晶圓，始于薄的圓柱型晶硅，直徑一般分150毫米（6英寸）、200毫米（8英寸）、300毫米（12英寸），通過在晶圓上鍍上各種材料成為多層膜和幾何圖形，最終產生出成千上萬很小的電子器件。多維科技生產的TMR磁傳感器芯片，最小尺寸可達到0.5mm×0.5 mm，與20年前單個器件占據的面積相比，這個尺寸小很多。

晶圓的制造過程可劃分為前道（Front-end）和后道（Back-end），前道包括晶圓處理工序（WaferFabrication）和晶圓針測工序（WaferProbe），后道包括封裝工序（Packaging）和測試工序（InitialTestandFinalTest）。晶圓的整個制造過程中會涉及到很多物理、化學過程。

一、前道（Front-end）

1、晶圓處理工序WaferFabrication

本工序的主要工作是在晶圓上制作磁路和電路，其處理程序的基本步驟是先將晶圓適當清洗，再在其表面進行氧化和物理/化學氣相沉積，然后進行鍍膜、光刻、刻蝕、回火等反復步驟，最終在晶圓上完成磁性傳感器芯片的加工與制作。

2、晶圓針測工序WaferProbe

經過晶圓處理工序后，晶圓上即形成許多小格，稱之為晶方或晶粒（Die）。在一般情形下，同一片晶圓上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圓上制作不同規(guī)格的產品；這些晶圓必須通過晶片允收測試，晶粒將會逐一經過針測（Probe）儀器以測試其電氣特性，不合格的晶粒將會被標上記號（InkDot），此程序稱為晶圓針測工序（WaferProbe）。然后晶圓將依晶粒為單位被切割成一粒粒獨立的晶粒。

二、后道（Back-end）

1、封裝工序Packaging

將單個的晶粒固定在塑膠或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蝕刻出的一些引接線端與基座底部伸出的插腳連接，以作為與外界電路板連接之用，最后蓋上塑膠蓋板，用膠水封死。其目的是用以保護晶粒避免受到機械刮傷或高溫破壞。到此才算制成了一塊集成電路芯片（IntegratedCircuit；簡稱IC）。

2、測試工序InitialTestandFinalTest

芯片制造的最后一道工序為測試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等。經測試后的芯片，依其電氣特性劃分為不同等級。而特殊測試則是根據客戶特殊需求的技術參數，從相近參數規(guī)格、品種中拿出部分芯片，做有針對性的專門測試，看是否能滿足客戶的特殊需求，以決定是否須為客戶設計專用芯片。經一般測試合格的產品貼上規(guī)格、型號及出廠日期等標識的標簽并加以包裝后即可出廠，而未通過測試的芯片則視其達到的參數情況定為降級品或廢品。