。 IC Insights最新資料顯示，隨著Flash市場需求增加，各存儲器業(yè)者為擴大或升級3D NAND生產(chǎn)線，紛紛增加Flash資本支出，使得2017與2018年全球該項支出分別年增92%與16%，達276億與319億美元，均高于各當(dāng)年半導(dǎo)體業(yè)者在DRAM與晶圓代工上的資本支出。 而隨著主要存儲
2019-01-23 09:24:56
1391 6月28日，臺灣媒體報道，晶圓代工龍頭臺積電在2019年持續(xù)擴大研發(fā)規(guī)模，全年研發(fā)費用達30億美元，約合新臺幣880億，同比增長4%，創(chuàng)下歷史新高。6月29日，美國存儲器大廠美光在開盤后公布會計年度
2020-06-30 16:03:056953 市場研究機構(gòu) IC Insights 最新報告指出，記憶體廠商與晶圓代工業(yè)者是目前12寸晶圓產(chǎn)能的最大貢獻者。根據(jù)統(tǒng)計，前六大 12寸晶圓產(chǎn)能供應(yīng)商在 2012年囊括了整體產(chǎn)能的74.4%；而IC
2013-02-22 09:06:271441 NAND Flash存儲器在移動設(shè)備應(yīng)用市場的需求趨緩。根據(jù)IHS初步統(tǒng)計資料顯示，受到品牌廠與網(wǎng)絡(luò)廠商大舉推出云端儲存服務(wù)影響，第三季智能手機與平板設(shè)備內(nèi)建NAND Flash存儲器的需求已開始減少。
2013-11-26 11:16:171709 
據(jù)臺灣媒體報道，全球12吋硅晶圓缺貨如野火燎原，不僅臺積電、NAND Flash存儲器廠和大陸半導(dǎo)體廠三方人馬爭相搶料，加上10納米測試晶圓的晶棒消耗量大增，臺積電為鞏固蘋果（Apple
2017-01-21 12:07:061225 受益于智能手機搭載的NAND Flash存儲容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進
2017-02-07 17:34:129182 
2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息，近日，由國家存儲器基地主要承擔(dān)單位長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展。
2017-02-16 11:35:241161 近日，由國家存儲器基地主要承擔(dān)單位長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展。
2017-02-17 07:48:232091 NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機存儲等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:322839 
只是，二線晶圓代工廠醞釀漲價的情況，短期內(nèi)似乎無濟于晶圓短缺，價格高昂的情況解決。全球第二大硅晶圓廠商日本SUMCO之前表示，在12英寸硅晶圓的部分，預(yù)估2018年價格將如預(yù)期價格將再上揚約20%，使得2018年第4季的硅晶圓價格將較2016年第4季高出40%。
2018-06-06 09:58:275696 4月7日消息，晶圓代工大廠聯(lián)電公布3月營收狀況，2021年3月其營收達166.19億元新臺幣（約合人民幣38.25億元），創(chuàng)單月歷史新高，較去年同期實現(xiàn)14.06％的同比增長。第一季度營收
2021-04-08 11:43:012096 NAND 存儲器制造商三星和 SK 海力士已尋求將 NAND 閃存價格提高 3%-5% 以試探市場反應(yīng)，并表示 NAND 閃存的價格已降至可變成本以下。 ? 2. 日媒：蘋果Vision Pro 給電子
2023-06-09 12:01:041328 
`3Q可控硅P管控制 半波輸出但是換N管控制，可控硅打開無法關(guān)閉。最后不得已換成4Q可控硅，請問3Q可控硅怎么控制？？求高人指導(dǎo)，非常感謝?。。。?！`
2019-03-08 21:36:48
感動上游晶圓代工業(yè)者再次友情贊助，LCD驅(qū)動IC及MOSFET芯片價格的調(diào)漲動作已是勢在必行，臺系MOSFET芯片供應(yīng)商指出，第4季價格漲幅應(yīng)會在10%以上，而且，這已是公司先吸收不少晶圓生產(chǎn)成本的結(jié)果，后續(xù)不排除MOSFET芯片價格還會持續(xù)上升。
2020-10-15 16:30:57
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚.許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
單恐不可避免，在客戶端可能面臨庫存調(diào)整之下，晶圓代工產(chǎn)業(yè)下半年恐旺季不旺。 臺積電第2季營收估達101至104億美元，季減2.04至季增0.87%，仍有機會續(xù)寫新猷，雙率也將續(xù)站穩(wěn)高檔；雖然客戶需求
2020-06-30 09:56:29
+ 4HNO3 + 6 HF? 3H2SiF6 +4 NO + 8H2O 拋光：機械研磨、化學(xué)作用使表面平坦，移除晶圓表面的缺陷八、晶圓測試主要分三類：功能測試、性能測試、抗老化測試。具體有如:接觸測試
2019-09-17 09:05:06
`晶圓的結(jié)構(gòu)是什么樣的？1 晶格：晶圓制程結(jié)束后，晶圓的表面會形成許多格狀物，成為晶格。經(jīng)過切割器切割后成所謂的晶片 2 分割線：晶圓表面的晶格與晶格之間預(yù)留給切割器所需的空白部分即為分割線 3
2011-12-01 15:30:07
貨力道強，月底前不會跌價。全球DRAM業(yè)式微，NAND Flash成主流，金士頓等國內(nèi)記憶體模塊業(yè)去年起皆將重心轉(zhuǎn)至Nand flash產(chǎn)品線。蘇治源表示，Kingston目前在全球DRAM模塊市占穩(wěn)
2022-02-10 12:26:44
地址和各種存儲器類型一、存儲器類型思維導(dǎo)圖如圖所示：二、探究S3C2440啟動地址1.為什么nand啟動地址是4096？指令：ldr sp, = 4096因為S3C2440的nand控制器會自動把nand flash中前4K代碼數(shù)據(jù)搬到內(nèi)部SRAM（0x4000,0000）中，同時還把這塊S..
2022-02-15 07:30:08
STM32的存儲器、電源和時鐘體系-第3季第2部分視頻課程 互聯(lián)網(wǎng)課程品牌《...
2021-08-03 06:55:48
flash中運行。嵌入式系統(tǒng)多用一個小容量的nor flash存儲引導(dǎo)代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
面對半導(dǎo)體硅晶圓市場供給日益吃緊，大廠都紛紛開始大動作出手搶貨了。前段時間存儲器大廠韓國三星亦到中國***地區(qū)擴充12寸硅晶圓產(chǎn)能，都希望能包下環(huán)球硅晶圓的部分生產(chǎn)線。難道只因半導(dǎo)體硅晶圓大廠環(huán)球晶
2017-06-14 11:34:20
的變化。 需求不足跌價成必然2018年NAND閃存之所以大降價，一個關(guān)鍵原因就是64層堆棧的3DNAND閃存大規(guī)模量產(chǎn)，實現(xiàn)了從32層／48層堆棧到64層堆棧的飛躍，使得NAND閃存每GB成本降至8美分
2021-07-13 06:38:27
?過去存儲器與晶圓代工業(yè)大致上可以說是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器
2018-12-24 14:28:00
未來DDR4、NAND Flash存儲器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
如圖 2 所示，DINOR閃速存儲器如圖 3 所示，AND閃速存儲器單元的結(jié)構(gòu)如圖 4 所示。市場上銷售的閃速存儲器基本上就是NOR及NAND兩種，其中只有NAND閃速存儲器的單元是串聯(lián)的，其他所有類型
2018-04-09 09:29:07
記憶。浮置柵被設(shè)計成可以存儲電荷的構(gòu)造，柵極及主板利用氧化膜進行了絕緣處理，一次積累的電荷可以長時間（10 年以上）保持。當(dāng)然，如果氧化膜存在缺陷，或者由于某種原因使絕緣膜遭到破壞，那么閃速存儲器將失去
2018-04-10 10:52:59
DDR3成主流產(chǎn)品 海力士增NAND Flash產(chǎn)能
據(jù)彭博(Bloomberg)報導(dǎo)，海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時，海力士
2010-01-20 09:25:34856 形勢大好 晶圓雙雄訂單大增
晶圓代工廠2010年第1季業(yè)績可望超乎預(yù)期，原本業(yè)界預(yù)計晶圓雙雄臺積電、聯(lián)電第1季業(yè)績將出現(xiàn)些微衰退，但近期因
2010-01-20 10:19:44645 海力士第4季獲利6,570億韓元 創(chuàng)3年新高
全球第2大計算機存儲器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財報，隨著全球個人計算機(PC)景氣回溫，海力士獲利創(chuàng)下3年來新高
2010-01-22 09:57:50883 太陽能硅晶圓2Q醞釀飆漲15%
近期太陽能硅晶圓報價出現(xiàn)戲劇性走勢，大陸諸多代表性硅晶圓廠看準(zhǔn)第2季硅晶圓仍缺貨走勢，6寸多
2010-03-18 09:18:37659 
面板第2季恐小跌 第3季需求強
市調(diào)機構(gòu)指出4月部分尺寸面板價格有下跌壓力，但是否供過于求仍待觀察。但面板廠主管認(rèn)為，第2
2010-04-10 09:40:08456 封測業(yè)第3季成長性優(yōu)于晶圓代工業(yè)，盡管對于第3季看法保守，但基于銅打線封裝市場大餅仍有成長空間，日月光和矽品維持原先規(guī)劃，持續(xù)加碼擴充，不過，仍需視第4季市況才能確認(rèn)
2011-08-09 09:12:32656 2012年第1季臺灣整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值3，601億元，較2011年第4季衰退3.1％，雖受到傳統(tǒng)淡季影響，但不同于以往下滑1成的幅度，今年第1季臺灣IC產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)相對抗跌。展望第2季，工研院
2012-05-22 08:40:25860 晶圓代工龍頭臺積電力拚28納米擴產(chǎn)，隨著良率拉升到8成以上，及中科12寸廠Fab15新產(chǎn)能大量開出，本季已安裝產(chǎn)能（installed capacity）較上季大增3倍，為第4季營運淡季不淡埋下伏筆。
2012-08-20 08:38:03805 2012年第3季日本半導(dǎo)體龍頭廠東芝（Toshiba）營收較第2季成長10%，為2，095億日圓（約26億美元），營業(yè)利益亦由第2季虧損10億日圓轉(zhuǎn)為獲利100億日圓以上，主要原因在于東芝記憶體出貨增
2012-11-29 09:39:591166 蘋果（Apple）于2014年9月推出iPhone 6/ 6 Plus以來，2014年第4季至2015年第2季iPhone出貨量年成長率皆超過5成，至2015年第3季仍有36.0%的年成長。
2016-01-08 09:12:06996 Siltronic均傳出調(diào)漲2017年第1季12寸硅晶圓價格約10~20%，包括臺積電、聯(lián)電、美光（Micron）等半導(dǎo)體大廠都被迫買單。面對半導(dǎo)體硅晶圓產(chǎn)業(yè)恐醞釀近16年來最大一波景氣向上循環(huán)，業(yè)界紛關(guān)注硅晶圓后續(xù)價格走勢。
2016-12-21 09:30:561358 今年以來半導(dǎo)體硅晶圓市場供貨吃緊，出現(xiàn)8年來首度漲價。一季度12吋硅晶圓合約價已上調(diào)10%以上，業(yè)界預(yù)計二季度合約價有望再調(diào)漲1成，且漲勢將蔓延到8吋硅晶圓。
2017-02-23 10:25:351426 技術(shù)的基礎(chǔ)上， 該公司運用其深厚的重直整合能力，開發(fā)出X4 3D NAND技術(shù)，包括硅晶圓加工、裝置工程（在每個存儲節(jié)點上提供16個不同的資料等級）、和系統(tǒng)專門技術(shù)（用于整體閃存管理）。
2017-07-26 16:07:111246 紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地主要將生產(chǎn)3D NAND FLASH存儲芯片和DRAM存儲器芯片，一期占地約700畝，二期占地約800畝;這也是紫光擬在武漢投資控制長江存儲、在成都打造晶圓廠，另一個紫光大型的存儲器生產(chǎn)南京基地也已經(jīng)實質(zhì)啟動。
2017-11-28 12:54:402401 半導(dǎo)體硅晶圓今年供需缺口恐將擴大，預(yù)估今年12英寸硅晶圓缺口可能達3%至4%，明年也將持續(xù)供不應(yīng)求，預(yù)期到2020年將可供需平衡，2018年硅晶圓報價將逐季上漲。
2018-01-27 10:55:474967 三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產(chǎn)比重，傳已在2017年第4季突破80%，三星計劃除了部分車用產(chǎn)品外，2018年將進一步提升3D NAND生產(chǎn)比重至90%以上，全面進入3D NAND時代。
2018-07-06 07:02:001447 目前存儲器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過于求，價格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場價格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:001193 。 近期受到全球智能手機市場進入傳統(tǒng)淡季，且第1季市場買氣較預(yù)期更為疲弱，導(dǎo)致移動式存儲器平均合約價漲幅已較過去幾季明顯收斂，市場預(yù)估，第1季移動式存儲器產(chǎn)值成長幅度平緩，價格也將由漲幅約5%縮減為3%左右
2018-07-09 11:07:001899 另一方面，南茂為了彌補流失的美光DRAM封測訂單，多元布局各家存儲器客戶，在非DRAM領(lǐng)域大啖華邦電、旺宏、晶豪科NAND、NOR Flash訂單，從目前臺廠計劃來看，快閃存儲器需求仍相當(dāng)暢旺。市場
2018-06-29 14:26:002808 
2017 年第四季為傳統(tǒng)旺季，在智能手機市場需求轉(zhuǎn)強的預(yù)期效應(yīng)，以及北美數(shù)據(jù)中心需求強勁的帶動下，主要供應(yīng)商紛紛提高 2017 年第四季移動式存儲器價格。整體而言，2017 年第四季移動式存儲器漲幅平均落在 10%~15%，產(chǎn)值達 80 億美元，較前一季成長 23.6%，產(chǎn)值再攀新高。
2018-06-13 08:07:001186 
存儲器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機內(nèi)存(如DDR)和手機內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33113864 4月11日，長江存儲以芯存長江，智儲未來為主題，慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長江存儲新建的國家存儲器基地項目（一期）一號生產(chǎn)及動力廠房實現(xiàn)提前封頂，2018年2月份進行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，正是為4月搬入機臺設(shè)備而準(zhǔn)備，預(yù)計很快就可以實現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:0010302 NAND 存儲器制程轉(zhuǎn)換遭遇瓶頸，采用3D堆疊技術(shù)為主要解決方案。3D產(chǎn)能目前三星投產(chǎn)率、良率最高，其 64 層 3D-NAND 三季度已進入量產(chǎn)階段，3D產(chǎn)出占投產(chǎn)量達 50%，其他廠商亦在Q3
2018-05-06 07:05:0010664 
晶電董事長李秉杰在致股東報告書中指出，中國大陸于去年第4季擴產(chǎn)產(chǎn)能開出后，新產(chǎn)能過剩問題影響LED市場平衡，預(yù)期今年第3季需求可望回溫，公司將以市場新技術(shù)，如Mini LED應(yīng)用的手機產(chǎn)品或雷射應(yīng)用等，來平衡產(chǎn)能過剩的影響。
2018-06-19 14:27:001349 臺積電法說會在即，雖市場傳出第3季營運仍遇低潮，不過，第4季在蘋果、華為、英偉達等訂單逐漸回流之下，法人預(yù)期第4季營運將攀上全年高峰，營收突破兆元大關(guān)，仍可維持5%至10%年成長。
2018-07-18 16:18:001866 未來NAND Flash產(chǎn)品若采用可儲存4位元資料的QLC技術(shù)，可望較TLC技術(shù)多儲存約33%的資料量，不過，隨著每一儲存單元的儲存資料量增加，壽命亦將跟著降低，為改善這方面的缺點，存儲器業(yè)者計劃透過控制器技術(shù)研發(fā)進行改善。
2018-06-01 11:35:379020 晶電去年營運寫下近三年新高，Mini LED布局是今年市場關(guān)注焦點。晶電昨（25）日表示，Mini LED預(yù)計今年第4季小量出貨，估計2020年營收占比達三至四成，并可顯著提升公司毛利率與獲利。
2018-06-26 16:32:001742 區(qū)間，今年來累積價格跌幅約達3成，價格雖改寫市場新低紀(jì)錄，但卻明顯帶動終端市場需求，SSD出貨量持續(xù)拉升。
2018-06-26 15:39:494535 
晶電第3季四元LED需求比第2季更熱絡(luò)，產(chǎn)能滿載且持續(xù)增加，手機背光需求也回溫；Mini LED電競應(yīng)用陸續(xù)找到解決方案，可望于第4季問世，且需求動能可期，手機應(yīng)用部分，目前晶電所提出的解決方案受到客戶肯定，但出貨時程仍得視客戶的產(chǎn)品與市場規(guī)劃。
2018-07-31 16:44:001787 隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競爭激烈，其中，三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報道稱，東芝存儲器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴大出貨，代表著NAND Flash市場霸主之爭正式拉開序幕。
2018-08-05 11:50:161646 存儲器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，2015年半導(dǎo)體存儲器市場總額達835億美元。各類存儲器中，NAND Flash是一個亮點。其廣泛應(yīng)用于PC、手機、服務(wù)器等各類電子產(chǎn)品，2015年營收達到267億美元，占半導(dǎo)體存儲器市場總額的32%。
2018-08-13 09:01:001863 LED廠晶電第2季獲利明顯減少，不過展望第3季，法人預(yù)估，該公司業(yè)績有機會回溫，增加高個位數(shù)百分比，且獲利增幅有機會大于營收。
2018-08-17 09:21:001688 日前，主要的硅晶圓供應(yīng)商環(huán)球晶表示，目前半導(dǎo)體硅晶圓供應(yīng)仍缺，公司產(chǎn)能至明年都已全滿，且2020年的訂單已接滿五成。以今年的硅晶圓價格走勢來看，環(huán)球晶表示，預(yù)期今年報價會逐季上漲，全年相對于2017年將是雙位數(shù)的增幅。
2018-08-19 11:45:361266 在經(jīng)過1年多的跌價之后，電視面板第3季迎來旺季，除出貨量成長以外，電視面板價格7、8月持續(xù)調(diào)漲，預(yù)估8月55吋以下漲幅約2－3美元。
2018-08-22 15:44:57830 據(jù)調(diào)研機構(gòu)CMR在2018年3月的統(tǒng)計報告《India Consumer Storage Flash Memory Market Review》，2018年第1季印度的消費性存儲器市場較上一季
2018-08-22 16:49:011122 《DIGITIMES Research智能手機AP關(guān)鍵報告》顯示，2018年第3季全球智能手機應(yīng)用處理器（Application Processor；AP）出貨預(yù)估將達4.5億套，相較第2季季成長
2018-09-04 14:36:044128 根據(jù)紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲器制造基地項目開工動員活動在成都雙流自貿(mào)試驗區(qū)舉行。官方稱紫光成都存儲器制造基地占地面積約1200畝，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。
2018-10-16 15:58:402936 近日，隆達披露了2018年第3季財報，第3季合并營收30．07億元（新臺幣，下同），季增0．8％，年減5％；營業(yè)毛利率17．4％，季增2．6個百分點，年增1．9個百分點；稅后凈利1．1億元，季增120％，年增162％；基本每股盈余0．22元，連續(xù)兩季獲利。
2018-11-09 14:46:421623 在NAND Flash價格跌幅持續(xù)擴大的環(huán)境下，存儲器原廠Q3財報卻表現(xiàn)搶眼。其主要是因為三星、蘋果、華為等高端旗艦機容量向512GB升級，以及SSD向高容量轉(zhuǎn)移需求帶動下，F(xiàn)lash原廠NAND
2018-11-19 18:56:435301 另外，LGD第3季電視面板出貨量1228萬片，較第2季增長5%。因LGD持續(xù)推動產(chǎn)品大尺寸化，第3季65英寸以上大尺寸面板出貨數(shù)量較第2季成長40%，在55、65、75英寸等大尺寸，及高端產(chǎn)品保持領(lǐng)先地位。
2018-11-29 15:41:533659 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2018-12-25 14:39:563714 晶圓代工大廠聯(lián)電 29 日公布 2018 年第 4 季營收。根據(jù)資料顯示，2019 年第 4 季合并營收為355.2 億元（新臺幣，下同），較第 3 季 393.9 億元減少 9.8%，與 2017
2019-01-30 15:19:243054 半導(dǎo)體硅晶圓市況反轉(zhuǎn)，法人預(yù)期，第1季硅晶圓市場恐將轉(zhuǎn)為供給過剩，第2季市況可能進一步惡化，現(xiàn)貨價將跌逾1成。
2019-03-13 16:58:183741 SK海力士今年第一季財報和當(dāng)初預(yù)期相同，受存儲器行情影響，營收和營益驟減，對此SK海力士準(zhǔn)備以強化技術(shù)、調(diào)整生產(chǎn)線應(yīng)對市場，預(yù)計今年NAND晶圓投入量將比去年減少10％以上。
2019-04-25 19:23:191116 SEMI（國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）旗下Silicon Manufacturers Group（SMG）公布最新一季硅晶圓產(chǎn)業(yè)分析報告。
2019-05-05 10:58:021858 5月16日消息，小米路由器4Q（R4C）迎來OTA升級，大家會在接下來2-3周陸續(xù)收到更新，想嘗鮮的用戶也可前往小米路由器官網(wǎng)手動升級。其他機型的升級也在研發(fā)中，會繼續(xù)和大家同步。
2019-05-16 11:13:347000 下滑近5成，NAND近4成。
不過，隨需求陸續(xù)回溫與價格變化帶出庫存回補動能，集邦預(yù)期存儲器價格在2020年止跌反彈。
技術(shù)發(fā)展方面，吳雅婷指出，現(xiàn)有存儲器面臨制程持續(xù)微縮
2019-06-06 16:36:373382 因應(yīng)智慧手機全屏幕化趨勢，晶電推出混光區(qū)域趨近于零的芯片，已導(dǎo)入多家手機大廠應(yīng)用，其中，以陸系品牌量最大；此外，開發(fā)的客制化發(fā)光角度Mini LED芯片，應(yīng)用于多款高階電競筆電，已陸續(xù)出貨，客戶端有望在第4季推出搶市，帶動晶電第3季訂單量季增上看10%。
2019-08-29 15:17:271834 LED車燈模塊廠麗清第3季業(yè)績逐漸回穩(wěn)，法人預(yù)估第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈，今年LED頭燈出貨占比可望提升到1成。
2019-09-04 11:30:291272 長江存儲科技（YMTC）本周早些時候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:162374 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:411115 晶圓代工廠聯(lián)電第4季受惠客戶需求回溫，產(chǎn)能利用率逾9成，法人估營收將季增1成，明年首季雖然適逢淡季，但受惠產(chǎn)能利用率持續(xù)提升，營收可望持平第4季，并看好明年RF SOI的8英寸營收占比將達雙位數(shù)，整體8英寸晶圓代工產(chǎn)能利用率將持續(xù)拉升。
2019-12-26 13:57:382442 在此前高調(diào)地宣布“分道揚鑣”之后，英特爾近日又與美光簽署了新的 3D XPoint 存儲器晶圓供應(yīng)協(xié)議。分析人士指出，鑒于英特爾是當(dāng)前唯一的 3D XPoint 制造商，其需要向美光支付較以往更多的費用。
2020-03-17 14:21:142526 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲器的量產(chǎn)工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲器的層數(shù)達到了 128 層。
2020-04-02 11:26:522011 良好的設(shè)計是成功制造非易失性存儲器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵，包括測試和驗證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級別進行質(zhì)量控制測試。新興的非易失性存儲器技術(shù)的制造和測試，這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng)，人工智能以及先進
2020-06-09 13:46:161487 
業(yè)界人士預(yù)期，8英寸晶圓代工價格第4季可能調(diào)漲1成，聯(lián)電與世界先進運營有望受惠。此外，8英寸晶圓產(chǎn)能供不應(yīng)求，市場預(yù)期DDI、PMIC或?qū)⑷绷系?021年初。
2020-09-23 09:43:592479 %，達345萬臺規(guī)模；展望第4季，需求將延續(xù)，預(yù)估出貨量將季增1成。以2020全年而言，由于第1季受疫情重創(chuàng)供需兩面，雖其后出貨逐季增加，全年仍恐衰減3%，惟幅度較2019年減緩。 責(zé)任編輯：xj 原文標(biāo)題：【調(diào)研】3Q全球AIO PC出貨量持續(xù)季增2成 蘋果動能強 文章出處：【微信公眾號：D
2020-11-02 10:57:152165 
，然低價平板擠壓白牌平板出貨，使白牌平板出貨不如預(yù)期；至于蘋果(Apple)平板則因教育平板需求趨緩，出貨少于第2季。預(yù)期第4季因東南亞、印度、拉美等地訂單增加，且代工產(chǎn)能充足，全球平板計算機出貨量將創(chuàng)下13季以來新高，并較上季成長7.3%。 責(zé)任編輯：xj 原文標(biāo)題：【調(diào)研】4Q全球平板出貨
2020-11-13 15:06:181755 %、ROM比重45%。 另外，在晶圓產(chǎn)能供應(yīng)吃緊下，旺宏的代工業(yè)務(wù)營收較第3季大增17%，年增75%，整體營收占比為9%。 盧志遠指出
2021-01-29 09:50:392148 地址和各種存儲器類型一、存儲器類型思維導(dǎo)圖如圖所示：二、探究S3C2440啟動地址1.為什么nand啟動地址是4096？指令：ldr sp, = 4096因為S3C2440的nand控制器會自動把nand flash中前4K代碼數(shù)據(jù)搬到內(nèi)部SRAM（0x4000,0000）中，同時還把這塊S..
2021-12-14 19:08:21
4 在存儲器領(lǐng)域中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）是應(yīng)用最高的品類，產(chǎn)品市占率約60%；其次是NAND約占36%，NOR Flash 的份額非常小，約3%。
2022-06-17 11:02:372393 
據(jù)集邦咨詢預(yù)估，2023年全球晶圓代工8吋年均產(chǎn)能增幅約3%、12吋約年增8%，與2022年相較呈現(xiàn)大幅收斂。在全球總體經(jīng)濟能見度低迷，電子產(chǎn)品消費力道未見起色的市況下，晶圓廠制程多角化及獨特性發(fā)展成為晶圓代工廠營運關(guān)鍵。
2022-10-20 13:49:241887 最近，三星集團援引業(yè)界有關(guān)負責(zé)人的話表示，計劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:175564 據(jù)TrendForce的研究顯示，第4季DRAM與NAND Flash均價將開始全面上漲。特別是DRAM，預(yù)計第4季的合約價將季漲幅約在3%到8%之間。然而，這波上漲是否能持續(xù)，取決于供應(yīng)商是否堅守減產(chǎn)策略以及實際需求的回升程度，尤其值得關(guān)注的領(lǐng)域是通用型服務(wù)器。
2023-10-16 09:17:181116 展望本季顯示器市況，友達認(rèn)為，出貨面積季減約15%；以美元計價的平均單價（ASP）略增1%至3%。第3季產(chǎn)能利用率約八成，第4季會略降些。他指出，友達積極推動雙軸轉(zhuǎn)型，加強在垂直場域的應(yīng)用，可望有雙位數(shù)的成長。
2023-11-21 17:12:061158 
2023年q3，三星依然是市場第1位，鎧俠、美光只是銷售下滑的第2個企業(yè)。nand的銷售額維持了與q2相同的水平，約29億美元。市場占有率為31.4%，平均單價反彈1~3%。
2023-12-05 17:16:251497 
NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲器，具有多個顯著優(yōu)點，這些優(yōu)點使其在數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對NAND Flash優(yōu)點的詳細闡述，并簡要探討與其他類型存儲器的區(qū)別。
2024-08-20 10:24:441952 在存儲芯片（DRAM/NAND）制造中，晶圓劃片是將整片晶圓分割成單個芯片（Die）的關(guān)鍵后道工序。隨著芯片尺寸不斷縮小、密度持續(xù)增加、晶圓日益變薄（尤其對于高容量3DNAND），傳統(tǒng)劃片工藝帶來
2025-08-08 15:38:061028 
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