chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新型 U2J 電介質(zhì)材料的簡介和優(yōu)點(diǎn)

易絡(luò)盟電子 ? 來源:djl ? 作者:易絡(luò)盟電子 ? 2019-08-05 10:52 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

U2J 是一種極其穩(wěn)定的電介質(zhì)材料,在電壓作用下僅會出現(xiàn)極小的電容變化,以電容隨環(huán)境溫度呈可預(yù)測的線性變化而聞名,且無老化效應(yīng)。?

新型 U2J 電介質(zhì)材料,屬于 EIA-198 類別。

基于溫度方面的性能,這種電介質(zhì)材料屬于 1 類電介質(zhì)類別。在 ?55°C 到 +125°C 的范圍內(nèi),電容變化限制在 ?750 ± 120 ppm /°C。
此外,在給定封裝尺寸內(nèi),KEMET 能夠提供比我們當(dāng)前的 C0G 電介質(zhì)系列更高的電容,最高可達(dá) 120%。

優(yōu)點(diǎn)

工作溫度范圍 ?55°C 到 +125°C

無鉛 (Pb),符合 RoHS 和 REACH

EIA 0402、0603、0805、1206、1210 和 1812 封裝尺寸

直流額定電壓 10 伏、16 伏、25 伏和 50 伏

電容供應(yīng)范圍從 1.0 nF 起,最高可達(dá) 470 nF

可用電容公差為 ±1%、±2%、±5%、±10%
以及 ±20%

類似 C0G 的低噪解決方案

低損耗系數(shù) DF < 0.1%

低 ESR 和 ESL

高熱穩(wěn)定性

高紋波電流能力

應(yīng)用

典型應(yīng)用包括可得益于電路板面積節(jié)省、成本節(jié)約以及總體體積減少的那些應(yīng)用,如電信、計(jì)算機(jī)、手持設(shè)備和汽車。靈活端接技術(shù)有益于易受高度板彎曲或溫度循環(huán)的應(yīng)用。

我們非常歡迎您向我們 - 易絡(luò)盟電子(中國)有限公司(e絡(luò)盟)了解相關(guān)產(chǎn)品的技術(shù)信息,同時(shí)我們能夠以極具競爭力的價(jià)格提供相關(guān)產(chǎn)品。作為全球領(lǐng)先的電子元器件分銷商,e絡(luò)盟提供超過680,000種現(xiàn)貨產(chǎn)品,100%正品保證。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電容
    +關(guān)注

    關(guān)注

    100

    文章

    6469

    瀏覽量

    158577
  • 溫度計(jì)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    410

    瀏覽量

    79736
  • 電介質(zhì)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    60

    瀏覽量

    12010
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    特銳祥貼片高壓瓷片電容 TADC102ME:Y5U 材質(zhì)的技術(shù)突破與場景革新

    精度與復(fù)雜場景適應(yīng)性上實(shí)現(xiàn)了多維升級,成為新能源、工業(yè)控制等高壓領(lǐng)域的革新性元件。 一、材料科學(xué):Y5U 介質(zhì)的微觀性能重構(gòu) ? ? ? ?TADC102ME 采用的 Y5U 材質(zhì),本
    的頭像 發(fā)表于 12-22 14:58 ?246次閱讀
    特銳祥貼片高壓瓷片電容 TADC102ME:Y5<b class='flag-5'>U</b> 材質(zhì)的技術(shù)突破與場景革新

    KEMET高壓U2J介質(zhì)SMD MLCCs:高效能電容解決方案

    : KEMET U2J高壓I類電介質(zhì)電容器.pdf 一、產(chǎn)品概述 KEMET的這款Class I U2J高壓系列SMD
    的頭像 發(fā)表于 12-15 14:10 ?303次閱讀

    STM32U5A9J-DK探索套件技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    STMicroelectronics STM32U5A9J-DK探索套件是用于演示和開發(fā)STM32U5A9NJH6Q微控制器的完整平臺。 STMicroelectronics
    的頭像 發(fā)表于 10-25 16:49 ?1392次閱讀
    STM32<b class='flag-5'>U5A9J</b>-DK探索套件技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    150℃高溫儲能破7.35J/cm3!西交大提出聚合物基電介質(zhì)儲能創(chuàng)新思路

    電介質(zhì)作為靜電電容器的核心構(gòu)成部分,因其具備高耐壓能力、低介電損耗以及良好的運(yùn)行穩(wěn)定性,在該領(lǐng)域占據(jù)著舉足輕重的地位。 ? 不過,隨著科技的飛速發(fā)展,工業(yè)生產(chǎn)和日常應(yīng)用對聚合物薄膜電容器提出了更為嚴(yán)苛的要求,期
    的頭像 發(fā)表于 10-11 09:02 ?2108次閱讀

    PD快充芯片U8621的優(yōu)點(diǎn)有哪些

    電源芯片方案的成本優(yōu)化可從芯片選型、模塊化設(shè)計(jì)、外圍元件減少等方面實(shí)現(xiàn)。采用高集成度電源芯片可大幅減少外圍元件數(shù)量。今天推薦的PD快充芯片U8621具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用元件等優(yōu)點(diǎn),還有搭配的同步整流芯片介紹!
    的頭像 發(fā)表于 07-21 16:34 ?838次閱讀

    安泰電壓放大器在新型材料測試領(lǐng)域的應(yīng)用

    一、引言 新型材料的研發(fā)和測試是材料科學(xué)領(lǐng)域的關(guān)鍵環(huán)節(jié),對于推動科技進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級具有重要意義。電壓放大器作為一種關(guān)鍵的電子設(shè)備,能夠?qū)⒌碗妷盒盘柗糯蟮阶銐蚋叩乃?,以滿足新型材料測試中對信號強(qiáng)度
    的頭像 發(fā)表于 06-27 14:52 ?453次閱讀
    安泰電壓放大器在<b class='flag-5'>新型材料</b>測試領(lǐng)域的應(yīng)用

    Aigtek高光回顧!第二十屆全國電介質(zhì)物理、材料與應(yīng)用學(xué)術(shù)會議!

    產(chǎn)業(yè)界之間的學(xué)術(shù)交流與合作,推動我國電介質(zhì)理論研究、新型電介質(zhì)材料開發(fā)、電介質(zhì)相關(guān)元器件應(yīng)用研究開發(fā)的知識創(chuàng)新、技術(shù)創(chuàng)新以及產(chǎn)業(yè)發(fā)展,推動電
    的頭像 發(fā)表于 04-22 18:27 ?1133次閱讀
    Aigtek高光回顧!第二十屆全國<b class='flag-5'>電介質(zhì)</b>物理、<b class='flag-5'>材料</b>與應(yīng)用學(xué)術(shù)會議!

    PCB的介質(zhì)損耗角是什么“∠”?

    與外電場方向一致。 2、什么是介電常數(shù)介電常數(shù):以絕緣材料介質(zhì)與以真空為介質(zhì)制成同尺寸電容器的電容量之比值。 表示在單位電場中,單位體積內(nèi)積蓄的靜電能量的大小。是表征
    發(fā)表于 04-21 10:49

    用HD6000異頻介質(zhì)損耗測試儀測量介質(zhì)損耗角方法

    介質(zhì)損耗角正切的測定一、介質(zhì)損失角正切值的性質(zhì)介電損耗角正切。表征電介質(zhì)材料在施加電場后介質(zhì)損耗大小的物理量,以tgδ表示,δ是介電損耗角。
    的頭像 發(fā)表于 04-02 09:40 ?983次閱讀
    用HD6000異頻<b class='flag-5'>介質(zhì)</b>損耗測試儀測量<b class='flag-5'>介質(zhì)</b>損耗角方法

    會議邀請 | Aigtek安泰電子與您相約第二十屆全國電介質(zhì)物理、材料與應(yīng)用學(xué)術(shù)會議!

    2025年4月18-21日,第二十屆全國電介質(zhì)物理、材料與應(yīng)用學(xué)術(shù)會議暨第二十二屆全國電子元件與材料學(xué)術(shù)大會將于四川省成都市舉辦。本次會議Aigtek安泰電子將攜最新行業(yè)測試解決方案及測試儀器產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 03-27 19:03 ?1951次閱讀
    會議邀請 | Aigtek安泰電子與您相約第二十屆全國<b class='flag-5'>電介質(zhì)</b>物理、<b class='flag-5'>材料</b>與應(yīng)用學(xué)術(shù)會議!

    Low-K材料在芯片中的作用

    Low-K材料是介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅(SiO?,k=3.9–4.2)的絕緣材料,主要用于芯片制造中的層間電介質(zhì)(ILD)。其核心目標(biāo)是通過降低金屬互連線間的寄生電容,解決RC延遲(電阻-電容延遲)和信號串?dāng)_問題,從而提升
    的頭像 發(fā)表于 03-27 10:12 ?4155次閱讀
    Low-K<b class='flag-5'>材料</b>在芯片中的作用

    ?。?你的貼片陶瓷電容還在嘯叫呢?

    聲。PART 2所有陶瓷電容都會嘯叫嗎?會發(fā)出嘯叫的電容基本上是片式疊層陶瓷電容器(MLCC)其涂有粉狀陶瓷材料電介質(zhì)以錯位的方式疊合起來。陶瓷介質(zhì)的種類分為順
    發(fā)表于 03-14 11:29

    吸波材料和屏蔽材料的區(qū)別

    各種損耗機(jī)制,比如電介質(zhì)的德拜弛豫、共振吸收等,將入射電磁波轉(zhuǎn)化成熱能或其他能量形式,從而達(dá)到吸收電磁波的目的。 在工程應(yīng)用上,我們不僅要求吸波材料在較寬頻帶內(nèi)對電磁波具有高的吸收率,還要求它具有質(zhì)量輕、耐溫、耐
    的頭像 發(fā)表于 02-17 10:30 ?2044次閱讀
    吸波<b class='flag-5'>材料</b>和屏蔽<b class='flag-5'>材料</b>的區(qū)別

    芯片中介質(zhì)及其性能解析

    本文介紹了芯片里的介質(zhì)及其性能。 介電常數(shù)k概述 在介質(zhì)薄膜的沉積過程中,除了薄膜質(zhì)量如均勻性、致密性、間隙填充及臺階覆蓋能力備受關(guān)注外,介質(zhì)材料的介電常數(shù)k也成為了焦點(diǎn),因其直接關(guān)聯(lián)
    的頭像 發(fā)表于 02-10 11:09 ?2234次閱讀
    芯片中<b class='flag-5'>介質(zhì)</b>及其性能解析

    相對介電常數(shù)的定義及應(yīng)用 相對介電常數(shù)與電場強(qiáng)度的關(guān)系

    一、引言 相對介電常數(shù)是描述材料電介質(zhì)性質(zhì)或極化能力的物理參數(shù),在電磁學(xué)、電子學(xué)和材料科學(xué)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 二、相對介電常數(shù)的定義 相對介電常數(shù)(relative permittivity
    的頭像 發(fā)表于 01-31 10:31 ?1w次閱讀