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到2021年,國內(nèi)存儲企業(yè)將無后顧之憂

漁翁先生 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:Allen Yin ? 2019-10-10 09:30 ? 次閱讀
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我國幾乎以1500億美元的投資表明了其在存儲芯片領(lǐng)域自給自足的決心,并且最有可能實現(xiàn)其目標(biāo)。這些內(nèi)存計劃之一就是合肥長鑫和長江存儲分別在DRAM和NAND FLASH技術(shù)工藝的擴展和發(fā)展。

根據(jù)長江存儲和合肥長鑫的產(chǎn)品發(fā)展路線圖。到2021年,二者分別在NAND FLASH和DRAM的產(chǎn)品研發(fā)進度上取得突破,后者將完成17nm的研發(fā)。到2020年,長江存儲直接跳躍到128層3D NAND的目標(biāo),并消除從64層到128層的過程,且繞開主要NAND制造商生產(chǎn)的96層閃存芯片。

內(nèi)存芯片為何如此重要?

對于存儲器市場,國內(nèi)主要幾家存儲廠商發(fā)展正勁。因為我國是半導(dǎo)體的主要市場,大部分靠進口。2018年,我國在進口半導(dǎo)體組件上花費了3120億美元。內(nèi)存芯片構(gòu)成最大的組件,價值1240億美元,幾乎占比40%。

作為半導(dǎo)體的核心組件,我國盡量希望減少對外資半導(dǎo)體的依賴。同時,希望通過增加自身的的研發(fā)生產(chǎn)能力來減少進口此類產(chǎn)品的費用。

另外,最近與美國的貿(mào)易爭端加劇了我國方面減少對進口芯片(特別是來自美國公司的芯片)的需求。美國政府決定將華為列入其實體名單,并在其重要需求芯片領(lǐng)域?qū)ζ洹捌屎怼?。眾多事情讓我們意識到,如果不發(fā)展自己的芯片,將來又會發(fā)生什么。

國產(chǎn)內(nèi)存芯片正取得進展

根據(jù)<電子發(fā)燒友>記者掌握的信息,目前全球存儲NAND FLASH市場由六家公司控制。三星東芝,美光,西部數(shù)據(jù),SK海力士和英特爾。DRAM市場更加集中,只有三家公司生產(chǎn)幾乎所有的DRAM芯片。它們分別是三星,SK海力士和美光。

反觀國內(nèi),長江存儲著力于NAND FLASH的生產(chǎn),合肥長鑫致力于DRAM的生產(chǎn)。福建晉華曾經(jīng)是第三家,但由于美國商務(wù)部對其DRAM設(shè)備、器件的禁售,導(dǎo)致其暫陷入困境。

國內(nèi)的存儲芯片生產(chǎn)研發(fā)起步較晚。在NAND FLASH產(chǎn)品方面,2018年第二季度,長江存儲才正式推出32層的3D NAND閃存芯片,今年8月該公司的64層3D NAND已啟動量產(chǎn)。令人驚喜的是,合肥長鑫DRAM產(chǎn)品19nm級第一代8Gb DDR4也開始投產(chǎn)。

目前的產(chǎn)量很低,每月約有20,000個12英寸晶圓,但兩家公司應(yīng)該能夠在明年之前將月產(chǎn)量提高到100,000至150,000個晶圓。兩家公司在工藝技術(shù)方面也落后,但他們有雄心勃勃的計劃來縮小差距。

例如,長江存儲的目標(biāo)是在2020年實現(xiàn)128層QLC芯片的批量生產(chǎn),這與其他打算生產(chǎn)128層芯片的NAND制造商相吻合。該公司聲稱其Xtacking架構(gòu)為其NAND芯片提供了更高的性能,并具有更快的讀寫速度,更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品制造周期。

合肥長鑫的平爾萱博士在CFMS2019上的一次演講中指出,該公司正在研究包括EUV,HKMG和GAA在內(nèi)的技術(shù),這將使其能夠改善其當(dāng)前的10nm級制造工藝。他聲稱自己的技術(shù)與同行相近,目標(biāo)是盡快趕上。

存儲企業(yè)內(nèi)存生產(chǎn)計劃龐大

更重要的是,國產(chǎn)存儲企業(yè)打算將在產(chǎn)線生產(chǎn)能力上提高到多少。除武漢和合肥外,我國另外三個城市也正在建設(shè)存儲器工廠。同時,晉江也可能會開始DRAM生產(chǎn),但是目前由于法律問題,參與其中的公司福建晉華目前處于困境。


表1:國產(chǎn)存儲芯片五大研發(fā)生產(chǎn)基地。 來源/電子發(fā)燒友制表

就投資工程而言,已撥出100到1500億美元的資金來幫助在這些城市中啟動內(nèi)存生產(chǎn)。晶圓廠的產(chǎn)能將分階段上線,但五個城市中的每個晶圓廠最終將具有每月200,000至300,000片12英寸晶圓的產(chǎn)能。

如果一切按計劃進行,國產(chǎn)存儲芯每月的內(nèi)存生產(chǎn)能力將在1,000,000至1,500,000晶圓之間。根據(jù)筆者查詢到的相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,目前全球DRAM和NAND存儲器的月生產(chǎn)能力分別約為1,200,000和1,500,000片晶圓。

這些數(shù)字清楚地表明,從現(xiàn)在起甚至可能更快的幾年內(nèi),國產(chǎn)存儲芯片將能夠在存儲器市場的供應(yīng)方面發(fā)揮很大的影響力。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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