chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

三星6nm6LPP將在今年下半年如期投入量產 4nm4LPE也會在年內設計完畢

半導體動態(tài) ? 來源:工程師吳畏 ? 2019-08-02 15:45 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

除了臺積電,三星如今在工藝方面也是十分激進:7nm 7LPP去年十月投產之后,按照官方最新給出的時間表,6nm 6LPP將在今年下半年如期投入量產,5nm 5LPE今年內完成流片、明年上半年量產,4nm 4LPE也會在年內設計完畢。

不同于以往間隔多年推出一代全新工藝,臺積電和三星如今都改變打法,一項重大工藝進行部分優(yōu)化升級之后,就會以更小的數(shù)字命名。

按照三星給出的技術路線圖,6LPP、5LPE、4LPE其實都是在7LPP工藝基礎上演化而來的,要一直到3nm(3GAE/3GAP)才會是全新的設計,預計會使用全新的結構和材料。

7nm也是三星第一次使用EUV極紫外光刻,6/5/4nm上勢必會進一步加強。6LPP相比7LPP會將晶體管密度提升約10%,同時功耗更低,但會沿用7LPP上最初設計的IP。

5LPE會在性能、功耗、核心面積上進一步提升,不過核心IP還是7LPP的那一套,不過由于EUV應用更深入,三星預計6LPP、5LPE工藝的應用范圍也會更廣,而且5nm明年迅速就會成為主流。

4LPE將會是7LPP的終極進化版本,預計2020年首次流片,2021年的某個時候量產。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 三星電子
    +關注

    關注

    34

    文章

    15891

    瀏覽量

    182877
  • EUV
    EUV
    +關注

    關注

    8

    文章

    614

    瀏覽量

    88528
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    兆易創(chuàng)新:明年自研LPDDR4X量產,規(guī)劃小容量LPDDR5X

    4Gb基本相當。明年公司將實現(xiàn)自研LPDDR4X系列產品的量產,并著手規(guī)劃LPDDR5X小容量產品的研發(fā)。 ? 公司利基型DRAM產品今年
    的頭像 發(fā)表于 11-26 11:58 ?5064次閱讀

    iPhone 17爆了!今年下半年看什么新技術、新趨勢?

    iPhone 17爆了!今年下半年看什么新技術、新趨勢?
    的頭像 發(fā)表于 09-23 10:48 ?265次閱讀
    iPhone 17爆了!<b class='flag-5'>今年下半年</b>看什么新技術、新趨勢?

    全球首款2nm芯片被曝準備量產 三星Exynos 2600

    據外媒韓國媒體 ETNews 在9 月 2 日發(fā)文報道稱全球首款2nm芯片被曝準備量產;三星公司已確認 Exynos 2600 將成為全球首款采用 2nm 工藝的移動 SoC 芯片,目
    的頭像 發(fā)表于 09-04 17:52 ?2015次閱讀

    今日看點丨三星美國廠2nm產線運作;《人工智能生成合成內容標識辦法》正式生效

    三星美國廠2nm 產線運作 美國2nm晶圓代工廠近期再添生力軍,在特斯拉高階主管親自赴廠區(qū)督軍下,原本暫緩的三星美國德州新廠2nm產線近期傳
    發(fā)表于 09-02 11:26 ?1408次閱讀

    三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權 三星獲特斯拉千億芯片代工大單

    我們來看看三星的最新消息: 曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權 數(shù)碼博主“剎那數(shù)碼”爆料稱,三星Exynos 2600芯片已進入質量測試階段,計劃在
    的頭像 發(fā)表于 07-31 19:47 ?1485次閱讀

    K4F6E3S4HM-MGCJ LPDDR4數(shù)據手冊

    三星 K4F6E3S4HM-MGCJ LPDDR4
    發(fā)表于 07-21 14:47 ?0次下載

    三星代工大變革:2nm全力沖刺,1.4nm量產延遲至2029年

    在全球半導體代工領域的激烈競爭中,三星電子的戰(zhàn)略動向一直備受矚目。近期,有消息傳出,三星代工業(yè)務在制程技術推進方面做出重大調整,原本計劃于2027年量產的1.4nm制程工藝,將推遲至2
    的頭像 發(fā)表于 07-03 15:56 ?597次閱讀

    三星4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率

    較為激進的技術路線,以挽回局面。 4 月 18 日消息,據韓媒《ChosunBiz》當?shù)貢r間 16 日報道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內存邏輯芯片的初步測試生產中取得了40
    發(fā)表于 04-18 10:52

    千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝

    次公開了?SF1.4(1.4nm?級別)工藝,原預計?2027?年實現(xiàn)量產。按照三星當時的說法,SF1.4?將納米片的數(shù)量從?3?個增加到?4?個,有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表
    的頭像 發(fā)表于 03-23 11:17 ?1737次閱讀

    千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?

    次公開了 SF1.4(1.4nm 級別)工藝,原預計 2027 年實現(xiàn)量產。按照三星當時的說法,SF1.4 將納米片的數(shù)量從 3 個增加到 4 個,有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表
    的頭像 發(fā)表于 03-22 00:02 ?2370次閱讀

    三星量產第四代4nm芯片

    據外媒曝料稱三星量產第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產4nm芯片以來,每年都
    的頭像 發(fā)表于 03-12 16:07 ?1.3w次閱讀

    DDR4年內停產,大廠商引發(fā)內存市場變局

    的大宗交易批發(fā)價約為1.75美元,4Gb顆粒則為1.3美元,較上月分別下跌6%,并連續(xù)第五個月出現(xiàn)下滑。其中,8Gb顆粒的降價幅度為2023年3月以來的最大跌幅,而4Gb顆粒的價格跌幅則是2023年
    發(fā)表于 02-21 00:10 ?2668次閱讀

    三星電子1c nm內存開發(fā)良率里程碑推遲

    據韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率
    的頭像 發(fā)表于 01-22 15:54 ?934次閱讀

    三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期

    據韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內存開發(fā)的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:27 ?1040次閱讀

    三星重啟1b nm DRAM設計,應對良率與性能挑戰(zhàn)

    nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項目被命名為D1B-P,其重點將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進版制程V6P相似,顯示出三星在半導體
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:04 ?1323次閱讀