三巨頭占據(jù)市場96%的市場份額，DRAM領(lǐng)域是如何走到今天巨頭壟斷局面的呢？訴訟不會從根本上解決巨頭聯(lián)合操縱價格的問題，更多DRAM廠商崛起形成牽制作用才是正道，國內(nèi)近幾年在DRAM上也有相當(dāng)多的投入，何時能夠?qū)崿F(xiàn)自主生產(chǎn)也是大家關(guān)心的重點話題。

4月28日，Hagens Berman事務(wù)所律師表示，他們調(diào)查發(fā)現(xiàn)三星電子、海力士和美光科技互相勾結(jié)，限制市場上各種DRAM產(chǎn)品的供應(yīng)，從而人為地推高了DRAM價格，因此該律所代表全體美國消費者，在美國加州北部地區(qū)法院向這三家企業(yè)提起集體訴訟，指控這三家DRAM供應(yīng)廠家操縱DRAM存儲器價格。

截至2017年年中，三星、海力士、美光三家制造商總共占據(jù)96%的全球DRAM芯片市場份額，其中三星大約控制三分之二。在集體訴訟指控的時間段里，DRAM的價格上漲了130%。報道稱，在同一時間段，三星電子，海力士公司和美光科技的DRAM銷售收入增長了一倍多。

該訴訟指控稱，DRAM供應(yīng)商作出“統(tǒng)一供應(yīng)決定”來限制DRAM的供應(yīng)，從而使2016年和2017年產(chǎn)品的價格暴漲，最終導(dǎo)致關(guān)鍵內(nèi)存產(chǎn)品的價格在此期間飆升。

DRAM領(lǐng)域是如何從80年代的40~50家企業(yè)，減少到目前96%市場份額只由三星、海力士、美光三家制造商壟斷狀況的？

1韓國三星是主要推手

1996-2011年間，以三星為代表的韓國半導(dǎo)體企業(yè)充分利用了存儲器行業(yè)的強周期特點，依靠政府的輸血，在價格下跌、生產(chǎn)過剩、其他企業(yè)削減投資的時候，逆勢瘋狂擴產(chǎn)，通過大規(guī)模生產(chǎn)進一步下殺產(chǎn)品價格， 從而逼競爭對手退出市場甚至直接破產(chǎn)。

在存儲器領(lǐng)域，三星一共祭出過三次“反周期定律”。

20 世紀(jì) 80 年代中期，DRAM 芯片價格不斷下探，但三星逆周期投資，繼續(xù)擴大產(chǎn)能，并開發(fā)更大容量的 DRAM。1987 年，行業(yè)出現(xiàn)轉(zhuǎn)折。美國政府發(fā)起針對日本半導(dǎo)體企業(yè)的反傾銷訴訟案，很快 DRAM 價格回升，三星開始盈利。

1996~1999 年期間，全世界 DRAM 芯片的年營銷額呈現(xiàn)負(fù)增長態(tài)勢時，三星卻在此時積極興建它的四個分廠，該策略對日后三星 DRAM 芯片營收大幅增長起到巨大作用。

2007 年初，對 DRAM 需求量大的 Vista 操作系統(tǒng)銷量不及預(yù)期，DRAM 供過于求價格下挫， 加上 08 年金融危機的雪上加霜，DRAM 顆粒價格從 2.25 美金暴跌至 0.31 美金。三星將 2007 年公司總利潤的 118%用于 DRAM 擴產(chǎn)，故意加劇行業(yè)虧損，DRAM 價格 2008 年中跌破了現(xiàn)金成本，2008 年底更是跌破了材料成本，2009 年初，德系廠商奇夢達宣布破產(chǎn)，2012 年初，日系廠商爾必達宣布破產(chǎn)，三星市占率進一步提升，穩(wěn)坐 DRAM 行業(yè)霸主之位。

到此為止，全球DRAM領(lǐng)域巨頭就只有三星、海力士和美光了。

早在1981-1995年，三星就在DRAM領(lǐng)域打下堅實基礎(chǔ)。

1981年，在韓國政府的推動下，三星、現(xiàn)代和金星大舉參與超大規(guī)模集成電路技術(shù)水平的大規(guī)模芯片生產(chǎn)，尤其類似DRAM的金屬氧化物半導(dǎo)體內(nèi)存芯片生產(chǎn)。

事實上，三星基本上引領(lǐng)了韓國DRAM 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

1982 年，三星建立了半導(dǎo)體研究與開發(fā)實驗室， 主要集中于雙極和金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)的研制；

1983 年，三星在京畿道器興地區(qū)建成首個芯片廠，并成功大批量量產(chǎn) 64K DRAM，其設(shè)計技術(shù)從美光公司獲得，加工工藝從日本夏普公司獲得，當(dāng)年三星取得了夏普“互補金屬氧化物半導(dǎo)體工藝”的許可協(xié)議。

1984 年,三星生產(chǎn)出 6 英寸晶圓并開發(fā)出了 256K DRAM,擠進全球芯片領(lǐng)域一線陣容，此時英特爾、日立和 NEC 等技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)正在試生產(chǎn) 6 英寸的晶圓。

1985 年，三星輸出首批超大規(guī)模集成電路產(chǎn)品——64K DRAM； 研發(fā)出 256K ? DRAM，而且取得了英特爾“微處理器技術(shù)”的許可協(xié)議。

1986 年，三星開始大規(guī)模生產(chǎn) 256K DRAM；同時開發(fā)出 1M DRAM。在這一年，三星經(jīng)濟研究院（SERI）成立，標(biāo)志著三星開始走上自主研發(fā)的道路。同年，金星半導(dǎo)體公司在 256K SRAM 微晶片的制造技術(shù)上有了重大突破。

1987 年，電子通信研究所聯(lián)盟（ETRI）生產(chǎn)出 4M DRAM 原型，三星等大企業(yè)也從中得到相當(dāng)多的技術(shù)經(jīng)驗，這直接促使三星在 1988 年研制出 4M DRAM。

1990 年，三星開發(fā)出世界第三個 16M DRAM。進入 90 年代,韓國 DRAM 技術(shù)的國產(chǎn)化步伐加快,水平也有很大的提高,16MRAM、64M DRAM 相繼在 1990 年、1992 年開發(fā)成功,256M 和 1G DRAM 接踵于 1994 年、1995 年問世，韓國在 DRAM 領(lǐng)域超過日本，摘下世界第一的桂冠。

1981-1995年這十幾年的發(fā)展和沉淀，為三星后續(xù)發(fā)起多次“反周期定律”價格戰(zhàn)打下了堅實基礎(chǔ)。

很明顯，在三星發(fā)起的多次價格戰(zhàn)下，DRAM領(lǐng)域多數(shù)廠商走向破產(chǎn)，從而逐漸形成目前僅剩幾家壟斷市場的狀況。

2國內(nèi)何時能自主生產(chǎn)DRAM ?

面對巨頭聯(lián)合操控DRAM價格，提起訴訟不會從根本上解決問題，即時他們被強制要求罰款（或許根本不會罰），之后他們?nèi)匀豢赡芾^續(xù)操控價格，因為沒有挑戰(zhàn)者，下游廠商還是必須買他們的產(chǎn)品。

為了打破目前被壟斷的局面，近幾年國內(nèi)在DRAM領(lǐng)域也有相當(dāng)多的投入。目前在DRAM 領(lǐng)域有投入的包括合肥長鑫、福建晉華、長江存儲這三家。

合肥長鑫

2018年4月15日，在合肥舉辦的“國家集成電路重大專項走進安徽活動”中，睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國在介紹合肥長鑫存儲器項目的 5 年規(guī)劃時表示，希望 2018 年底第一個中國自主研發(fā)的 DRAM 芯片能夠在合肥誕生。

項目進展

2018年1月，已經(jīng)完成DRAM內(nèi)存芯片一期（一廠廠房）建設(shè)；

2018年底將開始生產(chǎn)8Gb DDR4存儲器的工程樣品；

2019年底有望達到2萬片/月的產(chǎn)能；

2020年再開始規(guī)劃二廠廠房的建設(shè)；

2021年要完成對17nm工藝節(jié)點的技術(shù)研發(fā)。

如果合肥長鑫存儲項目正式投產(chǎn)，預(yù)計將在DRAM市場占得約8%的市場份額。

福建晉華

國家重點支持DRAM存儲器生產(chǎn)項目，由福建省電子信息集團及泉州、晉江兩級政府共同投資。項目被國家納入了“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃項目列表，并獲得首筆30億元人民幣的國家專項建設(shè)基金支持。

該項目由臺聯(lián)電與晉華合作開展，雙方曾簽署了技術(shù)合作協(xié)議，項目接受晉華委托并開發(fā)DRAM存儲器相關(guān)的制程技術(shù)，晉華則提供DRAM特用設(shè)備并依開發(fā)進度支付技術(shù)報酬金作為開發(fā)費用，開發(fā)成果由雙方共同擁有。

項目進展

2017年11月，已完成封頂；

2018年7月，預(yù)計遷入機臺設(shè)備；

2018年第 3 季度一期項目開始投產(chǎn)，預(yù)計達到6萬片/月的產(chǎn)能規(guī)模；

目前，整個項目正在加速推進中，希望能夠提前投產(chǎn)。

長江存儲

也在推進20/18nm的DRAM開發(fā)，但是目前重心放在3D NAND flash的開發(fā)上面。按照長江存儲的說法，DRAM進度慢于NAND FLASH，那么DRAM量產(chǎn)最快是在2020年。

總結(jié)語：相隔三十多年的差距，想在幾年時間內(nèi)實現(xiàn)趕超是很艱難的，然而從近幾年的進展可以看出，多一份投入也就多一份成績，今年和明年國內(nèi)將會逐漸擁有自己量產(chǎn)的DRAM芯片，未來能否在價格上不被巨頭聯(lián)合操縱控制，需要付出的努力還很多。