chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星電子 目前并無減產(chǎn)DRAM等存儲器芯片的打算

YSVu_pedaily201 ? 來源:LONG ? 2019-08-03 11:55 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

雖然日本限制關鍵科技原料出口至韓國,對業(yè)界投下震撼彈,但三星電子(Samsung Electronics Co.)表明,目前并無減產(chǎn)DRAM等存儲器芯片的打算,還說日本出口限制令的沖擊難以估算,只能盡量把傷害降到最低。

BusinessKorea、東亞日報報導,三星一名高層7月31日在第二季(4-6月)財報電話會議上表示,日本政府并不是完全禁止半導體材料出口,只是增添了新的執(zhí)照申請程序,影響了三星的日常營運。日本政府未來究竟會怎么做,還是充滿不確定性,難以估算對公司的影響。該名高層并說,“目前不考慮減少晶圓產(chǎn)出,生產(chǎn)線將彈性運作,以因應需求波動?!?/p>

在談到下半年的存儲器庫存變化時,三星高層透露,“今年下半年庫存將會下滑,但難以預測下降的速度有多快,因為外部環(huán)境仍有不確定因素?!彼f,NAND型快閃存儲器庫存開始大幅下降,預料將在第三季來到適當?shù)乃弧?/p>

在被問到近來存儲器報價突然跳升的現(xiàn)象時,該名高層說,此一上升趨勢是否會影響到長期合約價,還是很難說。

展望明年,三星高層表示,存儲器設備的投資方案還在規(guī)劃中,位于中國西安的廠房可望在今年底前竣工,韓國的平澤廠則會在明年底前完工。

在專業(yè)晶圓代工方面,三星高層指出,華城廠的極紫外光(EUV)制程生產(chǎn)線預計明年上半年運作、一如原先規(guī)劃,該公司還將另外打造一條7納米EUV制程生產(chǎn)線、一條圖像傳感器生產(chǎn)線(S4)。該高層指出,三星實驗室正在評估一項設備,看看是否能把EUV制程應用到第3代10納米級(1z-nm)DRAM的生產(chǎn)上面。

在被問到面板生產(chǎn)線是否已部分關閉時,三星高層說,“我們會依據(jù)市況及營運策略,彈性運作生產(chǎn)線”。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關注

    關注

    462

    文章

    53564

    瀏覽量

    459373
  • DRAM
    +關注

    關注

    40

    文章

    2373

    瀏覽量

    188233
  • 存儲器芯片
    +關注

    關注

    0

    文章

    85

    瀏覽量

    17634

原文標題:馮鑫為什么會走到這步?

文章出處:【微信號:pedaily2012,微信公眾號:投資界】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    暴漲30%!三星引爆存儲芯片地震:AI狂飆撕碎供需平衡

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 全球存儲市場正掀起一場前所未有的漲價風暴。全球最大的存儲芯片制造商三星電子近日宣布,旗下
    的頭像 發(fā)表于 09-24 08:45 ?4265次閱讀

    簡單認識高帶寬存儲器

    HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器,是一種基于 3D 堆疊技術的高性能 DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)。其核心設計是通過硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
    的頭像 發(fā)表于 07-18 14:30 ?2407次閱讀

    看點:三星電子Q2利潤預計重挫39% 動紀元宣布完成近5億元A輪融資

    給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊: 三星電子Q2利潤預計重挫39% 由于三星向英偉達供應先進存儲芯片延遲,三星預計將公布4-6月營業(yè)利潤為6.3萬億韓
    的頭像 發(fā)表于 07-07 14:55 ?521次閱讀

    半導體存儲芯片核心解析

    Flash、ROM (只讀存儲器)、新興存儲器 (如 MRAM, PCM, ReRAM/FeRAM)。 3. 主流存儲芯片技術詳解 3.1 DRAM - 電腦/手機的內(nèi)存條/運行內(nèi)
    發(fā)表于 06-24 09:09

    回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組

    深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價回收
    發(fā)表于 05-19 10:05

    三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率

    三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HB
    發(fā)表于 04-18 10:52

    三星調(diào)整1cnm DRAM設計,力保HBM4量產(chǎn)

    據(jù)韓國媒體報道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn),為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn),公司決定對設計進行重大調(diào)整。
    的頭像 發(fā)表于 02-13 16:42 ?1232次閱讀

    三星電子否認1b DRAM重新設計報道

    據(jù)報道,三星電子已正式否認了有關其將重新設計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發(fā)了業(yè)界對三星
    的頭像 發(fā)表于 01-23 15:05 ?877次閱讀

    三星否認重新設計1b DRAM

    據(jù)DigiTimes報道,三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:04 ?1306次閱讀

    三星電子1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲

    據(jù)韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率
    的頭像 發(fā)表于 01-22 15:54 ?938次閱讀

    三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期

    據(jù)韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:27 ?1046次閱讀

    三星重啟1b nm DRAM設計,應對良率與性能挑戰(zhàn)

    近日,據(jù)韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎上,全面重新
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:04 ?1334次閱讀

    SK海力士計劃減產(chǎn)NAND Flash存儲器以應對市場下滑

    產(chǎn)品價格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉,SK海力士計劃將上半年NAND Flash存儲器的產(chǎn)量削減10%。這一決定無
    的頭像 發(fā)表于 01-20 14:43 ?1039次閱讀

    現(xiàn)代汽車與三星電子洽談自動駕駛芯片制造合作

    三星電子的5納米“SF5A”工藝生產(chǎn)線表現(xiàn)出濃厚興趣,希望借助該生產(chǎn)線實現(xiàn)自動駕駛芯片的高效生產(chǎn)。雙方目前正就此事展開認真討論,合作前景備受矚目。 對于
    的頭像 發(fā)表于 12-27 11:02 ?875次閱讀

    【半導體存儲】關于NAND Flash的一些小知識

    /海力士/美光/鎧 俠幾乎壟斷了所有市場份額,并且都具有自己的特殊工藝架構(gòu),韓系三星/海力士的CTF,美系鎂光/英特爾的FG,國內(nèi)長江存儲的X-tacking。 []()   隨著堆棧層數(shù)的增加,工藝
    發(fā)表于 12-17 17:34