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預(yù)計(jì)Q4季度NAND閃存市場漲幅10%,三星計(jì)劃增大投資

牽手一起夢(mèng) ? 來源:郭婷 ? 作者:新浪科技 ? 2019-10-14 14:46 ? 次閱讀
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在連跌7個(gè)季度之后,NAND閃存市場將在今年底迎來轉(zhuǎn)機(jī),Q3季度閃存價(jià)格下跌幅度已經(jīng)大幅收窄,預(yù)計(jì)Q4季度會(huì)由跌轉(zhuǎn)漲,漲幅約為10%。

價(jià)格變化的同時(shí),上游的閃存廠商也開始有新的動(dòng)作了,韓媒報(bào)道稱三星計(jì)劃將明年的存儲(chǔ)芯片開支增加到65億美元,額外增加的資金主要用于建設(shè)位于中國西安的閃存工廠二期工程。

在中國西安,三星2014年投資70億美元建設(shè)了第一期閃存工廠,主要生產(chǎn)第一代V-NAND閃存芯片。2017年,三星與西安政府簽署了新的協(xié)議,將在2020年之前再次投資70億美元建設(shè)第二座閃存工廠。

不過2017年的時(shí)候閃存市場還是牛市,價(jià)格上漲了一年多了,在2018年、2019年閃存價(jià)格接連下滑之后,三星建設(shè)西安工廠的速度也慢下來了?,F(xiàn)在加速建設(shè)新工廠,實(shí)際上也是因?yàn)殚W存市場即將迎來拐點(diǎn),2020年普遍被看好,三星大舉建設(shè)新工廠,有助于搶占更高的份額。

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