Global Foundries 12nm工藝的3D封裝安謀芯片面世
根據(jù)外媒Tom“s Hardware的報(bào)道， GlobalFoundries （格羅方德）本周宣布，已經(jīng)使用其12nm FinFET工藝成功制成了高性能的3D Arm芯片。
格羅方德表示：“這些高密度的3D芯片將為計(jì)算應(yīng)用，如AI/ML（人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)）以及高端消費(fèi)級(jí)移動(dòng)和無(wú)線解決方案，帶來(lái)新的性能和能源效率?！?/p>
據(jù)報(bào)道，格羅方德和Arm這兩家公司已經(jīng)驗(yàn)證了3D設(shè)計(jì)測(cè)試（DFT）方法，使用的是格羅方德的混合晶圓對(duì)晶圓鍵合。這項(xiàng)技術(shù)每平方毫米可支持多達(dá)100萬(wàn)個(gè)3D連接，使其具有高度可擴(kuò)展性，并有望為12nm 3D芯片提供更長(zhǎng)的使用壽命。
對(duì)于3D封裝技術(shù)，英特爾去年宣布了其對(duì)3D芯片堆疊的研究，AMD也談到了在其芯片上疊加3D DRAM和SRAM的方案。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
462文章
53183瀏覽量
453759 -
Global Foundries
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
7瀏覽量
5722
原文標(biāo)題：電子工程師必備的八大技能，你第幾級(jí)了？
文章出處：【微信號(hào)：EngicoolArabic，微信公眾號(hào)：電子工程技術(shù)】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
3D封裝架構(gòu)的分類和定義
3D封裝架構(gòu)主要分為芯片對(duì)芯片集成、封裝對(duì)封裝集成和異構(gòu)集成三大類，分別采用TSV、TCB和混合
【海翔科技】玻璃晶圓 TTV 厚度對(duì) 3D 集成封裝可靠性的影響評(píng)估
一、引言
隨著半導(dǎo)體技術(shù)向小型化、高性能化發(fā)展，3D 集成封裝技術(shù)憑借其能有效提高芯片集成度、縮短信號(hào)傳輸距離等優(yōu)勢(shì)，成為行業(yè)發(fā)展的重要方向 。玻璃晶圓因其良好的光學(xué)透明性、化學(xué)穩(wěn)定性及機(jī)械強(qiáng)度
【「AI芯片：科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)
閃存。
現(xiàn)在應(yīng)用于邏輯芯片，還在起步階段。
2）3D堆疊技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
3D堆疊技術(shù)面臨最大挑戰(zhàn)是散熱問(wèn)題。
3）3D堆疊技術(shù)的AI
發(fā)表于 09-15 14:50
3D封裝的優(yōu)勢(shì)、結(jié)構(gòu)類型與特點(diǎn)
時(shí)，摩爾定律的進(jìn)一步發(fā)展遭遇瓶頸。傳統(tǒng) 2D 封裝因互連長(zhǎng)度較長(zhǎng)，在速度、能耗和體積上難以滿足市場(chǎng)需求。在此情況下，基于轉(zhuǎn)接板技術(shù)的 2.5D 封裝，以及基于引線互連和 TSV 互連
3D 共聚焦顯微鏡 | 芯片制造光刻工藝的表征應(yīng)用
光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟，其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下，光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對(duì)準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級(jí)，傳統(tǒng)檢測(cè)手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦
3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)
3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢(shì)，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
3D封裝與系統(tǒng)級(jí)封裝的背景體系解析介紹
3D封裝與系統(tǒng)級(jí)封裝概述 一、引言：先進(jìn)封裝技術(shù)的演進(jìn)背景 隨著摩爾定律逐漸逼近物理極限，半導(dǎo)體行業(yè)開始從單純依賴制程微縮轉(zhuǎn)向封裝技術(shù)創(chuàng)新。
3D IC背后的驅(qū)動(dòng)因素有哪些？
3D多芯片設(shè)計(jì)背后的驅(qū)動(dòng)因素以及3D封裝的關(guān)鍵芯片到芯片和接口IP要求。
芯片3D堆疊封裝：開啟高性能封裝新時(shí)代！
在半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展歷程中，芯片封裝技術(shù)始終扮演著至關(guān)重要的角色。隨著集成電路設(shè)計(jì)復(fù)雜度的不斷提升和終端應(yīng)用對(duì)性能、功耗、尺寸等多方面要求的日益嚴(yán)苛，傳統(tǒng)的2D封裝技術(shù)已經(jīng)難以滿足市
一文詳解2.5D封裝工藝
2.5D封裝工藝是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)，它通過(guò)中介層（Interposer）將多個(gè)功能芯片在垂直方向上連接起來(lái)，從而減小封裝尺寸面積，減
2.5D和3D封裝技術(shù)介紹
整合更多功能和提高性能是推動(dòng)先進(jìn)封裝技術(shù)的驅(qū)動(dòng)，如2.5D和3D封裝。 2.5D/3D
技術(shù)資訊 | 2.5D 與 3D 封裝
本文要點(diǎn)在提升電子設(shè)備性能方面，2.5D和3D半導(dǎo)體封裝技術(shù)至關(guān)重要。這兩種解決方案都在不同程度提高了性能、減小了尺寸并提高了能效。2.5D封裝
一文理解2.5D和3D封裝技術(shù)
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，先進(jìn)封裝技術(shù)成為了提升芯片性能和功能密度的關(guān)鍵。近年來(lái)，作為2.5D和3D封裝技術(shù)之間的一種結(jié)合方案，3.5
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論