對(duì)比,到底誰(shuí)的市場(chǎng)應(yīng)用量會(huì)更大?

隨著移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的興起,對(duì)于節(jié)能的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存與內(nèi)存技術(shù)需求日益增加。 目前的內(nèi)存技術(shù)以DRAMNAND閃存為主流,但DRAM的讀寫(xiě)速度快無(wú)法長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù);NAND Flash能保存數(shù)據(jù), 但讀寫(xiě)速度不佳。
2018-06-22 11:40:0012610

存儲(chǔ)器市況目前呈現(xiàn)兩類,DRAM歡喜NAND

目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情,DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展,價(jià)格平穩(wěn)或小漲;NAND Flash則因供過(guò)于求,價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)3將可喜迎旺季,而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:001193

宏齊營(yíng)運(yùn)持續(xù)加溫 3營(yíng)運(yùn)將優(yōu)于2表現(xiàn)

臺(tái)LED封裝廠宏齊轉(zhuǎn)型效益持續(xù)展現(xiàn),該公司去年?duì)I運(yùn)寫(xiě)下近年最佳表現(xiàn)后,今年?duì)I運(yùn)持續(xù)加溫。公司表示,去年在大陸合資的新廠,已陸續(xù)投產(chǎn)業(yè),3消費(fèi)性電子及顯示屏訂單的帶動(dòng)下,營(yíng)運(yùn)將優(yōu)于2表現(xiàn)。
2018-08-23 16:42:00675

三星電子:高端智能機(jī)元件需求疲軟、挖礦芯片夯

三星電子公司 (Samsung Electronics Co.)4月26日指出,存儲(chǔ)器事業(yè)可望在2018年2維持強(qiáng)勢(shì)表現(xiàn),但公司整體盈余要呈現(xiàn)增長(zhǎng)的難度頗高,主因?yàn)轱@示面板(DP)部門恐將續(xù)疲
2018-04-28 11:46:22110

晶電指出產(chǎn)能過(guò)剩問(wèn)題將影響LED市場(chǎng)平衡,今年3需求可望回溫

晶電董事長(zhǎng)李秉杰致股東報(bào)告書(shū)中指出,中國(guó)大陸于去年4擴(kuò)產(chǎn)產(chǎn)能開(kāi)出后,新產(chǎn)能過(guò)剩問(wèn)題影響LED市場(chǎng)平衡,預(yù)期今年3需求可望回溫,公司將以市場(chǎng)新技術(shù),如Mini LED應(yīng)用的手機(jī)產(chǎn)品或雷射應(yīng)用等,來(lái)平衡產(chǎn)能過(guò)剩的影響。
2018-06-19 14:27:001349

DRAM產(chǎn)值將再改寫(xiě)新高,南亞科/華邦電或?qū)⒗U出逐創(chuàng)新高銷售佳績(jī)

DRAM大廠陸續(xù)洽談3DRAM合約價(jià)格,維持小漲局面,推升全球本季DRAM產(chǎn)值將再改寫(xiě)新高,臺(tái)系DRAM南亞科(2408)和華邦電等,預(yù)料今年將繳出逐創(chuàng)新高佳績(jī)。
2018-07-04 17:08:00916

幾種新內(nèi)存技術(shù)有望嵌入式領(lǐng)域出現(xiàn)契機(jī)

新興內(nèi)存可望在嵌入式應(yīng)用中找到大量市場(chǎng),取代微控制器(MCU)與ASIC中儲(chǔ)存程序代碼的NOR閃存(flash)。
2018-06-22 14:08:023803

DDR4出貨量持續(xù)增加,南亞科營(yíng)業(yè)利益率持續(xù)攀高

DRAM廠南亞科(2408)總經(jīng)理李培瑛預(yù)期今年2、3的市場(chǎng)需求穩(wěn)定成長(zhǎng),2整體市況仍供不應(yīng)求,產(chǎn)品單價(jià)可望持續(xù)微幅上揚(yáng),且公司第二位元增率有機(jī)會(huì)超過(guò)15%,DDR4出貨量持續(xù)增加,有利拉抬毛利率、營(yíng)業(yè)利益率持續(xù)攀高。
2018-06-26 15:59:001495

晶電3四元LED需求持續(xù)增加,Mini LED電競(jìng)產(chǎn)品有望4推出

晶電3四元LED需求比2更熱絡(luò),產(chǎn)能滿載且持續(xù)增加,手機(jī)背光需求也回溫;Mini LED電競(jìng)應(yīng)用陸續(xù)找到解決方案,可望4問(wèn)世,且需求動(dòng)能可期,手機(jī)應(yīng)用部分,目前晶電所提出的解決方案受到客戶肯定,但出貨時(shí)程仍得視客戶的產(chǎn)品與市場(chǎng)規(guī)劃。
2018-07-31 16:44:001787

美光第二代3D NAND閃存大規(guī)模量產(chǎn),容量更大成本更低

今年DRAM內(nèi)存NAND閃存漲價(jià)救了美光公司,他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司,內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼,而閃存方面,美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過(guò)2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031683

NAND閃存市場(chǎng)持續(xù)走低的原因:NAND組件過(guò)于求了

2017年經(jīng)歷市況樂(lè)觀的一年后,NAND閃存(flash)市場(chǎng)2018年將繼續(xù)明顯降溫。根據(jù)分析師表示,去年持續(xù)一整年的NAND組件短缺現(xiàn)象已經(jīng)轉(zhuǎn)為供過(guò)于求了,從而導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)走低。
2018-08-07 11:44:064257

2018第二全球DRAM廠商營(yíng)收龍虎榜

CINNO Research根據(jù)內(nèi)存供應(yīng)鏈業(yè)者第二的運(yùn)營(yíng)情況分析,經(jīng)過(guò)第一淡季效應(yīng)影響及庫(kù)存消化的過(guò)程后,第二隨著智能型手機(jī)新機(jī)上市帶來(lái)的備貨效應(yīng)和內(nèi)存/閃存平均搭載量的提升,服務(wù)器帶來(lái)
2018-08-11 09:10:054328

DRAM未來(lái)2年市場(chǎng)還是比較樂(lè)觀,需求依舊強(qiáng)勁

威剛科技董事長(zhǎng)陳立白表示,從DRAM市況來(lái)看,未來(lái)1~2年的市況將是樂(lè)觀且健康的,供應(yīng)商都沒(méi)有太大的擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作,至于NAND Flash價(jià)格將緩步下跌,明年就看QLC NAND Flash投入市場(chǎng)的狀況,可望帶來(lái)新一波的需求。
2018-08-21 15:04:041293

DRAM價(jià)格可望維持穩(wěn)定,市況相當(dāng)健康穩(wěn)健

DRAM大廠南亞科總經(jīng)理李培瑛昨(17)日表示,第二DRAM市場(chǎng)仍明顯供不應(yīng)求,且預(yù)期第三旺季需求將持續(xù)成長(zhǎng)、維持供不應(yīng)求的市況,而第四有可能受韓廠開(kāi)出新產(chǎn)能影響,預(yù)期屆時(shí)價(jià)格可望維持穩(wěn)定,整體而言,今年DRAM市況相當(dāng)健康穩(wěn)健。
2018-08-23 16:18:28706

Q4季度DRAM內(nèi)存價(jià)格下降成定局,究竟誰(shuí)會(huì)遭殃呢?

日前DRAMeXchange發(fā)表報(bào)告稱Q3季度DRAM內(nèi)存價(jià)格微幅上漲2%,但Q4季度DRAM內(nèi)存價(jià)格下降幾成定局,這也意味著漲了三年的DRAM內(nèi)存價(jià)格終于要下跌了。與內(nèi)存相比,NAND閃存價(jià)格
2018-09-10 16:26:322157

三星DRAM內(nèi)存投資降低20%,維持高價(jià)位

日媒報(bào)道稱三星明年的資本支出將下滑8%,其中DRAM內(nèi)存投資大砍20%,三星針對(duì)DRAM產(chǎn)品不會(huì)考慮拼占有率而降價(jià),砍投資的目標(biāo)是維持內(nèi)存高價(jià)位。
2018-10-09 10:46:394310

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣雜音浮現(xiàn) 臺(tái)積電4業(yè)績(jī)可望改寫(xiě)歷史新高紀(jì)錄

晶圓代工廠臺(tái)積電法人說(shuō)明會(huì)將于18日登場(chǎng),法人預(yù)期,7納米制程出貨暢旺帶動(dòng)下,臺(tái)積電4業(yè)績(jī)可望改寫(xiě)歷史新高紀(jì)錄。
2018-10-16 15:30:003130

宏齊表示預(yù)估明年2起MiniLED出貨可望明顯成長(zhǎng)

貿(mào)易摩擦沖擊全球消費(fèi)市場(chǎng),導(dǎo)致電子產(chǎn)業(yè)下半年旺季落空。宏齊3營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)平平,3稅后盈余為2912萬(wàn)元(新臺(tái)幣,下同),減60.6%,單季每股盈余為0.14元;累計(jì)前3稅后盈余為1.46億元,年減18.89%,每股盈余為0.72元。
2018-12-14 15:05:241280

美光計(jì)劃削減12.5億美元的資本支出,減少內(nèi)存閃存芯片的產(chǎn)量

美光總裁、CEO Sanjay Mehrotra財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示,為了適應(yīng)當(dāng)前市場(chǎng)的狀況,美光將減少DRAM內(nèi)存NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)美光的數(shù)據(jù),2019年他們預(yù)測(cè)DRAM內(nèi)存產(chǎn)量增加15%,低于此前預(yù)測(cè)的20%增長(zhǎng),而NAND閃存預(yù)計(jì)增長(zhǎng)35%,也低于之前預(yù)計(jì)的35-40%增長(zhǎng)率。
2018-12-21 11:15:054225

存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存克服了NAND閃存的局限性 因而勢(shì)必會(huì)取而代之

存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存(SCM)這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容,但兼具DRAM的速度,最終將會(huì)取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
2019-01-28 14:23:181033

存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存(SCM)克服NAND閃存局限性 勢(shì)必取而代之

存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存(SCM)克服了NAND閃存的局限性,因而勢(shì)必會(huì)取而代之。 存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存(SCM)這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容,但兼具DRAM的速度,最終將會(huì)取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
2019-05-11 10:47:435407

DRAM市況開(kāi)始回溫 但DRAM價(jià)格仍將繼續(xù)下跌

2月27日,南亞科總經(jīng)理李培瑛表示,去年大幅成長(zhǎng)的服務(wù)器存儲(chǔ)器市場(chǎng)經(jīng)過(guò)兩的調(diào)整,3月起市況開(kāi)始好轉(zhuǎn),第二DRAM 市況可望較第一略為回溫。
2019-02-28 17:36:58903

日月光投控1業(yè)績(jī)減22% 法人預(yù)估業(yè)績(jī)可望成長(zhǎng)

日月光投控1業(yè)績(jī)減22%,符合季節(jié)性淡季表現(xiàn)。展望2和今年,法人預(yù)估業(yè)績(jī)可望成長(zhǎng)。
2019-04-11 16:35:263249

NAND閃存連跌6個(gè)季度 上游廠商認(rèn)為5月會(huì)回暖

2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)從牛市進(jìn)入了熊市,領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存NAND閃存兩大存儲(chǔ)芯片,其中NAND閃存芯片從2018年初就開(kāi)始跌價(jià),迄今已經(jīng)連跌了6個(gè)季度。
2019-05-12 09:37:223223

南亞科表示下半年DRAM還是會(huì)比上半年好 并長(zhǎng)期看好DRAM多元化應(yīng)用

DRAM廠南亞科昨日舉行股東會(huì),總經(jīng)理李培瑛會(huì)后受訪表示,2DRAM市況已看到會(huì)比1好,3又會(huì)比2稍好,合約價(jià)跌幅會(huì)比現(xiàn)貨價(jià)?。徽w而言,隨著旺季到來(lái),下半年DRAM還是會(huì)比上半年好。
2019-05-31 16:58:212780

光寶科第二表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期 看好營(yíng)收可望個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)

光寶科第二表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期,展望第三,隨著進(jìn)入傳統(tǒng)旺季,光寶科看好營(yíng)收可望個(gè)位數(shù)成長(zhǎng),毛利率也有機(jī)會(huì)持續(xù)向上。不過(guò),光寶科也示警,總執(zhí)行長(zhǎng)陳廣中指出,明年需求面不確定性很高,盡管貿(mào)易摩擦?xí)簳r(shí)休兵,但全球經(jīng)濟(jì)放緩是大環(huán)境最大烏云。
2019-08-03 10:53:27937

2019年6月DRAMNAND Flash跌價(jià)趨勢(shì)持續(xù)

DRAMNAND Flash持續(xù)維持下降走勢(shì)。
2019-07-06 11:38:564189

聯(lián)電、世界先進(jìn)2優(yōu)于預(yù)期 下半年市況憂慮緩解

近日,晶圓代工廠聯(lián)電、世界先進(jìn)6月業(yè)績(jī)同步滑落,不過(guò),兩公司2業(yè)績(jī)均較首季止跌回升,聯(lián)電增逾1成,世界先進(jìn)微幅成長(zhǎng)0.16%,優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期。
2019-07-11 16:07:242997

威剛表示DRAM與NANDFlash預(yù)期合約價(jià)可望于7月跟進(jìn)落底

存儲(chǔ)器模組廠威剛看好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)與儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)合約價(jià),可望于 7 月落底,并樂(lè)觀預(yù)期 3 營(yíng)收與獲利可展現(xiàn)旺季水準(zhǔn)。
2019-07-24 14:20:302638

NAND閃存介紹及NAND閃存的優(yōu)缺點(diǎn)

NAND閃存與機(jī)械存儲(chǔ)設(shè)備一樣,默認(rèn)情況下是不可靠的 - 這是電子世界中不尋常的情況。它的不可靠性通過(guò)使用專用控制器來(lái)處理。另一方面,DRAM被認(rèn)為是“非常”可靠的。服務(wù)器通常具有錯(cuò)誤檢測(cè)(并且可能是校正)電路,但消費(fèi)者和商業(yè)機(jī)器很少這樣做。我將專注于DRAM
2019-08-07 10:02:5711958

麗清3可望轉(zhuǎn)虧為盈 將持續(xù)切入中高階車款

LED車燈模塊廠麗清3業(yè)績(jī)逐漸回穩(wěn),法人預(yù)估3可望轉(zhuǎn)虧為盈,今年LED頭燈出貨占比可望提升到1成。
2019-09-04 11:30:291272

嵌入式應(yīng)用如何加入新興的內(nèi)存技術(shù)

新興的內(nèi)存技術(shù)可望在嵌入式應(yīng)用中找到大量市場(chǎng),從而取代NOR閃存(flash),用于微控制器(MCU)與ASIC中儲(chǔ)存程序代碼。
2019-09-18 09:13:03848

錸寶預(yù)期明年1可望開(kāi)始量產(chǎn)MicroLED

PMOLED大廠錸寶今年受美中貿(mào)易摩擦影響,部分大陸客戶拉貨放緩,拖累今年整體營(yíng)運(yùn),雖然各大品牌廠商陸續(xù)推出新款穿戴式裝置搶市,但4受假期影響,營(yíng)運(yùn)估較3下滑,不過(guò)布局Micro LED方向不變,預(yù)期明年1可望開(kāi)始量產(chǎn)。
2019-10-20 10:59:41656

第三DRAM出貨量大增 第四出貨量有望維持成長(zhǎng)

據(jù) DRAMeXchange 調(diào)查顯示,第三 DRAM 供應(yīng)商銷售位元出貨量(sales bit)大增,連帶推升 DRAM 總產(chǎn)值成長(zhǎng) 4%,結(jié)束連續(xù)三下滑。展望第四,三大 DRAM 原廠仍預(yù)期服務(wù)器及手機(jī)需求的帶動(dòng)下,出貨量有望維持成長(zhǎng)。
2019-11-19 10:56:14636

DRAM價(jià)格于明年第一可望止跌 或?qū)⒂行》壬险{(diào)趨勢(shì)

12 月 18 日訊,DRAM 價(jià)格于明年第一可望止跌,NAND Flash 價(jià)格并已提前觸底反彈,有利記憶體模組廠營(yíng)運(yùn)。記憶體模組廠宇瞻、廣穎電通、品安第三獲利均明顯上升,今日隨著產(chǎn)業(yè)前景看法樂(lè)觀,帶動(dòng)股價(jià)大漲。
2019-12-19 11:13:52728

5G通信引領(lǐng),DRAMNAND閃存市場(chǎng)需求將增加

據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道,市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè),基于固態(tài)硬盤(SSD)密度和性能提升,明年全球NAND閃存需求將增加,5G通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球DRAMNAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-20 15:18:463856

預(yù)計(jì)2021年整體DRAM價(jià)格可望逐步向上

美國(guó)記憶體大廠美光(Micron Technology Inc.)股價(jià)大漲4.53%再攀新高,自第一開(kāi)始,DRAM合約價(jià)預(yù)期將開(kāi)始止跌回升,南亞科(2408)可望受惠,今股價(jià)續(xù)攻上90元。 美光
2021-01-06 17:43:452693

DRAMNAND的有什么樣的區(qū)別

DRAM是目前常見(jiàn)的存儲(chǔ)之一,但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件,NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAMNAND之間有什么區(qū)別呢?DRAMNAND的工作原理分別是什么呢?如果你對(duì)DRAMNAND具有興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2552915

DRAMNAND閃存價(jià)格出現(xiàn)暴跌?

市場(chǎng)跟蹤數(shù)據(jù)顯示,DRAMNAND閃存相關(guān)產(chǎn)品10月份的價(jià)格暴跌,韓國(guó)科技媒體THE ELEC指出,出現(xiàn)這一現(xiàn)象的原因可能在于美國(guó)對(duì)華為的制裁生效。
2020-11-02 17:26:252697

PC DRAM爆料稱內(nèi)存價(jià)格將會(huì)上漲

日前,DRAMeXchange集邦科技公布了11月結(jié)束后DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片的價(jià)格情況。
2020-12-02 09:51:262336

存儲(chǔ)廠旺宏:1季度可望淡季不淡,ROM、NOR、NAND全線樂(lè)觀

存儲(chǔ)廠旺宏總經(jīng)理盧志遠(yuǎn)表示,2020年表現(xiàn)不錯(cuò),展望2021年,1季度可望淡季不淡并維持全線全產(chǎn)能生產(chǎn),且ROM、NOR Flash、NAND Flash及代工產(chǎn)品線均正向看待
2021-01-29 09:50:392148

2020年第四DRAM價(jià)格持續(xù)走跌

整體市況歸因于2020年第三下旬華為(Huawei)被列入出口限制清單,使中國(guó)智能手機(jī)品牌Oppo、Vivo、小米(Xiaomi)積極加大零部件采購(gòu)力道,欲搶食華為市占,因而帶動(dòng)第四各家DRAM供應(yīng)商出貨表現(xiàn)。
2021-03-04 15:00:102212

存儲(chǔ)器4Q寒氣蔓延 3NAND晶圓跌價(jià)約達(dá)3成以上

NAND價(jià)格從2022年1缺貨拉抬調(diào)漲報(bào)價(jià)后,市場(chǎng)價(jià)格快速反轉(zhuǎn)走跌,3NAND晶圓跌價(jià)約達(dá)3成以上,相當(dāng)于從年初高點(diǎn)下跌約達(dá)50%,由于終端備貨消極,晶圓廠報(bào)價(jià)持續(xù)探底,市場(chǎng)預(yù)估4NAND晶圓價(jià)格跌幅將再減20%。
2022-11-01 12:36:27887

什么是3D NAND閃存?

我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來(lái)了,理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227

各家3D NAND技術(shù)大比拼 被壟斷的NAND閃存技術(shù)

隨著密度和成本的飛速進(jìn)步,數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是NAND 閃存領(lǐng)域并非如此,與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同,NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:353579

盡管NAND市場(chǎng)持續(xù)低迷,長(zhǎng)江存儲(chǔ)逆勢(shì)漲價(jià)凸顯主場(chǎng)優(yōu)勢(shì)!| 百能云芯

盡管NAND市況持續(xù)低迷,但供應(yīng)鏈傳出,長(zhǎng)江存儲(chǔ)繼2率先調(diào)漲報(bào)價(jià)后,近期再度提升報(bào)價(jià)約5%,坐擁中國(guó)龐大內(nèi)需消費(fèi)市場(chǎng),享盡主場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。
2023-07-18 17:59:211408

三星24年生產(chǎn)9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

三星24年生產(chǎn)9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)9代V-NAND閃存,三星9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888

NAND Flash第四價(jià)格有望止跌回升,最高上漲5%

業(yè)內(nèi)人士說(shuō):“nand閃存價(jià)格將比dram快反彈”,“nand閃存供應(yīng)商們的赤字繼續(xù)擴(kuò)大,因此銷售價(jià)格正在接近生產(chǎn)成本,供應(yīng)商們?yōu)榱?b class="flag-6" style="color: red">維持運(yùn)營(yíng),擴(kuò)大減產(chǎn),價(jià)格停止下跌,反彈率領(lǐng)的”。
2023-09-11 14:56:171222

漲約3~8%,DRAM合約價(jià)大幅回升!

據(jù)TrendForce的研究顯示,4DRAMNAND Flash均價(jià)將開(kāi)始全面上漲。特別是DRAM,預(yù)計(jì)4的合約價(jià)將漲幅約在3%到8%之間。然而,這波上漲是否能持續(xù),取決于供應(yīng)商是否堅(jiān)守減產(chǎn)策略以及實(shí)際需求的回升程度,尤其值得關(guān)注的領(lǐng)域是通用型服務(wù)器。
2023-10-16 09:17:181116

第四季度DRAMNAND全面漲價(jià),成本上漲約30%

從2024年第四季度開(kāi)始,DRAMNAND閃存的價(jià)格將全面上漲,這已經(jīng)導(dǎo)致國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器下游企業(yè)的閃存采購(gòu)成本上漲了近20%,而內(nèi)存采購(gòu)成本上漲了約30%。
2023-10-17 17:13:492193

dramnand的區(qū)別

dramnand的區(qū)別? DRAMNAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,而NAND(Not AND)是一種邏輯
2023-12-08 10:32:0011547

AI浪潮拉動(dòng)DRAMNAND閃存合約價(jià)飆升

首先來(lái)看DRAM內(nèi)存,TrendForce原本預(yù)測(cè)2024年第二季度的合約價(jià)會(huì)上漲3~8%,現(xiàn)在已調(diào)整為13~18%。至于NAND閃存,原預(yù)測(cè)漲幅為13~18%,現(xiàn)已調(diào)整至15~20%,其中eMMC/UFS的漲幅相對(duì)較小,為10%。
2024-05-07 15:56:17922

NAND閃存是什么意思

NAND閃存,又稱之為“NAND Flash”,是一種基于Flash存儲(chǔ)技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND閃存的定義、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展等幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)闡述。
2024-08-10 15:57:1913061

DRAMNAND閃存價(jià)格大幅下跌

近期,DRAMNAND存儲(chǔ)行業(yè)再次遭遇消費(fèi)者需求下滑的沖擊,導(dǎo)致存儲(chǔ)合約價(jià)格短短一個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)大幅下跌。據(jù)分析公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,DRAM價(jià)格尤其受到重創(chuàng),近一個(gè)月內(nèi)下跌近20%。
2024-10-09 17:08:431189

DRAMNAND閃存市場(chǎng)低迷,DRAM現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)下滑

近日,據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報(bào)告指出,DRAM內(nèi)存NAND閃存市場(chǎng)近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢(shì)。 特別是DRAM市場(chǎng)方面,春節(jié)長(zhǎng)假過(guò)后,消費(fèi)者對(duì)于DRAM的需求并未如預(yù)期
2025-02-06 14:47:47933

DRAMNAND閃存市場(chǎng)表現(xiàn)分化

近日,根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告,DRAMNAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)。 DRAM方面,消費(fèi)者需求春節(jié)過(guò)后依然沒(méi)有顯著回暖,市場(chǎng)呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢(shì)
2025-02-07 17:08:291018

DDR4內(nèi)存價(jià)格下跌,NAND閃存減產(chǎn)效果未顯

TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告顯示,DRAMNAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢(shì)。
2025-02-08 16:41:02930

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