半導(dǎo)體行業(yè)中，存儲(chǔ)芯片一直都是產(chǎn)業(yè)的重中之重，2017年存儲(chǔ)芯片銷售額占據(jù)了半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售額的三分之一。而這兩年存儲(chǔ)芯片的價(jià)格猛漲，使得相關(guān)企業(yè)獲益良多，存儲(chǔ)巨頭三星更是憑借這一勢(shì)頭，成功取代了英特爾成為了全球最大的半導(dǎo)體公司！

在需求和價(jià)格雙雙暴漲的存儲(chǔ)市場(chǎng)當(dāng)中，韓日美等存儲(chǔ)巨頭牢牢掌控了市場(chǎng)。在DRAM市場(chǎng)上，三星、SK海力士、美光三家企業(yè)長(zhǎng)期占有了95%的市場(chǎng)份額，而在NAND市場(chǎng)上，三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士這五家公司則占據(jù)了93%以上的市場(chǎng)份額。

雖然絕大部分市場(chǎng)被這幾家巨頭瓜分，市場(chǎng)漲價(jià)的利好也會(huì)照顧到夾縫中求生存的企業(yè)。這幾年在國(guó)家政策的大力支持和資本的持續(xù)投入下，紫光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、兆易創(chuàng)新等公司也正在快速崛起！

其中兆易創(chuàng)新表現(xiàn)得十分搶眼，自上市后，兆易創(chuàng)新股票一路飆升，股價(jià)漲幅一度超過(guò)十倍，成為資本市場(chǎng)熱捧的對(duì)象，這其中除了存儲(chǔ)市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁的因素之外，和兆易創(chuàng)新多方拓寬戰(zhàn)略布局有密不可分的關(guān)系。

NOR Flash全球第三

近日，兆易創(chuàng)新發(fā)布了2017年年報(bào)，交出了一份較為不錯(cuò)的成績(jī)單。根據(jù)年報(bào)數(shù)據(jù)顯示，兆易創(chuàng)新在過(guò)去的2017年?duì)I收20.30億元，同比增長(zhǎng)36.3%；凈利潤(rùn)達(dá)到3.97億元，同比增長(zhǎng)125.26%。目前主要營(yíng)收產(chǎn)品仍然是閃存芯片產(chǎn)品及微控制器產(chǎn)品。存芯片產(chǎn)品主要為NOR Flash和NAND Flash兩類。

這些年，兆易創(chuàng)新在閃存芯片的道路上取得的突破有目共睹！兆易創(chuàng)新成立于2005年，在創(chuàng)始人朱一明的帶領(lǐng)下，兆易2006年就量產(chǎn)了第一顆基于SRAM技術(shù)的Terayon系列產(chǎn)品，到后面的SPI接口Flash存儲(chǔ)器以及現(xiàn)在的NOR Flash和NAND Flash。無(wú)論是在技術(shù)還是市場(chǎng)上，都得到了業(yè)界的肯定。

在2016年時(shí)，兆易創(chuàng)新就憑借著NOR Flash全球7%的市場(chǎng)占有率排在全球第五，排在前面的分別是賽普拉斯、旺宏、美光和華邦電子。隨著兆易創(chuàng)新自身技術(shù)的提高和直接競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手賽普拉斯、美光科技退出中低端容量NOR Flash市場(chǎng)，兆易創(chuàng)新輕松殺進(jìn)NOR Flash前三的位置。

但市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的壓力并沒(méi)有因此減少很多，相對(duì)于DRAM和NAND，NOR Flash在存儲(chǔ)領(lǐng)域算是門檻比較低的，賽普拉斯、美光的退出讓入行早、規(guī)模大的***旺宏、華邦電子的市場(chǎng)占有率大幅提升，當(dāng)然兆易創(chuàng)新也迎來(lái)了前所未有的機(jī)會(huì)！

存儲(chǔ)全產(chǎn)業(yè)鏈布局

在NOR Flash30億美元的市場(chǎng)規(guī)模中沖進(jìn)市場(chǎng)份額前三，就讓兆易創(chuàng)新的利潤(rùn)暴增，整個(gè)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)體量可見(jiàn)一斑。這也不難解釋為什么美光、賽普拉斯愿意放棄NOR Flash的市場(chǎng)，畢竟DRAM、NAND Flash的市場(chǎng)可以達(dá)到千億美元級(jí)別！每一家廠商都想在這里面搶占更多的市場(chǎng)份額！

兆易創(chuàng)新年報(bào)稱，在NOR Flash上，高容量的256Mb NOR Flash產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，低容量開(kāi)發(fā)了更具成本優(yōu)勢(shì)的新產(chǎn)品系列，工藝方面加大先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)?55nm和45nm NOR Flash?技術(shù)產(chǎn)品研發(fā)。

在NAND Flash上，兆易創(chuàng)新自己研發(fā)的38nm產(chǎn)品在2017年第三季度就已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，而且可靠性領(lǐng)先于市面上同類產(chǎn)品，更先進(jìn)的24nm工藝研發(fā)進(jìn)展順利。

在DRAM這一存儲(chǔ)重點(diǎn)領(lǐng)域，兆易創(chuàng)新也已開(kāi)始行動(dòng)。在2017年10月26日，兆易創(chuàng)新和合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股（集團(tuán)）有限公司簽署了存儲(chǔ)器研發(fā)相關(guān)合作協(xié)議。協(xié)議規(guī)定，據(jù)協(xié)議約定，兆易創(chuàng)新與合肥產(chǎn)投依據(jù)1:4負(fù)責(zé)籌集資金，合作開(kāi)展工藝制程19nm存儲(chǔ)器的?12?英寸晶圓存儲(chǔ)器（含?DRAM?等）研發(fā)項(xiàng)目，項(xiàng)目預(yù)算約為180億元人民幣。

兆易創(chuàng)新項(xiàng)目投產(chǎn)19nm成功后將成為全球第四家能夠掌握20nm內(nèi)的DRAM廠商，按照協(xié)議約定，目標(biāo)是在2018年12月31日前研發(fā)成功，即實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品良率（測(cè)試電性良好的芯片占整個(gè)晶圓的比例）不低于10%，以目前產(chǎn)能規(guī)劃及價(jià)格，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后實(shí)現(xiàn)50億美金左右的銷售額。

毫無(wú)疑問(wèn)，這對(duì)國(guó)產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)是一個(gè)重大的推進(jìn)，正式投產(chǎn)后兆易創(chuàng)新將成為全球第四大DRAM廠商。至此看來(lái)，兆易創(chuàng)新由點(diǎn)到面的全存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品體系已經(jīng)基本搭建完成，只要與合肥合作的項(xiàng)目成功，兆易創(chuàng)新將從國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片領(lǐng)先企業(yè)變?yōu)槭澜珙I(lǐng)先企業(yè)。

小結(jié)

有不少人認(rèn)為，2018年將是國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的元年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫和福建晉華都在緊鑼密鼓建設(shè)存儲(chǔ)芯片工廠，最快2018年下半年就會(huì)開(kāi)始投產(chǎn)，這將是中國(guó)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片取得重大突破的一年。

盡管取得了不小的進(jìn)步，但目前國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)還只是在起步階段，就算能夠擁有自己的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，技術(shù)上與國(guó)際存儲(chǔ)巨頭們的差距依舊很大，想要通過(guò)資本并購(gòu)的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)技術(shù)上質(zhì)的飛躍已經(jīng)被證明行不通。也許像兆易創(chuàng)新這樣，通過(guò)一個(gè)點(diǎn)的沉淀，再完成面的布局，腳踏實(shí)地的往前走，才是國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向所在。