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T5503HS2高速存儲(chǔ)器芯片測(cè)試系統(tǒng) 傳輸率高達(dá)6.4Gbps

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硬盤內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率

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2009-12-25 15:20:10682

硬盤外部數(shù)據(jù)傳輸率

硬盤外部數(shù)據(jù)傳輸率            硬盤數(shù)據(jù)傳輸率的英文拼寫為Data Transfer
2009-12-25 15:21:49494

軟驅(qū)的安裝方式/數(shù)據(jù)傳輸率

軟驅(qū)的安裝方式/數(shù)據(jù)傳輸率  安裝方式     
2009-12-26 15:29:52694

#硬聲創(chuàng)作季 01-高速緩沖存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

存儲(chǔ)器高速
發(fā)布于 2022-10-26 22:46:03

磁帶機(jī)的持續(xù)傳輸率

磁帶機(jī)的持續(xù)傳輸率    持續(xù)傳輸率 (Sustained Transfer Rate)是指單位時(shí)間內(nèi),磁頭把數(shù)據(jù)寫入磁帶或從磁帶讀出的穩(wěn)定的速率,而不是突發(fā)的數(shù)值。單位通常是Mb
2010-01-09 08:56:27990

磁盤陣列的平均傳輸率

磁盤陣列的平均傳輸率              平均傳輸率是指數(shù)據(jù)從磁盤陣列的硬盤里讀出送到外部主機(jī)或其他地方的穩(wěn)定速
2010-01-09 09:59:45992

SAN網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器傳輸速度

SAN網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器傳輸速度              傳輸速度通常是指光纖交換機(jī)的端口傳輸速度或光纖通道卡的傳輸速度。一般
2010-01-09 13:43:331964

便攜存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)傳輸率

便攜存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)傳輸率            便攜存儲(chǔ)是依靠USB接口與系統(tǒng)相連,其接口的速度就限制著移動(dòng)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸率。目前
2010-01-09 14:50:371126

什么是U盤的數(shù)據(jù)傳輸率

什么是U盤的數(shù)據(jù)傳輸率     便攜存儲(chǔ)是依靠USB接口與系統(tǒng)相連,其接口的速度就限制著移動(dòng)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸率。目前的US
2010-01-30 10:21:25763

U盤的寫入數(shù)據(jù)傳輸率

U盤的寫入數(shù)據(jù)傳輸率      U盤是依靠USB接口與系統(tǒng)相連,其接口的速度就限制著移動(dòng)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸率。目前的USB1.1接口能提供12Mbps;USB 2.0
2010-01-30 10:25:41854

高速緩沖存儲(chǔ)器部件結(jié)構(gòu)及原理解析

高速緩沖存儲(chǔ)器部件結(jié)構(gòu)及原理解析 高速緩存 CACHE用途 設(shè)置在 CPU 和 主存儲(chǔ)器之間,完成高速與 CPU交換信息,盡量避免 CPU不必要地多次直
2010-04-15 11:18:505035

磁帶機(jī)的壓縮后傳輸率

磁帶機(jī)的壓縮后傳輸率   壓縮后傳輸率是指磁帶數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)壓縮后,磁頭所讀取數(shù)據(jù)的速率。單位通常是Mb/s(兆位/秒)。    主流磁帶機(jī)技術(shù)的壓縮后傳
2010-01-09 08:58:161021

NI新款PXI影像擷取卡傳輸率達(dá)850MB/s

NI新推出 NI PXIe-1435 高效能 Camera Link 影像擷取卡,可于 PXI 系統(tǒng)中整合高速、高分辨的成像功能,適用于自動(dòng)化測(cè)試作業(yè)。該產(chǎn)品具備高傳輸率成像功能,搭配現(xiàn)成的 PXI 量測(cè)硬件,讓
2011-07-16 09:20:061238

故障芯片重利用的三維存儲(chǔ)器成品提高方法

故障芯片重利用的三維存儲(chǔ)器成品提高方法_劉軍
2017-01-07 21:28:580

高速緩沖存儲(chǔ)器的特點(diǎn)解說(shuō)

高速緩沖存儲(chǔ)器是存在于主存與CPU之間的一級(jí)存儲(chǔ)器, 由靜態(tài)存儲(chǔ)芯片(SRAM)組成,容量比較小但速度比主存高得多, 接近于CPU的速度。在計(jì)算機(jī)技術(shù)發(fā)展過(guò)程中,主存儲(chǔ)器存取速度一直比中央處理操作速度慢得多
2017-11-15 10:08:0811646

基于FT245R芯片存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng)USB接口的設(shè)計(jì)

接口電路是測(cè)試系統(tǒng)與外部計(jì)算機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸的通道,是存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng)的重要組成部分。眾所周知,串口使用受波特的限制,制約了存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng)與計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)傳輸的效率。并行傳輸是一種效率較高的傳輸方式,利用
2017-11-30 08:38:587447

一種多功能存儲(chǔ)器芯片測(cè)試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)詳解

本文提出了一種多功能存儲(chǔ)器芯片測(cè)試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),對(duì)各種數(shù)據(jù)位寬的多種存儲(chǔ)器芯片(SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等)進(jìn)行了詳細(xì)的結(jié)口電路設(shè)計(jì)
2018-06-19 14:08:002570

fifo存儲(chǔ)器芯片型號(hào)有哪些

時(shí)丟失數(shù)據(jù);2)數(shù)據(jù)集中起來(lái)進(jìn)行進(jìn)機(jī)和存儲(chǔ),可避免頻繁的總線操作,減輕CPU的負(fù)擔(dān);3)允許系統(tǒng)進(jìn)行DMA操作,提高數(shù)據(jù)的傳輸速度。這是至關(guān)重要的一點(diǎn),如果不采用DMA操作,數(shù)據(jù)傳輸將達(dá)不到傳輸要求,而且大大增加CPU的負(fù)擔(dān),無(wú)法同時(shí)完成數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)工作。下面為大家介紹了幾種fifo存儲(chǔ)器芯片。
2018-04-08 16:11:3226306

內(nèi)存儲(chǔ)器的分類

內(nèi)存儲(chǔ)器包括寄存高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)和主存儲(chǔ)器。寄存在CPU芯片的內(nèi)部,高速緩沖存儲(chǔ)器也制作在CPU芯片內(nèi),而主存儲(chǔ)器由插在主板內(nèi)存插槽中的若干內(nèi)存條組成。內(nèi)存的質(zhì)量好壞與容量大小會(huì)影響計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度。
2019-01-07 16:54:3235724

如何使用eMMC陣列進(jìn)行高速固態(tài)存儲(chǔ)器的研究與設(shè)計(jì)

基于eMMC陣列的高速固態(tài)存儲(chǔ)器的研究與設(shè)計(jì)動(dòng)態(tài)測(cè)試技術(shù)的快速發(fā)展使得高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器變得越來(lái)越重要。為了滿足高帶寬和大容量存儲(chǔ)的要求,傳統(tǒng)的方式為采用FLASH陣列的方式。然而,NANDFLASH
2020-01-07 10:23:0033

存儲(chǔ)器和新興非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的特點(diǎn)

良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵,包括測(cè)試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級(jí)別進(jìn)行質(zhì)量控制測(cè)試。新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的制造和測(cè)試,這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng),人工智能以及先進(jìn)
2020-06-09 13:46:161487

DDR SDRAM是擁有著雙倍數(shù)據(jù)傳輸率的SDRAM

DDR SDRAM是具有雙倍數(shù)據(jù)傳輸率的SDRAM,其數(shù)據(jù)傳輸速度為系統(tǒng)時(shí)鐘頻率的兩倍,由于速度增加,其傳輸性能優(yōu)于傳統(tǒng)的SDRAM。DDR SDRAM 在系統(tǒng)時(shí)鐘的上升沿和下降沿都可以進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸
2020-07-16 15:44:102742

FLASH存儲(chǔ)器測(cè)試程序原理和幾種通用的測(cè)試方法

、生產(chǎn)、應(yīng)用企業(yè)。為保證芯片長(zhǎng)期可靠的工作,這些企業(yè)需要在產(chǎn)品出廠前對(duì)FLASH存儲(chǔ)器進(jìn)行高速和細(xì)致地測(cè)試,因此,高效FLASH存儲(chǔ)器測(cè)試算法的研究就顯得十分必要。
2020-08-13 14:37:298221

存儲(chǔ)器和數(shù)字芯片測(cè)試的基本測(cè)試技術(shù)

存儲(chǔ)器芯片是在特定條件下用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)字信息的芯片存儲(chǔ)的信息可以是操作代碼,數(shù)據(jù)文件或者是二者的結(jié)合等。根據(jù)特性的不同,存儲(chǔ)器可以分為以下幾類,如表1所示:
2020-08-19 10:32:144816

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其測(cè)試

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其測(cè)試說(shuō)明。
2021-03-19 16:11:4835

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其測(cè)試.pdf

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其測(cè)試.pdf(匯編語(yǔ)言嵌入式開(kāi)發(fā))-半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其測(cè)試.pdf半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其測(cè)試.pdf
2021-07-30 09:39:3073

PLC系統(tǒng)存儲(chǔ)器與用戶存儲(chǔ)器的功能

PLC系統(tǒng)存儲(chǔ)器與用戶存儲(chǔ)器的功能(嵌入式開(kāi)發(fā)板有哪些功能接口)-該文檔為PLC系統(tǒng)存儲(chǔ)器與用戶存儲(chǔ)器的功能總結(jié)文檔,是一份很不錯(cuò)的參考資料,具有較高參考價(jià)值,感興趣的可以下載看看………………
2021-08-04 09:47:1012

基于eMMC陣列的高速固態(tài)存儲(chǔ)器的研究與設(shè)計(jì)

基于eMMC陣列的高速固態(tài)存儲(chǔ)器的研究與設(shè)計(jì)(嵌入式開(kāi)發(fā)板怎么選擇)-本文首先對(duì)eMMC5.0規(guī)范進(jìn)行了研究總結(jié),并在此基礎(chǔ)上根據(jù)系統(tǒng)指標(biāo)提出了整體設(shè)計(jì)方案。存儲(chǔ)器以FPGA作為主控制,按照功能
2021-08-04 13:30:1231

江波龍電子新置愛(ài)德萬(wàn)全球首臺(tái)T5503HS2ES測(cè)試系統(tǒng)

全能型測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試下一代LPDDR5和DDR5器件的同時(shí)也兼容測(cè)試現(xiàn)今的DDR4、LPDDR4及高帶寬存儲(chǔ)器器件。作為T5503HS2的工程版本,One Station的配置讓研發(fā)階段的程序開(kāi)發(fā)
2021-09-03 11:40:544246

磁盤存儲(chǔ)器存儲(chǔ)容量怎么算

磁盤存儲(chǔ)器是以磁盤為存儲(chǔ)介質(zhì)的存儲(chǔ)器,它具備數(shù)據(jù)傳輸率高、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)可以長(zhǎng)期保存以及存儲(chǔ)容量大的優(yōu)點(diǎn),那么一個(gè)磁盤存儲(chǔ)器存儲(chǔ)容量應(yīng)該怎么去計(jì)算它的大小呢?
2022-01-29 16:37:0014444

系統(tǒng)存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)——高速緩存詳解

? ? ? 存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次化結(jié)構(gòu)可以分為5級(jí):寄存組、高速緩存Cache、主存、虛擬存儲(chǔ)器和外部存儲(chǔ)器。其中,寄存組總是在CPU內(nèi)部,程序員可通過(guò)寄存名訪問(wèn),無(wú)總線操作,訪問(wèn)速度最快;其余4級(jí)
2022-06-18 20:47:107216

存儲(chǔ)器芯片類別有哪些?

存儲(chǔ)器芯片屬于通用集成電路,是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲(chǔ)行業(yè)的具體應(yīng)用。其原理是通過(guò)在單一芯片中嵌入軟件,實(shí)現(xiàn)多功能和高性能,以及對(duì)多種協(xié)議、多種硬件和不同應(yīng)用的支持。那么存儲(chǔ)器芯片有哪些常見(jiàn)的種類呢?國(guó)內(nèi)又有哪些知名存儲(chǔ)器芯片廠商呢?
2022-08-09 17:33:055188

佰維存儲(chǔ)自研測(cè)試系統(tǒng)+Advantest高端設(shè)備引入,進(jìn)一步夯實(shí)自身先進(jìn)封測(cè)能力布局

制造廠房成功裝機(jī),進(jìn)一步強(qiáng)化公司自身全棧存儲(chǔ)芯片測(cè)試能力。T5503HS2測(cè)試速率高達(dá) 8Gbps ,測(cè)試精度在 ±45皮秒 ,滿足佰
2023-02-08 10:40:461542

高速存儲(chǔ)器測(cè)試的KGD解決方案

 與隨著DRAM和高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)本機(jī)速度能力的提高,最新的內(nèi)存正在超過(guò)2 GHz(4 Gbps),這就對(duì)現(xiàn)有的ATE測(cè)試提出了更高的限制。
2023-05-19 15:03:482664

什么是外部存儲(chǔ)器

。存儲(chǔ)密度分為道密度、位密度和面密度。 數(shù)據(jù)傳輸率——磁表面存儲(chǔ)器在單位時(shí)間內(nèi)向主機(jī)傳送數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)
2023-05-26 11:27:063141

JESD204B:高達(dá)12.5Gbps高速數(shù)據(jù)采集的新替代方案

您的PCB可以處理高達(dá)12.5Gbps的速度嗎,感到驚訝,對(duì)嗎?JESD204B標(biāo)準(zhǔn)為串行接口提供高達(dá)12.5Gbps的比特。這種升級(jí)允許設(shè)計(jì)人員在FPGA/ASIC上使用更少的收發(fā),從而減少I
2023-05-26 14:50:572106

國(guó)產(chǎn)1.5Gbps高速接口芯片概述

芯片用于超高速雙向點(diǎn)對(duì)點(diǎn)數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng),支持 0.6Gbps 至 1.5Gbps 的有效串行接口速度,提供高達(dá)1.2Gbps 的有效數(shù)據(jù)帶寬。
2023-08-29 10:29:272837

存儲(chǔ)器HS4MANSQ1A-DS1在智能車載終端(T-BOX)中的應(yīng)用方案

存儲(chǔ)器HS4MANSQ1A-DS1在智能車載終端(T-BOX)中的應(yīng)用方案
2024-03-02 10:08:501115

存儲(chǔ)器HS4MANSQ1A-DS1在電池管理系統(tǒng) (BMS)中的應(yīng)用

存儲(chǔ)器HS4MANSQ1A-DS1在電池管理系統(tǒng) (BMS)中的應(yīng)用
2024-03-28 10:02:271505

芯片中的存儲(chǔ)器有哪些

芯片中的存儲(chǔ)器芯片功能實(shí)現(xiàn)的重要組成部分,它們負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和處理數(shù)據(jù)。根據(jù)功能、特性及應(yīng)用場(chǎng)景的不同,芯片中的存儲(chǔ)器可以分為多種類型。以下是對(duì)芯片中主要存儲(chǔ)器的詳細(xì)介紹。
2024-07-29 16:55:532992

高速緩沖存儲(chǔ)器有什么作用

)技術(shù)實(shí)現(xiàn),而不是像系統(tǒng)主存那樣使用動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)技術(shù)。SRAM具有訪問(wèn)速度快但成本較高的特點(diǎn),這使得高速緩沖存儲(chǔ)器能夠在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中提供接近CPU速度的數(shù)據(jù)訪問(wèn)能力。
2024-09-10 14:09:284406

TMS320VC5503/5507/5509 DSP外部存儲(chǔ)器接口(EMIF)參考指南

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TMS320VC5503/5507/5509 DSP外部存儲(chǔ)器接口(EMIF)參考指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-12-21 09:42:493

EMMC存儲(chǔ)器應(yīng)用場(chǎng)景分析

EMMC存儲(chǔ)器概述 EMMC存儲(chǔ)器是一種基于NAND閃存技術(shù)的存儲(chǔ)卡,它集成了閃存芯片和控制,提供了一種即插即用的存儲(chǔ)解決方案。與傳統(tǒng)的NAND閃存相比,EMMC具有更快的數(shù)據(jù)傳輸速度、更高
2024-12-25 09:26:254058

高速緩沖存儲(chǔ)器是內(nèi)存還是外存,高速緩沖存儲(chǔ)器是為了解決什么

高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)是內(nèi)存的一種特殊形式,但它與通常所說(shuō)的主存儲(chǔ)器(RAM)有所不同。在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系中,Cache位于CPU和主存儲(chǔ)器之間,用于存儲(chǔ)CPU近期訪問(wèn)過(guò)的數(shù)據(jù)或指令,以加快數(shù)據(jù)的訪問(wèn)速度。
2025-01-29 11:48:003400

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