問題1：讀擦除后的flash區(qū)域會卡死

首先遇到的問題是，在調(diào)試狀態(tài)下檢驗部分程序(即讀flash)能夠正確執(zhí)行，但在非調(diào)試狀態(tài)會卡死在讀指令。后來知道調(diào)試狀態(tài)的flash讀其實讀的是RAM。在非調(diào)試狀態(tài)讀flash引起了trap總線錯誤。

在初始化階段通過設置MARP.TRAPDIS位可以禁止這個錯誤。

問題2：flash擦除后個別位非0

在調(diào)試或非調(diào)試狀態(tài)，都發(fā)現(xiàn)flash中沒有寫入數(shù)據(jù)的應用程序區(qū)域中不是全0。即pflash擦除后，個別bit位確實非0. 由于存在所述問題，因而在bootloader下載程序時，不能只校驗求和APP程序數(shù)據(jù)，還需加和APP程序起始和終止地址之間的空白區(qū)域。

程序研究中發(fā)現(xiàn)： 1.每次擦除后，非0位的位置是固定的；2.擦除后的非0位，是可以通過寫命令來寫0的。

在論壇和群里咨詢了很多人，有幾個同行業(yè)遇到了這個情況，但因為程序能正確執(zhí)行，就沒在意這個問題了。

后來在英飛凌官網(wǎng)咨詢了技術支持工程師，得到的郵件答復說是ECC保護引起的，可以通過使用ILLD庫自帶的校驗函數(shù)IfxFlash_eraseVerifyMultipleSectors(dwSectorAddr, numSector);進行檢驗。我進行了校驗，檢驗結(jié)果是無錯的(內(nèi)存區(qū)域非全0則報錯)。

所以我改了BTLD工程里的刷寫程序，之前為在刷寫工程中求和燒寫的應用程序數(shù)據(jù)作為存入EEPROM里的值；現(xiàn)在改為：在刷寫完成后，求和整個應用程序地址區(qū)域的值作為存入EEPROM里的值。

來自生態(tài)圈用戶linjun

測試評估套件TC-234開箱

到手的TC-234如下圖。

1 評估套件概述

TC234KIT 評估套件是面向 Infineon Aurix 單片機——TC234初學者的完整開發(fā)工具包，通過評估套件中的開發(fā)板、使用說明書、多媒體教程和入門例程，您可以細致的了解 TC234 的功能、原理和工作特性，循序漸進的學習和掌握 TC234的軟硬件開發(fā)技術，先于目標產(chǎn)品的硬件制作，進行軟件評估和算法驗證，從而加速產(chǎn)品開發(fā)進程。評估套件包括評估板、Wiggler 仿真器、資料光盤和使用說明書等，具體如下：

1 評估板

TC234KIT 評估板，沒有提供12V/1.3A AC-DC電源和USB線纜。

2 評估板簡介

TC234 評估板，默認 MCU 型號為 SAK-TC234LP-32F200F，通過 TC234 豐富的片上資源以及電路板上的外wei電路，可以對 TC234 處理器的性能資源以及主要外設進行評估和驗證。板上有符合安全功能（ISO26262）要求的電源芯片TLF35584，有助于加速功能安全產(chǎn)品的軟硬件開發(fā)。另外，通過擴展接口，用戶可以自行設計外wei電路，驗證TC234所提供的其它功能。

3 TC234評估板具有以下資源：

處理器：TC234，最高主頻 200MHz

TriCore? DSP運算功能

集成鎖步核（Lockstep） ，便于實現(xiàn)功能安全應用

程序存儲器：高達 2MB的片上程序FLASH

數(shù)據(jù)存儲器：192KB 本地數(shù)據(jù)RAM

1 路 10/100 Mbps 半雙工或全雙工以太網(wǎng) PHY 芯片 PEF7071

1 路 CAN 通訊接口，帶驅(qū)動器（TLE6250GV33）

1 路 LIN 通訊接口，帶驅(qū)動器（TLE7259-2GE）

4×LED 可編程指示燈，可做狀態(tài)顯示

1×3.3V電源指示燈

2×40 針外部擴展口（數(shù)據(jù)、地址、控制、GPIO、A/D 等）

板上集成DAP電路，通過 Mini USB 連接電腦進行仿真調(diào)試

DAP 仿真調(diào)試接口

支持功能安全的電源系統(tǒng)芯片 TLF35584

DC8~15V 電源輸入

4 TC234的典型應用有：

發(fā)動機管理系統(tǒng)（汽油機、柴油機）

變速箱控制單元

電動汽車和混合動力汽車整車控制器（VCU）

電動汽車電機控制器（MCU）

電池管理系統(tǒng)（BMS）

DCDC控制器和充電機（OBC）