chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

東芝開始研究5bitPLC的NAND閃存 PLC將有更少的PE和更慢的性能

半導(dǎo)體動態(tài) ? 來源:工程師吳畏 ? 2019-08-26 16:15 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

根據(jù)Tom‘s Hardwared的報道,東芝在今年的閃存峰會上提到了未來的BiCS閃存,以及PLC的NAND開發(fā)。

東芝已經(jīng)開始計劃其BiCS閃存的第五代到第七代的研發(fā)。每一代新產(chǎn)品都將與新一代的PCIe標(biāo)準(zhǔn)相一致,BiCS 5將很快與PCIe 4.0同步上市,但該公司沒有提供具體的時間表。BiCS5將具有更高的帶寬1200 MT/s,而BiCS6將達到1600 MT/s, BiCS7將達到2000 MT/s。

該公司還開始研究5bit PLC的NAND閃存,新的閃存提供了更高的密度,每個單元可以存儲5位,而目前的QLC只能存儲4位。PLC將有更少的PE和更慢的性能,但新的NVMe協(xié)議特性以及Dram閃存和控制芯片會帶來一些性能提升。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 東芝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    1485

    瀏覽量

    123838
  • NAND閃存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    229

    瀏覽量

    23748
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    一文秒懂XTX SD NAND

    :原理、性能與應(yīng)用 隨著消費電子、工業(yè)控制、汽車電子和安防監(jiān)控等領(lǐng)域?qū)Ω呙芏?、低成本存儲需求的不斷攀升,SD NAND閃存因其體積小、集成度高、易于部署的特點,成為SD卡(SD、SDHC、SDXC等
    的頭像 發(fā)表于 10-30 08:38 ?390次閱讀
    一文秒懂XTX SD <b class='flag-5'>NAND</b>

    如何在“SD 卡 NAND 閃存”的情況下使用 Non-OS NVTFAT?

    如何在“SD 卡 NAND 閃存”的情況下使用 Non-OS NVTFAT
    發(fā)表于 09-01 07:58

    N9H30如何使用 NuWriter 進行 NAND 閃存?

    N9H30如何使用 NuWriter 進行 NAND 閃存?
    發(fā)表于 09-01 06:01

    什么是Flash閃存以及STM32使用NAND Flash

    電流供應(yīng)的條件下也能夠長久地保持?jǐn)?shù)據(jù),其存儲特性相當(dāng)于硬盤,這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲介質(zhì)的基礎(chǔ)。 分類 NOR和NAND是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。 在1984年,
    發(fā)表于 07-03 14:33

    Flash閃存技術(shù)是什么?創(chuàng)世SD NAND Flash又有何獨特之處?#嵌入式開發(fā) #存儲芯片 #閃存

    閃存
    深圳市雷龍發(fā)展有限公司
    發(fā)布于 :2025年06月05日 17:58:25

    拯救NAND/eMMC:延長閃存壽命

    隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用,NAND閃存和eMMC作為主流存儲介質(zhì),其使用壽命受到廣泛關(guān)注。本文將探討其損壞的軟件原因,并提供延長使用壽命的實用方法。前言長時間運行后出現(xiàn)NAND或者eMMC損壞,可能
    的頭像 發(fā)表于 03-25 11:44 ?2245次閱讀
    拯救<b class='flag-5'>NAND</b>/eMMC:延長<b class='flag-5'>閃存</b>壽命

    NAND閃存的工作原理和結(jié)構(gòu)特點

    NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù),廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機存儲中,具有高速讀寫和耐用性強的特點。
    的頭像 發(fā)表于 03-12 10:21 ?4508次閱讀
    <b class='flag-5'>NAND</b><b class='flag-5'>閃存</b>的工作原理和結(jié)構(gòu)特點

    NAND閃存價格預(yù)測:2025年將呈V型走勢

    市場研究機構(gòu)TrendForce近日對2025年NAND閃存價格走勢進行了預(yù)測,預(yù)計全年價格將呈現(xiàn)V型波動。 據(jù)TrendForce分析,2025年一季度,NAND
    的頭像 發(fā)表于 02-18 11:03 ?2314次閱讀

    DDR4內(nèi)存價格下跌,NAND閃存減產(chǎn)效果未顯

    TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告顯示,DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢。
    的頭像 發(fā)表于 02-08 16:41 ?870次閱讀

    DRAM與NAND閃存市場表現(xiàn)分化

    近日,根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告,DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)。 在DRAM方面,消費者需求在春節(jié)過后依然沒有顯著回暖,市場呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢
    的頭像 發(fā)表于 02-07 17:08 ?910次閱讀

    SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較

    ”“11”,其它如TLC、QLC、PLC也按照相應(yīng)位數(shù)進行以此類推。   不同的閃存類似,其性能、耐久性和價格是不同的。   在性能和耐久性方面,SLC>MLC>TLC>QLC>
    發(fā)表于 01-15 18:15

    三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量

    近日,三星電子已做出決定,將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前,全球NAND閃存市場面臨供過于求的局面,預(yù)計今年
    的頭像 發(fā)表于 01-14 14:21 ?789次閱讀

    EMMC和NAND閃存的區(qū)別

    智能手機、平板電腦、筆記本電腦和其他電子設(shè)備中都有應(yīng)用。 1. 定義和歷史 NAND閃存 是一種非易失性存儲技術(shù),它允許數(shù)據(jù)在斷電后仍然被保留。NAND閃存最初在1980年代由
    的頭像 發(fā)表于 12-25 09:37 ?4357次閱讀

    3D NAND的發(fā)展方向是500到1000層

    芯片行業(yè)正在努力在未來幾年內(nèi)將?3D NAND?閃存的堆棧高度提高四倍,從 200 層增加到 800 層或更多,利用額外的容量將有助于滿足對各種類型內(nèi)存的無休止需求。 這些額外的層將帶來新的可靠性
    的頭像 發(fā)表于 12-19 11:00 ?1289次閱讀
    3D <b class='flag-5'>NAND</b>的發(fā)展方向是500到1000層

    關(guān)于SD NAND 的概述

    貼、容易脫落的問題,同時占用更少的PCB面積。   2. 使用壽命與穩(wěn)定性 []()   使用SLC NAND Flash晶圓:SLC NAND Flash是NAND
    發(fā)表于 12-06 11:22