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關(guān)于中國(guó)芯片研發(fā)投入和收入對(duì)比分析

lC49_半導(dǎo)體 ? 來源:djl ? 2019-08-28 11:12 ? 次閱讀
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日前,大連理工大學(xué)管理與經(jīng)濟(jì)學(xué)部發(fā)表了《中國(guó)科研經(jīng)費(fèi)報(bào)告(2018)》。據(jù)報(bào)告披露,在2017年,中國(guó)全社會(huì)研發(fā)經(jīng)費(fèi)達(dá)到了1.7萬億元,自2012年超越日本業(yè)成為全球第二研發(fā)大國(guó)之后,中國(guó)繼續(xù)拉大與第三名的差距。但從下圖我們可以看到,中國(guó)與美國(guó)相比,研發(fā)投入差距依然明顯。報(bào)告中指出,2017年,中國(guó)的科研經(jīng)費(fèi)投入僅為美國(guó)的44%。如果僅從圖中的趨勢(shì)走勢(shì)來看,中美之間的研發(fā)經(jīng)費(fèi)投入差距似乎并沒有縮小。

關(guān)于中國(guó)芯片研發(fā)投入和收入對(duì)比分析

中國(guó)與主要國(guó)家的研發(fā)經(jīng)費(fèi)支出規(guī)模增長(zhǎng)比較(2000到2016年)

從報(bào)告中,我們發(fā)現(xiàn)了一個(gè)重要的點(diǎn),那就是以2016年的數(shù)據(jù)計(jì)算,中國(guó)企業(yè)研發(fā)經(jīng)費(fèi)總額為12144億元,占中國(guó)研發(fā)經(jīng)費(fèi)總額的78%。而華為一家所占的經(jīng)費(fèi)就高達(dá)825.68 億元,占中國(guó)企業(yè)研發(fā)經(jīng)費(fèi)的7%,超過中國(guó)全部境外上市企業(yè)的研發(fā)支出。在華為本身來看,當(dāng)年他們的收入為5216億元,研發(fā)占營(yíng)收比重也到達(dá)15.8%。這也促使華為成為了唯一一家入選全球企業(yè)研究經(jīng)費(fèi)20強(qiáng)的國(guó)內(nèi)企業(yè)。而在這些研發(fā)的投入下,華為無論是芯片業(yè)務(wù)、基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù),或者是終端業(yè)務(wù),都全面開花。但這依然落后于擁有差不多產(chǎn)品線的三星,也排在單純的半導(dǎo)體供應(yīng)商英特爾之后。

關(guān)于中國(guó)芯片研發(fā)投入和收入對(duì)比分析

全球企業(yè)研發(fā)經(jīng)費(fèi)前20強(qiáng)的中國(guó)企業(yè)

回顧過去兩年的產(chǎn)業(yè)發(fā)展,自去年的“中興事件”以來,國(guó)內(nèi)對(duì)本土集成電路產(chǎn)業(yè)的反思進(jìn)入了前所未有的高度,產(chǎn)業(yè)各界的人士也紛紛從技術(shù)、人才和政策等多個(gè)方面對(duì)中國(guó)集成電路進(jìn)行拷問。但眾所周知,研發(fā)投入對(duì)一個(gè)集成電路企業(yè)的成長(zhǎng)尤為關(guān)鍵。

因?yàn)榧呻娐樊a(chǎn)業(yè)本身的特殊性,如果沒有大量的投入,就很難積累本身的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。為此,筆者準(zhǔn)備從國(guó)內(nèi)與國(guó)外差距較大的設(shè)備、芯片設(shè)計(jì)和晶圓代工三方面入手,試圖從研發(fā)角度,對(duì)比中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈,與全球產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先者的差距。

設(shè)備篇

根據(jù)申萬宏源的報(bào)告,半導(dǎo)體設(shè)備是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈最重要的一本,其價(jià)值約占半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈總值的80%,但我國(guó)設(shè)備普遍國(guó)產(chǎn)化率很低。根據(jù)他們的統(tǒng)計(jì)顯示,如光刻機(jī)、離子注入設(shè)備、氧化擴(kuò)散設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率均低于 10%,刻蝕機(jī)約10%,CVD/PVD 設(shè)備約 10%~15%,封測(cè)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率普遍小于 20%。產(chǎn)品供應(yīng)主要被應(yīng)用材料、泛林、東電、ASML和科天等廠商占有。

他們能獲得這樣的地位,與他們一直以來堅(jiān)持的高投入研發(fā)有關(guān)。

首先看應(yīng)用材料,據(jù)東吳證券的統(tǒng)計(jì)顯示,應(yīng)用材料過去幾年一直保持比較高的研發(fā)投入,近幾年的研發(fā)投入更是屢創(chuàng)新高,每年投入研發(fā)的資金軍超過十億美元,公司說擁有的專利也超過11900項(xiàng),那就意味著公司每天要申請(qǐng)四個(gè)以上的專利。

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應(yīng)用材料過去幾年的研發(fā)支出和營(yíng)收占比

再看ASML,作為說專注領(lǐng)域的絕對(duì)龍頭,ASML在研發(fā)上的投入也是驚人的以他們近年攻克的EUV光刻機(jī)為例。從1999到2016年,公司每年的研發(fā)投入都超過10%,最低投入也超過2.3億歐元,進(jìn)入最近幾年的投入更是突破了10億歐元。從下圖我們也可以看到,即使是收入暴跌的2009年,公司依然是保持之前的研發(fā)投入,而隨著應(yīng)收的額提升,公司的研發(fā)投入也相應(yīng)提升。這種持之以恒的投入幫助他們坐穩(wěn)了光刻機(jī)龍頭的位置。

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ASML從1999到2016年的營(yíng)收和研發(fā)數(shù)據(jù)

作為對(duì)比,我們看一下這個(gè)過程中被ASML遠(yuǎn)遠(yuǎn)拋離的尼康和佳能,據(jù)西南證券的統(tǒng)計(jì),他們的研發(fā)支出與ASML相對(duì)比,差距相當(dāng)明顯,從他們當(dāng)前的現(xiàn)狀,就堅(jiān)定了我們只有持續(xù)不斷的投入,才能成就巨頭的決心。

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ASML、Nikon 和 Canon 研發(fā)支出比較

我們看一下國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭北方華創(chuàng)的表現(xiàn)。

根據(jù)東吳證券,在2013到2016年,北方華創(chuàng)的研發(fā)投入整體攀升,在2016年的研發(fā)投入更是高達(dá)46.72%,正是在這樣的高投入的情況下,北方華創(chuàng)獲得了不錯(cuò)的成績(jī)。東吳證券指出,北方華創(chuàng)已經(jīng)具備 8 英寸半導(dǎo)體設(shè)備系列產(chǎn)品的市場(chǎng)供應(yīng)能力,產(chǎn)品包括多晶硅刻蝕機(jī)、高深寬比硅刻蝕機(jī)、氧化硅刻蝕機(jī)、金屬刻蝕機(jī)、PECVD、LPCVD、立式氧化爐、臥式擴(kuò)散爐、單片清洗機(jī)及全自動(dòng)槽式清洗機(jī)等工藝設(shè)備;2017 年,北方華創(chuàng)自主研發(fā)的 12 英寸立式氧化爐也已經(jīng)投入產(chǎn)線;在刻蝕機(jī)領(lǐng)域,硅刻蝕機(jī)研發(fā)已經(jīng)步入 7nm 制點(diǎn),14nm 的設(shè)備已進(jìn)入中芯國(guó)際的產(chǎn)線驗(yàn)證;金屬刻蝕機(jī)方面已研發(fā)出國(guó)內(nèi)首臺(tái)適用于 8 英寸晶圓的設(shè)備,并也進(jìn)入中芯國(guó)際產(chǎn)線。

關(guān)于中國(guó)芯片研發(fā)投入和收入對(duì)比分析

2013-2016 北方華創(chuàng)研發(fā)支出及其占收入比

雖然已經(jīng)取得不錯(cuò)的成績(jī),但是我們也應(yīng)該看到,因?yàn)橥度氲馁Y金數(shù)額比較少,只有數(shù)億人民幣一年,與應(yīng)用材料這些領(lǐng)先廠商差距巨大,這就使得國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體設(shè)備在追趕這些領(lǐng)先廠商方面,顯得尤為艱難。

芯片設(shè)計(jì)篇

近年來,由于華為的進(jìn)步,尤其是麒麟系列芯片走上國(guó)際舞臺(tái)與高通競(jìng)爭(zhēng),這讓國(guó)內(nèi)很多人對(duì)國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)抱有很多的信心,但正如很多業(yè)內(nèi)朋友說的一樣,國(guó)內(nèi)的芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè),除了華為,其他廠商的投入與國(guó)際大廠相比,差距較大。

根據(jù)ICinsights的統(tǒng)計(jì)顯示,2017年排名前10位的廠商總支出增加至359億美元,當(dāng)中有高通、博通、聯(lián)發(fā)科英偉達(dá)四家無晶圓廠,TSMC一家晶圓廠和英特爾、三星、東芝、美光和SK海力士五家IDM。其中,英特爾以超過130億美元的美元的研發(fā)投入位居榜首,研發(fā)支出占銷售額的百分比為21.2%,高于2010年的16.4%和1995年的9.3%。這主要因?yàn)橛⑻貭栕鳛槟柖傻膱?jiān)定追隨者,一直在推進(jìn)制程工藝的前進(jìn),往10nm之后,他們要繼續(xù)走下去,就必須提高其研發(fā)投入。

關(guān)于中國(guó)芯片研發(fā)投入和收入對(duì)比分析

再看那四家無晶圓設(shè)計(jì)廠,高通、博通和聯(lián)發(fā)科,這四家廠商2017年的研發(fā)投入最低都有17.97億美元,研發(fā)投入占營(yíng)收比例都在20%左右。至于IDM,英特爾和東芝的投入都是處于20%左右,但SK海力士、三星和美光的這三家做存儲(chǔ)的投入都不到10%,這與2017年存儲(chǔ)的價(jià)格大漲有很大關(guān)系,沒有很大的參考意義。

我們?cè)賮砜匆幌聡?guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)的表現(xiàn)。首先看一下華為方面,因?yàn)槿A為不是上市公司,公司也沒有對(duì)外公布過海思的研發(fā)支出。但是有媒體在2018年的報(bào)道,華為在最近十年,華為投入了4000億進(jìn)入研發(fā),其中芯片研發(fā)的投入可能達(dá)到1600億。如果按照這個(gè)數(shù)據(jù),華為還是平均每年的研發(fā)投入為160億元,這足以媲美國(guó)外一線大廠,這也就是他們能獲得今天成績(jī)的原因。

因?yàn)槿A為是中國(guó)芯片業(yè)一個(gè)獨(dú)特的代表,并不能代表中國(guó)芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的整體水平,為了說明國(guó)內(nèi)芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀,我們來看一下兆易創(chuàng)新、北京君正、富瀚微、中穎電子、全志科技和圣邦股份等十家Fbaless上市公司的年度財(cái)報(bào),看一下他們的研發(fā)投入現(xiàn)狀。

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如上圖所示,十家中國(guó)上市無晶圓廠2017年的研發(fā)投入營(yíng)收占比都不低,但是看金額的話,最多的一家是匯頂科技,為5.97億元,而最少的一家僅為五千多萬。統(tǒng)計(jì)這十家廠商2017年的研發(fā)收入,僅為21.40億元,這個(gè)數(shù)字尚且比不上高通當(dāng)年研發(fā)投入的零頭。可見國(guó)內(nèi)芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)和國(guó)際巨頭的差距。

晶圓代工廠篇

晶圓代工方面,國(guó)內(nèi)與國(guó)際巨頭的差距也非常明顯。

在營(yíng)收方面,臺(tái)積電2017年的營(yíng)收為330億美金,全年毛利做到49%。國(guó)內(nèi)晶圓龍頭中芯國(guó)當(dāng)年的營(yíng)收如為31億美元,毛利率也只有22.2%;在研發(fā)方面,我們看2017年的數(shù)據(jù),臺(tái)積電只有20多億美金,占營(yíng)業(yè)收入8%左右,而中芯國(guó)際的研發(fā)營(yíng)收比雖然有13.7%,但因?yàn)闋I(yíng)收少,僅僅只有4.27億美元。

除了研發(fā),CAPEX對(duì)晶圓代工廠來說也非常重要。

根據(jù)外媒之前的報(bào)道,臺(tái)積電在2018年年中曾經(jīng)宣布,將會(huì)投融資250億美元去攻克5nm,當(dāng)中除了工藝研發(fā)經(jīng)費(fèi)之外之外,當(dāng)然也包含了昂貴的CAPEX支出。。

前面我們已經(jīng)提到,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈里面,設(shè)備相關(guān)的成本會(huì)占80%左右,當(dāng)中大部分應(yīng)該就是體現(xiàn)在晶圓代工環(huán)節(jié)。以現(xiàn)在5nm以下工藝必不可缺的EUV光刻機(jī)為例,這些設(shè)備每臺(tái)的售價(jià)要上億美金,外媒傳聞臺(tái)積電今年將包攬ASML今年30臺(tái)出貨的18臺(tái),這就是一筆不小的開支了。而根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)觀察之前的報(bào)道顯示,目前建造一條12英寸32/28nm的規(guī)模生產(chǎn)線需要超過40億美元,12英寸14nm生產(chǎn)線投資高達(dá)100億美元。對(duì)于更先進(jìn)的工藝,這樣的投資成本更是驚人的,而且折舊成本也是可怕的。

也就是說,只有龐大的投入,聚焦先進(jìn)工藝代工的代工廠才能建立屬于自己的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

從現(xiàn)在臺(tái)積電從去年開始就大規(guī)模量產(chǎn)7nm,今年也將量產(chǎn)使用EUV光刻機(jī)的7nm+工藝,并進(jìn)行5nm工藝試產(chǎn)、格芯和聯(lián)電停在7nm前面、中芯國(guó)際14nm還沒大規(guī)模,12nm僅僅取得突破的現(xiàn)狀可以證實(shí)這一點(diǎn)。

從上面的介紹我們可以看到,對(duì)于集成電路產(chǎn)業(yè)來說,保證一定比例的研發(fā)投入,是企業(yè)走下去的前提,要想更上一層樓,成為頭部玩家,那就是需要砸錢。當(dāng)然,作為一個(gè)對(duì)技術(shù)要求很高的領(lǐng)域,人才也是不可或缺的。

雖然可能因?yàn)槟承┎豢煽挂蛩?,?dǎo)致我們現(xiàn)在想花錢都沒地方花,但可以肯定的是中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)仍然有很長(zhǎng)一段路要走。

首先要做的是怎么找到錢,把它花出去。

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    的頭像 發(fā)表于 11-19 09:55 ?1283次閱讀

    美芯晟榮獲“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)

    近日,2024中國(guó)微電子產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)暨第十九屆“中國(guó)芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集結(jié)果發(fā)布儀式在珠海橫琴圓滿落幕。美芯晟憑借其自主研發(fā)的高分辨率高精度全集成旋轉(zhuǎn)及按鍵檢測(cè)光學(xué)位移傳感器MT350X芯片
    的頭像 發(fā)表于 11-15 16:40 ?1275次閱讀

    RoCE與IB對(duì)比分析(二):功能應(yīng)用篇

    在上一篇中,我們對(duì)RoCE、IB的協(xié)議棧層級(jí)進(jìn)行了詳細(xì)的對(duì)比分析,二者本質(zhì)沒有不同,但基于實(shí)際應(yīng)用的考量,RoCE在開放性、成本方面更勝一籌。本文我們將繼續(xù)分析RoCE和IB在擁塞控制、QoS、ECMP三個(gè)關(guān)鍵功能中的性能表現(xiàn)。
    的頭像 發(fā)表于 11-15 14:03 ?1809次閱讀
    RoCE與IB<b class='flag-5'>對(duì)比分析</b>(二):功能應(yīng)用篇

    江波龍加大研發(fā)投入,轉(zhuǎn)型綜合型半導(dǎo)體存儲(chǔ)品牌

    ,這些研發(fā)投入正逐步轉(zhuǎn)化為新的收入增長(zhǎng)點(diǎn),推動(dòng)公司向綜合型半導(dǎo)體存儲(chǔ)品牌企業(yè)轉(zhuǎn)型。 作為集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域的高壁壘和高度細(xì)分產(chǎn)品,主控芯片研發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 11-13 13:34 ?978次閱讀

    再次問鼎“中國(guó)芯”大獎(jiǎng)!“港華芯”榮獲優(yōu)秀市場(chǎng)表現(xiàn)產(chǎn)品獎(jiǎng)

    11月7日,2024中國(guó)微電子產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)暨第十九屆“中國(guó)芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集結(jié)果發(fā)布儀式在珠海橫琴隆重舉行,大會(huì)頒發(fā)了第十九屆“中國(guó)芯”優(yōu)秀產(chǎn)品及企業(yè)獎(jiǎng)項(xiàng)。名氣家憑借“港華芯”再次問鼎芯片
    的頭像 發(fā)表于 11-09 01:09 ?973次閱讀
    再次問鼎“<b class='flag-5'>中國(guó)芯</b>”大獎(jiǎng)!“港華芯”榮獲優(yōu)秀市場(chǎng)表現(xiàn)產(chǎn)品獎(jiǎng)

    光伏電站運(yùn)維管理系統(tǒng)與傳統(tǒng)運(yùn)維模式對(duì)比分析

    ?????? 光伏電站運(yùn)維管理系統(tǒng)與傳統(tǒng)運(yùn)維模式對(duì)比分析 ?????? 隨著全球?qū)稍偕茉吹年P(guān)注度不斷提升,光伏電站作為綠色能源的重要組成部分,其運(yùn)維管理顯得尤為重要。傳統(tǒng)的運(yùn)維模式已逐漸無法滿足
    的頭像 發(fā)表于 11-08 16:14 ?1090次閱讀
    光伏電站運(yùn)維管理系統(tǒng)與傳統(tǒng)運(yùn)維模式<b class='flag-5'>對(duì)比分析</b>

    常用音頻線接口對(duì)比分析

    對(duì)比分析: 一、光纖接口 原理 :利用光信號(hào)進(jìn)行音頻傳輸,采用光從光密介質(zhì)進(jìn)入光疏介質(zhì)時(shí)發(fā)生全反射的原理。 轉(zhuǎn)換方式 :音頻信號(hào)→數(shù)字信號(hào)→光信號(hào)→數(shù)字信號(hào)→音頻信號(hào)。 優(yōu)點(diǎn) :傳輸速度快、抗干擾能力強(qiáng)、傳輸距離長(zhǎng),且不受外界電磁波干擾,能支持
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:58 ?7864次閱讀