全球存儲器壟斷格局已經(jīng)持續(xù)近20年，按2018年12月數(shù)據(jù)，韓國三星，海力士總計獲得DRAM的73%及NAND閃存52%的市場份額。但是據(jù)觀察，未來這樣的壟斷格局遲早可能會發(fā)生改變。

根本原因是市場中的利益不可能長久獨占，到時候一定會分化，它是全球市場化的基本規(guī)則。

存儲器業(yè)前景看好

美光副總裁Sumit Sadana認為存儲器業(yè)將迎來未來10-20年的好光景。按照成長率計，NAND的年均增長率可達35%，以及DRAM為15-19%。

因為存儲器是伴隨著計算機業(yè)成長與進步，開初時CPU與存儲器的銷售額為近1：1，如今在移動時代，加上AI，5G及大數(shù)據(jù)等共同推動下，存儲器的使用量大幅上升，在2018年已經(jīng)達到3：1，存儲器的銷售額已達1,600億美元。

阿里云智聯(lián)網(wǎng)首席科學家丁險峰預測，2030年大陸將會設計制造世界上80~90%的物聯(lián)網(wǎng)設備以及50%的云端運算。80%的物聯(lián)網(wǎng)設備不僅制造在大陸，設計也在大陸。物聯(lián)網(wǎng)是高度碎片化的市場，必須有大量的工程師支持各種應用場景。大陸的認知運算將占據(jù)全球一半以上。

IDC預測2020年全球數(shù)據(jù)總量將突破40ZB，到2025年，全球聯(lián)網(wǎng)設備一年產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量達到79.4ZB。在阿里云棲大會上，阿里巴巴董事長張勇提出的公開預測數(shù)據(jù)顯示，到2025年，全球一年產(chǎn)生的數(shù)據(jù)將達175ZB，是IDC預測的兩倍。

雖然全球數(shù)據(jù)量呈爆炸式增長，但是數(shù)據(jù)的存儲卻面臨很大的挑戰(zhàn)，那就是存儲產(chǎn)業(yè)的增長速度遠遠追不上數(shù)據(jù)增長的速度。

從歷史的數(shù)據(jù)看，2018年全球生成了32ZB的數(shù)據(jù)但是只有5ZB的數(shù)據(jù)被存儲下來，預計到2023年，全球會有103ZB數(shù)據(jù)產(chǎn)生，但是能存儲的數(shù)據(jù)只有12ZB！所以只有不到10%的數(shù)據(jù)被存儲！

為什么全球存儲器產(chǎn)能不會同步的跟進？這是個非?，F(xiàn)實的問題，由于產(chǎn)能擴充需要投入大量的資金，另外存儲器的價格與供求緊密相關，所以每個大廠在產(chǎn)能擴充方面都是十分謹慎。它們的邏輯是寧愿讓市場的供應稍稍短缺一些。

再有存儲器的周期性起伏十分明顯，需要企業(yè)有充足的現(xiàn)金流支持。所以即便在市場態(tài)勢上升時，存儲器的產(chǎn)能擴充仍是緩慢的，不太可能急升。

據(jù)Gartner的預測，2018年全球DRAM月產(chǎn)能總計約1250K片(12英寸計)，其中三星為460K片，海力士350K及美光的345K。至2021年時估計新建產(chǎn)能再增加20-25萬片。

另據(jù)IBS的預測，2018年全球NAND閃存月產(chǎn)能總計約為1450K，到2021年時約為1,700K，在此期間再增加新建產(chǎn)能約為300K，總計為月產(chǎn)能近2,000K。

強手都欲聚焦存儲器

“人無遠慮必有近憂”，再好的企業(yè)也必須要具有危機感，想到“萬一”情況出現(xiàn)時相應的對策，如三星，已是連續(xù)多年全球存儲器老大，2018年它的存儲器利潤創(chuàng)新高，但是近期它宣布在未來的10年中要總投資達1,000億美元，欲奪取全球代工的首位。

再如英特爾，它己連續(xù)多年是全球半導體銷售額的首位，雖然它是全球最早做存儲器的企業(yè)之一，但是之后離開存儲器集中力量做處理器。如今時隔34年后它宣布要重返存儲器市場。發(fā)布新一代存儲器業(yè)務戰(zhàn)略，將炮火瞄準存儲器半導體大廠三星電子和SK海力士。

英特爾為何選擇向存儲器市場進攻呢？它的高級副總裁兼非易失性存儲器解決方案事業(yè)部總經(jīng)理羅布?克魯克解釋，因為存儲器和CPU有密不可分的關系，為加強CPU潛力，因此選擇進軍存儲器，并決定再擴新墨西哥州的新生產(chǎn)線。

值得注意的是英特爾采用3D Xpoint、是與美光聯(lián)合發(fā)布的新型閃存技術，號稱是25年來存儲技術的革命性突破，速度是目前NAND閃存的1000倍，耐用性也是目前閃存的1000倍，密度是NAND的10倍。

英特爾指出，機器所產(chǎn)生的大量資料通常需透過實時分析后，才能賦予數(shù)據(jù)價值。此項需求凸顯了內(nèi)存儲層級結構所產(chǎn)生的缺口，即DRAM容量不足、SSD則不夠快。而這些缺口可透過Optane DC持續(xù)性內(nèi)存來填補，就連更大量的數(shù)據(jù)集(data set)也可透過儲存接口連接的Optane技術來填補缺口。

然而英特爾能否如愿以償，決定于3D Xpoint產(chǎn)品能否取得眾多服務器客戶的青睞，目前尚為時過早。

另外，如全球代工的臺積電，實際上它一直在作嵌入式存儲器的代工。但是它至今并未表示要向存儲器進軍。僅是業(yè)界有人認為臺積電要保持“常青”，應該及早跨入存儲器業(yè)，此話并非一時沖動。因為全球代工業(yè)中臺積電的市占己達54%，離第二名的三星有很大的距離。但是由于工藝制程技術已經(jīng)進入3nm，計劃向2nm挺進，甚至達1nm。不可否認的事實，僅5nm的工藝研發(fā)費用為近5億美元，及3nm為近15億美元，業(yè)界預估2nm時可能高達65億美元。而7nm的一次工藝流片費用約3，000萬美元，及5nm的流片費用高達約3億人民幣。

由此隨著定律接近終點，工藝研發(fā)費用呈火箭狀上升，能支持高額費用的fabless越來越少。所以臺積電要開辟新的戰(zhàn)場是理所當然的事。

權衡比較，顯然存儲器業(yè)是“甜點”，因為它的市場容量大，成功的關鍵要充滿信心及大量資金投入，對于臺積電來說技術可能不是阻礙。所以業(yè)界有人猜測臺積電要涉足存儲器也并非捕風捉影。

至于臺積電會選擇DRAM，NAND，或是新型的存儲器產(chǎn)品，業(yè)界預估非?？赡苁切滦痛鎯ζ?。

中國要加入存儲器行列

站在不同立場，對于中國要加入存儲器行列的態(tài)度是截然不同。

中國半導體業(yè)認為中方消耗了近60%的全球存儲器，未來要實現(xiàn)國產(chǎn)化，是理所當然的事。至多從開初到占領市場份額，會多化些時間。

但是部分西方業(yè)者并不同意此看法，甚至認為中國半導體涉足存儲器業(yè)可能會打亂國際上的平衡格局。

因此從國際分析機構對于全球存儲器市場的預測，至少在現(xiàn)階段，幾乎很少會把中國的投資及產(chǎn)能擴充部分如實地考慮進去。

中國涉足存儲器主要有兩個問題，一個是技術從那里來？另一個是產(chǎn)業(yè)規(guī)模，存儲器必須要具足夠大的規(guī)模量產(chǎn)，才能持續(xù)的生存下來。

中國半導體業(yè)對于知識產(chǎn)權的保護一直以來予以足夠重視，因為加強研發(fā)必須要有知識產(chǎn)權保護相匹配，才能起到相輔相成的作用。但是由于產(chǎn)業(yè)剛啟步，企業(yè)之間的認知度尚有差異，所以需要有個熟悉及學習的過程。

中國半導體業(yè)涉足存儲器完全是為了提高國產(chǎn)化的需求，一是肯定不會在全球稱霸，與韓國，美國相抗衡，也缺乏實力，另一個中國是集國家之力攻克存儲器，因此一定能夠成功，無非是花的時間可能久些，但是國家意志已決，現(xiàn)階段的主要目標是盡快地出產(chǎn)品，至于市占率剛開始能達3-5%已經(jīng)相當可觀，另外即便暫時有些虧損，對于國家而言也完全可以承受。所以對于中國要涉足存儲器業(yè)，部分西方人士也應該要正確的理解，總不能扼殺中國要自制自用部分存儲器的權利。同樣完全拿西方的經(jīng)驗來觀察及分析中國的半導體業(yè)發(fā)展，可能未必能夠得出正確的結果。

結語

存儲器業(yè)壟斷格局不可能一成不變，此點可能連三星的心里也十分清楚。依目前態(tài)勢分析，壟斷格局可能分化，什么時間尚不可預測。除了強手及中國涉足之外，新型存儲器的“攪局”，目前的“候選者”也不少，可能是另一個變數(shù)，但是哪一種能勝出，及在什么時間段開始尚有待市場來抉擇。

中國半導體業(yè)要涉足存儲器業(yè)是國家意志，不會改變，要相信中國半導體業(yè)會按照國際通用規(guī)則，一方面大力開發(fā)IP，同時會尊重與保護知識產(chǎn)權，融合全球化之中。目前1xnm DRAM已取得實質(zhì)性的進展，正在繼續(xù)產(chǎn)能爬坡與擴充。而3DNAND，長江存儲擁有獨創(chuàng)的Xtaking技術，它已從32層向64層過度，預計2020年也將進入量產(chǎn)階段。

中國半導體業(yè)進入存儲器業(yè)對于全球半導體業(yè)應該是件好事，它至少推動半導體設備及材料業(yè)的進步，同時有利于全球存儲器業(yè)的轉型，相信在中國半導體業(yè)參與下，通過市場的公平競爭，會對全球存儲器業(yè)發(fā)展作出更大貢獻。

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